JPH0414845Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0414845Y2 JPH0414845Y2 JP1985144767U JP14476785U JPH0414845Y2 JP H0414845 Y2 JPH0414845 Y2 JP H0414845Y2 JP 1985144767 U JP1985144767 U JP 1985144767U JP 14476785 U JP14476785 U JP 14476785U JP H0414845 Y2 JPH0414845 Y2 JP H0414845Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scintillator
- collector
- electrons
- photomultiplier tube
- multiplier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本考案は、例えば質量分析計などの測定機器に
おいて使用され、+イオンや−イオンなどを検出
する検出器に関するものである。
おいて使用され、+イオンや−イオンなどを検出
する検出器に関するものである。
(従来の技術)
質量分析計などにおいて、微小なイオン電流や
電子電流を検出する検出器として二次電子増倍
管、チヤンネルトロン、マルチチヤンネルプレー
トなどが広く使用されている。
電子電流を検出する検出器として二次電子増倍
管、チヤンネルトロン、マルチチヤンネルプレー
トなどが広く使用されている。
また、イオン−電子コンバータに対向させてシ
ンチレータを設置し、そのシンチレータから発生
する光を受光する光電子増倍管を設けたダリー
(Daly)型二次イオン検出器も使用されている。
ンチレータを設置し、そのシンチレータから発生
する光を受光する光電子増倍管を設けたダリー
(Daly)型二次イオン検出器も使用されている。
ダリー型二次イオン検出器では、イオン−電子
コンバータから発生した電子はシンチレータとの
間の電界により引き込まれてシンチレータに衝突
し、シンチレータから発生した光が光電子増倍管
で検出される。
コンバータから発生した電子はシンチレータとの
間の電界により引き込まれてシンチレータに衝突
し、シンチレータから発生した光が光電子増倍管
で検出される。
また、コレクタスリツトと二次電子増倍管の間
にさらに二次電子増倍管を挿入し、コレクタスリ
ツトを通つてきたイオンをその挿入された二次電
子増倍管で加速することにより感度を上げた検出
器が報告されている(マス・スペクトロスコピー
(MASS SPECTROSCOPY)誌、第33巻、第2
号、第145〜147頁(1985)参照)。
にさらに二次電子増倍管を挿入し、コレクタスリ
ツトを通つてきたイオンをその挿入された二次電
子増倍管で加速することにより感度を上げた検出
器が報告されている(マス・スペクトロスコピー
(MASS SPECTROSCOPY)誌、第33巻、第2
号、第145〜147頁(1985)参照)。
その検出器によれば、従来の二次電子増倍管の
みを用いた検出器に比べて約3倍の検出感度が得
られると報告されている。
みを用いた検出器に比べて約3倍の検出感度が得
られると報告されている。
しかしながら、これらの検出器の場合、生体成
分の分析や公害分析などにおける微量分析におい
ては、検出感度の点で限界があり、例えばpg/
1μl程度が限界である。
分の分析や公害分析などにおける微量分析におい
ては、検出感度の点で限界があり、例えばpg/
1μl程度が限界である。
二次電子増倍管でダイノードの印加電圧を高く
すると利得は増大するが、信号とともにノイズも
増幅されるためS/N比(信号対ノイズの比)が
改善されず、したがつて感度は増大しない。
すると利得は増大するが、信号とともにノイズも
増幅されるためS/N比(信号対ノイズの比)が
改善されず、したがつて感度は増大しない。
(考案が解決しようとする問題点)
そこで、本考案者らは、従来の二次電子増倍管
に比べて例えば約10倍以上というように大幅に検
出限界を向上させることのできる検出器として、
第3図に示される構造の検出器を開発した。
に比べて例えば約10倍以上というように大幅に検
出限界を向上させることのできる検出器として、
第3図に示される構造の検出器を開発した。
