JPH0359933A - 螢光表示管 - Google Patents
螢光表示管Info
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- JPH0359933A JPH0359933A JP19259789A JP19259789A JPH0359933A JP H0359933 A JPH0359933 A JP H0359933A JP 19259789 A JP19259789 A JP 19259789A JP 19259789 A JP19259789 A JP 19259789A JP H0359933 A JPH0359933 A JP H0359933A
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は螢光表示管に係わジ、特にフェースガラスの反
射防止構造に関するものである。
射防止構造に関するものである。
通常、フェースガラス側から表示情報を観察するタイプ
の螢光表示管は、第4図に示すように例えばガラス基板
1上に導電層2.絶縁層3.アノード電極41螢光体層
5.グリッド電極6およびフイラメン)7などの主要構
成部材を搭載した基板組立体8と、透光性フェースガラ
ス9にスペーサガラス10を接着させたフェースガラス
組立体11とを対向させ、7リツトガラス12によシ封
着させた後、排気管13から排気を行ない、内部を真空
状態に保持して排気管13のチップオフを行なって製作
していた。オた、上述した透光性フェースガラス9の内
面側(真空側)には、静電気の帯電による螢光体層5の
発光不良を防止するために例えばネサ膜もしくはITO
(Indium −Tin −0xide )膜などの
透明導電膜14が形成されている。iお、15はリード
ビン、16は導電パッドである。
の螢光表示管は、第4図に示すように例えばガラス基板
1上に導電層2.絶縁層3.アノード電極41螢光体層
5.グリッド電極6およびフイラメン)7などの主要構
成部材を搭載した基板組立体8と、透光性フェースガラ
ス9にスペーサガラス10を接着させたフェースガラス
組立体11とを対向させ、7リツトガラス12によシ封
着させた後、排気管13から排気を行ない、内部を真空
状態に保持して排気管13のチップオフを行なって製作
していた。オた、上述した透光性フェースガラス9の内
面側(真空側)には、静電気の帯電による螢光体層5の
発光不良を防止するために例えばネサ膜もしくはITO
(Indium −Tin −0xide )膜などの
透明導電膜14が形成されている。iお、15はリード
ビン、16は導電パッドである。
このようにS威される螢光表示管は、ユーザが使用する
場合、フェースガラス9が透光性であることから、表示
領域以外に内部の構成部材が筏認できない程度に有色の
極めて濃いフィルタを用いて表示内容の鮮明度を出現さ
せるとともに外部光の反射による表示の視認性の低下を
軽減させていた。
場合、フェースガラス9が透光性であることから、表示
領域以外に内部の構成部材が筏認できない程度に有色の
極めて濃いフィルタを用いて表示内容の鮮明度を出現さ
せるとともに外部光の反射による表示の視認性の低下を
軽減させていた。
しかしながら、従来の螢光表示管は、実際の使用におい
て、フィルタの使用が不可欠であるが、通常用いられる
低コストのプラスチック系のフィルタでは、紫外線、熱
線などによる退色や素材の脆化が発生するために例えば
公衆電話器などの屋外に常設される設備の表示素子とし
て使用できないという問題があった。
て、フィルタの使用が不可欠であるが、通常用いられる
低コストのプラスチック系のフィルタでは、紫外線、熱
線などによる退色や素材の脆化が発生するために例えば
公衆電話器などの屋外に常設される設備の表示素子とし
て使用できないという問題があった。
したがって本発明は、上述したプラスチック系フィルタ
の欠陥に起因する螢光表示管利用上の範囲の制約を改善
するためになされたもので、その目的は、紫外線や熱線
による退色や素材の劣化が極めて少ないフィルタ効果を
有する螢光表示管を提供することにある。
の欠陥に起因する螢光表示管利用上の範囲の制約を改善
するためになされたもので、その目的は、紫外線や熱線
による退色や素材の劣化が極めて少ないフィルタ効果を
有する螢光表示管を提供することにある。
本発明は透光性ガラスを通して表示情報を観察する螢光
表示管にかいて、この透光性ガラス面に耐熱性薄膜フィ
ルタを形成するものである。
表示管にかいて、この透光性ガラス面に耐熱性薄膜フィ
ルタを形成するものである。
本発明における耐熱性薄膜フィルタは、紫外線や熱線力
どによる退色や素材の劣化を著しく低減させる。
