JPS6262459B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6262459B2 JPS6262459B2 JP54109952A JP10995279A JPS6262459B2 JP S6262459 B2 JPS6262459 B2 JP S6262459B2 JP 54109952 A JP54109952 A JP 54109952A JP 10995279 A JP10995279 A JP 10995279A JP S6262459 B2 JPS6262459 B2 JP S6262459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- value
- thickness
- semiconductor wafer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6302—Non-deposition formation processes
- H10P14/6324—Formation by anodic treatments, e.g. anodic oxidation
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装置の製造方法に係り、特
に半導体の陽極酸化可能な膜を陽極酸化する際に
その酸化膜の膜厚を制御する方法に関する。
に半導体の陽極酸化可能な膜を陽極酸化する際に
その酸化膜の膜厚を制御する方法に関する。
ここでは、半導体の陽極酸化工程の１つである
化成工程を用いて以下説明をする。従来、半導体
の化成工程では化成膜の膜厚制御は時間で行なつ
ていた。この膜厚制御方法は、１回に処理する半
導体ウエハの枚数が少ない時はそれほど問題とな
らない。ところが、１回に処理する半導体ウエハ
の枚数が多くなつたり、半導体ウエハの径が大き
くなると大きな問題となつて来る。それは、各半
導体ウエハの陽極電極の接触具合や化成液との接
触程度により、それぞれの化成膜の膜厚が異なつ
ており、それだけ１回に処理した半導体ウエハ間
で、化成膜の膜厚に大きなバラツキを生じるから
である。又、上記の理由により、化成膜の正確な
膜厚制御は困難であつた。
化成工程を用いて以下説明をする。従来、半導体
の化成工程では化成膜の膜厚制御は時間で行なつ
ていた。この膜厚制御方法は、１回に処理する半
導体ウエハの枚数が少ない時はそれほど問題とな
らない。ところが、１回に処理する半導体ウエハ
の枚数が多くなつたり、半導体ウエハの径が大き
くなると大きな問題となつて来る。それは、各半
導体ウエハの陽極電極の接触具合や化成液との接
触程度により、それぞれの化成膜の膜厚が異なつ
ており、それだけ１回に処理した半導体ウエハ間
で、化成膜の膜厚に大きなバラツキを生じるから
である。又、上記の理由により、化成膜の正確な
膜厚制御は困難であつた。
本発明は、化成膜の正確な膜厚制御が可能な方
法を提供することにある。本発明の特徴は、化成
可能な膜に流れた電荷量に、化成膜の膜厚は比例
することを用い、電荷量によつて化成膜の膜厚を
制御する方法にある。
法を提供することにある。本発明の特徴は、化成
可能な膜に流れた電荷量に、化成膜の膜厚は比例
することを用い、電荷量によつて化成膜の膜厚を
制御する方法にある。
本発明の製造方法にかかる装置は、半導体ウエ
ハ上に形成された陽極酸化される膜に流す電流を
所定の時間間隔で計測する手段と、計測された
各々の電流を累積する手段と、累積された電流の
値が所定値になると陽極酸化を停止する手段とを
備えている。
ハ上に形成された陽極酸化される膜に流す電流を
所定の時間間隔で計測する手段と、計測された
各々の電流を累積する手段と、累積された電流の
値が所定値になると陽極酸化を停止する手段とを
備えている。
下記に、本発明の実施例を用いて具体的に説明
する。第１図は、化成機構を表わしたものであ
り、半導体ウエハ２ａは陽極電極１ａに吸着さ
れ、下から化成液３ａが半導体ウエハ２ａ面上に
均一にあたり、化成が行なわれる。尚、陰極板４
ａは噴水ヘツド６ａの取り付けてある噴水槽５ａ
の中に固定してある。第２図は、本発明の実施例
の原理を表わしたグラフである。グラフの横軸は
時間（分）、縦軸は、半導体ウエハを流れる電流
値（ｍＡ）である。本発明の制御要素である電荷
量は第２図の斜線部分の面積であり、この面積と
化成膜の膜厚は比例している。この電荷量を求め
る為に、ある走査間隔時間ごとに電流値を検出
し、その電流値と、走査間隔時間の積を累計して
ゆく。その累計値があらかじめ設定した電荷量に
一致するか又は設定値より大きくなつたら、化成
電源を切り、化成を停止させる。尚、本実施例で
の走査間隔時間は６（秒）である。又電荷量の単
位は（ｍＡ・分）である。
する。第１図は、化成機構を表わしたものであ
り、半導体ウエハ２ａは陽極電極１ａに吸着さ
れ、下から化成液３ａが半導体ウエハ２ａ面上に
均一にあたり、化成が行なわれる。尚、陰極板４
ａは噴水ヘツド６ａの取り付けてある噴水槽５ａ
の中に固定してある。第２図は、本発明の実施例
の原理を表わしたグラフである。グラフの横軸は
時間（分）、縦軸は、半導体ウエハを流れる電流
値（ｍＡ）である。本発明の制御要素である電荷
量は第２図の斜線部分の面積であり、この面積と
化成膜の膜厚は比例している。この電荷量を求め
る為に、ある走査間隔時間ごとに電流値を検出
し、その電流値と、走査間隔時間の積を累計して
ゆく。その累計値があらかじめ設定した電荷量に
一致するか又は設定値より大きくなつたら、化成
電源を切り、化成を停止させる。尚、本実施例で
の走査間隔時間は６（秒）である。又電荷量の単
位は（ｍＡ・分）である。
第３図は、本発明に基く化成停止制御電気回路
の一ブロツク図である。ウエハ２ａを流れている
電流値を電流検出部３ｂで検出し、その電流値を
用いて、電荷量計算部４ｂで電荷量を求め累計す