第3図において、14は増倍器としての二次電
子増倍管であり、7段のダイノードDy1〜Dy7が
設けられている。ダイノードの段数は適当に変更
することができる。ダイノードDy1〜Dy7の間に
は各段で発生する二次電子を増幅するように電圧
が印加されている。増倍器として二次電子増倍管
14に代えてチヤンネルトロンを使用することも
できる。
子増倍管であり、7段のダイノードDy1〜Dy7が
設けられている。ダイノードの段数は適当に変更
することができる。ダイノードDy1〜Dy7の間に
は各段で発生する二次電子を増幅するように電圧
が印加されている。増倍器として二次電子増倍管
14に代えてチヤンネルトロンを使用することも
できる。
二次電子増倍管14の出口側にはシンチレータ
22が設けられている。シンチレータ22の表面
には金属膜24が形成されている。金属膜24を
有するシンチレータ22は二次電子増倍管14の
出口にその二次電子増倍管14の内側を向くよう
に配置され、絶縁物26を介して二次電子増倍管
14に一体的に固着されている。シンチレータ2
2はまた、二次電子増倍管14とは別体のものと
することもできる。
22が設けられている。シンチレータ22の表面
には金属膜24が形成されている。金属膜24を
有するシンチレータ22は二次電子増倍管14の
出口にその二次電子増倍管14の内側を向くよう
に配置され、絶縁物26を介して二次電子増倍管
14に一体的に固着されている。シンチレータ2
2はまた、二次電子増倍管14とは別体のものと
することもできる。
シンチレータ22の背面側には、光ガイド28
を介して光電子増倍管30が設けられている。光
ガイド28は合成樹脂や石英ガラスなどで形成さ
れ、光を効率よく通すような構造に構成されてい
る。
を介して光電子増倍管30が設けられている。光
ガイド28は合成樹脂や石英ガラスなどで形成さ
れ、光を効率よく通すような構造に構成されてい
る。
なお、16は第1段目のダイノードDy1に入射
する荷電粒子の方向を制御するデフレクタであ
り、18は最終段のダイノードDy7から放出され
る二次電子の方向を制御してシンチレータ22に
導くデフレクタである。
する荷電粒子の方向を制御するデフレクタであ
り、18は最終段のダイノードDy7から放出され
る二次電子の方向を制御してシンチレータ22に
導くデフレクタである。
シンチレータ22としては種々の材料が使用さ
れるが、一例としてはRMA番号でP46の蛍光体
Y3Al5O12;Ceを挙げることができる。金属膜2
4は例えばアルミニウム蒸着膜である。
れるが、一例としてはRMA番号でP46の蛍光体
Y3Al5O12;Ceを挙げることができる。金属膜2
4は例えばアルミニウム蒸着膜である。
第3図の検出器において、二次電子増倍管14
の1段目のダイノードDy1に荷電粒子または中性
粒子が入射すると、ダイノードDy1から二次電子
が発生する。その二次電子は2段目のダイノード
Dy2で増幅され、その増幅された二次電子がさら
に3段目のダイノードDy3で増幅されるというよ
うに、ダイノードDy4,Dy5,Dy6,Dy7で順次増
幅され、最終段のダイノードDy7で発生した二次
電子はシンチレータ22に入射する。シンチレー
タ22で発生した光は光ガイド28を通って光電
子増倍管30に導かれて検出される。
の1段目のダイノードDy1に荷電粒子または中性
粒子が入射すると、ダイノードDy1から二次電子
が発生する。その二次電子は2段目のダイノード
Dy2で増幅され、その増幅された二次電子がさら
に3段目のダイノードDy3で増幅されるというよ
うに、ダイノードDy4,Dy5,Dy6,Dy7で順次増
幅され、最終段のダイノードDy7で発生した二次
電子はシンチレータ22に入射する。シンチレー
タ22で発生した光は光ガイド28を通って光電
子増倍管30に導かれて検出される。
シンチレータ22の表面の金属膜24に電圧を
印加して最終段のダイノードDy7で発生した二次
電子を加速してシンチレータ22に入射させるこ
とができるようになつている。
印加して最終段のダイノードDy7で発生した二次
電子を加速してシンチレータ22に入射させるこ
とができるようになつている。
第3図の検出器では、増倍器14からの二次電
子を一旦シンチレータ22で光に変換することに
より、ノイズが減少してS/N比が向上するもの
と考えられる。
子を一旦シンチレータ22で光に変換することに
