JPS6265221A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS6265221A JPS6265221A JP20352585A JP20352585A JPS6265221A JP S6265221 A JPS6265221 A JP S6265221A JP 20352585 A JP20352585 A JP 20352585A JP 20352585 A JP20352585 A JP 20352585A JP S6265221 A JPS6265221 A JP S6265221A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本関明は、薄膜磁気ヘッドのギャップ部の加工法に係り
、特に高記録密度の磁気ディスク記録装う゛に好適な薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
、特に高記録密度の磁気ディスク記録装う゛に好適な薄
膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
近年、磁気ディスク記録装置などに薄膜磁気ヘッドが広
く甲いられるようになってきた。
く甲いられるようになってきた。
ところで、この薄膜磁気ヘッドの書込特性は磁気ギャッ
プの奥行方向寸法（ギャップ深さ）忙大きく依存し、従
って、研摩加工によりこの寸法が必要かつ最小限に仕上
げられている必要がある。
プの奥行方向寸法（ギャップ深さ）忙大きく依存し、従
って、研摩加工によりこの寸法が必要かつ最小限に仕上
げられている必要がある。
しかして、このためには、加工の終了時点を正確に検知
する必要があり、そのため、例えば、特開昭５４−５７
０８号公報に記載のように、磁気ヘッドのインダクタン
ス変化を用いて研摩加工の終了時声を検知する方法が提
案されている。これは、まずギャップ深さを所定寸法以
上に確保し、その先端で上部及び下部の磁性層を接触さ
せ、磁タコアを閉磁気回路とした中間的な形状の磁気ヘ
ッドを製造する。このときの磁気ヘッドのインダクタン
スに対してギャップ部先端の研摩加工により磁気コアが
開磁気回路となったときの＃ｇ磁気ヘッドのインダクタ
ンスの変化を検出して、加工の終点を決定する方法であ
る。
する必要があり、そのため、例えば、特開昭５４−５７
０８号公報に記載のように、磁気ヘッドのインダクタン
ス変化を用いて研摩加工の終了時声を検知する方法が提
案されている。これは、まずギャップ深さを所定寸法以
上に確保し、その先端で上部及び下部の磁性層を接触さ
せ、磁タコアを閉磁気回路とした中間的な形状の磁気ヘ
ッドを製造する。このときの磁気ヘッドのインダクタン
スに対してギャップ部先端の研摩加工により磁気コアが
開磁気回路となったときの＃ｇ磁気ヘッドのインダクタ
ンスの変化を検出して、加工の終点を決定する方法であ
る。
しかして、近年はまた、磁気記録に対する高密度記針化
の要求が著しく、これに伴い、薄膜磁気ヘッドもトラッ
ク幅の小さい本のに移行しつつ友、る。
の要求が著しく、これに伴い、薄膜磁気ヘッドもトラッ
ク幅の小さい本のに移行しつつ友、る。
ところが、このような薄膜磁気ヘッドでは、そのインダ
クタンスが例えば２５ＯｎＨ１ｊ度と小さく、かつ、そ
れが上記のよ５ｋして開磁気回路から開磁気回路に変っ
たときでのインダクタンス変化も例えば１０ｎＨ程７９
の徽小なため、上記した従来の方法では正確な加工終了
時点の検出が得られず、従って製品の歩どまりが不充分
でコストアップになり易いという欠点があった。
クタンスが例えば２５ＯｎＨ１ｊ度と小さく、かつ、そ
れが上記のよ５ｋして開磁気回路から開磁気回路に変っ
たときでのインダクタンス変化も例えば１０ｎＨ程７９
の徽小なため、上記した従来の方法では正確な加工終了
時点の検出が得られず、従って製品の歩どまりが不充分
でコストアップになり易いという欠点があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除き、磁気
ギャップ研摩加工の終了時点を高精度で検出でき、高密
摩記録甲の薄膜磁気ヘッドを歩とまり９く製造すること
ができるようＫした薄膜磁気ヘッドの製造方法を捷供す
るにある。
ギャップ研摩加工の終了時点を高精度で検出でき、高密
摩記録甲の薄膜磁気ヘッドを歩とまり９く製造すること
ができるようＫした薄膜磁気ヘッドの製造方法を捷供す
るにある。
〔発明の概要］
この目的を達成するため、本発明は、研摩加工中の薄膜
磁気ヘッドに直流バイアス電流を供給し、コアの磁気飽
