JPS6265472A - Ｍｉｓ型半導体素子 - Google Patents
Ｍｉｓ型半導体素子Info
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- JPS6265472A JPS6265472A JP60205725A JP20572585A JPS6265472A JP S6265472 A JPS6265472 A JP S6265472A JP 60205725 A JP60205725 A JP 60205725A JP 20572585 A JP20572585 A JP 20572585A JP S6265472 A JPS6265472 A JP S6265472A
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- type
- mis
- thin film
- organic molecules
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
- H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
- H10P14/6326—Deposition processes
- H10P14/6342—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating
- H10P14/6344—Liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques or spray coating using Langmuir-Blodgett techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
- H10D1/60—Capacitors
- H10D1/62—Capacitors having potential barriers
- H10D1/66—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
- H10D64/66—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes
- H10D64/68—Electrodes having a conductor capacitively coupled to a semiconductor by an insulator, e.g. MIS electrodes characterised by the insulator, e.g. by the gate insulator
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、有機薄膜を絶縁体として用いた金属／絶縁体
／半導体構造の半導体素子に関する。
／半導体構造の半導体素子に関する。
（発明の技術的麹景とその問題点）
ＬＳｌ、超ＬＳＩに代表される半導体技術の隆盛は、Ｍ
Ｏ３技術即ちＳｌに対する安定な酸化膜（ＳｉＯ２）の
存在に負うところが大きい。ポストＳｉ素子として期待
されるＧａＡｓ、ＩｎＰなどの■−ｖ族化合物半導体に
おいても酸化膜を絶縁体として用いるＭＯ３素子の試み
はかなり以前からなされている。しかし良質な酸化膜が
得られず、極めて界面単位の多いＭＯ８素子しか得られ
ていない。その結果、バイアスを印加しても半導体表面
のフェルミ単位がビン止めされて反転が起きなかったり
、反転が起きてもドリフト現象のような不安定な特性が
現われる、という問題がある。
Ｏ３技術即ちＳｌに対する安定な酸化膜（ＳｉＯ２）の
存在に負うところが大きい。ポストＳｉ素子として期待
されるＧａＡｓ、ＩｎＰなどの■−ｖ族化合物半導体に
おいても酸化膜を絶縁体として用いるＭＯ３素子の試み
はかなり以前からなされている。しかし良質な酸化膜が
得られず、極めて界面単位の多いＭＯ８素子しか得られ
ていない。その結果、バイアスを印加しても半導体表面
のフェルミ単位がビン止めされて反転が起きなかったり
、反転が起きてもドリフト現象のような不安定な特性が
現われる、という問題がある。
一方、化合物半導体に対してＳｉＯ２やＡβ２０３のよ
うな無曙絶縁躾を用いる試みもなされている。しかしこ
れらも、やはり界面単位がきわめて多く、同様の問題に
ぶつかっている。
うな無曙絶縁躾を用いる試みもなされている。しかしこ
れらも、やはり界面単位がきわめて多く、同様の問題に
ぶつかっている。
