JPS6265493A - 動的単一モ−ド・半導体レ−ザ− - Google Patents
動的単一モ−ド・半導体レ−ザ−Info
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- JPS6265493A JPS6265493A JP61216097A JP21609786A JPS6265493A JP S6265493 A JPS6265493 A JP S6265493A JP 61216097 A JP61216097 A JP 61216097A JP 21609786 A JP21609786 A JP 21609786A JP S6265493 A JPS6265493 A JP S6265493A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザー・ダイオードの光放出面に苅向し
て設けられた共振器鏡およびレーザー・ダイオードと反
射面の間に設けられたコリメーション光学系を備える外
部共伽器が元結金されたレーザー・ダイオードから成る
動的単一モード・半導体レーザーに関するものである。
て設けられた共振器鏡およびレーザー・ダイオードと反
射面の間に設けられたコリメーション光学系を備える外
部共伽器が元結金されたレーザー・ダイオードから成る
動的単一モード・半導体レーザーに関するものである。
〔従来の技雨Ｊ
広帯域の光通イｇに対しては縦モードだけのスペクトル
を示す半導体レーザーが必要となる。境在入手できるレ
ーザー・ダイオードは多くの場合ｃｗ動作即ち均等光動
作では単一モードであるが、ガラスファイバが元結合さ
れる場合父は変調する場合はマルチモードとなる。
を示す半導体レーザーが必要となる。境在入手できるレ
ーザー・ダイオードは多くの場合ｃｗ動作即ち均等光動
作では単一モードであるが、ガラスファイバが元結合さ
れる場合父は変調する場合はマルチモードとなる。
動的単一モード・半導体レーザー、即ちファイパン結分
する際にも変調に際しても単一モードになっている半導
体レーザーは例えばＤ Ｐ Ｂレーザーｔ ｇｌｅｃｔ
ｒｏｎ、ＬｅｔＬ、 ＋７１１９ａｌ ）、 ｐ、！＋
６１−９６３ １、 ＤＢＲレーザー（Ｂｌａｃｔｒ
ｎ、Ｌｅｔｔ、ｓ ８ ｔ１９Ｂ２１． ９．４１０
−４１１ ）、 Ｃ”レーザー（Ｅｌａｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、 Ｉ ９１１９８３１． ｐ、４１５−
４１？）として、あるいは元結台されたレーザー・アレ
イ１９ ｔｈ ＩＥＥＨＩｎｔ、 ８ｅｍｉｃｏｎｄ、
Ｌａ５ｅｒ Ｃｏｎｆ。
する際にも変調に際しても単一モードになっている半導
体レーザーは例えばＤ Ｐ Ｂレーザーｔ ｇｌｅｃｔ
ｒｏｎ、ＬｅｔＬ、 ＋７１１９ａｌ ）、 ｐ、！＋
６１−９６３ １、 ＤＢＲレーザー（Ｂｌａｃｔｒ
ｎ、Ｌｅｔｔ、ｓ ８ ｔ１９Ｂ２１． ９．４１０
−４１１ ）、 Ｃ”レーザー（Ｅｌａｃｔｒｏｎ、
Ｌｅｔｔ、 Ｉ ９１１９８３１． ｐ、４１５−
４１？）として、あるいは元結台されたレーザー・アレ
イ１９ ｔｈ ＩＥＥＨＩｎｔ、 ８ｅｍｉｃｏｎｄ、
Ｌａ５ｅｒ Ｃｏｎｆ。
、Ａｕｇ、１９８４．Ｒｉυｄｏ Ｊａｎａｉｒｏ ）
として実現される。しかしこれらの構成は総て間ａ
？含み、例えばＤＢＲレーザーとＤＦＢレーザーでは技
鉤的に橋めて困難であり ＣＩ レーザーでは構成の
許容差と必′＃Ａな安定性の点で著しくクリティカルで
ある。更にレーザー・アレイの場合はＤＳＭレーザーを
達成するためには多数のレーザーＪｋ：並列に動作させ
なければならない。これは大きな人カゲ必要とし、又熱
の放散が問題になる。
として実現される。しかしこれらの構成は総て間ａ
？含み、例えばＤＢＲレーザーとＤＦＢレーザーでは技
鉤的に橋めて困難であり ＣＩ レーザーでは構成の
許容差と必′＃Ａな安定性の点で著しくクリティカルで
ある。更にレーザー・アレイの場合はＤＳＭレーザーを
達成するためには多数のレーザーＪｋ：並列に動作させ
なければならない。これは大きな人カゲ必要とし、又熱
の放散が問題になる。
動的単一モード半導体レーザー電達成する別の方法は、
外部共振器Ｊｋ：別の単一モード・レーザー・ダイオー
ド例えば従来のＢＨレーザー・ダイオードに結合するこ
とである。この種の動的単一モード・半導体レーデ−の
実施例は軸管（Ｏｐｔ、ＰＬ−ｂｅｒ Ｃｏｍｍ、 Ｊ
ａｎ・１９８４ 、 Ｎｅｗ ０ｒｌｅａｎａ ）