和による該磁気ヘッドのインピーダンス低下の変化過程
を！！！層ぺ、これにより研摩加工の終了時点が高感度
で精摩できるようにした点を特徴とする。
磁気ヘッドに直流バイアス電流を供給し、コアの磁気飽
和による該磁気ヘッドのインピーダンス低下の変化過程
を！！！層ぺ、これにより研摩加工の終了時点が高感度
で精摩できるようにした点を特徴とする。
なお、このとき、インダクタンスの変化だけではなく、
抵抗変化も含めたインピーダンス変化として把えるよう
にし、これにより高感度検出が得られるようＫしている
点も特徴とするところである。
抵抗変化も含めたインピーダンス変化として把えるよう
にし、これにより高感度検出が得られるようＫしている
点も特徴とするところである。
また、本発明の一実施例では、薄膜磁気ヘッドのインピ
ーダンスの検出にホイートストンブリッジ回路網を用い
、この回路網の一辺に該磁気ヘッドを接続し、これによ
り該磁気ヘッドのインピーダンスを電気信号の形で取り
出せるようにし、これＫより研磨加工の停止を自ｏｈに
行なえるようＫした点を特徴としている。
ーダンスの検出にホイートストンブリッジ回路網を用い
、この回路網の一辺に該磁気ヘッドを接続し、これによ
り該磁気ヘッドのインピーダンスを電気信号の形で取り
出せるようにし、これＫより研磨加工の停止を自ｏｈに
行なえるようＫした点を特徴としている。
さらに本発明の一実施例では、上記した直流バイアス電
流を周波数の便い矩形波パルスとし、これによる直流バ
イアス電流の肇化に対応してｉ次インピーダンスを検出
し、それらの差及び比を求めることで局囲環境の変化な
どによる影響を取り除くことができるようにし、高精度
で加工終了時点の検出が得られるようにした膚を特徴と
している。
流を周波数の便い矩形波パルスとし、これによる直流バ
イアス電流の肇化に対応してｉ次インピーダンスを検出
し、それらの差及び比を求めることで局囲環境の変化な
どによる影響を取り除くことができるようにし、高精度
で加工終了時点の検出が得られるようにした膚を特徴と
している。
〔発明の実施例〕
以下、本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法について
、図面を用いて詳細に説明する。
、図面を用いて詳細に説明する。
Ｆ１図は本発明の一実施例で、図において、Ｈはギャッ
プ部を加工する前の中間的な形状の薄膜磁気ヘッドを表
わしたもので、所定の寸法のギャップ深さＧｄが確保さ
れるようＫして上部磁性層１と下部磁性層２の先端に接
触部３を設け、研摩加工によりギャップ深さＧｄを残し
て接触部３を取り除くための加工が施されるものである
。
プ部を加工する前の中間的な形状の薄膜磁気ヘッドを表
わしたもので、所定の寸法のギャップ深さＧｄが確保さ
れるようＫして上部磁性層１と下部磁性層２の先端に接
触部３を設け、研摩加工によりギャップ深さＧｄを残し
て接触部３を取り除くための加工が施されるものである
。
さらに、このＦ１図の実施例は、研摩加工すべき該磁気
ヘッドＨのコイル４を一辺に縮み込み、核コイル４と対
面する細切にインダクター５及び直涛宵流をカットする
為のコンデンサ１５を配したホイートストンブリッジ回
路網６．＃磁気ヘッドＨのインピーダンスを検出するた
めの高周波信号（ｔ’ｙＭＨ２−数十ＭＨｚ）源となる
交流発振器７、該磁気ヘッドＨに磁気飽和を発生させる
ための直流電流源８．該ブリッジ回路網６の出力から該
磁気ヘッドＨのインピーダンスを検出し、その変化から
核加工の終点を検知するための高周波用差動増幅器９．
トランス１２とＡＣ−ＤＣ変換器１０を介して差動増幅
器９の出力を取り込み、インピーダンス変化を判定して
出力装置１６から研摩装置停止信号を出力させる演算装
ｆｌｒｌ １．それに直流電流源８をＯＮ、ＯＦＦする
ためのスイッチ１４とを備えている。
ヘッドＨのコイル４を一辺に縮み込み、核コイル４と対
面する細切にインダクター５及び直涛宵流をカットする
為のコンデンサ１５を配したホイートストンブリッジ回
路網６．＃磁気ヘッドＨのインピーダンスを検出するた
めの高周波信号（ｔ’ｙＭＨ２−数十ＭＨｚ）源となる
交流発振器７、該磁気ヘッドＨに磁気飽和を発生させる
ための直流電流源８．該ブリッジ回路網６の出力から該
磁気ヘッドＨのインピーダンスを検出し、その変化から
核加工の終点を検知するための高周波用差動増幅器９．
トランス１２とＡＣ−ＤＣ変換器１０を介して差動増幅
器９の出力を取り込み、インピーダンス変化を判定して
出力装置１６から研摩装置停止信号を出力させる演算装
ｆｌｒｌ １．それに直流電流源８をＯＮ、ＯＦＦする