どによる退色や素材の劣化を著しく低減させる。
〔実施例〕
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明による螢光表示管の一実施例を説明する
ためのフェースガラスの要部拡大断面図である。同図に
おいて、矢印A方向から表示情報を観察する透光性フェ
ースガラス20の真空容器の内側となる内面には金属も
しくは複合金属の低級酸化物からなる薄膜フィルタ21
が形成されている。この薄膜フィルタ21は、第2図に
示すようにスパッタリングターゲットとしてAt板30
にW酸化物31を占有面積比で約25%の割合で埋め込
んだ複合ターゲット32を用いて通常のスパッタリング
法によシ透光性フェースガラス20の真空容器の内側と
なる面上に約80OA の厚さに堆積してA L :
WO3膜を形成する。この透光性フェースガラス20に
薄膜フィルタ21を形成したフェースガラスを用いて従
来と同様の螢光表示管製造工程によシ螢光表示管を製作
したところ、上記透光性フェースガラス20面に薄膜フ
ィルタ21を形成したフェースガラスの透過率は約30
3 嘩であった。この透過率の値は、フェースガラス20に
薄膜フィルタ21を形成した直後の値(約22多)の約
1.5倍以内であシ、螢光表示管組立工程におけるフリ
ットガラス12(第4図参照)の仮焼成工程(空気巾約
410℃)、封止工程(窒素巾約450℃)および排気
工程(真空巾約350℃)の各熱工程における透過率の
変化はそれぞれ僅かであjl) 、A t : W O
3薄膜フイルタ21は、螢光表示管製造の熱工程に対し
て充分な耐熱性を有することが判明した。着た、同時に
帯電防止機能が得られた。
ためのフェースガラスの要部拡大断面図である。同図に
おいて、矢印A方向から表示情報を観察する透光性フェ
ースガラス20の真空容器の内側となる内面には金属も
しくは複合金属の低級酸化物からなる薄膜フィルタ21
が形成されている。この薄膜フィルタ21は、第2図に
示すようにスパッタリングターゲットとしてAt板30
にW酸化物31を占有面積比で約25%の割合で埋め込
んだ複合ターゲット32を用いて通常のスパッタリング
法によシ透光性フェースガラス20の真空容器の内側と
なる面上に約80OA の厚さに堆積してA L :
WO3膜を形成する。この透光性フェースガラス20に
薄膜フィルタ21を形成したフェースガラスを用いて従
来と同様の螢光表示管製造工程によシ螢光表示管を製作
したところ、上記透光性フェースガラス20面に薄膜フ
ィルタ21を形成したフェースガラスの透過率は約30
3 嘩であった。この透過率の値は、フェースガラス20に
薄膜フィルタ21を形成した直後の値(約22多)の約
1.5倍以内であシ、螢光表示管組立工程におけるフリ
ットガラス12(第4図参照)の仮焼成工程(空気巾約
410℃)、封止工程(窒素巾約450℃)および排気
工程(真空巾約350℃)の各熱工程における透過率の
変化はそれぞれ僅かであjl) 、A t : W O
3薄膜フイルタ21は、螢光表示管製造の熱工程に対し
て充分な耐熱性を有することが判明した。着た、同時に
帯電防止機能が得られた。
なお、この薄膜フィルタの透過率は、At板30に対す
るW酸化物31の占有面積比を変化させることにより(
酸化の程度を変化させることによシ)、5〜90%の間
の任意の値を得ることが可能である。會た、内面に薄膜
フィルタ21を形成したフェースガラス20の表面から
見た外部光の反射率は、薄膜フィルタ21の透過率によ
シ変るが、6〜20%程度であり、通常の内面側に帯電
防止用透明導電膜14を形成したフェースガラス9(第
4− 4図参照)の13〜14嘩に比較してほとんど遜色女<
、条件によってはむしろ良い結果が得られた。
るW酸化物31の占有面積比を変化させることにより(
酸化の程度を変化させることによシ)、5〜90%の間
の任意の値を得ることが可能である。會た、内面に薄膜
フィルタ21を形成したフェースガラス20の表面から
見た外部光の反射率は、薄膜フィルタ21の透過率によ
シ変るが、6〜20%程度であり、通常の内面側に帯電
防止用透明導電膜14を形成したフェースガラス9(第
4− 4図参照)の13〜14嘩に比較してほとんど遜色女<
、条件によってはむしろ良い結果が得られた。
第3図は本発明による螢光表示管の他の実施例を説明す
るための7エースガラス基板の要部拡大断面図である。
るための7エースガラス基板の要部拡大断面図である。
同図に訃いて、矢印A方向から表示情報を観察する透光
性フェースガラス20の真空容器の内側となる内面には
誘電体(Zr02)をスパッタリング法によシ約80O
Aの厚さに堆積して誘電体薄膜22が形成され、さらに
この誘電体薄膜22上にはAt板にTi酸化物の小片を
