JPS6264042A - 荷電粒子等の検出器 - Google Patents

荷電粒子等の検出器

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JPS6264042A
JPS6264042A JP60204158A JP20415885A JPS6264042A JP S6264042 A JPS6264042 A JP S6264042A JP 60204158 A JP60204158 A JP 60204158A JP 20415885 A JP20415885 A JP 20415885A JP S6264042 A JPS6264042 A JP S6264042A
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scintillator
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dynode
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Kozo Miishi
御石 浩三
Kozo Shimazu
島津 光三
Yuichi Kuratani
蔵谷 雄一
Takehiro Takeda
武弘 竹田
Toshiya Kubodera
窪寺 俊也
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、例えば質量分析計などの測定機器において使
用され、+イオンや−イオンなどを検出する検出器に関
するものである。
(従来の技術) 質量分析計などにおいて、微小なイオン電流や電子電流
を検出する検出器として二次電子増倍管やチャンネルト
ロンなどが広く使用されている。
また、イオン−電子コンバータに対向させてシンチレー
タを設置し、そのシンチレータから発生する光を受光す
る光電子増倍管を設けたダリ−(Daly)型二次イオ
ン検出器も使用されている。
ダリー型二次イオン検出器では、イオン−電子コンバー
タから発生した電子はシンチレータとの間の電界により
引き込まれてシンチレータに衝突し、シンチレータから
発生した光が光電子増倍管で検出される。
また、コレクタスリットと二次電子増倍管の間にさらに
二次電子増倍管を挿入し、コレクタスリットを通ってき
たイオンをその挿入された二次電子増倍管で加速するこ
とにより感度を上げた検出器が報告されている(マス・
スペクト口スコピー(MASS 5PECTRO5CO
PY)誌、第33巻、第2号、第145〜147頁(1
985)参照)。
その検出器によれば、従来の二次電子増倍管のみを用い
た検出器に比べて約3倍の検出感度が得られると報告さ
れている。
しかしながら、これらの検出器の場合、生体成分の分析
や公害分析などにおける微量分析においては、検出感度
の点で限界があり、例えばpg/lμQ程度が限界であ
る。
二次電子増倍管でダイノードの印加電圧を高くすると利
得は増大するが、信号とともにノイズも増幅されるため
S/N比(信号対ノイズの比)が改善されず、したがっ
て感度は増大しない。
(発明が解決しようとする問題点) そこで、本発明らは、従来の二次電子増倍管に比べて例
えば約10倍以上というように大幅に検出限界を向上さ
せることのできる検出器として、第3図に示される構造
の検出器を開発した。
第3図において、14は増倍器としての二次電子増倍管
であり、7段のダイノードDy+〜Dy7が設けられて
いる。ダイノードの段数は適当に変更することができる
。ダイノードDy+〜Dy7の間には各段で発生する二
次電子を増幅するように電圧が印加されている。増倍器
として二次電子増倍管14に代えてチャンネルトロンを
使用することもできる。
二次電子増倍管14の出口側にはシンチレータ22が設
けられている。シンチレータ22は例えばガラス板20
の表面に形成されており、そのシンチレータ22の表面
には金属膜24が形成されている。金属膜24を有する
シンチレータ22は二次電子増倍管14の出口にその二
次電子増倍管14の内側を向くように配置され、絶縁物
26を介して二次電子増倍管14に一体的に固着されて
いる。シンチレータ22はまた、二次電子増倍管14と
は別体のものとすることもできる。
シンチレータ22の背面側には、光ガイド28を介して
光電子増倍管30が設けられている。光ガイド28は合
成樹脂や石英ガラスなどで形成され、光を効率よく通す
ような構造に構成されてぃる。
なお、16は第1段目のダイノードDy+に入射する荷