により公知であり、これが冒頭に挙げた動的単一モー
ド・半導体レーザーに灼応する。この実例ではコリメー
タ光学系が１７４ ピッチ長のグラジェント型ファイバ
で作られたレンズで構成される。レーザー・ダイオード
の光放出面に向ったファイバ端面は反射防止加工を受け
、反対側の鏡面となった端面がレーザー鏡と共に外部共
振器を構成する。
外部共振器Ｊｋ：別の単一モード・レーザー・ダイオー
ド例えば従来のＢＨレーザー・ダイオードに結合するこ
とである。この種の動的単一モード・半導体レーデ−の
実施例は軸管（Ｏｐｔ、ＰＬ−ｂｅｒ Ｃｏｍｍ、 Ｊ
ａｎ・１９８４ 、 Ｎｅｗ ０ｒｌｅａｎａ ）
により公知であり、これが冒頭に挙げた動的単一モー
ド・半導体レーザーに灼応する。この実例ではコリメー
タ光学系が１７４ ピッチ長のグラジェント型ファイバ
で作られたレンズで構成される。レーザー・ダイオード
の光放出面に向ったファイバ端面は反射防止加工を受け
、反対側の鏡面となった端面がレーザー鏡と共に外部共
振器を構成する。
共振器長はファイバ・パラメーター例えば開口数とファ
イバ半径によって定められ、ファイバの全長の変化Ｃ二
はほとんど関係しない。部分的に必要な例えば１００μ
鶏から２００μ島の間の株めて短い共４ｈＲ器は、正規
に達成可能なファイバ・パラメーターによっては製造が
不可能であるか極めて困難である。
イバ半径によって定められ、ファイバの全長の変化Ｃ二
はほとんど関係しない。部分的に必要な例えば１００μ
鶏から２００μ島の間の株めて短い共４ｈＲ器は、正規
に達成可能なファイバ・パラメーターによっては製造が
不可能であるか極めて困難である。
鏡半径５０μ島乃至２００μ島の中空球面鏡として作ら
れた外部共振器が結合されているレーザー・ダイオード
の形の動的単一モード・半導体レーザーは文献１０ｐｔ
、Ｃｏｍｍｕｎ、 １３ｔ １９７５１． ｐ。
れた外部共振器が結合されているレーザー・ダイオード
の形の動的単一モード・半導体レーザーは文献１０ｐｔ
、Ｃｏｍｍｕｎ、 １３ｔ １９７５１． ｐ。
１３０−１３２１に記載され公知であるが、このように
小さい鏡半径を充分良好な品質とｆＲ度なもって製作す
ることは極めて困難であると思われる。
小さい鏡半径を充分良好な品質とｆＲ度なもって製作す
ることは極めて困難であると思われる。
この発明の目的は、比較的簡単に所望の共伽器長？もっ
て製作できる動的単一モード、半導体レーザーぞ提供す
ることである。
て製作できる動的単一モード、半導体レーザーぞ提供す
ることである。
（問題点を解決するための手段）
この目的は冒幀に挙げた半導体レーザーに対して特許請
求の範囲！８１項：二記載したように、コリメーション
光学系を半球形の屈折マイクロレンズで構成し、その平
坦面を共振器鏡にとりつけることによって達成される。
求の範囲！８１項：二記載したように、コリメーション
光学系を半球形の屈折マイクロレンズで構成し、その平
坦面を共振器鏡にとりつけることによって達成される。
Ｌ発明の効果〕
この発明による構成の長所は、共振器長が所望の範囲内
で変化可能であり、又鏡面化層又は多重反射防止Ｎｚｗ
必要としないことである。
で変化可能であり、又鏡面化層又は多重反射防止Ｎｚｗ
必要としないことである。
この最後の特性は、レーザー・ダイオードの光放出面に
対向するマイクロレンズの湾曲表面からの反射のレーザ
ー・モードへの適合がこの表面の強い湾曲によって比較
的粗悪であって、それから予期される障害が僅かである
ことに基くものである。この僅かな障害もレンズの湾曲
表面の単純な反射防止加工によって著しく低減させるこ
とができる。
対向するマイクロレンズの湾曲表面からの反射のレーザ
ー・モードへの適合がこの表面の強い湾曲によって比較
的粗悪であって、それから予期される障害が僅かである
ことに基くものである。この僅かな障害もレンズの湾曲
表面の単純な反射防止加工によって著しく低減させるこ
とができる。
この発明の１つの有利な実ｉａ様においては、特許請求
の範ｖ５第３項に記載したように共振器鏡が平らにプレ
スされた針金で構成される。
の範ｖ５第３項に記載したように共振器鏡が平らにプレ
スされた針金で構成される。
マイクロレンズは特許請求の範囲傷４項に従い高屈折率
の亀フリントガラスで作ると有利である。
の亀フリントガラスで作ると有利である。
溶融によってレンズを作ることケ考慮して共振器鏡とマ
イクロレンズは、特許請求の範ｖ５第５墳に従って熱ｋ
Ｉｉｌ係数がほぼ一致する材料で作るのが有利である。