占有面積比で約25嘩の割合で埋め込んだ複合ターゲッ
トを用いてスパッタリング法によう約60OAの厚さの
A L : T i Oz膜23が堆積されて透光性フ
ェースガラス20面上に誘電体薄膜22とAt: T
iOZ膜23との2層構造からなる薄膜フィルタ24が
形成されている。この2層構造の薄膜フィルタ24にお
いても、その透過率はA4板に対するTi酸化物の占有
面積比を変化させることにより、5〜90%の間の任意
の値を得ることが可能であり、tた、このフェースガラ
ス2oの表面側から見た外部光の反射率は5〜6%と低
減させることができるとともに反射率のばらつきを最小
限に抑えることができた。
性フェースガラス20の真空容器の内側となる内面には
誘電体(Zr02)をスパッタリング法によシ約80O
Aの厚さに堆積して誘電体薄膜22が形成され、さらに
この誘電体薄膜22上にはAt板にTi酸化物の小片を
占有面積比で約25嘩の割合で埋め込んだ複合ターゲッ
トを用いてスパッタリング法によう約60OAの厚さの
A L : T i Oz膜23が堆積されて透光性フ
ェースガラス20面上に誘電体薄膜22とAt: T
iOZ膜23との2層構造からなる薄膜フィルタ24が
形成されている。この2層構造の薄膜フィルタ24にお
いても、その透過率はA4板に対するTi酸化物の占有
面積比を変化させることにより、5〜90%の間の任意
の値を得ることが可能であり、tた、このフェースガラ
ス2oの表面側から見た外部光の反射率は5〜6%と低
減させることができるとともに反射率のばらつきを最小
限に抑えることができた。
このように透光性フェースガラス20の内面に薄膜フィ
ルタ21.24を形成した螢光表示管では、従来の帯電
防止用透明導電膜14(第4図参照)を形成した螢光表
示管と比較すると、高温度(+85℃)での螢光体層5
の輝度劣化がほとんどなく、螢光表示管自体の耐環境性
を大幅に向上させることができた。
ルタ21.24を形成した螢光表示管では、従来の帯電
防止用透明導電膜14(第4図参照)を形成した螢光表
示管と比較すると、高温度(+85℃)での螢光体層5
の輝度劣化がほとんどなく、螢光表示管自体の耐環境性
を大幅に向上させることができた。
寸た、発明者らの実験によれば、上記フェースガラス2
00代シに通常のブラウン管に用いるノングレアガラス
を用しることによシ、上述した各実施例におして、反射
率をさらに40〜50%程度に低減が可能となった。さ
らに通常用いられているようにフェースガラス20の表
面側にMgF2をコーティングすることによシ、内面側
に薄膜フィルタ21もしくは薄膜フィルタ24を形成し
たフェースガラス200反射率の内のフェースガラ22
0表面からの反射率成分約4%を、約1.5嘩に低減、
すなわち上記各実施例において、さらに約2.5%程度
の反射率を低減させることができた。
00代シに通常のブラウン管に用いるノングレアガラス
を用しることによシ、上述した各実施例におして、反射
率をさらに40〜50%程度に低減が可能となった。さ
らに通常用いられているようにフェースガラス20の表
面側にMgF2をコーティングすることによシ、内面側
に薄膜フィルタ21もしくは薄膜フィルタ24を形成し
たフェースガラス200反射率の内のフェースガラ22
0表面からの反射率成分約4%を、約1.5嘩に低減、
すなわち上記各実施例において、さらに約2.5%程度
の反射率を低減させることができた。
豊た、薄膜フィルタの材料としてStもしくはSlの低
級酸化物(SiOx) を用いることにょb1ガラス基
板側から表示情報を観察する構成の螢光表示管において
も、ガラス基板の内面への薄膜フィルタの形成が可能で
ある。なお、ガラス基板側から表示情報を観察する構成
の螢光表示管では、その構造上、薄膜フィルタは帯電防
止機能を兼用する必要性がないので、薄膜フィルタは真
空容器の外側となるガラス基板面に形成し°Cも良い。
級酸化物(SiOx) を用いることにょb1ガラス基
板側から表示情報を観察する構成の螢光表示管において
も、ガラス基板の内面への薄膜フィルタの形成が可能で
ある。なお、ガラス基板側から表示情報を観察する構成
の螢光表示管では、その構造上、薄膜フィルタは帯電防
止機能を兼用する必要性がないので、薄膜フィルタは真
空容器の外側となるガラス基板面に形成し°Cも良い。
なか、上述した実施例においては、耐熱導電性薄膜フィ
ルタとして金属もしくは複合金属の低級酸化物のみにつ
いて説明したが、金属もしくは複合金属の低級窒化膜に
おいても導電性を有することが知られているので、これ
らについても螢光表示管の製造上の熱工程に耐え得るも
のであれば、上記実施例で説明した帯電防止用膜を兼用
