JPS6284536A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6284536A JPS6284536A JP22440885A JP22440885A JPS6284536A JP S6284536 A JPS6284536 A JP S6284536A JP 22440885 A JP22440885 A JP 22440885A JP 22440885 A JP22440885 A JP 22440885A JP S6284536 A JPS6284536 A JP S6284536A
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- semiconductor substrate
- signal
- current
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- anodic oxidation
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に陽極酸化法
でアルミニウム配線を形成する方法に関する。
でアルミニウム配線を形成する方法に関する。
従来の陽極酸化法によるアルミニウム配線の形成を第２
図および第３図を参照して説明する。
図および第３図を参照して説明する。
第３図（ａ）に示すように半導体基板１に全面的にアル
ミニウム膜１５を被着した後、蓚酸水溶液を満たした陽
極酸化槽において、アルミニウム膜１５を所定時間陽極
酸化してその表面を薄くアルミナ層１４に変質させてお
く。これは次工程におけるホトレジスト膜の密着性を向
上させる丸めでＳる。アルミナ層１４の上にホトレジス
トをパターニングしてホトレジストパターン１６ ｔ”
形ｆｆする。この半導体基板１を第２図の陽極酸化槽
４において、アルミ電極５と対向して配置し、半導体基
板１に正、アルミ電極５に負の電圧を印加し、タイマス
イッチ９によって所定時間陽極酸化を行なう。第３図（
ｂ）に示すようにホトレジストパターン１６で覆われた
部分を除いた他の部分のアルミニウム膜１５は陽極酸化
されてアルミナ１８に変わ）、ホトレジストパターン１
６ ｆ８１われた部分にアルミニウム配線、１７が形成
される。
ミニウム膜１５を被着した後、蓚酸水溶液を満たした陽
極酸化槽において、アルミニウム膜１５を所定時間陽極
酸化してその表面を薄くアルミナ層１４に変質させてお
く。これは次工程におけるホトレジスト膜の密着性を向
上させる丸めでＳる。アルミナ層１４の上にホトレジス
トをパターニングしてホトレジストパターン１６ ｔ”
形ｆｆする。この半導体基板１を第２図の陽極酸化槽
４において、アルミ電極５と対向して配置し、半導体基
板１に正、アルミ電極５に負の電圧を印加し、タイマス
イッチ９によって所定時間陽極酸化を行なう。第３図（
ｂ）に示すようにホトレジストパターン１６で覆われた
部分を除いた他の部分のアルミニウム膜１５は陽極酸化
されてアルミナ１８に変わ）、ホトレジストパターン１
６ ｆ８１われた部分にアルミニウム配線、１７が形成
される。
上述の陽極酸化法においては陽極酸化の時間をタイマス
イッチにより一定の設定時間とするので半導体基板の種
類によってはアルミニウム配線の出来上がシにば・らつ
きを生じ、第３図（ｅ）に示すように陽極酸化の不足を
生じる。また、半導体基板の一部から電流が漏れていた
場合、それを検知できないため、その部分にアルミニウ
ム配線が形成されない所が生じ不良を生じる。
イッチにより一定の設定時間とするので半導体基板の種
類によってはアルミニウム配線の出来上がシにば・らつ
きを生じ、第３図（ｅ）に示すように陽極酸化の不足を
生じる。また、半導体基板の一部から電流が漏れていた
場合、それを検知できないため、その部分にアルミニウ
ム配線が形成されない所が生じ不良を生じる。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、陽極酸化状況を電
気的手段により監視して均一なアルミニウム配線を形成
することのできる製造方法を提供することにある。
気的手段により監視して均一なアルミニウム配線を形成
することのできる製造方法を提供することにある。
本発明は半導体基板上に、陽極酸化法によりアルミニウ
ム配線を形成する工程において、陽□ 極酸化開始から
あらかじめ定めた酸化終了設定時点までの間の時点にお
いて、半導体基板に流れる電流を検出し、電流減少状況
から漏れ電流の有無を判定するとともに１前記酸化終了
設定時点において、半導体基板に流れる電流を検出し、
電流減少状況から陽極酸化不足を判定し追加的に酸化を
継続するようにしたものである。
ム配線を形成する工程において、陽□ 極酸化開始から
あらかじめ定めた酸化終了設定時点までの間の時点にお
いて、半導体基板に流れる電流を検出し、電流減少状況
から漏れ電流の有無を判定するとともに１前記酸化終了
設定時点において、半導体基板に流れる電流を検出し、
電流減少状況から陽極酸化不足を判定し追加的に酸化を
継続するようにしたものである。