より、ノイズが減少してS/N比が向上するもの
と考えられる。
本考案は、第3図に示されたような検出器にお
いて、さらに高感度の検出を行なうことを可能に
するとともにダイナミツクレンジの広い検出を行
なうことを目的とするものである。
いて、さらに高感度の検出を行なうことを可能に
するとともにダイナミツクレンジの広い検出を行
なうことを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
本考案の検出器では、入射粒子を二次電子に変
換し増幅する増倍器の最終段ダイノード又は出口
に接近してマルチチヤンネルプレートが設けら
れ、このマルチチヤンネルプレートの出口に電子
を光に変換するシンチレータが設けられ、このシ
ンチレータからの光を受光する位置に光電子増倍
管が設けられており、前記増倍器と前記マルチチ
ヤンネルプレートの間に電子を集める第1のコレ
クタが着脱可能に挿入され、前記マルチチヤンネ
ルプレートと前記シンチレータの間に電子を集め
る第2のコレクタが着脱可能に挿入され、前記第
1のコレクタの出力、前記第2のコレクタの出力
及び前記光電子増倍管の出力のうちのいずれかを
選択できるようになつている。
換し増幅する増倍器の最終段ダイノード又は出口
に接近してマルチチヤンネルプレートが設けら
れ、このマルチチヤンネルプレートの出口に電子
を光に変換するシンチレータが設けられ、このシ
ンチレータからの光を受光する位置に光電子増倍
管が設けられており、前記増倍器と前記マルチチ
ヤンネルプレートの間に電子を集める第1のコレ
クタが着脱可能に挿入され、前記マルチチヤンネ
ルプレートと前記シンチレータの間に電子を集め
る第2のコレクタが着脱可能に挿入され、前記第
1のコレクタの出力、前記第2のコレクタの出力
及び前記光電子増倍管の出力のうちのいずれかを
選択できるようになつている。
本考案で検出の対象となるのは荷電粒子及び中
性粒子であり、これらを総称して荷電粒子等とい
う。
性粒子であり、これらを総称して荷電粒子等とい
う。
(実施例)
第1図は増倍器として二次電子増倍管を使用し
た実施例を表わしている。なお、第3図と同一の
部分には同一の記号を付して説明を省略する。
た実施例を表わしている。なお、第3図と同一の
部分には同一の記号を付して説明を省略する。
Dy1〜Dy12は二次電子増倍管31のダイノード
である。この例では12段のダイノードを備えたも
のを示すが、ダイノードの段数はこれに限られる
ものではない。
である。この例では12段のダイノードを備えたも
のを示すが、ダイノードの段数はこれに限られる
ものではない。
最終段のダイノードDy12の出口に接近してマル
チチヤンネルプレート32が設けられている。マ
ルチチヤンネルプレート32の出口には電子を光
に変換するシンチレータ22が設けられ、シンチ
レータ22の背面側にはシンチレータ22からの
光を受光するように光電子増倍管30が設けられ
ている。光電子増倍管30の出力端子はプリアン
プに導かれている。
チチヤンネルプレート32が設けられている。マ
ルチチヤンネルプレート32の出口には電子を光
に変換するシンチレータ22が設けられ、シンチ
レータ22の背面側にはシンチレータ22からの
光を受光するように光電子増倍管30が設けられ
ている。光電子増倍管30の出力端子はプリアン
プに導かれている。
初段のダイノードDy1から最終段のダイノード
Dy12までのダイノード間にはそれぞれ抵抗rが設
けられている。初段のダイノードDy1と最終段の
ダイノードDy12の間にはダイノード間で二次電子
を増幅させるための電圧V1が印加され、抵抗r
により分割されている。
Dy12までのダイノード間にはそれぞれ抵抗rが設
けられている。初段のダイノードDy1と最終段の
ダイノードDy12の間にはダイノード間で二次電子
を増幅させるための電圧V1が印加され、抵抗r
により分割されている。
最終段のダイノードDy12とマルチチヤンネルプ
レート32の入口面との間には最終段のダイノー
ドDy12で発生した電子をマルチチヤンネルプレー
ト32に引き込むための電位差V2が与えられて
いる。また、マルチチヤンネルプレート32の入
口面と出口面の間にはマルチチヤンネルプレート
32に入射した電子を増幅するための電位差V3
が与えられている。
レート32の入口面との間には最終段のダイノー
ドDy12で発生した電子をマルチチヤンネルプレー