する薄膜フィルタとして用いることが可能である。さら
に上述した螢光表示管の製造工程における熱工程に耐え
得るものであれば、金属もしくは複合金属の炭化物も薄
膜フィルタとして用いることができることは言う笠でも
ない。
ルタとして金属もしくは複合金属の低級酸化物のみにつ
いて説明したが、金属もしくは複合金属の低級窒化膜に
おいても導電性を有することが知られているので、これ
らについても螢光表示管の製造上の熱工程に耐え得るも
のであれば、上記実施例で説明した帯電防止用膜を兼用
する薄膜フィルタとして用いることが可能である。さら
に上述した螢光表示管の製造工程における熱工程に耐え
得るものであれば、金属もしくは複合金属の炭化物も薄
膜フィルタとして用いることができることは言う笠でも
ない。
以上説明したように本発明による螢光表示管は、表示情
報を観察する透光性ガラス面に耐熱性薄膜フィルタを形
成したことにより、従来螢光表示管の利用が阻せれてい
た戸外での螢光表示管の使用が可能となり、螢光表示管
の利用範囲の拡大とともに螢光表示管自体の耐環境性を
大幅に向上できるなどの極めて優れた効果が得られる。
報を観察する透光性ガラス面に耐熱性薄膜フィルタを形
成したことにより、従来螢光表示管の利用が阻せれてい
た戸外での螢光表示管の使用が可能となり、螢光表示管
の利用範囲の拡大とともに螢光表示管自体の耐環境性を
大幅に向上できるなどの極めて優れた効果が得られる。
第1図は本発明による螢光表示管の一実施例を説明する
ためのフェースガラスの要部拡大断面図、第2図(a)
、 (b)は耐熱導電性薄膜フィルタを形成する複合タ
ーゲットを示すその平面図、そのB−B’線断面図、第
3図は本発明による螢光表示管の他の実施例を説明する
ためのフェースガラスの要部拡大断面図、第4図は従来
の螢光表示管を示す断面図である。 20・・・・透光性フェースガラス、21・・・・薄膜
フィルタ、22・・・・誘電体薄膜、23◆・・・A
Z : T s O2膵、24・・・・薄膜フィルタ。
ためのフェースガラスの要部拡大断面図、第2図(a)
、 (b)は耐熱導電性薄膜フィルタを形成する複合タ
ーゲットを示すその平面図、そのB−B’線断面図、第
3図は本発明による螢光表示管の他の実施例を説明する
ためのフェースガラスの要部拡大断面図、第4図は従来
の螢光表示管を示す断面図である。 20・・・・透光性フェースガラス、21・・・・薄膜
フィルタ、22・・・・誘電体薄膜、23◆・・・A
Z : T s O2膵、24・・・・薄膜フィルタ。
Claims (1)
- 透光性ガラスを通して表示情報を観察する螢光表示管に
おいて、上記透光性ガラス面に耐熱性薄膜フィルタを形
成したことを特徴とする螢光表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19259789A JPH0359933A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 螢光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19259789A JPH0359933A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 螢光表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0359933A true JPH0359933A (ja) | 1991-03-14 |
Family
ID=16293915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19259789A Pending JPH0359933A (ja) | 1989-07-27 | 1989-07-27 | 螢光表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0359933A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736658B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1982-08-05 |
-
1989
- 1989-07-27 JP JP19259789A patent/JPH0359933A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5736658B2 (ja) * | 1978-05-25 | 1982-08-05 |
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