JPS6264976A - 中性子検出器の耐電圧測定方法 - Google Patents
中性子検出器の耐電圧測定方法Info
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- JPS6264976A JPS6264976A JP60204804A JP20480485A JPS6264976A JP S6264976 A JPS6264976 A JP S6264976A JP 60204804 A JP60204804 A JP 60204804A JP 20480485 A JP20480485 A JP 20480485A JP S6264976 A JPS6264976 A JP S6264976A
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- JP
- Japan
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- voltage
- discharge
- circuit
- current
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、中性子検出器の耐電圧測定方法に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕例えば沸騰水形
原子炉の中性子検出には、核分裂形電離箱からなる中性
子検出器を複数個設置し、それらに例えば１０（ｌル）
（Ｖ）の直流電圧を印加し、電離電流を検出して測定
する。
原子炉の中性子検出には、核分裂形電離箱からなる中性
子検出器を複数個設置し、それらに例えば１０（ｌル）
（Ｖ）の直流電圧を印加し、電離電流を検出して測定
する。
このような中性子検出器は、当然高い信頼性が要求され
、とくに検出器自身での異常放電は皆無でなければなら
ない。このため、中性子検出器は、動作電圧である１０
０Ｖに対して十分高い電圧、例えば７００ｖまで異常放
電しないように保証している。中性子検出器の製造にお
いて、この耐電圧特性の測定は、非破壊的に行なうこと
が望ましい。
、とくに検出器自身での異常放電は皆無でなければなら
ない。このため、中性子検出器は、動作電圧である１０
０Ｖに対して十分高い電圧、例えば７００ｖまで異常放
電しないように保証している。中性子検出器の製造にお
いて、この耐電圧特性の測定は、非破壊的に行なうこと
が望ましい。
一方、このような中性子検出器は、内部に絶縁体からな
るスペーサを有し、長尺な同軸状の電極導出端子構造で
あるため、陰極、陽極端子間の静電容量が、およそ２０
００乃至３０００ ｐＦもある。このため、耐電圧測定
の電圧を不用意九印加すると、この静１！容量成分への
充電電流と異常放電電流とを混同しやすく、正確な測定
ができないという不都合がある。
るスペーサを有し、長尺な同軸状の電極導出端子構造で
あるため、陰極、陽極端子間の静電容量が、およそ２０
００乃至３０００ ｐＦもある。このため、耐電圧測定
の電圧を不用意九印加すると、この静１！容量成分への
充電電流と異常放電電流とを混同しやすく、正確な測定
ができないという不都合がある。
この発明は、以上のような不都合を解消し高精度で非破
壊的に耐電圧特性を測定しうる中性子検出器の耐電圧測
定方法を提供するものである。
壊的に耐電圧特性を測定しうる中性子検出器の耐電圧測
定方法を提供するものである。
この発明は、０ゴルトから毎秒１００？ルト以下の割合
で電極導出端子への印加電圧を上昇し、異常放電の発生
による放電電流が所定レベル以上である場合は電圧を低
減し、再度上記割合で電圧上昇し、被破壊的に耐電圧を
測定することを特徴とする中性子検出器の耐電圧測定方
法である。
で電極導出端子への印加電圧を上昇し、異常放電の発生
による放電電流が所定レベル以上である場合は電圧を低
減し、再度上記割合で電圧上昇し、被破壊的に耐電圧を
測定することを特徴とする中性子検出器の耐電圧測定方
法である。
これによって、検出器の静電容量成分への充電電流がほ
とんど無視でき、異常放電を正確に検出でき、放電によ
る破壊を防止しつつ所定レベルの耐電圧特性をもたせる
ことが容易にでき、信頼性の高い検出器を得ることがで
きる。
とんど無視でき、異常放電を正確に検出でき、放電によ
る破壊を防止しつつ所定レベルの耐電圧特性をもたせる
ことが容易にでき、信頼性の高い検出器を得ることがで
きる。
以下図面を参照してその実施例を説明する。
なお同一部分は同一符号であられす。
この発明は第１図に例示するような測定回路構成で測定
する。同図において１１は被測定中性子検出器、Ｚ２は
陽極、１３は陰極を兼ねる外囲器、１４は絶縁体ス（−
サ（図示せず）により同軸状に配置された電極導出端子
、１ｓＦｉ耐電圧測定器、１６は測定用リード、１７は
交流電圧可変器、１８は高圧トランス、１９は整流回路
、Ｒ１は平滑用抵抗素子、Ｃは平滑コンデンサ、Ｒ２は
保護抵抗、Ｒ３はプリダ抵抗、Ｒ４は電圧検出用抵抗、
Ｒ５は電流検出用抵抗、２０は電圧検出回路、２ノは電
流検出回路、２２は放電検出・比較回路、２３Ｆ”ｉレ
コーダ、２４は電圧下降制御回路、２５は電圧上昇ステ
ップ切換回路、２６は電圧制御回路をあられしている。
