JPS6265384A - ３種の相異なる機能化合物の単分子膜を積層してなる光電変換用分子素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） °本発明は、電子受容性化合物、光吸収性化合物、およ
び電子供与性化合物の３種の化合物の単分子膜を積層し
てなる、感応部位の厚さが数１０Å〜数１００人の範囲
にある超薄膜型の光電変換用分子素子に関するものであ
る。

（従来技術とその限界） 電子産業における集積度の増大は、素子（ディバイス）
サイズの微小化・極小化を要求しており、このため近年
においては超薄膜型止の分子素子（モレキュラー　ディ
バイス）に関する研究が多くなされている。

即ち、従来の太陽電池や光電変換用素子などは、主とし
てシリコン系のｐ−ｎ型接合素子を利用したものが多く
、これらの素子では厚さが０．１μｍ〜１μｍであり、
数１０Å以下（１μの１／１０００以下）の超薄膜化へ
の対応が不可能でおり、このため分子素子が注目されて
いる。

この種、光電変換用分子素子の研究は、いまだ実用的段
階に至っていないが、例えば、２種類の両親媒性（親水
性基と疎水性基を一分子内に有する）化合物（以下Ｘ、
Ｙという）をＬＢ法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅ
ｔｔ　　ｍｅｔｈｏｄ。

膜形成手法）で積層化した系での研究がある。

（Ｍ、５ＡＩＴＯｅｔ、ａｔ、　　Ｔｈ１ｎ　　５ｏ１
ｉｄ　　Ｆｉｌｍ　　、１００（１９８３）１１７〜１
２０）。

これは、従来の半導体ディバイスと同じ発想に基づき、
ｐ型とｎ型の有機半導体としてＬＢ膜を利用したもので
あり、この系の膜厚を究極的に薄くすると２種の化合物
（Ｘ、Ｙ）の単分子膜が２層にへ積層されたタイプの超
薄膜になる。この薄膜を二つの金属電極（以下（ａ）、
（ｂ）という）間に形成し、ｐ−ｎ型接合とすると、光
電変換用のディバイスが得られることになる。

この場合、化合物Ｘ、Ｙの単分子膜の配向（Ｘ。

Ｙ化合物の間の配向、および電極に対する配向を考慮す
ると、６通りの配向が考えられる）、及び該ディバイス
の電子エネルギ一単位を図示すると、第４図、第５図に
示されるようになる。

第４図は、Ｘ、Ｙ化合物の単分子膜の配向状態（（１）
（１１〜（３）（３′）の６通りの配向状態）を、第５
図（１）〜（３）は、Ｙ化合物が光を吸収する場合の電
子エネルギ一単位を、また第５図（４）は、Ｘ化合物が
光を吸収する場合の電子エネルギ一単位を、それぞれ示
す。

そこで、この系において、特に電子移動の素過程を考察
すると、次のようになる。

（１）Ｙが光を吸収する場合（第５図（１）〜・第１段
階　Ｙ十ｈν（光の吸収）→ Ｙ（励起種） ・第２段階　’ｒ’＋Ｘ−＋Ｙ’−＋−）Ｃ・第３段階
　Ｙ’十ｅ　（（ｂ）電極）→Ｙ尺→ｅ（（ａ）電極）
十Ｘ （ｉｉ　）　Ｘが光を吸収する場合（第５図（４））・
第１段階　Ｘ十ｈν（光の吸収）→ ｆ（励起種） ・第２段階　Ｘ”＋Ｙ−＋に＋Ｙ’ ・第３段階　Ｋ−＋Ｘ＋ｅ　（（ａ）電極）Ｙ”＋ｅ　
（（ｂ）電極）→Ｙ 以上の考察の如く、ＹまたはＸが光を吸収するどちらの
場合においても、励起種（Ｙ’またはｆ）が直接電極（
（ａ）、（ｂ））に接触しているため、励起種と電極と
の逆電子移動反応が速く（第５図（１）および（４）の
−一→方向の反応）光電変換効率を悪化させている。従
って、この種の分子素子（モレキュラー　ディバイス）
では実用に耐えられないという問題が有る。

（発明が解決しようとする問題点） 本発明は、前記した従来の分子素子にみられる光電変換
効率の低さを克服した、光電変換効率の高い超薄膜型の
光電変換用分子素子を提供しようとするものである。