陽極醸化が進むと電流が次第に流れなくなる。
陽極酸化するアルミニウムが減るからである。
そこであらかじめ陽極酸化処理の終了時点での半導体基
板に流れる電流を調べておき所定の終了設定時間後に電
流値が減少し前記電流値に達していれば電気回路を遮断
して陽極酸化処理を停止する。
板に流れる電流を調べておき所定の終了設定時間後に電
流値が減少し前記電流値に達していれば電気回路を遮断
して陽極酸化処理を停止する。
また、半導体基板からの漏れ電流は、陽極酸化の進行く
伴って所定時間経過後に半導体基板に流れる電流が所定
量減少しているはずであるところ電流値がその量だけ減
少していないことから検出可能である。したがって、所
定時間後に電流値が減少して前記電流値に達していなけ
れば半導体基板のいずれかの場所から漏れ電流が生じて
いるので電気回路を遮断して陽極酸化処理を停止し、調
べてみる。
伴って所定時間経過後に半導体基板に流れる電流が所定
量減少しているはずであるところ電流値がその量だけ減
少していないことから検出可能である。したがって、所
定時間後に電流値が減少して前記電流値に達していなけ
れば半導体基板のいずれかの場所から漏れ電流が生じて
いるので電気回路を遮断して陽極酸化処理を停止し、調
べてみる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細に説明す
る。第１図は本発明を適用する陽極酸化装置の１例を示
した図である。蓚酸水溶液３を満たした陽極酸化槽４の
液面上に第３図（ａｌの処理をした半導体基板１を配置
し、噴流用ポンプ１０により半導体基板１の上面に噴流
孔２から噴出させた蓚酸水溶液を注ぐ。同時に直流電源
６によって半導体基板１に正の電位、蓚酸水溶液３の中
に沈めであるアルミ電極５に負の電位を与えることによ
り、半導体基板１のアルミニウム膜１５を陽極酸化させ
る。
る。第１図は本発明を適用する陽極酸化装置の１例を示
した図である。蓚酸水溶液３を満たした陽極酸化槽４の
液面上に第３図（ａｌの処理をした半導体基板１を配置
し、噴流用ポンプ１０により半導体基板１の上面に噴流
孔２から噴出させた蓚酸水溶液を注ぐ。同時に直流電源
６によって半導体基板１に正の電位、蓚酸水溶液３の中
に沈めであるアルミ電極５に負の電位を与えることによ
り、半導体基板１のアルミニウム膜１５を陽極酸化させ
る。
本装置では、半導体基板１と直流電源６との間の電流通
路に、電流計１１．スイッチ１２および電流計１１の測
定信号１１ ａを入力し、スイッチ１２をオン・オフさ
せる信号１２ ａを出力する制御部１３を設ける。制御
部１３は計時手段・電流値比較手段を有し、以下に示す
ように、時間的な電流値変化によって陽極酸化状況を検
知し、スイッチ１２を制御する。
路に、電流計１１．スイッチ１２および電流計１１の測
定信号１１ ａを入力し、スイッチ１２をオン・オフさ
せる信号１２ ａを出力する制御部１３を設ける。制御
部１３は計時手段・電流値比較手段を有し、以下に示す
ように、時間的な電流値変化によって陽極酸化状況を検
知し、スイッチ１２を制御する。
まず、漏れ電流チェックを行なう。制御部１３はある時
間経過した時点で、電流計１１の測定信号１１ ａを入
力し、電流の減少程度をあらか−しめ設定した電流値と
比較する。例えば１１５になる電流値を基準とし、この
電流値より太きければ、漏れ電流が有ると判断し信号１
２ ａをスイッチ１２に送シ電流回路を遮断し、陽極酸
化処理を停止する。こ〜でアルミナ層は透明であるから
、半導体基板１をとり出し、顕微鏡観察するなどＫよっ
て陽極酸化の進行状況を確認し、漏れ電流の原因を調べ
ることができる。
間経過した時点で、電流計１１の測定信号１１ ａを入
力し、電流の減少程度をあらか−しめ設定した電流値と
比較する。例えば１１５になる電流値を基準とし、この
電流値より太きければ、漏れ電流が有ると判断し信号１
２ ａをスイッチ１２に送シ電流回路を遮断し、陽極酸
化処理を停止する。こ〜でアルミナ層は透明であるから
、半導体基板１をとり出し、顕微鏡観察するなどＫよっ
て陽極酸化の進行状況を確認し、漏れ電流の原因を調べ
ることができる。
一方、漏れ電流チェックが基準を満たせば、陽極酸化は
酸化終了設定時間まで行なわれる。
酸化終了設定時間まで行なわれる。
酸化終了設定時間で制御回路１３は再び電流測定信号１
１ ａを入力し、基準電流値（例えば開始時電流の１過
の電流値）以下になったか比較する。
１ ａを入力し、基準電流値（例えば開始時電流の１過
の電流値）以下になったか比較する。
この基準を満たさない場合は、スイッチオフの信号１２
ａを直ちには出力せず、あらかじめ、基準値との比較
から定めた延長時間だけ経過してから出力し、電流回路
を遮断する。
ａを直ちには出力せず、あらかじめ、基準値との比較
から定めた延長時間だけ経過してから出力し、電流回路
を遮断する。
上述のように、半導体基板の一部から電流が漏れている
場合に陽極酸化終了前に発見でき、アルミニウム配線が
一部不形成になる事故を防ぐことができる。さらに陽極
酸化終了設定時点で、電流を検出し、陽極酸化の追加を
行なうことによってアルミニウム配縁形成の出来上りの