ためのスイッチ１４とを備えている。
次に、この実施例の動作について説明する。
又流発奈器７からの高周波信号を上記ブリッジ回路網６
に入力し、このブリッジ回路網６の出力をコンデンサ１
３を通して増り出す。これを、差動増幅器９により増幅
したのち、ＡＣ−ＤＣｔ換器１０で振＃Ａ信号として検
出する。
に入力し、このブリッジ回路網６の出力をコンデンサ１
３を通して増り出す。これを、差動増幅器９により増幅
したのち、ＡＣ−ＤＣｔ換器１０で振＃Ａ信号として検
出する。
この振幅は、該磁気ヘッドＨのインピータンスによって
生じた該ブリッジ回路網６のインピーダンスの不均衡に
よる電位差に比例し、これを、該磁気ヘッドＨのインピ
ーダンスに相当する信号として検出する。
生じた該ブリッジ回路網６のインピーダンスの不均衡に
よる電位差に比例し、これを、該磁気ヘッドＨのインピ
ーダンスに相当する信号として検出する。
ここで、該ブリッジ回路網６に与える高周波信号は、該
磁気ヘッドＨの励磁が可逆的な範囲を外れないようにす
るため、その振幅をＡＣ’−ＤＣ変換器１０で測定でき
る範囲内で十分に小さくしておくものとする。
磁気ヘッドＨの励磁が可逆的な範囲を外れないようにす
るため、その振幅をＡＣ’−ＤＣ変換器１０で測定でき
る範囲内で十分に小さくしておくものとする。
次Ｋ、スイッチ１４を低周波パルス（ＰＨ２〜数＋ｍＨ
ｚ）によりＯＮ、ＯＦＦする。これＫより速流電流源８
から直流バイアス電流を該磁気ヘッドＨのコイル４に流
し、一定間隔で励磁を繰返し、該磁気ヘッドＨな周期的
Ｋ１１１１気飽和させる。
ｚ）によりＯＮ、ＯＦＦする。これＫより速流電流源８
から直流バイアス電流を該磁気ヘッドＨのコイル４に流
し、一定間隔で励磁を繰返し、該磁気ヘッドＨな周期的
Ｋ１１１１気飽和させる。
こうして検出を続けながら薄膜磁気ヘッドＨの先端の研
摩加工を硬げろと、該磁気ヘッドＨのインピーダンスは
第２図のように変化してのく。
摩加工を硬げろと、該磁気ヘッドＨのインピーダンスは
第２図のように変化してのく。
このν２図から明らかなように、上記磁気ヘッドＨのイ
ンピーダンスを表わすＡＣ−ＤＣＩ”換器１０の出力は
スイッチ１４による直流バイアス電流のＯＮ、ＯＦＦに
より大六く上下ｋｌ’化しているが、このととのＯＮ時
でのインピーダンスを表わす出力値をａ、ＯＦＦ時での
インピーダンスを表わす出力値をｂとすると、これら出
力値の差（ｂ−ａ）は研摩加工の前後で約１０倍にも及
ぶ変化を示す。
ンピーダンスを表わすＡＣ−ＤＣＩ”換器１０の出力は
スイッチ１４による直流バイアス電流のＯＮ、ＯＦＦに
より大六く上下ｋｌ’化しているが、このととのＯＮ時
でのインピーダンスを表わす出力値をａ、ＯＦＦ時での
インピーダンスを表わす出力値をｂとすると、これら出
力値の差（ｂ−ａ）は研摩加工の前後で約１０倍にも及
ぶ変化を示す。
そこで演算装［１１は上記出力値ａ、ｂを逐次検出し、
上記磁気ヘッドＨの研摩加工中でのこれらの出力値ａ、
ｂの時間的な変化を追跡する。そして、この結果からこ
れら出力値ａｔｂＫｔ化が現われる時点ｃｔ ｄｏ
ｅ、ｆを求め、これにより加工の進捗状況と終了時点
を知ることができる。
上記磁気ヘッドＨの研摩加工中でのこれらの出力値ａ、
ｂの時間的な変化を追跡する。そして、この結果からこ
れら出力値ａｔｂＫｔ化が現われる時点ｃｔ ｄｏ
ｅ、ｆを求め、これにより加工の進捗状況と終了時点
を知ることができる。
ここで、該ＡＣ−ＤＣＩ’換器１０の出力には、周囲環
境の変動による装置ｆＦ性等の変化が含まれる可能性が
ある。しかし、この実施例では、該磁気ヘッドＨが磁気
飽和している状態と、磁気＃和していない状態の２種類
の状態でのインピーダンスをスイッチ１４で交互に検出
しているため、周囲環境の変動が少なくとも上記スイッ
チ１４の一周期より長ければ、一方の状謔でのインピー
ダンスを基筒として仙方の状態でのインピーダンスを検
出することで、周囲環境のり動による影響を取り除いて
、純粋に該磁気ヘッドＨのインピーダンスの変化のみを
検出することが可能である。
境の変動による装置ｆＦ性等の変化が含まれる可能性が
ある。しかし、この実施例では、該磁気ヘッドＨが磁気
飽和している状態と、磁気＃和していない状態の２種類
の状態でのインピーダンスをスイッチ１４で交互に検出
しているため、周囲環境の変動が少なくとも上記スイッ
チ１４の一周期より長ければ、一方の状謔でのインピー
ダンスを基筒として仙方の状態でのインピーダンスを検
出することで、周囲環境のり動による影響を取り除いて
、純粋に該磁気ヘッドＨのインピーダンスの変化のみを