ト32に引き込むための電位差V2が与えられて
いる。また、マルチチヤンネルプレート32の入
口面と出口面の間にはマルチチヤンネルプレート
32に入射した電子を増幅するための電位差V3
が与えられている。
本実施例では二次電子増倍管31、マルチチヤ
ンネルプレート32及びシンチレータ22が一体
的に組立てられている。光電子増倍管30はその
受光面がシンチレータ22に直接に接するように
設けられる。
ンネルプレート32及びシンチレータ22が一体
的に組立てられている。光電子増倍管30はその
受光面がシンチレータ22に直接に接するように
設けられる。
本実施例の検出器において、初段のダイノード
Dy1に荷電粒子の一例としてイオンが入射したと
すると、そのイオンはダイノードDy1〜Dy12間で
電子電流として増幅された後、最終段のダイノー
ドDy12とマルチチヤンネルプレート32の入口面
の間の電位差で加速されてマルチチヤンネルプレ
ート32に入射する。マルチチヤンネルプレート
32で増幅された電子電流はシンチレータ22で
光に変換され、光電子増倍管30で再び電子電流
として増幅される。光電子増倍管30からの出力
信号はプリアンプを経て信号処理系へ送られる。
Dy1に荷電粒子の一例としてイオンが入射したと
すると、そのイオンはダイノードDy1〜Dy12間で
電子電流として増幅された後、最終段のダイノー
ドDy12とマルチチヤンネルプレート32の入口面
の間の電位差で加速されてマルチチヤンネルプレ
ート32に入射する。マルチチヤンネルプレート
32で増幅された電子電流はシンチレータ22で
光に変換され、光電子増倍管30で再び電子電流
として増幅される。光電子増倍管30からの出力
信号はプリアンプを経て信号処理系へ送られる。
第1図の実施例において、最終段のダイノード
Dy12とマルチチヤンネルプレート32の入口の間
に電子を集めるコレクタとなる電極板を挿入する
ことができるようにし、その挿入されたコレクタ
からの信号は配線34を経てプリアンプへ送られ
るようにする。また、マルチチヤンネルプレート
32の出口とシンチレータ22の間にも電子を集
めるコレクタとなる電極板を挿入することができ
るようにし、その挿入されたコレクタからの信号
は配線36を経てプリアンプへ送られるようにす
る。そして、光電子増倍管30を経る検出信号の
流れ、配線34を経る検出信号の流れ又は配線3
6を経る検出信号の流れのいずれかを選択できる
ようにしておく。
Dy12とマルチチヤンネルプレート32の入口の間
に電子を集めるコレクタとなる電極板を挿入する
ことができるようにし、その挿入されたコレクタ
からの信号は配線34を経てプリアンプへ送られ
るようにする。また、マルチチヤンネルプレート
32の出口とシンチレータ22の間にも電子を集
めるコレクタとなる電極板を挿入することができ
るようにし、その挿入されたコレクタからの信号
は配線36を経てプリアンプへ送られるようにす
る。そして、光電子増倍管30を経る検出信号の
流れ、配線34を経る検出信号の流れ又は配線3
6を経る検出信号の流れのいずれかを選択できる
ようにしておく。
そして、信号強度が強い場合は最終段のダイノ
ードDy12とマルチチヤンネルプレート32の入口
の間にコレクタを挿入して信号を読み取り、信号
強度が弱くなつてくるとマルチチヤンネルプレー
ト32の出口とシンチレータ22の間にコレクタ
を挿入して信号を読み取り、最も信号強度が弱く
なるとシンチレータ22及び光電子増倍管30を
経て信号を読み取るようにする。
ードDy12とマルチチヤンネルプレート32の入口
の間にコレクタを挿入して信号を読み取り、信号
強度が弱くなつてくるとマルチチヤンネルプレー
ト32の出口とシンチレータ22の間にコレクタ
を挿入して信号を読み取り、最も信号強度が弱く
なるとシンチレータ22及び光電子増倍管30を
経て信号を読み取るようにする。
このように、信号を読み取る位置を変えること
によりダイナミツクレンジの広い検出を行なうこ
とができるようになる。
によりダイナミツクレンジの広い検出を行なうこ
とができるようになる。
第2図に他の実施例を示す。
第1図の検出器では増倍器として二次電子増倍
管31が使用されているのに対して、本実施例の
検出器では増倍器としてチヤンネルトロン40を
使用している。
管31が使用されているのに対して、本実施例の