（問題点を解決するための具体的な手段）本発明者らは
、前記した従来の問題点を解決すべく鋭意検討を加えた
結果、２種類の両親媒性化合物の単分子膜の接合に代え
て、電子供与性化合物、光吸収性化合物、および電子受
容性化合物として位置づけられる３種の化合物の単分子
膜を、励起分子（光吸収性化合物）が直接電極と接触し
ないように、電極間に積層して光電変換用分子素子とす
ると、光電変換効率の大幅な改善が図られるということ
をみいだし、本発明に至った。

以下、本発明の具体的な構成について詳しく説明する。

本発明になる光電変換用分子素子の中核的な技術思想は
、前記した如く、電極間に、電子受容性化合物、光吸収
性化合物、および電子供与性化合物のそれぞれの単分子
膜を、励起分子（光吸収性化合物）が直接電極と接触し
ないように、即ち、一方の電極に対して、前記した順序
（電極−電子受容性化合物一光吸収性化合物一電子供与
性化合物の順序）で、または逆の順序（電極−電子供与
性化合物一光吸収性化合物一電子受容性化合物の順序）
で積層させるという点にある。

従って、前記した３種の化合物を分子レベルで規則正し
く、積層配置させる製膜手段は二次的なものであり、い
ずれの製膜技術も使用可能である。

例えば、蒸着法、固体表面の化学修飾法（シランカップ
リング剤などを利用した、固体表面への化学結合による
単分子膜の形成方法〉、前記したＬＢ法などが使用され
る。

以下、本発明の具体的構成の説明においては、説明の便
宜上、単分子膜形成手段としてＬｔ３法を採用した場合
について行なうが、本発明はこれに限定されるものでは
ない。

本発明になる、光電変換用分子素子に適用される前記し
た３種の化合物とは、次のものである。

（１）電子供与（ａｎ　　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　ｄ。

ｎｏｒ）性で、かつ、両親媒性の化合物（以下、Ｄ化合
物という） （２）光吸収（ａ　　５ｅｎＳｉｔｉＳｅｒ）性で、か
つ、両１′Ｊ２媒性の化合物（以下、Ｓ化合物という） （３）電子受容（ａｎ　　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　ａｃｃ
ｅｐｔｏｒ）性で、かつ、両親媒性の化合物（以下、Ａ
化合物という） 前記したＡ、Ｓ、Ｄ化合物は、ＬＢ模法により、各単分
子膜を電極上に移し取っていくため、それぞれが両親媒
性でなければならない。

前記した従来技術との対照・比較のために、本発明にな
るＡ、Ｓ、Ｄ積層ＬＢ膜および積層膜素子における電子
エネルギー準位を概念説明的に図示すると、第１図（ａ
）、（ｂ）のようになる。

第１図（ａ）においては、○、○は、親水性基部を、ロ
、：＝コは疎水性基部をそれぞれ示す。

また、第１図（ｂ）はに示される本発明になる分子素子
の電子エネルギー準位において、特に電子移動反応の素
過程を中心にみると、次のようになる。

■　光の吸収反応 Ｓ＋ｈν（光の吸収）→ず（励起種） ■　順方向の電子移動反応（第１図（ｂ）の矢印方向の
反応） ダ＋Ａ−＋Ｓ’十へ ｓ’＋ｏ−＋ｇ＋σ ε＋Ｄ−＋Ｓ＋げ Ｓ”＋Ａ→Ｓ＋Ａ Ａ−＋Ａ＋ｅ　（（ａ）電極） げ＋ｅ　（（ｂ）電極）→Ｄ ■　逆方向の電子移動反応（図示せず）Ａ＋Ｓ’→Ａ＋
Ｓ Ｓ＋げ→Ｓ＋Ｄ ■　逆方向の電子移動反応（図示せず）へ十げ→Ａ＋Ｄ Ｓ’＋ｅ　（（ａ）電極〉→Ｓ ５→３＋ｅ　（（ｂ）電極） ここで、本発明の特徴を前記した電子移動反応に則して
記述すると、Ａ−３−Ｄの積層構造を採用することによ
り、前記■の順方向の電子移動反応に対し、 ・　前記■の逆電子移動反応の抑制（これは、相対的な
電子エネルギー準位を適当に設計することにより、該逆
電子移動反応と競争する、Ｓ’＋Ｄ−’Ｓ＋σ Ｓ−＋Ａ−＋Ｓ＋Ａ の電子移動反応の速度を速くしたことによる。