検出することが可能である。
こうして、この実施例では、出力値の差（ｂ−ａ）。
あるいは比（ｂ／ａ）Ｋよって、正確に、しかも高感度
で周囲環境の変動を少けることなく研摩加工の終了時膚
の検出が回前となる。
で周囲環境の変動を少けることなく研摩加工の終了時膚
の検出が回前となる。
なお、該磁気ヘッドＨの量産に際しては、インピーダン
ス特性にバラツキを生じる場合が考えられる。しかして
、この場合には、磁気ヘッドＨの研摩加工をする前の状
態での出力値ａ及びｂをａｉ及びｂｉ として記憶し
ておき、該磁気ヘッドＨを研摩加工しているときの出力
値（ａ及びｂに対して、それぞれ、ａｉ 及びｂｉ
で規格化し、ａ／ａｔｂ／／ｂ。
ス特性にバラツキを生じる場合が考えられる。しかして
、この場合には、磁気ヘッドＨの研摩加工をする前の状
態での出力値ａ及びｂをａｉ及びｂｉ として記憶し
ておき、該磁気ヘッドＨを研摩加工しているときの出力
値（ａ及びｂに対して、それぞれ、ａｉ 及びｂｉ
で規格化し、ａ／ａｔｂ／／ｂ。
とする棲能をさらに設けることで、安宇して研摩加工の
終了特産を検出することが可能となる。
終了特産を検出することが可能となる。
なお、ここで、上記出力＃ｂには数％程岬のゆらぎが発
生するが、これは該磁気ヘッドＩＴが磁気飽和から解放
され、緩和する過稈において落ち撃く磁区構造の違いに
よる差から生じるもので、これに対しては、例えば直流
バイアス電流が０ＦＦＫなると同時に該磁気ヘッドＨな
消磁することで安定化が可能になる。
生するが、これは該磁気ヘッドＩＴが磁気飽和から解放
され、緩和する過稈において落ち撃く磁区構造の違いに
よる差から生じるもので、これに対しては、例えば直流
バイアス電流が０ＦＦＫなると同時に該磁気ヘッドＨな
消磁することで安定化が可能になる。
また、仙の方法として、直流バイアス電流をＯＮ。
ＯＦＦする代りに、異なった２榎・、または３種のレベ
ルの直流バイアス電流を短形波状に４七たり、或いは、
小さな値の直流電流を定常的に、上記したＯＮ、ＯＦＦ
によるバイアス電流に重畳させるようにしてもよい。
ルの直流バイアス電流を短形波状に４七たり、或いは、
小さな値の直流電流を定常的に、上記したＯＮ、ＯＦＦ
によるバイアス電流に重畳させるようにしてもよい。
さらに、このとき、直流バイアス電流の値を変えてやれ
ば、第２図のｃ、ｄ、ｅ、ｆの各点の相対位置を費えて
やることができ、これによれば研摩加工の終結点に近す
いたとき、その手前でそれの予知が可能になり、さらに
精密な研摩加工が可能になる、 次に、直流バイアス電＃による該磁気ヘッドＨの励磁を
基本とする上記実施例の原理を卯３図ないし笹５図によ
り鋭甲する。ここで、２３１４は該磁気ヘッドＨの磁力
線分布であり、炉４図、第５図は１０ＭＨｚ の高周波
を用いて測宇した該磁気ヘッドＨのインダクタンス及び
抵抗値である。
ば、第２図のｃ、ｄ、ｅ、ｆの各点の相対位置を費えて
やることができ、これによれば研摩加工の終結点に近す
いたとき、その手前でそれの予知が可能になり、さらに
精密な研摩加工が可能になる、 次に、直流バイアス電＃による該磁気ヘッドＨの励磁を
基本とする上記実施例の原理を卯３図ないし笹５図によ
り鋭甲する。ここで、２３１４は該磁気ヘッドＨの磁力
線分布であり、炉４図、第５図は１０ＭＨｚ の高周波
を用いて測宇した該磁気ヘッドＨのインダクタンス及び
抵抗値である。
１３図に示す轡に、該接触部３を設けることＫより、同
図（ｂｌに示す閉磁気団μ構成とした該磁気ヘッドＨの
磁気コアが、接触部３の研摩崩工により同図（ｃ）に示
す開磁気回路構放の磁気コアとなるとき、磁気コアの磁
路抵抗が増加し、磁気コア内の磁束が減少する。このた
め、ケ４図に示すように該磁気ヘッドＨのインダクタン
スの減少（Ａ）が起こる。なお、従来例（特開昭５４−
５７０８号）は（Ａ）のみを利用した方法であろう また、該磁気ヘッドＨの上部磁性Ｒ４Ｐ差部）０１はト
ラック幅が小さいほど碍性層の断面積が小さく、磁路が
狭くなっている。このため、該磁気ヘッドＨに直流電流
（例えば５ｍＡ）を流し、庁・出すると、該上部磁性段
差部１０１の磁＊密摩が炉３図（ｂｌに示すように高く
なり、磁気飽和が起る。
図（ｂｌに示す閉磁気団μ構成とした該磁気ヘッドＨの
磁気コアが、接触部３の研摩崩工により同図（ｃ）に示
す開磁気回路構放の磁気コアとなるとき、磁気コアの磁
路抵抗が増加し、磁気コア内の磁束が減少する。このた
め、ケ４図に示すように該磁気ヘッドＨのインダクタン
スの減少（Ａ）が起こる。なお、従来例（特開昭５４−
５７０８号）は（Ａ）のみを利用した方法であろう また、該磁気ヘッドＨの上部磁性Ｒ４Ｐ差部）０１はト
