JPS626326B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS626326B2 JPS626326B2 JP56208013A JP20801381A JPS626326B2 JP S626326 B2 JPS626326 B2 JP S626326B2 JP 56208013 A JP56208013 A JP 56208013A JP 20801381 A JP20801381 A JP 20801381A JP S626326 B2 JPS626326 B2 JP S626326B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- solution
- nonlinear resistor
- manufacturing
- voltage nonlinear
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 9
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 1
- YIUMUPQWAFZEOY-UHFFFAOYSA-N [Ir].[CH]1C=CC=C1.C1C=CC=C1 Chemical compound [Ir].[CH]1C=CC=C1.C1C=CC=C1 YIUMUPQWAFZEOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 cyclopentane platinum chloride Chemical compound 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K rhodium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Rh+3] SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- CALMYRPSSNRCFD-UHFFFAOYSA-J tetrachloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)(Cl)Cl CALMYRPSSNRCFD-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
発明の技術分野
本発明は酸化物半導体から成る電圧非直線抵抗
体の製造方法に関し、更に詳しくは、極性特性が
小さく、寿命特性、信頼性に優れたZnO−Bi2O3
系の電圧非直線抵抗体の製造方法に関する。 発明の技術的背景とその問題点 半導体を用いた回路素子の１つに電圧非直線抵
抗体がある。その代表的なものとしてZnO−
Bi2O3系焼結体を用いたバリスタが知られてい
る。 このバリスタは、非直線的な電圧−電流特性を
有し、印加電圧の増大に伴いその抵抗が急激に減
少して流れる電流が著増するので、異常な高電圧
の吸収又は電圧安定化のために広く実用に供され
ている。 ところで、電圧非直線抵抗体の特性は一般に次
の近似式で示される電圧−電流特性をもつて評価
されている。 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 ただし、ここでＩはバリスタに流れる電流、Ｖ
は印加電圧、Ｃは定数、αは非直線係数である。 したがつて、バリスタの特性はＣとαの２つの
定数で表示することができる。通常はＣの代り
に、１ｍＡを流したときの電圧V1が用いられ
る。また、αはバリスタを組込んだ電気回路の電
圧がいかに制御されるかを示すものであり、αが
大きい程電圧制御に優れていることを表わす。一
般にαは30以上の値であることが望ましい。 ZnO−Bi2O3系バリスタは、上記した電圧−電
流特性が優れていること、また、素子の厚みを制
御することによつてこの電圧−電流特性を任意に
調節することができることなどの特徴を備えてお
り、非常に有用な電圧非直線抵抗体である。 しかしながら、上記したZnO−Bi2O3系バリス
タは、対称型電流電圧特性に関して、衝撃電流、
直流負荷、温湿度サイクルなどによる負方向への
変化率が大きいという極性特性の点で難点があ
り、それはバリスタの信頼性の低下という問題を
惹起している。 一方、ZnO−Bi2O3系のバリスタは、一般に所
定の組成比でZnOとBi2O3の粉末を混合し、この
混合粉末に適宜な粘結剤（例えばポリビニルアル
コール）を添加した後加圧し、ペレツトなどの所
定の形状に成形し、これを所定の温度で焼成して
電圧非直線性の焼結体とした後、該焼結体の両主
面に銀ペーストなどを塗布・焼付けして電極を設
けるという方法で製造されている。 このような製造方法において、α値を大きく
し、漏れ電流、誘電率を小さくすることを目的と
して、上記したZnO、Bi2O3の外にSb2O3、
MnO、Cr2O3、RhO2などの粉末を所定量配合し
て成る電圧非直線抵抗体が提案され（特開昭51−
54294号参照）、また、ZnO、Bi2O3の外に
Sb2O3、MnO、Cr2O3、IrO2を所定量配合した抵
抗体が提案されている（特開昭51−54298号参
照）。 これらの提案による電圧非直線抵抗体はいずれ
もそのα値は大きいが、上記したような極性特性
に関する考察は何んら成されていない。 発明の目的 本発明は、α値が大きいことはもち論のこと、
極性特性、すなわち衝撃電流特性、直流負荷特
性、又は温湿度サイクル特性にも優れ、その信頼
性が向上したZnO−Bi2O3系バリスタの製造方法
を提供することにその目的がある。 発明の概要 本発明方法は、酸化亜鉛（ZnO）が主成分で電
圧非直線性を有する焼結体を、白金（Pt）、ロジ
ウム（Rh）、イリジウム（Ir）、パラジウム
（Pd）の群から選ばれる少くとも１種の元素を含
む溶液中に浸漬し；ついで、該焼結体を該溶液か
ら取り出して乾燥した後、電極を添着することを
特徴とする。 本発明にかかる焼結体は通常次のようにして製
造される。すなわち、まず、ZnO、Bi2O3、更に
は適宜な他の成分の粉末を所定量配合して混合す
る。ここに、ポリビニルアルコールのような粘結
剤を添加して混練した後、100〜1000Kg／cm2程度
の圧力で加圧成形して所定形状のデイスクとす
る。このデイスクを空気中、1100〜1400℃の温度
で焼成して電圧非直線性の焼結体とする。この焼
成時、温度が1100℃より低いと焼結体が緻密にな
らずその機械的強度が低下し、また、1400℃を超
えると焼結体のα値が低下する傾向を示す。 得られた焼結体は、後述する処理との関係でそ
の気孔率が10〜15％程度の多孔構造体であること
が好ましい。気孔率は、粘結剤の量、成形圧、焼
結温度などを変化させて調整することができる。 次に、このようにして得られた焼結体の両主面
を平行に研摩して所定の厚みとした後、Pt、
Rh、Ir、Pdの化合物の１種又は２種以上を溶解
する溶液の中に浸漬して、該溶液を該焼結体の空
孔内に滲透せしめる。このとき、焼結体の空孔内
に該溶液を円滑かつ確実に滲透させその滲透時間
を短縮するために、全体を真空吸引することが好
ましい。通常102〜10-2mmHgである。 上記した溶液は、Pt、Rh、Ir、Pdの化合物の
少くとも１種を溶解しているものであればよい。
例えば、塩化白金酸（H2PtCl6・6H2O）の水溶
液、塩化ロジウム（RhCl3）の水溶液、塩化イリ
ジウム（IrCl4）の水溶液、塩化パラジウム
（PdCl2）の水溶液など塩化物の水溶液；又は、シ
クロペンタン塩化白金（C3H6PtCl2）をエチルア
ルコール（C2H5OH）に溶解したもの、シクロペ
ンタジエニルイリジウムシクロペンタジエン
（（C5H5）Ir（C5H6））をアセトン（CH3COCH3）
に溶解したもの、ジシクロペンタジエンジクロロ
パラジウム（（C5H6）2PdCl2）をベンゼン（C6H6）
に溶解したものなど、Pt、Ir、Pdの有機金属化合
物を有機溶媒に溶解して溶液をあげることができ
る。 これらの溶液の濃度は、Pt、Rh、Ir、Pdに換
算して0.05重量％以上であることが好ましく、
0.05重量％未満では本発明の効果は小さくなる。
通常は0.1〜５重量％である。 ついで、溶液に浸漬した焼結体を取り出して乾
燥する。溶媒は逸散して、溶質、すなわちPt、
Rh、Ir、Pdの化合物が該焼結体の空孔内に担持
される。 このとき、該化合物を該焼結体に強固に担持せ
しめるために、該焼結体を300〜800℃、好ましく
は400〜600℃の任意の温度で更に加熱処理するこ
とが好ましい。 このようにして得られた焼結体の両主面には、
常法にしたがつて銀ペーストの塗布・焼付け、又
はアルミニウムなどの蒸着によつて電極が添着さ
れて本発明の電圧非直線抵抗体となる。 発明の実施例 実施例 １〜20 ZnO、Bi2O3、Co2O3、Sb2O3、MnOの微粉末を
それぞれ92.0重量％、2.7重量％、1.5重量％、3.4
重量％、0.4重量％配合してポツトミルで混合
し、ここにポリビニルアルコール５％水溶液を適
量添加して充分混練した後、1000Kg／cm2で加圧成
形し、直径20mm厚みのデイスクとした。このデイ
スクを空気中、1200℃で焼成し焼結体とした。気
孔率は14.5％であつた。 この焼結体の両主面を平行に研摩して厚み１mm
とした。得られた焼結デイスクに対し、第１表に
示した仕様の処理を施し、最後に両主面にアルミ
ニウムを溶射して電極を添着し、電圧非直線抵抗
体の試料とした。
体の製造方法に関し、更に詳しくは、極性特性が
小さく、寿命特性、信頼性に優れたZnO−Bi2O3
系の電圧非直線抵抗体の製造方法に関する。 発明の技術的背景とその問題点 半導体を用いた回路素子の１つに電圧非直線抵
抗体がある。その代表的なものとしてZnO−
Bi2O3系焼結体を用いたバリスタが知られてい
る。 このバリスタは、非直線的な電圧−電流特性を
有し、印加電圧の増大に伴いその抵抗が急激に減
少して流れる電流が著増するので、異常な高電圧
の吸収又は電圧安定化のために広く実用に供され
ている。 ところで、電圧非直線抵抗体の特性は一般に次
の近似式で示される電圧−電流特性をもつて評価
されている。 Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 ただし、ここでＩはバリスタに流れる電流、Ｖ
は印加電圧、Ｃは定数、αは非直線係数である。 したがつて、バリスタの特性はＣとαの２つの
定数で表示することができる。通常はＣの代り
に、１ｍＡを流したときの電圧V1が用いられ
る。また、αはバリスタを組込んだ電気回路の電
圧がいかに制御されるかを示すものであり、αが
大きい程電圧制御に優れていることを表わす。一
般にαは30以上の値であることが望ましい。 ZnO−Bi2O3系バリスタは、上記した電圧−電
流特性が優れていること、また、素子の厚みを制
御することによつてこの電圧−電流特性を任意に
調節することができることなどの特徴を備えてお
り、非常に有用な電圧非直線抵抗体である。 しかしながら、上記したZnO−Bi2O3系バリス
タは、対称型電流電圧特性に関して、衝撃電流、
直流負荷、温湿度サイクルなどによる負方向への
変化率が大きいという極性特性の点で難点があ
り、それはバリスタの信頼性の低下という問題を
惹起している。 一方、ZnO−Bi2O3系のバリスタは、一般に所
定の組成比でZnOとBi2O3の粉末を混合し、この
混合粉末に適宜な粘結剤（例えばポリビニルアル
コール）を添加した後加圧し、ペレツトなどの所
定の形状に成形し、これを所定の温度で焼成して
電圧非直線性の焼結体とした後、該焼結体の両主
面に銀ペーストなどを塗布・焼付けして電極を設
けるという方法で製造されている。 このような製造方法において、α値を大きく
し、漏れ電流、誘電率を小さくすることを目的と
して、上記したZnO、Bi2O3の外にSb2O3、
MnO、Cr2O3、RhO2などの粉末を所定量配合し
て成る電圧非直線抵抗体が提案され（特開昭51−
54294号参照）、また、ZnO、Bi2O3の外に
Sb2O3、MnO、Cr2O3、IrO2を所定量配合した抵
抗体が提案されている（特開昭51−54298号参
照）。 これらの提案による電圧非直線抵抗体はいずれ
もそのα値は大きいが、上記したような極性特性
に関する考察は何んら成されていない。 発明の目的 本発明は、α値が大きいことはもち論のこと、
極性特性、すなわち衝撃電流特性、直流負荷特
性、又は温湿度サイクル特性にも優れ、その信頼
性が向上したZnO−Bi2O3系バリスタの製造方法
を提供することにその目的がある。 発明の概要 本発明方法は、酸化亜鉛（ZnO）が主成分で電
圧非直線性を有する焼結体を、白金（Pt）、ロジ
ウム（Rh）、イリジウム（Ir）、パラジウム
（Pd）の群から選ばれる少くとも１種の元素を含
む溶液中に浸漬し；ついで、該焼結体を該溶液か
ら取り出して乾燥した後、電極を添着することを
特徴とする。 本発明にかかる焼結体は通常次のようにして製
造される。すなわち、まず、ZnO、Bi2O3、更に
は適宜な他の成分の粉末を所定量配合して混合す
る。ここに、ポリビニルアルコールのような粘結
剤を添加して混練した後、100〜1000Kg／cm2程度
の圧力で加圧成形して所定形状のデイスクとす
る。このデイスクを空気中、1100〜1400℃の温度
で焼成して電圧非直線性の焼結体とする。この焼
成時、温度が1100℃より低いと焼結体が緻密にな
らずその機械的強度が低下し、また、1400℃を超
えると焼結体のα値が低下する傾向を示す。 得られた焼結体は、後述する処理との関係でそ