る。その累計値と、電荷量設定部６ｂからの値と
を照合部５ｂで比較照合する。その結果を停止制
御部７ｂへ送り、そこで化成を停止させるか否か
を判断して、化成継続の場合には化成及電荷量計
算を継続する。化成停止の場合には、安定化電源
１ｂを切つて化成を停止する。
の一ブロツク図である。ウエハ２ａを流れている
電流値を電流検出部３ｂで検出し、その電流値を
用いて、電荷量計算部４ｂで電荷量を求め累計す
る。その累計値と、電荷量設定部６ｂからの値と
を照合部５ｂで比較照合する。その結果を停止制
御部７ｂへ送り、そこで化成を停止させるか否か
を判断して、化成継続の場合には化成及電荷量計
算を継続する。化成停止の場合には、安定化電源
１ｂを切つて化成を停止する。
電荷量の求め方は、上記の方法のみとは限ら
ず、電流曲線の方程式を求め、それを用いて必要
な電荷量から、正確な化成停止時間を求めて、膜
厚の制御を行なうことも可能である。
ず、電流曲線の方程式を求め、それを用いて必要
な電荷量から、正確な化成停止時間を求めて、膜
厚の制御を行なうことも可能である。
本発明の電荷量で膜厚制御を行なうことにより
次のような効果がある。半導体ウエハと陽極電極
との接触状態及噴水ヘツドから出る化成液と半導
体ウエハとの接触状態のいかんにかかわらず、化
成膜の膜厚は、正確に制御される。これにより細
かい半導体のパターンが形成可能である。又各半
導体ウエハの膜厚制御を行なうことにより、１回
に処理する枚数の多少にかかわらず、そのバツチ
内での化成膜厚のバラツキを少なくすることが可
能となる。
次のような効果がある。半導体ウエハと陽極電極
との接触状態及噴水ヘツドから出る化成液と半導
体ウエハとの接触状態のいかんにかかわらず、化
成膜の膜厚は、正確に制御される。これにより細
かい半導体のパターンが形成可能である。又各半
導体ウエハの膜厚制御を行なうことにより、１回
に処理する枚数の多少にかかわらず、そのバツチ
内での化成膜厚のバラツキを少なくすることが可
能となる。
これらの効果は、他の陽極酸化工程において
も、同様の効果が得られる。
も、同様の効果が得られる。
第１図は、本発明の実施例の化成機構を示す側
面図であり、図中１ａ……陽極電極、２ａ……半
導体ウエハ、３ａ……化成液、４ａ……噴水槽、
５ａ……陰極電極、６ａ……噴水ヘツドである。 第２図は本発明の実施例の原理を表わした特性
図であり、縦軸は電流で単位はｍＡであり、横軸
は時間で単位は“秒”である。第３図は本発明の
実施例の化成停止制御電気回路のブロツク図であ
り、図中、１ｂ……安定化電源、２ａ……半導体
ウエハ、３ｂ……電流検出部、４ｂ……電荷量計
算部、５ｂ……照合部、６ｂ……電荷量設定部、
７ｂ……停止制御部である。
面図であり、図中１ａ……陽極電極、２ａ……半
導体ウエハ、３ａ……化成液、４ａ……噴水槽、
５ａ……陰極電極、６ａ……噴水ヘツドである。 第２図は本発明の実施例の原理を表わした特性
図であり、縦軸は電流で単位はｍＡであり、横軸
は時間で単位は“秒”である。第３図は本発明の
実施例の化成停止制御電気回路のブロツク図であ
り、図中、１ｂ……安定化電源、２ａ……半導体
ウエハ、３ｂ……電流検出部、４ｂ……電荷量計
算部、５ｂ……照合部、６ｂ……電荷量設定部、
７ｂ……停止制御部である。
Claims (1)
- １ 一回の陽極酸化によつて複数枚の半導体ウエ
ハに夫々酸化膜を形成する半導体装置の製造方法
において、各半導体ウエハ毎にウエハに流れる陽
極酸化時の電流値を所定の時間間隔で測定してそ
の累積値を求め、該累積値が予め定められた値を
越えると化成を停止することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10995279A JPS5633842A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10995279A JPS5633842A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5633842A JPS5633842A (en) | 1981-04-04 |
| JPS6262459B2 true JPS6262459B2 (ja) | 1987-12-26 |
Family
ID=14523281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10995279A Granted JPS5633842A (en) | 1979-08-28 | 1979-08-28 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5633842A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492658U (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-12 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3827949A (en) * | 1972-03-29 | 1974-08-06 | Ibm | Anodic oxide passivated planar aluminum metallurgy system and method of producing |
-
1979
- 1979-08-28 JP JP10995279A patent/JPS5633842A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0492658U (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5633842A (en) | 1981-04-04 |
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