ラック幅が小さいほど碍性層の断面積が小さく、磁路が
狭くなっている。このため、該磁気ヘッドＨに直流電流
（例えば５ｍＡ）を流し、庁・出すると、該上部磁性段
差部１０１の磁＊密摩が炉３図（ｂｌに示すように高く
なり、磁気飽和が起る。
これＫより、インダクタンスの減少（Ｂ）が起こる、
これに対して、該磁気ヘッドＨを研ｌＩ！加工し、同図
（ｃ）に示すように接触部３を取り除いたとき、該磁気
ヘッドＨの磁気抵抗が増加する。このため、ｒＦｆＩＴ
ｉｒ流電流によって生じる磁気コア内の磁束は減少し、
インタフタンスの恢下（Ｃ’）は上記の（Ｐ）Ｋ比して
少さくなる。なお、アンダーンン（Ｎ、Ｃ。
（ｃ）に示すように接触部３を取り除いたとき、該磁気
ヘッドＨの磁気抵抗が増加する。このため、ｒＦｆＩＴ
ｉｒ流電流によって生じる磁気コア内の磁束は減少し、
インタフタンスの恢下（Ｃ’）は上記の（Ｐ）Ｋ比して
少さくなる。なお、アンダーンン（Ｎ、Ｃ。
Ａ ｎｄｅｒｓｏｎ ）及びジョーンズ（Ｒ，Ｅ、
Ｊｏｎｅｓ、Ｊｒ）は、アイ イー イー イー、トラ
ンズアクション オン マグネティク ＭＡＧ−１７，
２８９６゜（１９８１） （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、
ｏｎ Ｍａｇ、、）で、磁気ヘッドのトラック幅
と印加直流電流との関係について示している。
Ｊｏｎｅｓ、Ｊｒ）は、アイ イー イー イー、トラ
ンズアクション オン マグネティク ＭＡＧ−１７，
２８９６゜（１９８１） （ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、
ｏｎ Ｍａｇ、、）で、磁気ヘッドのトラック幅
と印加直流電流との関係について示している。
他方、第５Ｍに示すように、該磁気ヘッドＨの抵抗値に
ついても、全体の変化は小さいが、年４図に示したイン
ダクタンスの場合と同様の傾向が見られる。これは、該
磁気ヘッドＨの磁気コアのヒステリシス技失、及び渦電
流損失が、磁気コアの磁気的な飽和により伺減する効果
と推測される。
ついても、全体の変化は小さいが、年４図に示したイン
ダクタンスの場合と同様の傾向が見られる。これは、該
磁気ヘッドＨの磁気コアのヒステリシス技失、及び渦電
流損失が、磁気コアの磁気的な飽和により伺減する効果
と推測される。
そこで、本発明では、上記原理に基づ永、該加工の終了
特産を検知するために、磁気ヘッドのインダクタンスの
みではなく抵抗値を含め、インピーダンスの検出をする
方式をとり、さらに、磁気コアが磁気飽和したと六のイ
ンピーダンスをも併わせて検出することにより、該加工
の終点を高感度、高精度に検知することを可能にしたも
のである。
特産を検知するために、磁気ヘッドのインダクタンスの
みではなく抵抗値を含め、インピーダンスの検出をする
方式をとり、さらに、磁気コアが磁気飽和したと六のイ
ンピーダンスをも併わせて検出することにより、該加工
の終点を高感度、高精度に検知することを可能にしたも
のである。
次に、２１図の実施例による検出動作について即６図及
び第７図によりさらに具体的に訣明する。
び第７図によりさらに具体的に訣明する。
いままでの駁、明では、第６図のｆａ）に示すようＫ、
直流バイアス電流をＢとＣの２値（詰１図の場合にはＣ
＝０）に変化させた場合の実施例となっていた。
直流バイアス電流をＢとＣの２値（詰１図の場合にはＣ
＝０）に変化させた場合の実施例となっていた。
しかして、以下では、研都加工の進捗状況も含めてさら
に細かな検出が行なえるようＫした仙の一実施例につい
て説明する。
に細かな検出が行なえるようＫした仙の一実施例につい
て説明する。
この実施例では第７図（ａ） Ｉｃ示すような、３つの
レベルＡ、Ｂ、Ｃをもった３値の直流バイアス電流を用
いる。
レベルＡ、Ｂ、Ｃをもった３値の直流バイアス電流を用
いる。
そうすると、各バイアスレベルＡ、Ｂ、Ｃに対応するイ
ンピーダンスは加工の進行（すなわち時間の進行）と共
に第７図（ｂｌの曲線ｓ、ｔ、ｕのごとく変化する。な
お、デ１の実施例では、算６図（ｂ）に示すように、曲
＠１とＵの関係から加工終了時点を決宇していた。ここ
で加工終点に近ずくにつれ曲線ｔが上昇している。これ
は加工によりヘッド先端部が薄くなるとバイアス電流Ｂ
により該先端部が飽和し、８気的には開磁気コアの状態
に近づくためである。従って、さらに大きなバイアス電
流Ａを与えた場合、ヘッド磁性体の先端に於る厚みが第
６図の実施例より厚い状！ｔ！Ｖ（すなわち加工量が少
ない状態）で第６図の実施例と回程度のインピーダンス