イクロレンズは、特許請求の範ｖ５第５墳に従って熱ｋ
Ｉｉｌ係数がほぼ一致する材料で作るのが有利である。
これによってガラスレンズのレンズ支持体への艮好な接
着が可能となる。この場合鏡とマイクロレンズの材料と
して特許請求の範囲第６項に従い共振器鏡には白金ロジ
ウムを、レンズにはランタン・重フリントガラス１に：
選ぶのが有利である。ランタン・重フリントガラスの利
点は高い屈折率と同時に５５０〜６００℃の低い融点を
示すことである。このガラスの熱膨張係数は５ａｘ１ｏ
−’ ｘ−’ であって、白金ロジウム（ｐｔ、Ｒｈ）
の９２７Ｘ１０− Ｋ−’によ（適合している。これ
によってガラスレンズとレンズ支持体の良好な接着が達
成される。その上白金ロジウム製の共振器鏡の繞面持性
は約６００℃の温度でガラスを溶融させることによって
悪化しないことが値開されている。
着が可能となる。この場合鏡とマイクロレンズの材料と
して特許請求の範囲第６項に従い共振器鏡には白金ロジ
ウムを、レンズにはランタン・重フリントガラス１に：
選ぶのが有利である。ランタン・重フリントガラスの利
点は高い屈折率と同時に５５０〜６００℃の低い融点を
示すことである。このガラスの熱膨張係数は５ａｘ１ｏ
−’ ｘ−’ であって、白金ロジウム（ｐｔ、Ｒｈ）
の９２７Ｘ１０− Ｋ−’によ（適合している。これ
によってガラスレンズとレンズ支持体の良好な接着が達
成される。その上白金ロジウム製の共振器鏡の繞面持性
は約６００℃の温度でガラスを溶融させることによって
悪化しないことが値開されている。
この発明による半導体レーザー に使用されている半球
形屈折マイクロレンズを備える共儀器鏡の有利な製造万
りでは、特ＩＦｆ請求の鞄１１１１１第７項（二記載し
たように共振器鏡の表面に小さいガラス崗ヲ融着する。
形屈折マイクロレンズを備える共儀器鏡の有利な製造万
りでは、特ＩＦｆ請求の鞄１１１１１第７項（二記載し
たように共振器鏡の表面に小さいガラス崗ヲ融着する。
このガラス篩はその表面張力によって半球形になる。
ガラス篩の融着に際しては特許請求の範囲第８項に従い
加熱した針金の尖端にガラスＩｆ４ｔａｒつけ、これ？
共振器鏡表面に移す。その際ガラス像従ってレンズ半径
は針金尖端の形とその設定温度によって調整することが
できる。
加熱した針金の尖端にガラスＩｆ４ｔａｒつけ、これ？
共振器鏡表面に移す。その際ガラス像従ってレンズ半径
は針金尖端の形とその設定温度によって調整することが
できる。
図面についてこの発明Ｊｋ更に詳細に説明する。
！１４１図に示す動的単一モード半導体レーザーにおい
て１は均等光放射に際して単一モードのレーザー・ダイ
オードであり、その光軸Ａに沿ってレーザー活性領域１
１が拡がっている。領域１１内のレーザー光が発散光栄
２０および３０として光軸Ａの方向に放出される光放出
面１２と１３は光軸Ａにほぼ垂直である。この放出面に
よってダイオード１の援さＬｌが決定される。
て１は均等光放射に際して単一モードのレーザー・ダイ
オードであり、その光軸Ａに沿ってレーザー活性領域１
１が拡がっている。領域１１内のレーザー光が発散光栄
２０および３０として光軸Ａの方向に放出される光放出
面１２と１３は光軸Ａにほぼ垂直である。この放出面に
よってダイオード１の援さＬｌが決定される。
光取出面１２に対向して共振器２がダイオード１から間
隔Ｌ２＠［つて設けられ、その鏡面２１は光放出面１２
に向いダイオードｌの元軸Ａにほぼ垂直に置かれている
。鏡面２１１畷ま半球形の屈折マイクロレンズ３がその
平坦面３日：おいてとりつけられ、その凸面３２がダイ
オードｌの光放出面１２に対向する。マイクロレンズ３
は湾曲面３２の曲率中心３３が少くとも近似的に光軸Ａ
の上にあるように配置されるのが効果的である。
隔Ｌ２＠［つて設けられ、その鏡面２１は光放出面１２
に向いダイオードｌの元軸Ａにほぼ垂直に置かれている
。鏡面２１１畷ま半球形の屈折マイクロレンズ３がその
平坦面３日：おいてとりつけられ、その凸面３２がダイ
オードｌの光放出面１２に対向する。マイクロレンズ３
は湾曲面３２の曲率中心３３が少くとも近似的に光軸Ａ
の上にあるように配置されるのが効果的である。
これまでの理論的ならｄに実験的研究により。
長さ比Ｌｌ／Ｌ２が３乃至５のとき副次モードの抑制に
関して最良の結果が得られることが示された。外部共振
器の光学長Ｌ２は次式で与えられる。
関して最良の結果が得られることが示された。外部共振
器の光学長Ｌ２は次式で与えられる。
ここでＲ２はレンズ凸面３２の曲率半径にほぼ対応する