なお、こ（Ｄ点は、Ｊ、　　Ａｍ、Ｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、
、ＶＯＬ１０６．Ｎα１０（１９８４）３０４７により
支持されるところである。）・　前記■の逆電子移動反
応の抑制（これは、Ａ−０間、（ａ）電極−８間、（ｂ
）電極−８間の距離が大きいからである。なお、この点
は、Ｔ、Ａ９Ｍｏｏｒｅ　　ｅｔ、ａｌ、、ＮＡＴＵＲ
Ｅ、ＶＯＬ、３０７　（１９８４）６３０により支持さ
れるところである。） を行なうという分子設計的思想を積極的に生かしており
、これにより光電変換効率を改善している点である。

なお、第１図（ａ）には、（ａ＞電極に対してＡ−３−
Ｄ空間配置が示されているが、（ａ）電極に対し、Ｄ−
３−Ａの空間配置で３種の化合物の単分子膜を積層して
もよいことはいうまでもない。

次に、本発明のになる光電変換用分子素子を構成する、
Ａ、Ｓ、Ｄの具体的な化合物について説明する。

ＯＡ化合物（電子受容性で、かつ、両親媒性化合物）に
ついて； この化合物としては、電子親和力の強いものであれば、
いずれも使用されるが、安定なものとしては、ビオロゲ
ン誘導体、キノン類、ニトロ化合物などの電子受容性の
高い化合物が利用される。

（１）ビオロゲン誘導体（下記、構造式参照）（ここで
、 Ｘ＝ＣＩ−、Ｂ　ｒ−、ＣＩσ４などの１価陰イオン、
あるいは２つのＫの代りに１つのＳｏ；　、ｃｄ′Ｓな
どの２価陰イオン Ｒ１＝Ｒ＋の場合、 ビオロゲン誘導体を水不溶性にするた め、長鎖の炭化水素残基とする。

例えば、 Ｃｎ　　トｈｎ＋＋　　− （ｎ−１２〜２０の整数） ＲＩ−Ｒ２の場合 一方が短鎖、他方が長鎖の炭化水素残 基とする。

例えば、 Ｒ１−ＣＨ３、Ｃ２Ｒ５、など Ｒ２−（ＣＨ２）　ｍ　　ＣＯＮ　（Ｃ。

Ｈ２ｎ＋＋）２ ｍ≧２ ｎ−１２〜２０の整数） 具体的には、下式で示されるＮ−エチル−Ｎ−（３−プ
ロピルアミド−Ｎｌｌ　、　Ｎ　ＩＩ−ジ（ｎ−オクタ
デシル））−４，４＝−ビピリジン　ジブロマイド （以下、Ａ−１化合物という） （１１）キノン類 キノン系化合物、例えば の誘導体が使用される。

アントラキノンの誘導体として、次のものが使用される
； ◎　　　　　　　　　　アミド誘導体 また、前記■〜Ｏ化合物のｉ　　　部分δ を、ベンゾキノン残基、ナフトキノン残基、ジュロキノ
ン残基で置換したものも使用される。

（ｉｉｉ　）ニトロ化合物 ｏ−、ｍ−、ｐ−ジニトロベンゼン、５゜６−または５
．８−ジニトロナフタリンの誘導体。

例えば、ｐ−ジニトロベンゼン誘導体として、次のもの
が使用される： ＃０１ （１ｖ）シアン化合物 シアン基含有化合物として、例えば、テトラシアノキノ
ジメチド（ＴＣＮＱ）（下記（１）式）テトラシアノナ
フトキノジメセン（ＴＮＡＰ＞（下記（２）式）の誘導
体が使用される。

（１）　　　　　　　（２＞ ＯＳ化合物（光吸収性・光感応性で、かつ両親媒性化合
物）について； （１）ピレン、ペリレン、コロネンなどの多核の芳香族
炭化水素化合物の誘導体が使用される。