する。同図において１１は被測定中性子検出器、Ｚ２は
陽極、１３は陰極を兼ねる外囲器、１４は絶縁体ス（−
サ（図示せず）により同軸状に配置された電極導出端子
、１ｓＦｉ耐電圧測定器、１６は測定用リード、１７は
交流電圧可変器、１８は高圧トランス、１９は整流回路
、Ｒ１は平滑用抵抗素子、Ｃは平滑コンデンサ、Ｒ２は
保護抵抗、Ｒ３はプリダ抵抗、Ｒ４は電圧検出用抵抗、
Ｒ５は電流検出用抵抗、２０は電圧検出回路、２ノは電
流検出回路、２２は放電検出・比較回路、２３Ｆ”ｉレ
コーダ、２４は電圧下降制御回路、２５は電圧上昇ステ
ップ切換回路、２６は電圧制御回路をあられしている。
同図のように回路構成して測定するが、中性子検出器に
印加する電圧は、電圧上昇ステップ切換回路２５により
、電圧制御回路を２６を制御し、それによりトランスの
一次側の電圧可変器を駆動して電圧上昇度合を可変でき
るようになっている。すなわち第２図に示すように、例
えば直線Ｓ−７のように毎秒２５ｖで上昇するステップ
、Ｓ−２のように毎秒５０Ｖで上昇するステップ、Ｓ−
３のように毎秒１ｏｏｖで上昇するステップなど、およ
そ毎秒１００Ｖ以下の上昇率でいくつかのステップが選
択できるように構成されている。
印加する電圧は、電圧上昇ステップ切換回路２５により
、電圧制御回路を２６を制御し、それによりトランスの
一次側の電圧可変器を駆動して電圧上昇度合を可変でき
るようになっている。すなわち第２図に示すように、例
えば直線Ｓ−７のように毎秒２５ｖで上昇するステップ
、Ｓ−２のように毎秒５０Ｖで上昇するステップ、Ｓ−
３のように毎秒１ｏｏｖで上昇するステップなど、およ
そ毎秒１００Ｖ以下の上昇率でいくつかのステップが選
択できるように構成されている。
なお、電圧制御は、パルスモータのようなサーゲ機構に
より交流電圧可変トランスを駆動する構成を取ることも
できるし、あるいはＳＣＨのような半導体素子やマイコ
ンによる電圧可変回路にすることもできる。またｌＩ流
流電電圧直接電圧可変する回路にすることもできる。
より交流電圧可変トランスを駆動する構成を取ることも
できるし、あるいはＳＣＨのような半導体素子やマイコ
ンによる電圧可変回路にすることもできる。またｌＩ流
流電電圧直接電圧可変する回路にすることもできる。
次に測定例を説明する。第３図に示すように、中性子検
出器への印加電圧を直線Ｓ−１のようにＯＶから毎秒２
５Ｖの上昇率で直線的に上げて行く。このようなゆるや
かな電圧印加によると、長尺な中性子検出器の静電容量
成分への充電ｌｔ流はほとんど無視し得る程度である。
出器への印加電圧を直線Ｓ−１のようにＯＶから毎秒２
５Ｖの上昇率で直線的に上げて行く。このようなゆるや
かな電圧印加によると、長尺な中性子検出器の静電容量
成分への充電ｌｔ流はほとんど無視し得る程度である。
いま、５００Ｖを越えた時間ｔ、で中性子検出器内で異
常放電が発生したとする。その放ｔ’ａｔＮ、ｉを電流
検出回路２１で検出でき、その電流レベルを検出・比較
回路２２で電気的に比較判定する。
常放電が発生したとする。その放ｔ’ａｔＮ、ｉを電流
検出回路２１で検出でき、その電流レベルを検出・比較
回路２２で電気的に比較判定する。
そしてこの放電電流レベルが予め定めた所定レベルｌ
以上である場合は、その信号により電圧下降制御回路２
４が動作し、電圧制御回路２６を介して電圧可変器１７
を駆動し、印加電圧を一徐々に下降させるようになって
いる。そして再度直線Ｓ−１のようにＱＶから毎秒２５
Ｖの上昇率で電圧を印加する。放電電流が所定レベル以
下であれば、その放電で検出器はむしろクリーンアッグ
され耐電圧特性が向上するので、電圧上昇を続ける。
以上である場合は、その信号により電圧下降制御回路２
４が動作し、電圧制御回路２６を介して電圧可変器１７
を駆動し、印加電圧を一徐々に下降させるようになって
いる。そして再度直線Ｓ−１のようにＱＶから毎秒２５
Ｖの上昇率で電圧を印加する。放電電流が所定レベル以
下であれば、その放電で検出器はむしろクリーンアッグ
され耐電圧特性が向上するので、電圧上昇を続ける。
なお異常放電が検出されない場合は、自動的に１００Ｏ
Ｖの所定最大テスト電圧まで上昇し、一定時間保持した
うえ、徐々に下降して終了する。ｉた途中の放電が、所
定レベル以下で、電圧上昇を続けても中性子検出器が破
壊に至るおそれがないレベル以下であれば、上述のよう
に印加電圧上昇を続ける。また、初期には電圧上昇率を
小さく設定し、次に上昇率をステップ的に上げて数回繰
り返す。なお毎秒の電圧上昇が１００ｖ以下であれば、
実用上充電電流を無視でき、精度のよい耐電圧試験がで
きる。また必要だ応じて放電発生の電圧、波形などを各
回路やレコーダで記録し、放電の特徴や原因などを分析
することができる。
Ｖの所定最大テスト電圧まで上昇し、一定時間保持した
うえ、徐々に下降して終了する。ｉた途中の放電が、所
定レベル以下で、電圧上昇を続けても中性子検出器が破
壊に至るおそれがないレベル以下であれば、上述のよう
に印加電圧上昇を続ける。また、初期には電圧上昇率を
小さく設定し、次に上昇率をステップ的に上げて数回繰
り返す。なお毎秒の電圧上昇が１００ｖ以下であれば、
実用上充電電流を無視でき、精度のよい耐電圧試験がで
きる。また必要だ応じて放電発生の電圧、波形などを各
回路やレコーダで記録し、放電の特徴や原因などを分析
することができる。
以上のようにして、中性子検出器の非破壊試験を正確く
行なうことができる。
行なうことができる。
以上説明したようにこの発明によれば、中性子検出器の
静電容量成分への充電電流をほとんど無視でき、異常放
電を正確圧検出でき、且つ放電による破壊を防止しつつ
所定レベルの耐電圧特性をもたせることができ、信頼性
の高い検出器を得ることができる・
静電容量成分への充電電流をほとんど無視でき、異常放
電を正確圧検出でき、且つ放電による破壊を防止しつつ
所定レベルの耐電圧特性をもたせることができ、信頼性
の高い検出器を得ることができる・
第１図はこの発明の実施例に使用する測定回路図、第２
図はその電圧上昇ステツブを示す特性図、第３図はこの
発明の方法を例示する特性図である。 １１・・・中性子検出器、１４・・・電極導出端子、１
５・・・耐電圧測定装置、２１・・・放電電流検出回路
、２２・・・放電検出・比較回路、２６・・・電圧制御
回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ＴＲＩ闇（免）− 篇２図 第３図
図はその電圧上昇ステツブを示す特性図、第３図はこの
発明の方法を例示する特性図である。 １１・・・中性子検出器、１４・・・電極導出端子、１
５・・・耐電圧測定装置、２１・・・放電電流検出回路
、２２・・・放電検出・比較回路、２６・・・電圧制御
回路。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ＴＲＩ闇（免）− 篇２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同軸状の長尺な電極導出端子を有する中性子検出器に直
流電圧を印加して耐電圧を測定する方法において、 ０ボルトから毎秒１００ボルト以下の割合で印加電圧を
上昇し、異常放電の発生による放電電流が所定レベル以
上である場合は電圧を低減し、再度上記割合で電圧上昇
し、被破壊的に耐電圧を測定することを特徴とする中性
子検出器の耐電圧測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60204804A JPS6264976A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 中性子検出器の耐電圧測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60204804A JPS6264976A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 中性子検出器の耐電圧測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6264976A true JPS6264976A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16496638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60204804A Pending JPS6264976A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 中性子検出器の耐電圧測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6264976A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446852B1 (ko) * | 1997-04-30 | 2004-11-03 | 현대 이미지퀘스트(주) | 전압조정장치 |
| JP2006337226A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｃｖケーブルの残留電荷測定方法 |
| JP2016530517A (ja) * | 2013-08-14 | 2016-09-29 | ディーエイチ テクノロジーズ デベロップメント プライベート リミテッド | イオン移動度の方法及び装置 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP60204804A patent/JPS6264976A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100446852B1 (ko) * | 1997-04-30 | 2004-11-03 | 현대 이미지퀘스트(주) | 전압조정장치 |
| JP2006337226A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Ｃｖケーブルの残留電荷測定方法 |
| JP2016530517A (ja) * | 2013-08-14 | 2016-09-29 | ディーエイチ テクノロジーズ デベロップメント プライベート リミテッド | イオン移動度の方法及び装置 |
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