検出器では増倍器としてチヤンネルトロン40を
使用している。
チヤンネルトロン40の出口にマルチチヤンネ
ルプレート32が設けられている。マルチチヤン
ネルプレート32、シンチレータ22及び光電子
増倍管30の配列は第1図の場合と同じである。
ルプレート32が設けられている。マルチチヤン
ネルプレート32、シンチレータ22及び光電子
増倍管30の配列は第1図の場合と同じである。
チヤンネルトロン40の入口と出口の間には二
次電子を増幅するための電圧V1′が印加され、チ
ヤンネルトロン40の出口とマルチチヤンネルプ
レート32の入口面の間及びマルチチヤンネルプ
レート32の入口面と出口面の間にはそれぞれ第
1図の場合と同じ電圧V2,V3が印加される。
次電子を増幅するための電圧V1′が印加され、チ
ヤンネルトロン40の出口とマルチチヤンネルプ
レート32の入口面の間及びマルチチヤンネルプ
レート32の入口面と出口面の間にはそれぞれ第
1図の場合と同じ電圧V2,V3が印加される。
本実施例の検出器の動作は第1図の検出器の動
作と同じである。
作と同じである。
また、本実施例の検出器においても、第1図の
場合と同様に、チヤンネルトロン40の出口とマ
ルチチヤンネルプレート32の入口の間に電子を
集めるコレクタを挿入することができるように
し、マルチチヤンネルプレート32の出口とシン
チレータ22の間にも電子を集めるコレクタを挿
入することができるようにする。それぞれのコレ
クタからの信号は配線34,36を経てプリアン
プに導かれる。そして、光電子増倍管30を経る
検出信号の流れ、配線34を経る検出信号の流れ
又は配線36を経る検出信号の流れのいずれかを
選択できるようにしておく。
場合と同様に、チヤンネルトロン40の出口とマ
ルチチヤンネルプレート32の入口の間に電子を
集めるコレクタを挿入することができるように
し、マルチチヤンネルプレート32の出口とシン
チレータ22の間にも電子を集めるコレクタを挿
入することができるようにする。それぞれのコレ
クタからの信号は配線34,36を経てプリアン
プに導かれる。そして、光電子増倍管30を経る
検出信号の流れ、配線34を経る検出信号の流れ
又は配線36を経る検出信号の流れのいずれかを
選択できるようにしておく。
以上の実施例では、マルチチヤンネルプレート
32とシンチレータ22は増倍器としての二次電
子増倍管31又はチヤンネルトロン40と一体的
に組立てられているが、例えば、二次電子増倍管
31又はチヤンネルトロン40とマルチチヤンネ
ルプレート32のみを一体化してもよい。さら
に、二次電子増倍管31又はチヤンネルトロン4
0にマルチチヤンネルプレート32、シンチレー
タ22及び光電子増倍管30を一体的に組立てて
もよい。
32とシンチレータ22は増倍器としての二次電
子増倍管31又はチヤンネルトロン40と一体的
に組立てられているが、例えば、二次電子増倍管
31又はチヤンネルトロン40とマルチチヤンネ
ルプレート32のみを一体化してもよい。さら
に、二次電子増倍管31又はチヤンネルトロン4
0にマルチチヤンネルプレート32、シンチレー
タ22及び光電子増倍管30を一体的に組立てて
もよい。
(考案の効果)
本考案の検出器では、二次電子増倍器、マルチ
チヤンネルプレート、シンチレータ及び電子増倍
管をこの順に組合わせるとともに、二次電子増倍
器とマルチチヤンネルプレートの間と、マルチチ
ヤンネルプレートとシンチレータの間にそれぞれ
電子を集めるコレクタを着脱可能に挿入してそれ
らのコレクタの出力及び光電子増倍管の出力のう
ちのいずれかを選択できるようにしたので、強い
信号から弱い信号までの広いダイナミツクレンジ
の検出を行なうことができる。そして、最も弱い
信号を検出するときは、入射した荷電粒子を電子
に変換して増倍器とマルチチヤンネルプレートで
増幅した後、シンチレータで光に変換し、その後
さらに光電子増倍管により増幅して検出するよう
にしたので、極めて微弱な荷電粒子の検出が可能
になる。
チヤンネルプレート、シンチレータ及び電子増倍
管をこの順に組合わせるとともに、二次電子増倍
器とマルチチヤンネルプレートの間と、マルチチ
ヤンネルプレートとシンチレータの間にそれぞれ
電子を集めるコレクタを着脱可能に挿入してそれ
らのコレクタの出力及び光電子増倍管の出力のう
ちのいずれかを選択できるようにしたので、強い
信号から弱い信号までの広いダイナミツクレンジ