（ピレン）　　（ペリレン）　　（コロネン）例えば、
下記一般式で示されるピレン誘導体および該誘導体のピ
レン残基を、ペリレン残基、コロネン残塁で置換したも
の。

具体的には、上記一般式でｎ−９，の１０−（１−ピレ
ン）デカンＭ（以下、Ｓ−１化合物という）が使用され
る。

（１１）ポルフィリン系化合物 下記一般式で示されるポルフィリン系化合物の誘導体が
使用される。

例えば、 （（）　　Ｘ、　Ｙ、　ｚ＝−ｏ　　Ｗ＝−＠−ｃｏｐ
ｙ＠　Ｘ、　Ｙ、　Ｚ−合ＣＨｓ　Ｗ−（ト＝”０１Ｘ
−１価の陰イオン ｎ−１２〜２０ （山）フタロンアニン系化合物 （ｉＶ）増感色素化合物、 例えば、シアニン色素、チオシアニン色素、キサンチン
色素系化合物の誘導体が使用される。

（Ｖ）金属錯体色素化合物 例えば、下記で示されるルテニウムトリスビピリジン錯
体の誘導体が使用される。

ＯＤ化合物（電子供与性で、かつ両親媒性化合物）につ
いて； この化合物としては、電子供与性が高いもの、即ち、イ
オン化ポテンシャルの低い化合物であれば、いずれでも
使用されるが、安定なものとしては以下に示す（１）メ
タロセン、（１１）アニリン、（由）カルバゾール テトラチオフルバリンの誘導体が使用される。

（１）メタロセン誘導体 例えば、下記一般式で示されるフェロセン誘導体。

１−ｅ　　　　　　　　Ａ　　　　　　　　Ｆｅ　　　
　　　　　Ｆｅ（　／）　　　　　　　　　（ａ）　　
　　　　　　　（υ　　　　　　　　ＣリタデシｔＱ−
１．１＝〜フェロセンジカルボンアミド（以下Ｄ−１化
合物という） （ｉｉ）Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン誘導体（山）カルバ
ゾール誘導１本 （ｉＶ）フェナジン誘導体 下記一般式で示されるフェナジン誘導体が使用される。

（Ｖ）テトラチオフルバリン（ＴＴＦ＞誘導体下記一般
式で示されるＴＴＦの誘導体が使用される。

〔＞ベニ〕

以上、Ａ．Ｓ，Ｄについて比較的低分子量の化合物につ
いて説明してきたが、本発明の技術思想を逸脱しない限
り、単分子膜程度に展開できる両親媒性の高分子材料も
使用される。即も、高分子材料の繰返し単位内にＡ，Ｓ
またはＤ機能を有するものを側鎖（ペンダント）として
有し、それ以外に疎水性部分と親水性部分を有する高分
子が使用される。

次に、前記したＡ，Ｓ，Ｄ化合物のそれぞれの単分子膜
を電極上に積層する点の構成について説明する。

まず、本発明になる光電変換用分子素子を構成する電極
材料としては、 一ＡＵ，Ａｇ，Ｐｔ，Ａ　Ｉなトノ金Ｊｌ’膜（コレは
、光を通すように充分に薄クシたもの）・ＳｎＯ２，Ｉ
ｒｘ２０ｓなどの半導体薄膜が使用される。なお、電極
（ａ＞、（ｂ＞を薄く構成する必要から、蒸着技術の適
用により製作される金属薄膜電極のほうが好ましい。

その際、電極は、光透過性の透明板（シリカ。

アルミナ板など）の上に構成される。

また、Ａ，Ｓ．Ｄの３種の化合物の単分子膜から積層膜
を形成するには、ＬＢ膜形成装置を用い、前記した電極
固体表面上に、各単分子膜を移し取る。

その際、膜の安定化のために、必要に応じて高級脂肪ｔ
ｌｉ　（ＣｎＨ２　ｎ　＋　、ＣＯＯＨ．ｎ−１５。

１７、１９など）またはそのＣａ塩、Ｃｄ塩などの塩を
混合してもよい。そして、ＬＢ膜形成装置において、各
化合物は凝縮単分子膜を形成しうる表面圧に維持される
。この表面圧はＡ−１．３−１、Ｄ−１化合物トアラキ
シンｒ！ｉ（ＣＩ−ｌＨ別ＣＯＯ）−１）との混合系に
おける表面圧−（１分子当りの）面積の等温曲線を示す
第２図から明らかのように、いずれの膜も凝縮単分子膜
を形成していることがわかる。