変化を示すことになる。かかるごとく、第３のバイアス
レベルＡを与え、曲線３゜を及びＵを比較することによ
り加工量が特定値だけ不足した状態をも検知出来、従っ
て、この実施例によれば、加工の最適終点に達する以前
に予告信号を発生させることができ、核予告信号によっ
て加工速噌を低減させてやれば加工時間のわずかな重加
で＃逆終漬の検知＃ｒ＃′を高め得ろう次に、該磁気ヘ
ッド１１の研摩加工の方法及び治具の一例を訝明する。
ンピーダンスは加工の進行（すなわち時間の進行）と共
に第７図（ｂｌの曲線ｓ、ｔ、ｕのごとく変化する。な
お、デ１の実施例では、算６図（ｂ）に示すように、曲
＠１とＵの関係から加工終了時点を決宇していた。ここ
で加工終点に近ずくにつれ曲線ｔが上昇している。これ
は加工によりヘッド先端部が薄くなるとバイアス電流Ｂ
により該先端部が飽和し、８気的には開磁気コアの状態
に近づくためである。従って、さらに大きなバイアス電
流Ａを与えた場合、ヘッド磁性体の先端に於る厚みが第
６図の実施例より厚い状！ｔ！Ｖ（すなわち加工量が少
ない状態）で第６図の実施例と回程度のインピーダンス
変化を示すことになる。かかるごとく、第３のバイアス
レベルＡを与え、曲線３゜を及びＵを比較することによ
り加工量が特定値だけ不足した状態をも検知出来、従っ
て、この実施例によれば、加工の最適終点に達する以前
に予告信号を発生させることができ、核予告信号によっ
て加工速噌を低減させてやれば加工時間のわずかな重加
で＃逆終漬の検知＃ｒ＃′を高め得ろう次に、該磁気ヘ
ッド１１の研摩加工の方法及び治具の一例を訝明する。
炉８図のように該磁気ヘッドはへラドスライダ１フ上に
形成され、第９図に示すように、その上部ｇ性層１と下
部磁性層２との接触部、３が取り除かれるまで、つまり
破線Ｙ、から実線Ｙ、の位ヤまで上記ヘッドスライダ１
７と共に研摩される。
形成され、第９図に示すように、その上部ｇ性層１と下
部磁性層２との接触部、３が取り除かれるまで、つまり
破線Ｙ、から実線Ｙ、の位ヤまで上記ヘッドスライダ１
７と共に研摩される。
ｆ４１０図は、上記研摩加工に甲いるラップ研摩機１８
の概要図で、例えばインダクタンモータ１９でプーリ２
０を介しラップ定盤２１を矢印の方向に回転させ、これ
に対してラップ治具２２け自由に回転するような状態で
中心軸２３により位情を固定し、該ラップ定１！１１２
１の公転に対し、該ラップ治具２２が矢印のように自転
するような構成になっている。この自転動作により均一
な研摩加工が得られる。
の概要図で、例えばインダクタンモータ１９でプーリ２
０を介しラップ定盤２１を矢印の方向に回転させ、これ
に対してラップ治具２２け自由に回転するような状態で
中心軸２３により位情を固定し、該ラップ定１！１１２
１の公転に対し、該ラップ治具２２が矢印のように自転
するような構成になっている。この自転動作により均一
な研摩加工が得られる。
第１１図はラップ治具２２の一実施例で、該ラップ＃Ｊ
ｉＬ２２の底面忙固宇された該磁気ヘッド■はダミーヘ
ッド２４により一宗の傾きで該ラップ治具２２の自転に
より研摩加工される、モして、この申施岬では、ラップ
治具２２に回路基板２５を絹付け、この基板２５に卯１
図に示したホイートストンブリッジ回路網６．交流発振
器７．直流を流ｆＭ８．差動増幅器９．それにスイッチ
１４などを搭載し、これにより８／Ｎよく信号が検出で
きるようにしている。このときに、これらの装置に必！
な電源などの供給ラインはスリップリング２６を介して
外部ＫＰ！するようにし、他方、差動増幅器９の出力は
上記したように１０ＭＨｚ の高周波信号となっている
ので、周卸の回転トランス１２を甲いて外部に取り出す
ようになっている。このため、回転トランス１２の回転
側１２ｂはラップ治具２２に、そして固定側１２ａは支
持部材２８にそれぞれ取り付けてあり、かつ、ラップ治
具２２はその中心軸２３がポールベアリング２７によっ
て支持部材２８に保持されるようになっている。
ｉＬ２２の底面忙固宇された該磁気ヘッド■はダミーヘ
ッド２４により一宗の傾きで該ラップ治具２２の自転に
より研摩加工される、モして、この申施岬では、ラップ
治具２２に回路基板２５を絹付け、この基板２５に卯１
図に示したホイートストンブリッジ回路網６．交流発振
器７．直流を流ｆＭ８．差動増幅器９．それにスイッチ
１４などを搭載し、これにより８／Ｎよく信号が検出で
きるようにしている。このときに、これらの装置に必！
な電源などの供給ラインはスリップリング２６を介して
外部ＫＰ！するようにし、他方、差動増幅器９の出力は
上記したように１０ＭＨｚ の高周波信号となっている