レンズ半径、ｎＬはレンズの屈切率、λ０は真窒中の光
波長、ＷＬは光放出面Ｉ２におけるレーザー光束２０の
平均幅である。Ｗｔはレーザー元束断面の互に自費する
２つの直径Ｗ１−とＷＬによりＪＷ、・ＷＬで与えられ
る。
レンズ半径、ｎＬはレンズの屈切率、λ０は真窒中の光
波長、ＷＬは光放出面Ｉ２におけるレーザー光束２０の
平均幅である。Ｗｔはレーザー元束断面の互に自費する
２つの直径Ｗ１−とＷＬによりＪＷ、・ＷＬで与えられ
る。
ＩＪＳｒ図の半導体レーザーにおいてマイクロレンズ３
は屈折率ｎＬ−１，８２の電フリントガラスとし、ダイ
オードとしてはλ。−１，３μｓ、ＷＬＬｌｐｍ、Ｌｌ
−２００μｍの長波長Ｉｎ０ａＡ８ Ｌ／−ザー・ダイ
オ−トゲ使用するとすると、長さ比Ｌｌ／Ｌ２が３乃至
５のとき４０乃至６０μ島のレンズ半径ＲＬが必要とな
る。
は屈折率ｎＬ−１，８２の電フリントガラスとし、ダイ
オードとしてはλ。−１，３μｓ、ＷＬＬｌｐｍ、Ｌｌ
−２００μｍの長波長Ｉｎ０ａＡ８ Ｌ／−ザー・ダイ
オ−トゲ使用するとすると、長さ比Ｌｌ／Ｌ２が３乃至
５のとき４０乃至６０μ島のレンズ半径ＲＬが必要とな
る。
上記の半導体レーザーの製作に当っては、平らにプレス
された白金ロジウム線を共振器反射＠２として使用し、
その表向に例えばランタン・塩フリントガラスＬａ５Ｆ
９の小滴？融着する。このガラス崗はその表面張力によ
ってほぼ半球状の形をとる。ガラス誦を加熱した白金ロ
ジウム線の尖端部につけ、これを共振器鏡表面に移す。
された白金ロジウム線を共振器反射＠２として使用し、
その表向に例えばランタン・塩フリントガラスＬａ５Ｆ
９の小滴？融着する。このガラス崗はその表面張力によ
ってほぼ半球状の形をとる。ガラス誦を加熱した白金ロ
ジウム線の尖端部につけ、これを共振器鏡表面に移す。
ガラス像従ってレンズ半径は針金尖端の形と設定温度（
二よってｍ！ｌすることができる。
二よってｍ！ｌすることができる。
次いで単一モード１．３μａ ｃｓｐレーザー・ダイオ
ードを使用して動的単一モード・半導体レーザー？構成
し、テーパー融着レンズン備える単一モード・ファイバ
？元結介してスペクトルを測定した。比較のために単一
モード・ファイバのファイバ・テーパーだけＹｙｔ、結
合したレーザー・ダイオードのスペクトルも測定した。
ードを使用して動的単一モード・半導体レーザー？構成
し、テーパー融着レンズン備える単一モード・ファイバ
？元結介してスペクトルを測定した。比較のために単一
モード・ファイバのファイバ・テーパーだけＹｙｔ、結
合したレーザー・ダイオードのスペクトルも測定した。
第２ａ、ｂ図に単一モード・ファイバ？結含したこのレ
ーザー・ダイオードの発光スペクトルをＣ８ｋ’ Ｌ／
−ザー・ダイオード１とそれに結合された単一モード・
ファイバ４から成る構成と共に示す。レーザー・ダイオ
ード１の一万の光放出面１３から出たレーザー元ビーム
３０は単一モード・２アイパ４−のテーパー４１の尖端
に融雪されたレンズ４２１に：通してこのファイバに導
入される。この構成によって得られる発光スペクトルＥ
１は尖端形の中心モードＭの両側に比較的低い尖端で示
される多数の側モードを含んでいる。
ーザー・ダイオードの発光スペクトルをＣ８ｋ’ Ｌ／
−ザー・ダイオード１とそれに結合された単一モード・
ファイバ４から成る構成と共に示す。レーザー・ダイオ
ード１の一万の光放出面１３から出たレーザー元ビーム
３０は単一モード・２アイパ４−のテーパー４１の尖端
に融雪されたレンズ４２１に：通してこのファイバに導
入される。この構成によって得られる発光スペクトルＥ
１は尖端形の中心モードＭの両側に比較的低い尖端で示
される多数の側モードを含んでいる。
第３ａ、ｂ図には、第２ａ図の構成によって作られた動
的単一モード・半導体レーザーの発光スペクトルＢ２ｆ
示す。この動的単一モード・半導体レーザーは第３ａ図
に示すように、第２ａ図に示した構成に共振器鏡２と半
球形屈折マイクロレンズ３を備える外部共振器ン光結合
したものである。レンズ半径ＲＬは５４μ鶏でありＬ２
は約１００乃至１５０μ鴫である。発光スペクトルＥ２
が示すようにほぼ単一モードのスペクトルが得られる。
的単一モード・半導体レーザーの発光スペクトルＢ２ｆ
示す。この動的単一モード・半導体レーザーは第３ａ図
に示すように、第２ａ図に示した構成に共振器鏡２と半
球形屈折マイクロレンズ３を備える外部共振器ン光結合
したものである。レンズ半径ＲＬは５４μ鶏でありＬ２
は約１００乃至１５０μ鴫である。発光スペクトルＥ２
が示すようにほぼ単一モードのスペクトルが得られる。
Ｎ１図はこの発明による物的単一モード・半導体レーザ
ーの構成を示し、′Ｉｌ＆２ａ、ｂ図はファイバを結箭
したＣ８Ｐレーザー・ダイオードの構成とその発光スペ
クトルＥｌ、％３ａ、ｂ図は第１図Ｃ：対応してファイ
バと外部共振器を結合したＣ８Ｐレーザー・ダイオード
の構成とその発光スペクトルＥ２ｆ示す。弗１図におい
て１はレーザー・ダイオード、２は共振器鏡、３は半球
形マイクロレンズである。 シト・、４ 乙ゆ、−− ＦＩＧ２ζ ＦＩＧ３？Ｌ −道淡沃一
ーの構成を示し、′Ｉｌ＆２ａ、ｂ図はファイバを結箭
したＣ８Ｐレーザー・ダイオードの構成とその発光スペ
クトルＥｌ、％３ａ、ｂ図は第１図Ｃ：対応してファイ
バと外部共振器を結合したＣ８Ｐレーザー・ダイオード
の構成とその発光スペクトルＥ２ｆ示す。弗１図におい
て１はレーザー・ダイオード、２は共振器鏡、３は半球
形マイクロレンズである。 シト・、４ 乙ゆ、−− ＦＩＧ２ζ ＦＩＧ３？Ｌ −道淡沃一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）レーザー・ダイオード（１）の光放出面に対向して
設けられた共振器鏡（２）およびレーザー・ダイオード
と共振器鏡の間に設けられたコリメーション光学系を備
える外部共振器が光結合されたレーザー・ダイオードか
ら成る動的単一モード・半導体レーザーにおいて、外部
共振器のコリメーション光学系が平坦面（３１）で共振
器鏡（２）にとりつけられている半球形の屈折マイクロ
レンズ（３）であることを特徴とする動的単一モード・
半導体レーザー。 ２）レーザー・ダイオード（１）の光放出面（１２）に
対向するマイクロレンズの湾曲面（３２）に単純反射防
止加工が施されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のレーザー。 ３）共振器鏡（２）が平らにプレスされた針金から成る
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載
のレーザー。 ４）マイクロレンズ（３）が高屈折率の重フリントガラ
スで作られていることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３項の１つに記載のレーザー。 ５）共振器鏡（２）とマイクロレンズ（３）がほぼ一致
する熱膨張係数の材料で作られていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第４項の１つに記載のレーザ
ー。 ６）共振器鏡（２）が白金ロジウムで作られ、マイクロ
レンズ（３）がランタン・重フリントガラスで作られて
いることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載のレー
ザー。 ７）共振器鏡面に小さいガラス滴を融着することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載のレーザー。 ８）ガラス滴を融着させるため加熱された針金の尖端に
ガラス滴をつけ、これを共振器鏡表面に移すことを特徴
とする特許請求の範囲第７項記載のレーザー。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3533296 | 1985-09-18 | ||
| DE3533296.4 | 1985-09-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265493A true JPS6265493A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=6281298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61216097A Pending JPS6265493A (ja) | 1985-09-18 | 1986-09-16 | 動的単一モ−ド・半導体レ−ザ− |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4785462A (ja) |
| EP (1) | EP0215374A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6265493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308988A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ結合装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0812946B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1996-02-07 | 富士写真フイルム株式会社 | 光増幅器へのレーザビーム入射方法および装置 |
| FR2648281B1 (fr) * | 1989-06-08 | 1993-12-24 | Etat Francais Cnet | Laser a semi-conducteur stabilise en longueur d'onde |
| US5101457A (en) * | 1990-02-28 | 1992-03-31 | At&T Bell Laboratories | Optical fiber with an integral lens at its end portion |
| US5200024A (en) * | 1990-02-28 | 1993-04-06 | At&T Bell Laboratories | Wet chemical etching technique for optical fibers |
| US5193099B1 (en) * | 1991-11-21 | 1995-09-12 | Quarton Inc | Diode laser collimating device |
| DE10161076A1 (de) * | 2001-12-12 | 2003-09-11 | Univ Potsdam | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung von Licht guter Strahlqualität aus Halbleiter-Laserchips |
| US20070002922A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Intel Corporation | Retro-reflecting lens for external cavity optics |
| US8693517B2 (en) * | 2008-08-22 | 2014-04-08 | Jeong Soo Kim | Semiconductor laser using external resonator |
| BR112014026322A2 (pt) * | 2012-04-26 | 2017-06-27 | Koninklijke Philips Nv | dispositivo laser em estado sólido bombeado opticamente |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5988888A (ja) * | 1982-11-12 | 1984-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
-
1986
- 1986-08-18 US US06/898,145 patent/US4785462A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-02 EP EP86112158A patent/EP0215374A3/de not_active Withdrawn
- 1986-09-16 JP JP61216097A patent/JPS6265493A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63308988A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ結合装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0215374A2 (de) | 1987-03-25 |
| EP0215374A3 (de) | 1989-03-29 |
| US4785462A (en) | 1988-11-15 |
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