第２図において、ａ　曲線はＡ−１化合物の、ｂ　曲線
はＤ−１化合物の、Ｃ曲線はＳ−１化合物とアラキシン
酸の１：２混合系の、ざらに０曲線はＳ−１化合物の、
表面圧−１分子当り面積曲線（等温線）である。

ＬＢ膜形成装置で、この凝縮単分子膜を形成している単
分子膜を電極面上に、約１０〜６０ｄ　ｙｎ／ｃｍ、好
ましくは２０〜４０ｄｙｎ／ｃｍの表面圧で垂直浸漬法
および水平付着法を併用して移し取り、第１図（ａ）に
示すようなＡ、Ｓ、Ｄ化合物の配向を規制した積層膜を
得ることができる。

なお、前記のようにして電極面上にＡ−３−Ｄ単分子膜
を積層したものにおいて、その安定化を図るために、単
分子膜を固体表面に移し取り幾層にも重ねた累積膜を取
り扱う研究分野において、既に周知の安定化技法（重合
などの高分子化による）が用いられることはいうまでも
ないことである。

次に、本発明になる光電変換用分子素子について、実施
例にもとづいて更に詳しく説明する。

（実施例） （１）Ａ−１，３−１，Ｄ−１化合物の調整（＋＞Ａ−
１化合物の調整 Ａ−１化合物であるＮ−エチル−Ｎ−−（３−プロピル
アミド−Ｎｌｌ　、　ＮＬＩ−ジ（ｎ−オクタデシル）
）−４，４”−ビビリジンジブロマイドは、Ｊ、Ａｍ、
Ｃｈｅｍ、Ｓ。

Ｃ，、ＶＯＬ、１０４．Ｎα２０　（１９８２）５３５
２に記載の方法により合成した。

（ｉｉ＞３　１化合物の調整 Ｓ−１化合物である１０−（１−ピレン）デカン酸は、
モレキュラーブロー７社製のものを使用した。

ジノＬ）−１，１乙−フェロセンジカルボンアミドは、
次のように合成した。

オクタデシルアミンの２分子とフェロセンジカルボン酸
の１分子とのアミド粘合により２本の炭化水素鎖を結合
させた。

即ち、１．１＝−フェロセンジカルボン酸をまず五塩化
リンと反応させ、１．１′−フェロセンジカルボン酸の
酸クロライトイ本を得る。次いでｎ−オクタデシルアミ
ンと縮合させて、最終目的物を得た。

（２）積層膜の調整 ◎　電極として、石英板上に金（Ａｕ＞を蒸着したもの
を使用した。なお、石英には、予めＣｒ（クロム）を薄
く蒸着しておき、金の石英への密着性を高めるようにし
た。