電粒子の方向を制御するデフレクタであり、18は最終
段のダイノードDY7から放出される二次電子の方向を
制御してシンチレータ22に導くデフレクタである。
シンチレータ22としては種々の材料が使用されるが、
−例としてはRMA番号でP46の蛍光体Y3AQsO
+ 2 ;C8を挙げることができる。
金属膜24は例えばアルミニウム蒸着膜である。
第3図の検出器において、二次電子増倍管14の1段目
のダイノードDylに荷電粒子または中性粒子が入射す
ると、ダイノードDy+から二次電子が発生する。その
二次電子は2段目のダイノードDY2で増幅され、その
増幅された二次電子がさらに3段目のダイノードD31
3で増幅されるというように、ダイノードDV4.Dy
5.Dye。
Dy7で順次増幅され、最終段のダイノードDy7で発
生した二次電子はシンチレータ22に入射する。シンチ
レータ22で発生した光は光ガイド28を通って光電子
増倍管30に導かれて検出される。
増倍器14からの二次電子を一旦シンチレータ22によ
り光に変換することにより、ノイズが減少してS/N比
が向上するものと考えられる。
第3図の検出器で、シンチレータ22の表面の金属膜2
4に電圧を印加して最終段のダイノードDy7で発生し
た二次電子を加速してシンチレータ22に入射させるこ
とができるようになっている。
ところで、二次電子増倍管やチャンネルトロンのような
増倍器、シンチレータ及び光電子増倍管などの構成部品
は長期間の使用で劣化する。特にシンチレータは劣化し
やすい。
本発明は、第3図に示されたような検出器において、高
感度測定の場合にのみシンチレータと光電子増倍管を使
用し、通常感度で測定可能な場合にはシンチレータと光
電子増倍管を使用しないようにすることによってシンチ
レータを保護できるようにするとともに、劣化の起こる
部品を増倍器に限定して保守を容易にすることを目的と
するものである。
(問題点を解決するための手段) 本発明の検出器では、入射粒子を二次電子に変換し増幅
する増倍器の最終段ダイノード又は出口近傍に電子を光
に変換するシンチレータが設けられ、このシンチレータ
の表面には金属膜が形成されているとともに、このシン
チレータからの光を受光する位置に光電子増倍管が設け
られており、前記増倍器の出力が取り出される第1の測
定モードと、前記金属膜に前記増倍器の最終段ダイノー
ド又は出口から発生する二次電子を加速して前記シンチ
レータに導くように電圧が印加され前記光電子増倍管の
出力が取り出される第2の測定モードとの間で、切り換
えて使用できるようになっている。
(実施例1) 第1図は増倍器として二次電子増倍管を使用した実施例
を表わしている。なお、第3図と同一の部分には同一の
記号を付して説明を省略する。
Dy+〜Dynは二次電子増倍管のダイノードである。
初段のダイノードDy+から(n −1)段目のダイノ
ードDyn−+までの各ダイノード間には抵抗rが設け
られている。初段のダイノードDy+にはダイノード間
で二次電子を増幅させるための高圧電源32が接続され
ている。(n −1)段目のダイノードDyn−rには
スイッチSlが接続され、そのスイッチS1のa接点は
抵抗rと抵抗Rの直列回路を介して接地され、スイッチ
S+のb接点は抵抗rを介して接地されている。
最終段のダイノードDynにはスイッチS2が接続され
、そのスイッチS2のa接点はスイッチS1のa接点の
抵抗rと抵抗Rの直列回路の節点Nに接続されている。
二次電子増倍管の最終段のダイノードDynの出口に対
向してシンチレータ22が設けられている。シンチレー
タ22は例えばガラス板20上に設けられており、シン
チレータ22上には金属膜24が形成されている。金属
膜24には高圧電源34が接続されており、高圧電源3
4から金属膜24を介してシンチレータ22に電圧が印
加されるようになっている。
シンチレータ22の背面側には光ガイド28を介して光
電子増倍管30が設けられている。光電子増倍管30に
は光電子増倍管30内での信号増幅用の高圧電源36が
接続されている。
光電子増倍管30の出力端子はスイッチS3のa接点に
接続され、スイッチS3はプリアンプ38に接続され、
プリアンプ38の出力は信号処理系へと接続されている
。スイッチS2のb接点とスイッチS3のb接点は互い
に接続されている。
スイッチSt 、S2.S3としては例えばリレーを用
い、外部信号でリレーを駆動してスイッチS1.82.
S3を切り換えるようにすることができる。
40は真空装置の壁面である。シンチレータ22、光ガ
イド28及び光電子増倍管30が一体化されており、光