近年、有機物の薄膜の研究が活発化している。
これは、ラングミュア・ブロジェット法（以下、ＬＢ法
）に代表される有機薄膜の形成技術の進歩によるものと
思われる。このＬＢ法による有機薄膜（以下、ＬＢＩｇ
）を金ｊｊｌ／絶縁体／半導体（Ｍｉｓ）構造の素子の
絶縁膜に用いる試みがジーラム（Ｑｕｒｈａｌ ＞大学
のロバ−、ツ（Ｇ、Ｇ。
）に代表される有機薄膜の形成技術の進歩によるものと
思われる。このＬＢ法による有機薄膜（以下、ＬＢＩｇ
）を金ｊｊｌ／絶縁体／半導体（Ｍｉｓ）構造の素子の
絶縁膜に用いる試みがジーラム（Ｑｕｒｈａｌ ＞大学
のロバ−、ツ（Ｇ、Ｇ。
Ｒｏｂｅｒｔｓ）を中心として行われている。ＩｎＰの
ｎ型結晶に対してステアリン酸のＬＢＩＩＩを絶縁膜と
して用いたＭＩＳ型素子では、界面単位は３×１０１１
／ｅＶ−ａｉと割合い少なく、反転が確認され、更に
ＦＥＴ特性も実現している（ジー・ジー・ロバーツ他：
ソリッド・ステート・エレクトロン・デバイセス（Ｇ、
Ｇ、 Ｒｏｂｅｒｔｓ ｅｔ ａｌ ：Ｓ ｏｌ
ｉｄ Ｓ ｔａｔｅ Ｅ Ｉｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ） ５−（１９７８ｐ１６９）、しかしｐ
型１ｎＰ結晶の場合は界面準位が極めて多く、反転は実
現していない（アール・ダブリュ・サイクス他：アイ・
イー・イー ブロシーディングズ（Ｒ，Ｗ、 ５ｙｋｅ
ｓｅｔ ａｌ： ［ＥＥ Ｐｒｏｃ 、 ）工ｐ
（１９８０）ｐａｒｔＩ、 ｐ１３７）、その他に
もＧａＡｓｐア−ｔ−ルファス３ｉ等にＬＢ膜を付着さ
せてＭＩＳ型素子を構成した報告がある（例えば、エヌ
・ジェー・トーマス他＝ｉレクトロニクス レターズ（
Ｎ。
ｎ型結晶に対してステアリン酸のＬＢＩＩＩを絶縁膜と
して用いたＭＩＳ型素子では、界面単位は３×１０１１
／ｅＶ−ａｉと割合い少なく、反転が確認され、更に
ＦＥＴ特性も実現している（ジー・ジー・ロバーツ他：
ソリッド・ステート・エレクトロン・デバイセス（Ｇ、
Ｇ、 Ｒｏｂｅｒｔｓ ｅｔ ａｌ ：Ｓ ｏｌ
ｉｄ Ｓ ｔａｔｅ Ｅ Ｉｅｃｔｒｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅｓ） ５−（１９７８ｐ１６９）、しかしｐ
型１ｎＰ結晶の場合は界面準位が極めて多く、反転は実
現していない（アール・ダブリュ・サイクス他：アイ・
イー・イー ブロシーディングズ（Ｒ，Ｗ、 ５ｙｋｅ
ｓｅｔ ａｌ： ［ＥＥ Ｐｒｏｃ 、 ）工ｐ
（１９８０）ｐａｒｔＩ、 ｐ１３７）、その他に
もＧａＡｓｐア−ｔ−ルファス３ｉ等にＬＢ膜を付着さ
せてＭＩＳ型素子を構成した報告がある（例えば、エヌ
・ジェー・トーマス他＝ｉレクトロニクス レターズ（
Ｎ。
Ｊ、 Ｔｈｏｍａｓ ｅｔ ａｌ ： ＥＩｅｃ
ｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ 、 ） ２０（１９ａ４
）ｐ８３８、ジエー・ビー・ロイド他ニスイン ソリッ
ド フィルムス（Ｊ 、 Ｐ 、 Ｌ Ｉｏｉｄｅｔ
ａｌ： Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ） ＬＬ
（１’）８３）ｐ２９７等）。これらにおいても界
面単位の低減に成功していない。従来の研究におけるＬ
ＢＩＩＩの有機材料としては、ステアリン酸、アラキシ
ン酸等の飽和脂肪酸が主に用いられ、その他、ω−トリ
コセン酸、フタロシアニン、ポリジアセチレンなどと数
少ない（例えば、ジエー・バラティ他：エレクトロニク
ス レターズ（Ｊ、 Ｂａｔｅｙ ｅｔ ａｌ：Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ 、 Ｌｅｔｔ 、 ） 、２Ｊｌ（１９８
４） Ｄ４８９、ジエー・バラティ他：プロシーディン
グズ インフォス コンファレンス（Ｊ、 Ｂａｔｅｙ
ｅｔ ａｔ：Ｐｒｏｃ 、 Ｉ ＮＦＯ８Ｃｏｎｆ
、 １９８３ ） Ｄｕｒｈａｉ（Ｅ ｌ５ｅｖｉ
ｅｒ ） ０１４１等）。
ｒｏｎ、 Ｌｅｔｔ 、 ） ２０（１９ａ４
）ｐ８３８、ジエー・ビー・ロイド他ニスイン ソリッ
ド フィルムス（Ｊ 、 Ｐ 、 Ｌ Ｉｏｉｄｅｔ
ａｌ： Ｔｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ） ＬＬ
（１’）８３）ｐ２９７等）。これらにおいても界
面単位の低減に成功していない。従来の研究におけるＬ
ＢＩＩＩの有機材料としては、ステアリン酸、アラキシ
ン酸等の飽和脂肪酸が主に用いられ、その他、ω−トリ
コセン酸、フタロシアニン、ポリジアセチレンなどと数
少ない（例えば、ジエー・バラティ他：エレクトロニク
ス レターズ（Ｊ、 Ｂａｔｅｙ ｅｔ ａｌ：Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ 、 Ｌｅｔｔ 、 ） 、２Ｊｌ（１９８
４） Ｄ４８９、ジエー・バラティ他：プロシーディン
グズ インフォス コンファレンス（Ｊ、 Ｂａｔｅｙ
ｅｔ ａｔ：Ｐｒｏｃ 、 Ｉ ＮＦＯ８Ｃｏｎｆ
、 １９８３ ） Ｄｕｒｈａｉ（Ｅ ｌ５ｅｖｉ
ｅｒ ） ０１４１等）。
ＬＢ法では膜形成の際に半導体基板を水につけるので、
酸化膜ができやすく、そのために界面準位ｆｓｉ／Ｓｉ
Ｏ２界ｔｌｆｉと同程１（１０／ｅＶ・ｃｓｉ）の少な
いものとすることが難しいと考えられる。従ってＬＢＩ
ｇを用いたＭＩＳ型素子において界面準位を制御するに
は、従来考えられていない何らかの工夫をすることが必
要である。
酸化膜ができやすく、そのために界面準位ｆｓｉ／Ｓｉ
Ｏ２界ｔｌｆｉと同程１（１０／ｅＶ・ｃｓｉ）の少な
いものとすることが難しいと考えられる。従ってＬＢＩ
ｇを用いたＭＩＳ型素子において界面準位を制御するに
は、従来考えられていない何らかの工夫をすることが必
要である。
本発明は上記した点に鑑みなされたもので、特にｎ型ま
たは半絶縁性の化合物半導体に対して絶縁膜として有機
ＷＩＪＩｌｌを用いてＭＩＳ構造を構成し、界面単位の
素子特性に与える影響を低減して、ｐ型反転を可能とし
たＭＩｓ型素子を提供することを目的とする。
たは半絶縁性の化合物半導体に対して絶縁膜として有機
ＷＩＪＩｌｌを用いてＭＩＳ構造を構成し、界面単位の
素子特性に与える影響を低減して、ｐ型反転を可能とし
たＭＩｓ型素子を提供することを目的とする。
（発明の概要〕
有機分子の特徴の一つとして、分子設計と化学合成によ
りそのイオン化ポテンシャルと電子親和力の値を任意に
制御できること、およびこれらの値が広範囲にわたって
いることがある。これは、無機材料と異なる有咀材料固
有の特徴である。しかも、ＬＢ法に代表される有機薄膜
形成技術の進歩により多種多様の有機分子の単分子膜や
超薄膜が均一に且つ欠陥を伴わずに作製することが可能
になっている。′ 本発明は以上の考察に基づき、有機薄膜を絶縁体として
用いたＭＩＳ型素子において、有機分子の電子親和力を
χＩ ［ｅＶ］、半導体のイオン化ポテンシャルをＩｐ
ｓ ［ｅＶ］としたとき、Ｉｐｓ＜χｔ ＋Ｑ、 ３
・・・（１）を満たす有機分子を含む薄膜により絶
縁体を構成したことを特徴とする。
りそのイオン化ポテンシャルと電子親和力の値を任意に
制御できること、およびこれらの値が広範囲にわたって
いることがある。これは、無機材料と異なる有咀材料固
有の特徴である。しかも、ＬＢ法に代表される有機薄膜
形成技術の進歩により多種多様の有機分子の単分子膜や
超薄膜が均一に且つ欠陥を伴わずに作製することが可能
になっている。′ 本発明は以上の考察に基づき、有機薄膜を絶縁体として
用いたＭＩＳ型素子において、有機分子の電子親和力を
χＩ ［ｅＶ］、半導体のイオン化ポテンシャルをＩｐ
ｓ ［ｅＶ］としたとき、Ｉｐｓ＜χｔ ＋Ｑ、 ３
・・・（１）を満たす有機分子を含む薄膜により絶
縁体を構成したことを特徴とする。
ここで有Ｗ１薄膜は、上記（１）式を満たす有機分子単
独でも、またこれに他の有機分子を混合した膜であって
もよい。
独でも、またこれに他の有機分子を混合した膜であって
もよい。
ＭＩＳ型素子では絶縁膜の膜厚の均一性や欠陥の少ない
ことが要求されるので、本発明で用いる有機ｉｌ膜はＬ
Ｂ法により形成されることが望ましいが、蒸＠法やイオ
ンクラスタビーム法等他の方法を用いることも可能であ
る。
ことが要求されるので、本発明で用いる有機ｉｌ膜はＬ
Ｂ法により形成されることが望ましいが、蒸＠法やイオ
ンクラスタビーム法等他の方法を用いることも可能であ
る。
［発明の効果］
本発明によるＭＩＳ型素子では、絶縁膜として用いられ
る有機薄膜は、絶Ｉｔ躾−半導体界面の界面単位を補償
する灘能を持つ。即ち界面単位から有機薄膜へと電子が
移動し、そのため、印加電圧零の状態で界面単位のフェ
ルミ・レベルは半導体の１ｉｆｉ電子帯近傍に存在する
ことになる。この結果ｎ型または半絶縁性半導体を用い
たＭＩＳ型素子では、金属に負電圧を印加することによ
り橿めて容易に半導体表面のｐ型反転が生じる。この様
な本発明の効果は特に、界面単位密度が多いために反転
を起こすような良好なＭＩＳ型素子が得られなかったＧ
ａＡＳやＩｎＰなどのような化合物半導体に対して有効
であり、＾性能のＦＥＴなとの実現が可能となる。
る有機薄膜は、絶Ｉｔ躾−半導体界面の界面単位を補償
する灘能を持つ。即ち界面単位から有機薄膜へと電子が
移動し、そのため、印加電圧零の状態で界面単位のフェ
ルミ・レベルは半導体の１ｉｆｉ電子帯近傍に存在する
ことになる。この結果ｎ型または半絶縁性半導体を用い
たＭＩＳ型素子では、金属に負電圧を印加することによ
り橿めて容易に半導体表面のｐ型反転が生じる。この様
な本発明の効果は特に、界面単位密度が多いために反転
を起こすような良好なＭＩＳ型素子が得られなかったＧ
ａＡＳやＩｎＰなどのような化合物半導体に対して有効
であり、＾性能のＦＥＴなとの実現が可能となる。
３ｉをｌＸ１０”／ａ＋＋３添加したｎ型ＧａＡＳＭ板
の裏面に先ず、通常の方法でＡｕＧｅオーミンク電極を
形成する。この基板に対して５）−１１１理を施して表
面を清浄化する。次にこのＧａＡＳ基板に、７，７，８
．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）とアラキ
シン酸を１：１のモル比で混合したＬＢＩＩを通常の方
法で２０層つける。
の裏面に先ず、通常の方法でＡｕＧｅオーミンク電極を
形成する。この基板に対して５）−１１１理を施して表
面を清浄化する。次にこのＧａＡＳ基板に、７，７，８
．８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）とアラキ
シン酸を１：１のモル比で混合したＬＢＩＩを通常の方
法で２０層つける。
その侵、これらのＬＢＩＩ上に蒸着法によりＡ２電極を
形成する。
形成する。
第１図はこのようにして得られたＭＩＳキャパシタであ
る。１１がｎ型ＧａＡＳ基板、１２がＡｕＧｅオーミッ
ク電極、１３がＬＢＩＩＩ、１４がＡ２電極である。
る。１１がｎ型ＧａＡＳ基板、１２がＡｕＧｅオーミッ
ク電極、１３がＬＢＩＩＩ、１４がＡ２電極である。
第２図はこのＭＩＳキャパシタのバンド図である。図に
示すように、ＬＢＩＩＩの電子親和力χ直はＧａＡＳの
イオン化ポテンシャルＩｐｓと（１）式を満たすような
関係にある。
示すように、ＬＢＩＩＩの電子親和力χ直はＧａＡＳの
イオン化ポテンシャルＩｐｓと（１）式を満たすような
関係にある。
第３図はこの実施例のＭＩＳキャパシタのＣ−■特性を
測定した結果である。測定周波数が１×１０”Ｈｚの場
合と３０−の場合を併せて示す。
測定した結果である。測定周波数が１×１０”Ｈｚの場
合と３０−の場合を併せて示す。
Ａ２電楡１４に負電圧、つまり逆バイアスした時のキャ
パシタンスのＳ舞いから容易に理解されるように、逆バ
イアス約１．５ｖ程度でＧａＡｓ１板１１の表面が反転
していることが確認される。
パシタンスのＳ舞いから容易に理解されるように、逆バ
イアス約１．５ｖ程度でＧａＡｓ１板１１の表面が反転
していることが確認される。
また逆バイアスＯＶ〜１０ｖの範囲でリーク電流は１１
）Ａと極めて小さいことが確認された。
）Ａと極めて小さいことが確認された。
次に上記実施例の構造のＬＢＩＩの一部を２か屑除去し
、その除去した部分にＭｇイオンを加速電圧６０ＫｅＶ
、ドーズ５１１０Ｉ２／ａ２の条件で打ち込み、アニー
ルを行ってソース、ドレインとなるｐ型層を形成し、こ
こにＡｕＺｎオーミック電橿を電橋してｐチャネルＭＩ
ＳＦＥＴを構成した。
、その除去した部分にＭｇイオンを加速電圧６０ＫｅＶ
、ドーズ５１１０Ｉ２／ａ２の条件で打ち込み、アニー
ルを行ってソース、ドレインとなるｐ型層を形成し、こ
こにＡｕＺｎオーミック電橿を電橋してｐチャネルＭＩ
ＳＦＥＴを構成した。
第４図はそのＦＥＴ構造を示す。第１図と対応する部分
には第１図と同一符号を付しである。
には第１図と同一符号を付しである。
１５１．１５２がｐ型層、１６１．１６２がＡｕＺｎオ
ーミック２に極である。
ーミック２に極である。
第５図はこのＭＩＳＦＥＴの特性である。相互コンダク
タンスは約１０１００Ｏ／ａｍと高い値を示した。
タンスは約１０１００Ｏ／ａｍと高い値を示した。
以上のように本発明によれば、電子親和力の大きい有機
分子のＬＢｇｌを絶縁膜として用いて、ｎ型ＧａＡｓ基
板に対してｐ型反転を生じる優れたＭＩＳ素子が得られ
る。
分子のＬＢｇｌを絶縁膜として用いて、ｎ型ＧａＡｓ基
板に対してｐ型反転を生じる優れたＭＩＳ素子が得られ
る。
本発明は上記実施例に限られるものではない。
絶縁膜に用いる電子親和力の大きい有機分子としては、
上記実施例のＴＣＮＱの他、以下に列挙するようなもの
が挙げられる。
上記実施例のＴＣＮＱの他、以下に列挙するようなもの
が挙げられる。
２−メチル−ｉ、７．８．ａ−テトラシアノキノジメタ
ン（ＭＴＣＮＱ）、２．５−ジメチル−７，７，８，８
−テトラシアノキノジメタン（ＤＭＴＣＮＱ）、２．５
−ジエチル−７，７，８゜８−テトラシアノキシメタン
（ＤＥＴＣＮＱ＞、２−メトキシ−７，７，８，８−テ
トラシアノキノジメタン（ＭＯＴＣＮＱ＞、２．５−ジ
メトキシ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（ＤＭＯＴＣＮＱ）、２−メトキシ−５−エトキシ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＭＯＥＯＴ
ＣＮＱ）、２ｄ ｌ−キシジヒドロジオキサベンゾ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＭＯＤＯＴ
ＣＮＱ） 、２−りＯローフ、７，８．８−テトラシア
ノキノジメタン（ＣＴＣＮＱ）、２−プロモーフ、７，
８．８−テトラシアノキノジメタン（ＢＴＣＮＱ＞、２
゜５−ジブロモ−７，７，８，８−テトラシアノキノジ
メタン（ＤＢＴＣＮＱ）、２．５−ショート−７，７，
８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｄ ＩＴｃＮＱ）
、２−クロロ−５−メチル−７゜７．８．８−テトラ
シアノキノジメタン（ＣＭＴＣＮＱ）、２−ブロモ−５
−メヂルー７．７，８゜８−テトラシアノキノジメタン
（ＢＭＴＣＮＱ）、２−ヨード−５−メチル−７，７，
８，８−テトラシアノキノジメタン（ＩＭＴＣＮＱ）
、１１，１１゜１２、１２−テトラシアノ−２，６−ナ
フドキノジメタン（ＴＮＡＰ）、１．１．２．３．４．
４−へキサシアノブタジェン（ＨＣＢ）、ナトリウム＋
３．１３．１４．１４−テトラシアノジフェノキノジメ
タン（ＮａＴＣＤＱ） 、テトラシアノエチレン（ＴＣ
ＮＥ）、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、２．６
−ナフドキノン、ジフェノキノン、テトラシアノエチレ
ン（ＴＣＮＤＱ） 、ｐ−フルオラニル、テトラクロロ
ジフェノキノン。
ン（ＭＴＣＮＱ）、２．５−ジメチル−７，７，８，８
−テトラシアノキノジメタン（ＤＭＴＣＮＱ）、２．５
−ジエチル−７，７，８゜８−テトラシアノキシメタン
（ＤＥＴＣＮＱ＞、２−メトキシ−７，７，８，８−テ
トラシアノキノジメタン（ＭＯＴＣＮＱ＞、２．５−ジ
メトキシ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン
（ＤＭＯＴＣＮＱ）、２−メトキシ−５−エトキシ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＭＯＥＯＴ
ＣＮＱ）、２ｄ ｌ−キシジヒドロジオキサベンゾ−７
，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＭＯＤＯＴ
ＣＮＱ） 、２−りＯローフ、７，８．８−テトラシア
ノキノジメタン（ＣＴＣＮＱ）、２−プロモーフ、７，
８．８−テトラシアノキノジメタン（ＢＴＣＮＱ＞、２
゜５−ジブロモ−７，７，８，８−テトラシアノキノジ
メタン（ＤＢＴＣＮＱ）、２．５−ショート−７，７，
８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｄ ＩＴｃＮＱ）
、２−クロロ−５−メチル−７゜７．８．８−テトラ
シアノキノジメタン（ＣＭＴＣＮＱ）、２−ブロモ−５
−メヂルー７．７，８゜８−テトラシアノキノジメタン
（ＢＭＴＣＮＱ）、２−ヨード−５−メチル−７，７，
８，８−テトラシアノキノジメタン（ＩＭＴＣＮＱ）
、１１，１１゜１２、１２−テトラシアノ−２，６−ナ
フドキノジメタン（ＴＮＡＰ）、１．１．２．３．４．
４−へキサシアノブタジェン（ＨＣＢ）、ナトリウム＋
３．１３．１４．１４−テトラシアノジフェノキノジメ
タン（ＮａＴＣＤＱ） 、テトラシアノエチレン（ＴＣ
ＮＥ）、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、２．６
−ナフドキノン、ジフェノキノン、テトラシアノエチレ
ン（ＴＣＮＤＱ） 、ｐ−フルオラニル、テトラクロロ
ジフェノキノン。
またアラキシン酸は、ＬＢ法による製膜が容易であるこ
とからＴＴＦと混合して用いているが、ＴＴＦのみで十
分良好な製膜ができればこの混合は不要であるし、アラ
キシン酸の池数のようなものも用いられる。
とからＴＴＦと混合して用いているが、ＴＴＦのみで十
分良好な製膜ができればこの混合は不要であるし、アラ
キシン酸の池数のようなものも用いられる。
■ ＣＨ３（ＣＨ２）ｎ Ｃ０ＯＨで表ワサレル飽和脂
肪酸のうら、゛特にｎの値が１５〜２５の範囲のもの、 ■ ω−トリコセン酸で代表される直鎖不飽和脂肪酸、 ■ ■の飽和脂肪酸とビニルアルコールなどの炭素−炭
素２重結合を持つアルコールとそのエステル、 ■ ＣＨ３（ＣＨ２）ｎ −Ｃ−Ｃ−Ｃ日Ｃ−（ＣＨ２
）ｌ Ｃ０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体のうち
、ｎの値が８〜１５、ｍの値が８〜１５の範囲にあるも
の。
肪酸のうら、゛特にｎの値が１５〜２５の範囲のもの、 ■ ω−トリコセン酸で代表される直鎖不飽和脂肪酸、 ■ ■の飽和脂肪酸とビニルアルコールなどの炭素−炭
素２重結合を持つアルコールとそのエステル、 ■ ＣＨ３（ＣＨ２）ｎ −Ｃ−Ｃ−Ｃ日Ｃ−（ＣＨ２
）ｌ Ｃ０ＯＨで表わされるジアセチレン誘導体のうち
、ｎの値が８〜１５、ｍの値が８〜１５の範囲にあるも
の。
また半導体基板はｎ型ＧａＡＳの他、アンドープ或いは
クロムドープの半絶縁性ＧａＡＳ、更にｎ型１ｎＰや、
アンドープ或いはＦｅドープのｌｎＰなど、各種材料を
用いて本発明を実施することができる。ＬＢＩＩの層数
も必要に応じて１〜１０００１１１の範囲で選択するこ
とができる。
クロムドープの半絶縁性ＧａＡＳ、更にｎ型１ｎＰや、
アンドープ或いはＦｅドープのｌｎＰなど、各種材料を
用いて本発明を実施することができる。ＬＢＩＩの層数
も必要に応じて１〜１０００１１１の範囲で選択するこ
とができる。
第１図は本発明の一実ＦＡ＠のＭＩＳキャパシタを示す
図、第２図はそのバンド図、第３図は同じくそのＣ−■
特性を示す図、第４図は他の実施例のＩＶＩＩｓＦＥ丁
を示す図、第５図はそのＦＥＴ持性を示す図である。 １１−ｎ型ＧａＡＳ！！板、１２・ＡｕＧｅオーミック
電極、１３・・・ＬＢＩ（アラキシン酸とＴＣＮＱ分子
の混合）、１４・・・ＡＲ電惨１．１５１゜１５２・
ｐ型層、１６１．１６２−Ｑｕ７ｎオーミック電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （Ｍ＞ （１） （Ｓ） 第２図 電ル（Ｖ） 第３図 ｚ 第４図 ＶＯ５（イ杢麺スケタレ）
図、第２図はそのバンド図、第３図は同じくそのＣ−■
特性を示す図、第４図は他の実施例のＩＶＩＩｓＦＥ丁
を示す図、第５図はそのＦＥＴ持性を示す図である。 １１−ｎ型ＧａＡＳ！！板、１２・ＡｕＧｅオーミック
電極、１３・・・ＬＢＩ（アラキシン酸とＴＣＮＱ分子
の混合）、１４・・・ＡＲ電惨１．１５１゜１５２・
ｐ型層、１６１．１６２−Ｑｕ７ｎオーミック電極。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 （Ｍ＞ （１） （Ｓ） 第２図 電ル（Ｖ） 第３図 ｚ 第４図 ＶＯ５（イ杢麺スケタレ）
Claims (4)
- （１）絶縁体として有機薄膜を用いた金属／絶縁体／半
導体構造を持つ半導体素子において、有機分子の電子親
和力χ＿１［ｅＶ］とし、半導体のイオン化ポテンシャ
ルをＩ＿Ｐ＿Ｓ［ｅＶ］としたとき、 Ｉ＿Ｐ＿Ｓ＜χ＿１＋０．３ を満たす有機分子を含む薄膜により絶縁体を構成したこ
とを特徴とするＭＩＳ型半導体素子。 - （２）前記有機分子を含む薄膜は、前記式を満たす有機
分子とこれとは異種の有機分子とが混合された薄膜であ
る特許請求の範囲第１項記載のＭＩＳ型半導体素子。 - （３）前記有機分子を含む薄膜はラングミュア・ブロジ
ェット法により形成される特許請求の範囲第１項記載の
ＭＩＳ型半導体素子。 - （４）半導体はｎ型または半絶縁性の化合物半導体であ
る特許請求の範囲第１項記載のＭＩＳ型半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60205725A JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | Ｍｉｓ型半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60205725A JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | Ｍｉｓ型半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265472A true