ので、周卸の回転トランス１２を甲いて外部に取り出す
ようになっている。このため、回転トランス１２の回転
側１２ｂはラップ治具２２に、そして固定側１２ａは支
持部材２８にそれぞれ取り付けてあり、かつ、ラップ治
具２２はその中心軸２３がポールベアリング２７によっ
て支持部材２８に保持されるようになっている。
以上詐明したように、本発明によれば、磁気ヘッドの抵
抗値も含めたイどピーダンスを検出ス、Ｂ方式を用いて
いるため、インダクタンスの絶対値を測定する従来方式
ではインダクタンスのり化幅が４％稈度であったのに対
し、本願の方式では、を化率が５〜１０倍となり、研摩
加工の終了点の検知精摩が高まる。
抗値も含めたイどピーダンスを検出ス、Ｂ方式を用いて
いるため、インダクタンスの絶対値を測定する従来方式
ではインダクタンスのり化幅が４％稈度であったのに対
し、本願の方式では、を化率が５〜１０倍となり、研摩
加工の終了点の検知精摩が高まる。
また、ブリッジ回路を採用し装置を簡略化することが可
能となり、高価なインピーダンス測定製電を必要としな
い。
能となり、高価なインピーダンス測定製電を必要としな
い。
さらに、従来方式は加工に９する時間（１０分分計数間
）内での検知手段の精度安定性が必要であるのに対し、
本願ではバイアス有無の間（周期００１〜１０Ｈｚ程度
）の安定性があれば十分であり、従って、検知手段全体
の周囲環境依存性を大幅に僚派出来る。
）内での検知手段の精度安定性が必要であるのに対し、
本願ではバイアス有無の間（周期００１〜１０Ｈｚ程度
）の安定性があれば十分であり、従って、検知手段全体
の周囲環境依存性を大幅に僚派出来る。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、＃２図は動作
鋭明用の特性図、第３図は薄膜磁気ヘッドの磁力線分布
の＊ａＺａ、デ４図はインダクタンス変化の駁明図、第
５図は抵抗変化の胛明図、シロ図は検出原理の一方法を
示す特性図、第７図は検出原理の他の一方法を示す特性
図、Ｆ８図は薄膜磁気ヘッドの組立図、＃′９図はｌ８
図の一部拡大図、Ｆ１０図は研摩加工機のＩＩＩ＃明図
、ｔｆ、ｌ１図は本発明の一実施例におけるラップ治具
の駁明図である。 Ｈ・・・・・・薄膜磁気ヘッド、１・・・・・・上部磁
性層、２・・・・・・下部磁性層、３・・・・・・接触
部、４・・・・・コイル、５・・・・・・インダクター
、６・・・・・・ホイートストンブリッジ回路網、７・
・・・・・交渉発振器、８・・・・・・直流電流源、９
・・・・・・差動増＃Ｉ器、１０・・・・・・ＡＣ−Ｄ
Ｃ変換器、１１・・・・・・演算装置、１４・・・・・
・電子的なスイッチ、１６・・・・・・出力装置。 第１図 岬り間 第４図 直流バイアス電肩先（ｒｎＡ） 第５図 直流パイ１スｔＰ−（ｍＡ） 第６図 ↑ （ｂ） ２４１Ｌバイアｘ力式 ３４バ°イＹスｊ５式゛ 第８図 第１Ｏ図
鋭明用の特性図、第３図は薄膜磁気ヘッドの磁力線分布
の＊ａＺａ、デ４図はインダクタンス変化の駁明図、第
５図は抵抗変化の胛明図、シロ図は検出原理の一方法を
示す特性図、第７図は検出原理の他の一方法を示す特性
図、Ｆ８図は薄膜磁気ヘッドの組立図、＃′９図はｌ８
図の一部拡大図、Ｆ１０図は研摩加工機のＩＩＩ＃明図
、ｔｆ、ｌ１図は本発明の一実施例におけるラップ治具
の駁明図である。 Ｈ・・・・・・薄膜磁気ヘッド、１・・・・・・上部磁
性層、２・・・・・・下部磁性層、３・・・・・・接触
部、４・・・・・コイル、５・・・・・・インダクター
、６・・・・・・ホイートストンブリッジ回路網、７・
・・・・・交渉発振器、８・・・・・・直流電流源、９
・・・・・・差動増＃Ｉ器、１０・・・・・・ＡＣ−Ｄ
Ｃ変換器、１１・・・・・・演算装置、１４・・・・・
・電子的なスイッチ、１６・・・・・・出力装置。 第１図 岬り間 第４図 直流バイアス電肩先（ｒｎＡ） 第５図 直流パイ１スｔＰ−（ｍＡ） 第６図 ↑ （ｂ） ２４１Ｌバイアｘ力式 ３４バ°イＹスｊ５式゛ 第８図 第１Ｏ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、厚み方向での少くとも磁性薄膜、電気絶縁膜、電気
導体膜の所定順序による堆積により、まず所定長さの磁
気ギャップ規制膜の先端に磁気短絡部を有する中間的な
形状の薄膜磁気ヘッドを形成し、ついでこの薄膜磁気ヘ
ッドの先端を研摩加工して所定のギャップ深さ寸法に仕
上げるようにした薄膜磁気ヘッドにおいて、上記研摩加
工中の薄膜磁気ヘッドの巻線に零値を含む所定値の直流
バイアス電流を供給しながら該巻線が呈するインピーダ