◎　ＬＢ膜形成装置に、各化合物のクロロホルム溶液を
滴下し、単分子膜を展開し、次いで約３０ｄＶｎ／ｃ１
７！の表面圧になるまで圧縮する。

そして、垂直浸漬法あるいは水平付着法により、前記電
極板上に単分子膜を移し取った。

◎　即ち、前記電極板を、ＬＢ膜用トラフでまず１回上
下して（垂直浸漬法）、電極の上昇時にＡ−１化合物の
単分子膜を移し取る。

次いで、Ｓ−１化合物単分子膜を水平付着法により、Ａ
−１化合物単分子膜上に積層する。

最後に、Ｄ−１化合物単分子膜を垂直浸漬法により、Ｓ
−１化合物単分子膜上に積層した。

以上の操作により、第１図（ａ＞に示されるような、（
金電極）−（Ａ−１）−（Ｓ−１＞−（Ｄ−１＞の積層
電極が作成される。

この積層電極を完全なものにするためには、更に金を蒸
着し、ドライサンドイッチセルとすればよい。

（３）光電流の測定 本測定は、ドライサンドイッチセルではなく、簡単のた
めに、前記の（金電極）−（Ａ−１）−（Ｓ−１＞　−
（Ｄ−１＞積層電極を用いた。

即ち、前記積層電極を１ＭのＫＣ１溶液に接触させ、石
英基板の側から光を照射して光電流を測定した。

光は、５００Ｗキセノンランプの光を分光器で分光し、
波長３２５ｎｍ〜３６０ｎｍまでの光（紫外光）を照射
した。結果を第３図（ａ）、（ｂ）に示す。

第３図（ａ）は、アノード光電流である。また、第３図
（ｂ）は、金蒸着電極上に、（Ｄ−１）　−（Ｓ−１＞
　−（Ａ−’ｌ　）の順で積層した場合の、光電流の測
定結果であり、期待通りの逆向きの光電流が観測された
。第３図に示されたように、本実施例の積層電極、即ち
光電変換用分子素子は、光照射時に速い立ち上がり、立
ち下がりが観測され、その優秀性が分る。

以上の実施例の他に、Ｓ化合物として、α、β。

γ−トリフェニルーδ−（４−カルボキシフェニル）ポ
ルフィリンを用い、同様にして光電変換用分子素子を作
ると、ポルフィリンの吸収帯である可視光線部分で安定
な光電変換用分子素子が得られる。

（発明の効果） 本発明になる、電極間にＡ−３−Ｄ単分子膜を積層して
なる光電変換用分子素子は、前記した如く、光照射時の
光感応性（ｐｈｏｔｏ　　ｒｅｓＤｏｎｓｅ）が極めて
良好なこと、即ち、光照射時の電流に速い立ら上がり、
立ら下がりが観測され、かつ、その超薄膜性と合わせて
、実用的な分子素子（モレキュラ　ディバイス）として
期待される。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、本発明になる電極間にＡ−８−Ｄ３種
化合物の単分子膜を積層した光電変換用分子素子の概念
説明図（縦断面図）を、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）
の素子の電子エネルギ一単位を、第２図は、凝縮単分子
膜の表面圧−１分子当りの面積曲線を、第３図は、本発
明になる光電変換用分子素子の光電流一時間曲線を示す
ものである。 また、第４図は、従来のＸ−Ｙ２種化合物の単分子膜を
積層してなる光電変換素子の概念説明図（縦断面図）を
、第５図は、第４図の素子の電子エネルギー準位を示す
。 特許出願人　　　新技術開発事業団 代理人　弁理士　　水　野　喜　夫 第１図＠ Ａ　　　　　　Ｓ　　　　　　　　Ｄ １分子Ｗｒり山積（Ａ’／ｍｏ　ｌ　ｅｃｕ　ｌ　ｅ）
時１１１！（秒） 第４　！ｉｎ　ｕ＊ｉｉ＊ （１）（丁）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　（２ン（２′）ｒ３＞（３’） Ｙ 第５図従来ｔｉ術

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）電極間に、電子受容性化合物、光吸収性化合物、
   および電子供与性化合物のそれぞれ の単分子膜を一方の電極に対して前記した 順序で、または逆の順序で積層になる光電 変換用分子素子。
2. （２）電子受容性化合物、光吸収性化合物、および電子
   供与性化合物のそれぞれが両親媒性 の化合物である特許請求の範囲第１項記載 の光電変換用分子素子。
3. （３）電子受容性で、かつ両親媒性の化合物がＮ−エチ
   ル−Ｎ′−〔３−プロピルアミド −Ｎ″，Ｎ″−ジ（ｎ−オクタデシル）〕 ４，４′−ビピリジン　ジブロマイド　で あり、 光吸収性で、かつ両親媒性の化合物が １０−（１−ピレン）デカン酸であり、 電子供与性で、かつ両親媒性の化合物が Ｎ，Ｎ′−ジ（ｎ−オクタデシル）−１， １′−フェロセンジカルボンアミドである 特許請求の範囲第２項記載の光電変換用分 子素子。
4. （４）積層膜の厚さが、数１０Å〜数１００Åである特
   許請求の範囲第１項、または第２項 記載の光電変換用分子素子。
5. （５）電極材料が、可視光、紫外光を通す金、銀、白金
   、アルミニウムの金属蒸着膜系電極で ある特許請求の範囲第１項、または第２項 記載の光電変換用分子素子。
6. （６）電極材料が、可視光、紫外光を通すＩｎ＿２Ｏ＿
   ３、ＳｎＯ＿２の半導体系電極である特許請求の範囲第
   １項、または第２項記載の光 電変換用分子素子。