の気孔率が10〜15％程度の多孔構造体であること
が好ましい。気孔率は、粘結剤の量、成形圧、焼
結温度などを変化させて調整することができる。 次に、このようにして得られた焼結体の両主面
を平行に研摩して所定の厚みとした後、Pt、
Rh、Ir、Pdの化合物の１種又は２種以上を溶解
する溶液の中に浸漬して、該溶液を該焼結体の空
孔内に滲透せしめる。このとき、焼結体の空孔内
に該溶液を円滑かつ確実に滲透させその滲透時間
を短縮するために、全体を真空吸引することが好
ましい。通常102〜10-2mmHgである。 上記した溶液は、Pt、Rh、Ir、Pdの化合物の
少くとも１種を溶解しているものであればよい。
例えば、塩化白金酸（H2PtCl6・6H2O）の水溶
液、塩化ロジウム（RhCl3）の水溶液、塩化イリ
ジウム（IrCl4）の水溶液、塩化パラジウム
（PdCl2）の水溶液など塩化物の水溶液；又は、シ
クロペンタン塩化白金（C3H6PtCl2）をエチルア
ルコール（C2H5OH）に溶解したもの、シクロペ
ンタジエニルイリジウムシクロペンタジエン
（（C5H5）Ir（C5H6））をアセトン（CH3COCH3）
に溶解したもの、ジシクロペンタジエンジクロロ
パラジウム（（C5H6）2PdCl2）をベンゼン（C6H6）
に溶解したものなど、Pt、Ir、Pdの有機金属化合
物を有機溶媒に溶解して溶液をあげることができ
る。 これらの溶液の濃度は、Pt、Rh、Ir、Pdに換
算して0.05重量％以上であることが好ましく、
0.05重量％未満では本発明の効果は小さくなる。
通常は0.1〜５重量％である。 ついで、溶液に浸漬した焼結体を取り出して乾
燥する。溶媒は逸散して、溶質、すなわちPt、
Rh、Ir、Pdの化合物が該焼結体の空孔内に担持
される。 このとき、該化合物を該焼結体に強固に担持せ
しめるために、該焼結体を300〜800℃、好ましく
は400〜600℃の任意の温度で更に加熱処理するこ
とが好ましい。 このようにして得られた焼結体の両主面には、
常法にしたがつて銀ペーストの塗布・焼付け、又
はアルミニウムなどの蒸着によつて電極が添着さ
れて本発明の電圧非直線抵抗体となる。 発明の実施例 実施例 １〜20 ZnO、Bi2O3、Co2O3、Sb2O3、MnOの微粉末を
それぞれ92.0重量％、2.7重量％、1.5重量％、3.4
重量％、0.4重量％配合してポツトミルで混合
し、ここにポリビニルアルコール５％水溶液を適
量添加して充分混練した後、1000Kg／cm2で加圧成
形し、直径20mm厚みのデイスクとした。このデイ
スクを空気中、1200℃で焼成し焼結体とした。気
孔率は14.5％であつた。 この焼結体の両主面を平行に研摩して厚み１mm
とした。得られた焼結デイスクに対し、第１表に
示した仕様の処理を施し、最後に両主面にアルミ
ニウムを溶射して電極を添着し、電圧非直線抵抗
体の試料とした。
【表】
【表】
以上23種類の酸化物電圧非直線抵抗体につき、
１ｍＡの電流が流れるときの印加電圧V1及び非
直線係数αを常法にしたがつて測定した。また、
上記した極性特性を正方向の変化率（％）と負方
向の変化率（％）として求めた。以上の結果を試
料番号に対応して一括して第２表に示した。 なお、衝撃電流特性は500Aのサージ電流を
10000回印加したときのV1値の変化率であり、直
流負荷特性は85℃下、2Wの負荷を連続500時間印
加した後におけるV1値の変化率であり、更に、
温湿度サイクル特性は−40℃〜85℃、相対湿度95
％下、2Wの負荷を100サイクル行なつた後におけ
るV1値の変化率である。
１ｍＡの電流が流れるときの印加電圧V1及び非
直線係数αを常法にしたがつて測定した。また、
上記した極性特性を正方向の変化率（％）と負方
向の変化率（％）として求めた。以上の結果を試
料番号に対応して一括して第２表に示した。 なお、衝撃電流特性は500Aのサージ電流を
10000回印加したときのV1値の変化率であり、直
流負荷特性は85℃下、2Wの負荷を連続500時間印
加した後におけるV1値の変化率であり、更に、
温湿度サイクル特性は−40℃〜85℃、相対湿度95
％下、2Wの負荷を100サイクル行なつた後におけ
るV1値の変化率である。
【表】
実施例 21
ZnO、Bi2O3、Co2O3、Sb2O3、MnOの微粉末を
それぞれ92.0重量％、2.7重量％、1.5重量％、3.4
重量％、0.4重量％配合してポツトミルで混合
し、ここにポリビニルアルコール５％水溶液を適
量添加して充分混練した後、1000Kg／cm2で加圧成
形し、直径20mmで厚みが１〜４mmのデイスクとし