ンスを測定する検知手段と、上記直流バイアス電流値を
所定のモードで変化させたときの上記インピーダンスの
変化幅が所定の比率に低下したことを検出して制御信号
を発生する判定手段とを設け、この制御信号により上記
研摩加工の終了を制御するように構成したことを特徴と
する薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記所定のモード
による直流バイアス電流の変化が、零を含む第１の所定
電流値を最低値、この第１の所定値より大きな第２の所
定電流値を最大値とするステップ状の変化であることを
特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、上記所定のモード
による直流バイアス電流の変化が、零を含む第１の所定
電流値を最低値、この第１の所定値より大きな第２の所
定値を中間値、そしてこの第２の所定値よりも大きな第
３の所定値を最大値とする３段階にわたるステップ状の
変化であることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。 ４、特許請求の範囲第１項において、上記検知手段が交
流ホイートストンブリッジ回路網を含み、上記巻線がこ
の回路網の一辺に接続されていることを特徴とする薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 ５、特許請求の範囲第１項において、上記研摩加工がラ
ッピング加工であり、研摩すべき薄膜磁気ヘッドを取付
けるラップ治具に上記検知手段の少くとも一部が取付け
られていることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20352585A JPS6265221A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20352585A JPS6265221A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265221A true JPS6265221A (ja) | 1987-03-24 |
| JPH0343686B2 JPH0343686B2 (ja) | 1991-07-03 |
Family
ID=16475591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20352585A Granted JPS6265221A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265221A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213655A (en) * | 1990-05-16 | 1993-05-25 | International Business Machines Corporation | Device and method for detecting an end point in polishing operation |
| WO2011093029A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 株式会社日立製作所 | 加工量検出方法、加工量検出装置および被加工物 |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP20352585A patent/JPS6265221A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5213655A (en) * | 1990-05-16 | 1993-05-25 | International Business Machines Corporation | Device and method for detecting an end point in polishing operation |
| WO2011093029A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 株式会社日立製作所 | 加工量検出方法、加工量検出装置および被加工物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0343686B2 (ja) | 1991-07-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |