JPH03233805A - 電子部品の電極 - Google Patents
電子部品の電極Info
- Publication number
- JPH03233805A JPH03233805A JP2896890A JP2896890A JPH03233805A JP H03233805 A JPH03233805 A JP H03233805A JP 2896890 A JP2896890 A JP 2896890A JP 2896890 A JP2896890 A JP 2896890A JP H03233805 A JPH03233805 A JP H03233805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- raw material
- weight
- aluminum
- metal aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 4
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 1
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品の電極、特に電子部品用素子に印刷
、焼結してなる電極に関するものである。
、焼結してなる電極に関するものである。
従来の技術
従来、セラミックコンデンサ、積層コンデンサ、バリス
タなどの電子部品の電極は一般に銀、銀−パラジウムな
どの貴金属が用いられていた。
タなどの電子部品の電極は一般に銀、銀−パラジウムな
どの貴金属が用いられていた。
特に積層コンデンサは、 1240〜132G”Cの温
度でセラミックと電極とを同時焼成する必要があるため
、1240〜1320℃以上の融点をもつ高価なパラジ
ウム85〜70重量%と1i15〜30重量%の合金が
用いられていた。
度でセラミックと電極とを同時焼成する必要があるため
、1240〜1320℃以上の融点をもつ高価なパラジ
ウム85〜70重量%と1i15〜30重量%の合金が
用いられていた。
発明が解決しようとする課題
電極の低コスト化として例えばセラミックコンデンサの
場合は、ニッケルま−たは銅の無電解メツキ、積層コン
デンサの場合は非還元性誘電体材料を用いてニッケル金
屑を電極として還元性雰囲気中で焼成する方法が提案さ
れている。
場合は、ニッケルま−たは銅の無電解メツキ、積層コン
デンサの場合は非還元性誘電体材料を用いてニッケル金
屑を電極として還元性雰囲気中で焼成する方法が提案さ
れている。
しかし、前者の場合は結晶粒界へのメツキ液の浸透によ
る絶縁抵抗の劣化、後者の場合は焼成雰囲気の精密な制
御が必要であり、かつ経時的に電極金属の酸化に伴う誘
電体材料の還元により、絶縁抵抗が劣化するという現象
が認められた。一方、ニッケル、銅、コバルトおよびこ
れら金属の組合せからなる群から選ばれた金属粉末と4
〜50重量%のホウ素粉末とからなる空気中焼成可能な
導電体形成用ペースト(特公昭60−16041号公報
)も提案されてはいるが、空気中で焼成した場合、金属
が酸化して実用化は困難であった。
る絶縁抵抗の劣化、後者の場合は焼成雰囲気の精密な制
御が必要であり、かつ経時的に電極金属の酸化に伴う誘
電体材料の還元により、絶縁抵抗が劣化するという現象
が認められた。一方、ニッケル、銅、コバルトおよびこ
れら金属の組合せからなる群から選ばれた金属粉末と4
〜50重量%のホウ素粉末とからなる空気中焼成可能な
導電体形成用ペースト(特公昭60−16041号公報
)も提案されてはいるが、空気中で焼成した場合、金属
が酸化して実用化は困難であった。
課題を解決するための手段
本発明は、上記の課題を解決しようとするもので、フル
ミ金馬が融点(667℃)以上においても、アルミ金属
表面に極めて薄い酸化皮膜が形成され金属内部まで酸化
が進行しないことをおよび表面層の酸化皮膜の形成によ
り融点以上の温度においても金属の凝集が生ぜず、電極
としての形状を保持することに着目し、アルミ金属に接
着強度を向上させ、かつセラミック素子とオーム性接触
をするために、ガラスフリット(ホウ硅酸鉛ガラス)を
0.01〜5重量%とチッ化ホウ素を0.1〜10重量
%からなる電極材料を用い、空気中850〜900℃で
焼成することにより、セラミック体にオーム性接触を有
する電極を形成できることが判明した。
ミ金馬が融点(667℃)以上においても、アルミ金属
表面に極めて薄い酸化皮膜が形成され金属内部まで酸化
が進行しないことをおよび表面層の酸化皮膜の形成によ
り融点以上の温度においても金属の凝集が生ぜず、電極
としての形状を保持することに着目し、アルミ金属に接
着強度を向上させ、かつセラミック素子とオーム性接触
をするために、ガラスフリット(ホウ硅酸鉛ガラス)を
0.01〜5重量%とチッ化ホウ素を0.1〜10重量
%からなる電極材料を用い、空気中850〜900℃で
焼成することにより、セラミック体にオーム性接触を有
する電極を形成できることが判明した。
実施例
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
実施例1
アルミパウダーにホウ硅酸鉛ガラスおよび第1表に示す
チッ化物、ホウ化物を第1表の組成となるように調合し
、印刷用にペースト化するため、樹脂としてエチルセル
ロース(100cps)を4.5!量%、溶剤としてカ
ルピトール7セテート39重量%を加えペースト化した
。
チッ化物、ホウ化物を第1表の組成となるように調合し
、印刷用にペースト化するため、樹脂としてエチルセル
ロース(100cps)を4.5!量%、溶剤としてカ
ルピトール7セテート39重量%を加えペースト化した
。
そして得られたペーストを3種類のチタン酸バリウム焼
結体1.96mmφX0.5cm厚の両面に印刷し、空
気中で800〜950℃で10分間焼付けた。
結体1.96mmφX0.5cm厚の両面に印刷し、空
気中で800〜950℃で10分間焼付けた。
(以下余白)
第1表には、参考例としてアルミニウム100重量%、
アルミニウムに無定形ホウ素を1〜10重量%、炭化ホ
ウ素を5重量%加えたもの、および銀85重量%、パラ
ジウム15重量%の合金による特性値を示し、実施例と
しては試料番号12.13.14.15.19を示す。
アルミニウムに無定形ホウ素を1〜10重量%、炭化ホ
ウ素を5重量%加えたもの、および銀85重量%、パラ
ジウム15重量%の合金による特性値を示し、実施例と
しては試料番号12.13.14.15.19を示す。
第1表で明らかなようにアルミニウム100重量%では
、銀−パラジウム電極と比較し、満足な容量値は得られ
ず、また無定形ホウ素や炭化ホウ素を加えるとセラミッ
ク誘電体が還元されて絶縁抵抗が極端に低下する。
、銀−パラジウム電極と比較し、満足な容量値は得られ
ず、また無定形ホウ素や炭化ホウ素を加えるとセラミッ
ク誘電体が還元されて絶縁抵抗が極端に低下する。
また、ガラスフリット単体では誘電損失がi−パラジウ
ム電極の場合に比べて増大するが、チツ化ホウ素を0.
1〜10重量%加えることにより、はぼ銀−パラジウム
電極と同等の容量値および誘電損失値を得ることができ
た。
ム電極の場合に比べて増大するが、チツ化ホウ素を0.
1〜10重量%加えることにより、はぼ銀−パラジウム
電極と同等の容量値および誘電損失値を得ることができ
た。
ただし、チッ化ホウ素が0.1重量%未溝の場合、誘電
損失値が大きくなり、また10重量%を超えると、容量
値が低下し、誘電損失値も大きくなる。
損失値が大きくなり、また10重量%を超えると、容量
値が低下し、誘電損失値も大きくなる。
また、ガラスフリットが0.01重量%未漬では電極強
度が低下し、また静電容量値も小さくなり、好ましくな
い。
度が低下し、また静電容量値も小さくなり、好ましくな
い。
ガラスフリットが逆に5重量%を超えると、静電容量値
が小さくなり、電極材料としては適切ではない。
が小さくなり、電極材料としては適切ではない。
実施例2
アルミパウダーにホウ酸鉛ガラスおよびチッ化物を第2
表に示す組成となるように調合し、印刷用にペースト化
するため、樹脂としてエチルセルロース(100cps
)を4.5重量%、溶剤としてカルピトール7セテート
39重量%を加えてペースト化した。そして得られたペ
ーストをチタン酸バリウムに酸化イツトリウムを0,1
5重量%、炭酸マンガンを0.015重量%、酸化ケイ
素を0.5重量%加え、焼結した正特性サーミスタに印
刷し、空気中で850℃で10分間焼付けた。
表に示す組成となるように調合し、印刷用にペースト化
するため、樹脂としてエチルセルロース(100cps
)を4.5重量%、溶剤としてカルピトール7セテート
39重量%を加えてペースト化した。そして得られたペ
ーストをチタン酸バリウムに酸化イツトリウムを0,1
5重量%、炭酸マンガンを0.015重量%、酸化ケイ
素を0.5重量%加え、焼結した正特性サーミスタに印
刷し、空気中で850℃で10分間焼付けた。
同一の焼結体に比較として市販の銀ペーストを印刷し、
850℃で10分間焼付けたものおよび同一の焼結体に
オーミック性を有するインジウム−ガリウム電極を形成
したものを比較例として示した。
850℃で10分間焼付けたものおよび同一の焼結体に
オーミック性を有するインジウム−ガリウム電極を形成
したものを比較例として示した。
鴫
銀電極は、非オーミツク性を示し、オーミック性を有す
るインジウム−ガリウム電極に比し、大きな抵抗値を示
すが、本発明のアルミ電極ではインジウム−ガリウム合
金のオーミック性電極とほぼ同様のオーミック性を有す
ることが立証された。
るインジウム−ガリウム電極に比し、大きな抵抗値を示
すが、本発明のアルミ電極ではインジウム−ガリウム合
金のオーミック性電極とほぼ同様のオーミック性を有す
ることが立証された。
発明の効果
本発明の電子部品の電極は、安価な材料を用い、空気中
で焼成でき、かつセラミックとオーム性接触するアルミ
電極で、銀電極に比べてイオンマイグレーションの危険
がなく、安価であるなどの効果があり、工業的ならびに
実用的価値大である。
で焼成でき、かつセラミックとオーム性接触するアルミ
電極で、銀電極に比べてイオンマイグレーションの危険
がなく、安価であるなどの効果があり、工業的ならびに
実用的価値大である。
Claims (1)
- 金属アルミとチッ化ホウ素0.1〜10重量%とガラス
フリット(ホウ硅酸鉛ガラス)0.01〜5重量%とか
らなる電子部品の電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896890A JPH03233805A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 電子部品の電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896890A JPH03233805A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 電子部品の電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03233805A true JPH03233805A (ja) | 1991-10-17 |
Family
ID=12263215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2896890A Pending JPH03233805A (ja) | 1990-02-08 | 1990-02-08 | 電子部品の電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03233805A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2306474A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic electronic component and method for producing laminated ceramic electronic component |