ばらつきを少なくすることができる。したがって、歩留
り向上および工数削減が可能になる。
場合に陽極酸化終了前に発見でき、アルミニウム配線が
一部不形成になる事故を防ぐことができる。さらに陽極
酸化終了設定時点で、電流を検出し、陽極酸化の追加を
行なうことによってアルミニウム配縁形成の出来上りの
ばらつきを少なくすることができる。したがって、歩留
り向上および工数削減が可能になる。
第１図は、本発明を適用した陽極酸化装置の一実施例を
説明するための図、第２図は第１図に対応する従来の陽
極酸化装置、第３図は陽極酸化によるアルミニウム配線
形成を説明するための半導体基板の断面図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・噴流孔、３・・・
制御部、 ４・・・陽極酸化槽、５・・・アル
ミ電極、 ６・・・直流電源、１０・・・噴流用ポ
ンプ、１１・・・電流計、１２・・・スイッチ、１３・
・・制御部、１５・・・アルミニウム膜、１６・・・ホ
トレジストパターン、１７・・・アルミニウム配線、 １８・・・アルミナ。
説明するための図、第２図は第１図に対応する従来の陽
極酸化装置、第３図は陽極酸化によるアルミニウム配線
形成を説明するための半導体基板の断面図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・噴流孔、３・・・
制御部、 ４・・・陽極酸化槽、５・・・アル
ミ電極、 ６・・・直流電源、１０・・・噴流用ポ
ンプ、１１・・・電流計、１２・・・スイッチ、１３・
・・制御部、１５・・・アルミニウム膜、１６・・・ホ
トレジストパターン、１７・・・アルミニウム配線、 １８・・・アルミナ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板上に、陽極酸化法によりアルミニウム配線を
形成する工程において、 陽極酸化開始からあらかじめ定めた酸化終了設定時点ま
での間の時点において、半導体基板に流れる電流を検出
し、電流減少状況から漏れ電流の有無を判定するととも
に、前記酸化終了設定時点において、半導体基板に流れ
る電流を検出し、電流減少状況から陽極酸化不足を判定
し追加的に酸化を継続することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22440885A JPS6284536A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22440885A JPS6284536A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284536A true JPS6284536A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16813295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22440885A Pending JPS6284536A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284536A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503730A (en) * | 1991-07-16 | 1996-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for anodic oxidation |
| JP2007223499A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mazda Motor Corp | 車両用シート構造 |
| US8408649B2 (en) | 2007-09-10 | 2013-04-02 | Shiroki Corporation | Walk-in seat |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP22440885A patent/JPS6284536A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5503730A (en) * | 1991-07-16 | 1996-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for anodic oxidation |
| JP2007223499A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mazda Motor Corp | 車両用シート構造 |
| US8408649B2 (en) | 2007-09-10 | 2013-04-02 | Shiroki Corporation | Walk-in seat |
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