た。これらデイスクを空気中、1200℃で焼成し焼
結体とした。気孔率は14.5％であつた。 これら焼結体の両主面を平行に研摩してその厚
みを0.5mm、１mm、２mmとした後、これらをPtに
換算して１重量％濃度の塩化白金酸水溶液中に浸
漬した。全体を５mmHgで真空吸引した後、デイ
スクを取りだし、130℃で風乾した。重量減少が
認められなくなつてから、両主面に各種の方法で
電極を添着して電圧非直線抵抗体とした。 これら抵抗体につき、V1、αを測定した。そ
の結果を第３表に一括して示した。
それぞれ92.0重量％、2.7重量％、1.5重量％、3.4
重量％、0.4重量％配合してポツトミルで混合
し、ここにポリビニルアルコール５％水溶液を適
量添加して充分混練した後、1000Kg／cm2で加圧成
形し、直径20mmで厚みが１〜４mmのデイスクとし
た。これらデイスクを空気中、1200℃で焼成し焼
結体とした。気孔率は14.5％であつた。 これら焼結体の両主面を平行に研摩してその厚
みを0.5mm、１mm、２mmとした後、これらをPtに
換算して１重量％濃度の塩化白金酸水溶液中に浸
漬した。全体を５mmHgで真空吸引した後、デイ
スクを取りだし、130℃で風乾した。重量減少が
認められなくなつてから、両主面に各種の方法で
電極を添着して電圧非直線抵抗体とした。 これら抵抗体につき、V1、αを測定した。そ
の結果を第３表に一括して示した。
【表】
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明方法に
よつて得られた酸化物電圧非直線抵抗体は、α値
が大きく電圧非直線性に優れかつ、極性特性が小
さい。したがつて、本発明方法によれば、寿命特
性、信頼性に優れた酸化物電圧非直線抵抗体を製
造することができ、その工業的価値は大である。
よつて得られた酸化物電圧非直線抵抗体は、α値
が大きく電圧非直線性に優れかつ、極性特性が小
さい。したがつて、本発明方法によれば、寿命特
性、信頼性に優れた酸化物電圧非直線抵抗体を製
造することができ、その工業的価値は大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 酸化亜鉛が主成分で電圧非直線性を有する焼
結体を、白金、ロジウム、イリジウム、パラジウ
ムの群から選ばれる少くとも１種の元素を含む溶
液中に浸漬し；ついで 該焼結体を該溶液から取り出して乾燥した後、
電極を添着することを特徴とする酸化物電圧非直
線抵抗体の製造方法。 ２ 該溶液が、白金、ロジウム、イリジウム、パ
ラジウムの塩化物の水溶液である特許請求の範囲
第１項記載の酸化物電圧非直線抵抗体の製造方
法。 ３ 該溶液が、白金、イリジウム、パラジウムの
有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液である
特許請求の範囲第１項記載の酸化物電圧非直線抵
抗体の製造方法。 ４ 該焼結体を該溶液に浸漬し、更に真空吸引す
る特許請求の範囲第１項記載の酸化物電圧非直線
抵抗体の製造方法。 ５ 該電極の添着に先立ち、該焼結体を加熱処理
する特許請求の範囲第１項記載の酸化物電圧非直
線抵抗体の製造方法。 ６ 該加熱温度が400〜600℃である特許請求の範
囲第５項記載の酸化物電圧非直線抵抗体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208013A JPS58110007A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56208013A JPS58110007A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58110007A JPS58110007A (ja) | 1983-06-30 |
| JPS626326B2 true JPS626326B2 (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=16549223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56208013A Granted JPS58110007A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58110007A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106517U (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-18 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106402A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体 |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP56208013A patent/JPS58110007A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106517U (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-18 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58110007A (ja) | 1983-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5369390A (en) | Multilayer ZnO varistor | |
| US3496512A (en) | Non-linear resistors | |
| US20160161443A1 (en) | Gas sensor, method for manufacturing gas sensor, and method for detecting gas concentration | |
| JP2001110232A (ja) | 導電性ペーストおよびそれを用いた半導体セラミック電子部品 | |
| JPS5836482B2 (ja) | 抵抗物質 | |
| JP3212672B2 (ja) | 電力用抵抗体 | |
| US3670221A (en) | Voltage variable resistors | |
| JPS58110007A (ja) | 酸化物電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS6018085B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| EP0723276A2 (en) | Semiconductor ceramic having negative resistance/temperature characteristics and semiconductor ceramic component utilizing the same | |
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH03233805A (ja) | 電子部品の電極 | |
| JPS626325B2 (ja) | ||
| JP2738087B2 (ja) | 酸化亜鉛バリスタの製造方法 | |
| JP3548586B2 (ja) | 正特性サーミスタ装置 | |
| JP4029160B2 (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JP3419285B2 (ja) | セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH01222404A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPS6033283B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JP2585121B2 (ja) | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 | |
| JP2638599B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物 | |
| KR101321814B1 (ko) | 저항가변소자 및 그 제조방법 | |
| JPS649722B2 (ja) | ||
| JPS586286B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗材料及びそれを用いた雑音防止素子 | |
| JP2838249B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器の製造方法 |