の検出を行なうことができる。そして、最も弱い
信号を検出するときは、入射した荷電粒子を電子
に変換して増倍器とマルチチヤンネルプレートで
増幅した後、シンチレータで光に変換し、その後
さらに光電子増倍管により増幅して検出するよう
にしたので、極めて微弱な荷電粒子の検出が可能
になる。
また、増倍器に印加する電圧及び光電子増倍管
に印加する電圧の他に、マルチチヤンネルプレー
トの入口面と出口面の間に印加される電圧も調節
できるので、最適な感度を得るのが容易になる。
に印加する電圧の他に、マルチチヤンネルプレー
トの入口面と出口面の間に印加される電圧も調節
できるので、最適な感度を得るのが容易になる。
第1図は本考案の一実施例を示す概略断面図、
第2図は本考案の他の実施例を示す概略断面図、
第3図は本考案者らが開発した検出器を示す概略
断面図である。 22……シンチレータ、30……光電子増倍
管、31……二次電子増倍管、32……マルチチ
ヤンネルプレート、40……チヤンネルトロン。
第2図は本考案の他の実施例を示す概略断面図、
第3図は本考案者らが開発した検出器を示す概略
断面図である。 22……シンチレータ、30……光電子増倍
管、31……二次電子増倍管、32……マルチチ
ヤンネルプレート、40……チヤンネルトロン。
Claims (1)
- 入射粒子を二次電子に変換し増幅する増倍器の
最終段ダイノード又は出口に接近してマルチチヤ
ンネルプレートが設けられ、このマルチチヤンネ
ルプレートの出口に電子を光に変換するシンチレ
ータが設けられ、このシンチレータからの光を受
光する位置に光電子増倍管が設けられており、前
記増倍器と前記マルチチヤンネルプレートの間に
電子を集める第1のコレクタが着脱可能に挿入さ
れ、前記マルチチヤンネルプレートと前記シンチ
レータの間に電子を集める第2のコレクタが着脱
可能に挿入され、前記第1のコレクタの出力、前
記第2のコレクタの出力及び前記光電子増倍管の
出力のうちのいずれかを選択できるようになつて
いることを特徴とする荷電粒子等の検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985144767U JPH0414845Y2 (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985144767U JPH0414845Y2 (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6253560U JPS6253560U (ja) | 1987-04-02 |
| JPH0414845Y2 true JPH0414845Y2 (ja) | 1992-04-03 |
Family
ID=31055675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985144767U Expired JPH0414845Y2 (ja) | 1985-09-21 | 1985-09-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414845Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220027944A (ko) * | 2019-06-07 | 2022-03-08 | 아답타스 솔루션즈 피티와이 엘티디 | 전파 2차 전자 방출 수단을 포함하는 검출기 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1548560A (en) * | 1975-04-12 | 1979-07-18 | Emi Ltd | Electron multiplier |
| JPS51141688A (en) * | 1975-06-02 | 1976-12-06 | Hitachi Ltd | Mass spectrometer |
-
1985
- 1985-09-21 JP JP1985144767U patent/JPH0414845Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6253560U (ja) | 1987-04-02 |
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