| WO2012083158A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells |
| WO2015002197A1 (ja) | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 日立金属株式会社 | Ptc素子および発熱モジュール |
| KR20200037688A (ko) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | 이창모 | 반도체 자기 조성물용 전극 재료 |
| KR20240036849A (ko) | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 씨피에스 주식회사 | 반도체 자기 조성물용 전극 재료 |
-
1990
- 1990-02-08 JP JP2896890A patent/JPH03233805A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2306474A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic electronic component and method for producing laminated ceramic electronic component |
| EP2500919A1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic electronic component and method for producing laminated ceramic electronic component |
| US9129745B2 (en) | 2009-09-30 | 2015-09-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated ceramic electronic component and method for producing laminated ceramic electronic component |
| WO2012083158A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells |
| US8778231B2 (en) | 2010-12-16 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells |
| WO2015002197A1 (ja) | 2013-07-02 | 2015-01-08 | 日立金属株式会社 | Ptc素子および発熱モジュール |
| KR20200037688A (ko) | 2018-10-01 | 2020-04-09 | 이창모 | 반도체 자기 조성물용 전극 재료 |
| KR20240036849A (ko) | 2022-09-14 | 2024-03-21 | 씨피에스 주식회사 | 반도체 자기 조성물용 전극 재료 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4744609B2 (ja) | セラミック部品要素、セラミック部品及びその製造方法 | |
| EP1156498B1 (en) | Multi-layer ceramic electronic device and method for producing same | |
| JP3636123B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法、および積層セラミック電子部品 | |
| JP3036567B2 (ja) | 導電性チップ型セラミック素子及びその製造方法 | |
| JP4506066B2 (ja) | チップ型電子部品及びチップ型電子部品の製造方法 | |
| JPS6323648B2 (ja) | ||
| JPH03233805A (ja) | 電子部品の電極 | |
| CN100472673C (zh) | 积层型片状变阻器 | |
| JPH11340090A (ja) | 粒界絶縁型積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JPS62122103A (ja) | 積層型チツプバリスタの製造方法 | |
| JPH04293214A (ja) | チップ型電子部品用導電性ペースト | |
| JPH0650703B2 (ja) | ペースト組成物および積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2007066671A (ja) | チップ型ヒューズ素子及びその製造方法 | |
| JPS6127003A (ja) | 導電性ペ−スト組成物 | |
| JP3757794B2 (ja) | サーミスタ用半導体磁器及びそれを用いたチップ型サーミスタ | |
| JP3580391B2 (ja) | 導電性チップ型セラミック素子の製造方法 | |
| JP2985527B2 (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH11232927A (ja) | 導電ペースト | |
| JPH1012043A (ja) | 導電性組成物および粒界絶縁型半導体磁器コンデンサ | |
| JPH03129810A (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2000091106A (ja) | 積層型半導体セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP3598698B2 (ja) | チップ型バリスタの製造方法 | |
| JP2503974B2 (ja) | 導電性ペ−スト | |
| JPH07105719A (ja) | 導電性ペーストと抵抗体素子 | |
| JPS6322444B2 (ja) |