ガイド28が真空装置の壁面40で支持されている。そ
して、図に表わされるように、ダイノードDy+〜Dy
nをもつ二次電子増=8− 倍管と、シンチレータ22が真空内に収容され、光電子
増倍管30、高圧電源32,34,36、スイッチ81
 、S2.S3.及びプリアンプ38は大気側に設けら
れている。
本実施例の動作を+イオンを検出する場合について説明
する。スイッチS+ 、S2.S3の切換えにより、二
次電子増倍管から出力電流を取り出すモード(モード1
)と、光電子増倍管30から出力電流を取り出すモード
(モード2)とに切り換えることができる。
まず、モード1として使用する場合を説明する。
スイッチS1.S2.S3はb接点側に切り換えられる
。このとき、ダイノードDy1−Dynには抵抗rによ
って分割された電圧が印加される。
最終段のダイノードDynは分割抵抗から切り離されて
プリアンプ38に接続される。シンチレータ22には高
圧電源34から−Vsの電圧が印加され、最終段のダイ
ノードDynから飛び出してくる電子をそのダイノード
Dynへ追い返す。
このモード1の場合にダイノードDy+〜Dyn−1、
シンチレータ22に印加される電圧の一例を示すと。
−Vd=−500V 〜−4kV −Vs=−1kV である。なお、−Vdは入射イオン量に応じて設定され
る。
モード1の場合、初段のダイノードDy+に入射したイ
オンはダイノードDyl”Dyn間で電子電流として増
幅された後、最終段のダイノード  、Dynに集めら
れ、プリアンプ38を経て信号処理系へ送られる。
次に、モード2として使用する場合を説明する。
スイッチSt 、82.S3は図に示されるようにa接
点側に接続される。このとき、高圧電源32からダイノ
ードDy+に−Vdの電圧が印加され、各ダイノードD
y+〜Dynには抵抗r及びRによって分割された電圧
が印加される。最終段のダイノードDynには −Vd−R/ ((n−1)r+R) の電圧が印加される。ここで、rとRの比は、印加され
るVdの範囲でダイノードDy+−Dyn間の電位差が
1〜3kVになるように設定されている。シンチレータ
22には高圧電源34から+Vsの電圧が印加される。
ここで、ダイノードDy+〜D y n、シンチレータ
22に印加される電圧の一例を示すと、−Vd=−3k
V 〜−6kV + V s = O〜6 k V である。
初段のダイノードDy+に入射したイオンはダイノード
Dy+−Dyn間で電子電流として増幅された後、最終
段のダイノードDynとシンチレータ22の間の電位差
で加速され、シンチレータ22で光に変換され、光電子
増倍管30で電子電流として増幅される。光電子増倍管
30からの出力信号はプリアンプ38を経て信号処理系
へ送られる。
モード1とモード2は測定しようとする電流量に応じて
使い分けられる。通常はモード1で使用し、極微小の電
流を検出しようとする場合にのみモード2で使用する。
本実施例では二次電子増倍管の軸と光電子増倍管30の
軸が直交しているが、両者の軸が平行になるように変更
してもよい。
(実施例2) 第2図に増倍器として連続ダイノード型のチャンネルト
ロンを用いた実施例を示す。
42はチャンネルトロンであり、その入口と出口の両端
間には高圧電源32から電圧が印加されている。チャン
ネルトロン42の出口に対向してコレクタ44が設けら
れている。コレクタ44にはスイッチS4が接続され、
スイッチS4のa端子は高圧電源46に接続されている
。
シンチレータ22もコレクタ44に対向して設けられて
いる。シンチレータ22の表面に金属膜24が形成され
、その金属膜24を介して高圧電源34からシンチレー
タ22に電圧が印加されるようになっており、シンチレ
ータ22の背面側には光ガイド28を介して光電子増倍
管30が設けられている点は第1図の実施例と同様であ
る。
−12= 光電子増倍管30の出力端子は、プリアンプ38に接続
されたスイッチS5のa接点に接続されている。スイッ
チS4のb接点とスイッチS5のb接点は互いに接続さ
れている。
本実施例において、モード1又はモード2での使用時の
高圧電源32,34からの印加電圧は第1図の場合と同
様である。
モード1で測定する場合、スイッチS4.S5はともに
b接点側に接続される。チャンネルトロン42の出口か
らの電子電流はコレクタ44に集められてプリアンプ3
8に導かれる。
モード2で測定する場合、スイッチS4.S5はともに
図に示されているようにa接点側に接続される。コレク
タ44には高圧電源46から電圧が印加されることによ