JPS6265472A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=16511644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60205725A Pending JPS6265472A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | Ｍｉｓ型半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6265472A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7479670B2 (en) | 2003-08-25 | 2009-01-20 | Polyic Gmbh & Co Kg | Organic electronic component with high resolution structuring, and method of the production thereof |
| US7576294B2 (en) | 2003-09-03 | 2009-08-18 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Mechanical control elements for organic polymer electronic devices |
| US7589553B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-09-15 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic module with organic logic circuit elements |
| EP1376679A3 (en) * | 2002-06-27 | 2010-03-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and device for determining backgate characteristics |
| US7678857B2 (en) | 2003-09-03 | 2010-03-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Polymer mixtures for printed polymer electronic circuits |
| US7724550B2 (en) | 2004-12-23 | 2010-05-25 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic rectifier |
| US7786818B2 (en) | 2004-12-10 | 2010-08-31 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic component comprising a modulator |
| US7812343B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-10-12 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer composite body having an electronic function |
| US7843342B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-11-30 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic clock generator |
| US7847695B2 (en) | 2004-08-23 | 2010-12-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | External package capable of being radio-tagged |
| US7846838B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-12-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Method for producing an electronic component |
| US7940340B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-05-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers |
| US7940159B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-05-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Identification system |
| US8315061B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-11-20 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60205725A patent/JPS6265472A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7678857B2 (en) | 2003-09-03 | 2010-03-16 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Polymer mixtures for printed polymer electronic circuits |
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| US7847695B2 (en) | 2004-08-23 | 2010-12-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | External package capable of being radio-tagged |
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| US7940159B2 (en) | 2004-12-10 | 2011-05-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Identification system |
| US7724550B2 (en) | 2004-12-23 | 2010-05-25 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic rectifier |
| US7843342B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-11-30 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Organic clock generator |
| US7589553B2 (en) | 2005-03-01 | 2009-09-15 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic module with organic logic circuit elements |
| US7812343B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-10-12 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer composite body having an electronic function |
| US7940340B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-05-10 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers |
| US7846838B2 (en) | 2005-07-29 | 2010-12-07 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Method for producing an electronic component |
| US8315061B2 (en) | 2005-09-16 | 2012-11-20 | Polyic Gmbh & Co. Kg | Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same |
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