り、チャンネルトロン42の出口からの電子はコレクタ
44によって偏向されてシンチレータ22に入射する。
シンチレータ22からの光は光電子増倍管30で検出さ
れ、光電子増倍管30からの出力がプリアンプ38に導
かれる。
(発明の効果) 本発明によれば、以下に示されるような効果を達成する
ことができる。
(1)通常は増倍器(二次電子増倍管やチャンネルトロ
ン)のみで使用されることが多く、劣化は増倍器で起こ
りやすくなる。したがって、保守上、劣化部分の判断が
容易になる。
(2)シンチレータが電子衝撃を受けるのは、モード2
の場合のみである。そのため、シンチレータの寿命を延
ばすことができる。
(3)モード1とモード2で切り換えて測定を行なうこ
とにより、広範囲のダイナミックレンジでの測定が可能
になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す概略図、第2図は
本発明の第2の実施例を示す概略図、第3図は本発明者
らによって開発された検出器を示す概略断面図である。 22・・・・・・シンチレータ、 24・・・・・・金属膜、 30・・・・・・光電子増倍管、 Dy+〜Dyn・・・・・・ダイノード、5i−85・
・・・・・スイッチ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)入射粒子を二次電子に変換し増幅する増倍器の最
    終段ダイノード又は出口近傍に電子を光に変換するシン
    チレータが設けられ、このシンチレータの表面には金属
    膜が形成されているとともに、このシンチレータからの
    光を受光する位置に光電子増倍管が設けられており、 前記増倍器の出力が取り出される第1の測定モードと、
    前記金属膜に前記増倍器の最終段ダイノード又は出口か
    ら発生する二次電子を加速して前記シンチレータに導く
    ように電圧が印加され前記光電子増倍管の出力が取り出
    される第2の測定モードとの間で、切り換えて使用でき
    るようにしたことを特徴とする荷電粒子等の検出器。
JP60204158A 1985-09-13 1985-09-13 荷電粒子等の検出器 Granted JPS6264042A (ja)

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JP60204158A JPS6264042A (ja) 1985-09-13 1985-09-13 荷電粒子等の検出器

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JPS6264042A true JPS6264042A (ja) 1987-03-20
JPH0418423B2 JPH0418423B2 (ja) 1992-03-27

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ID=16485793

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JP60204158A Granted JPS6264042A (ja) 1985-09-13 1985-09-13 荷電粒子等の検出器

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446275A (en) * 1992-05-20 1995-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Electron multiplying device having multiple dynode stages encased by a housing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5446275A (en) * 1992-05-20 1995-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Electron multiplying device having multiple dynode stages encased by a housing

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JPH0418423B2 (ja) 1992-03-27

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