JPS626678B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS626678B2
JPS626678B2 JP13369878A JP13369878A JPS626678B2 JP S626678 B2 JPS626678 B2 JP S626678B2 JP 13369878 A JP13369878 A JP 13369878A JP 13369878 A JP13369878 A JP 13369878A JP S626678 B2 JPS626678 B2 JP S626678B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning solution
ion exchange
exchange resin
copper
cleaning
Prior art date
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Expired
Application number
JP13369878A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5562794A (en
Inventor
Tatsuo Ite
Hajime Inoe
Shoji Oikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP13369878A priority Critical patent/JPS5562794A/ja
Publication of JPS5562794A publication Critical patent/JPS5562794A/ja
Publication of JPS626678B2 publication Critical patent/JPS626678B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F2103/00Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated
    • C02F2103/34Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32
    • C02F2103/346Nature of the water, waste water, sewage or sludge to be treated from industrial activities not provided for in groups C02F2103/12 - C02F2103/32 from semiconductor processing, e.g. waste water from polishing of wafers

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプリント回路基板表面洗浄液の再生方
法に関するものである。
プリント回路基板に製造において、エツチン
グ、ソルダーレジスト、防錆処理等が施される過
程では銅箔表面に対する接着性を良好にするた
め、前工程として銅箔表面の洗浄が行なわれる。
洗浄の都度、銅箔表面に付着した微少物質や銅イ
オンが洗浄液に混入するので、洗浄を繰返すこと
により混入量が増大し、ついには洗浄作用が行な
われなくなる。このため洗浄液から混入物質を除
去して洗浄液を再生する方法が種々知られてい
る。
洗浄液から銅イオンを除く方法で代表的なもの
には(1)洗浄液を電気分解して銅を析出させる方
法。(2)洗浄液をイオン交換膜を用いて電気透析に
より銅イオンを分離させる方法(3)洗浄液中の銅イ
オンを選択的にキレート化するキレート剤を用い
てキレートを作り、更にこれを有機溶媒で抽出す
る方法などが知られている。
しかし上記(1)の電気分解による方法は銅の析出
効率が悪い、洗浄液中の陰イオンがガス化し液組
成が変化する可能性があるなどの欠点があつた。
また、上記(2)の電気透析による方法は透析効率
が悪いなどの欠点があり、更に上記(3)の有機溶媒
抽出による方法は操作が複雑化し手間がかかる欠
点があつた。
本発明の目的は以上述べたような欠点をすべて
解消した新規なプリント回路基板表面洗浄廃液の
再生方法を提供するにある。
本発明はプリント回路基板表面の洗浄液を過
してから、金属に対して選択性が良いキレート型
イオン交換樹脂を通して洗浄液中の銅を吸着除去
し、この際銅とイオン交換して液中に出てくるナ
トリウムイオンをカチオンイオン交換樹脂で吸着
除去して洗浄液中の浮遊物質および銅成分を過
および吸着除去することにより洗浄液を再利用す
ることにより達成される。すなわち、プリント回
路基板表面の洗浄液中の浮遊物質および銅の濃度
が高くなつた場合、これを廃素処分するのではな
く、洗浄液中の浮遊物質および銅成分を除くこと
で洗浄液として再利用できることに着目したのが
本発明の特徴である。
次に本発明で使用する材料について説明する。
過材は、ポリアミド繊維、ポリエステル繊維、
アクリル繊維、モダアクリル繊維、ポリプロピレ
ン繊維、ポリビニリデンクロライド繊維、ポリビ
ニルクロライド繊維、四弗化エチレン繊維、無煙
炭、天然の砂利砂などである。
イオン交換樹脂はキレート型イオン交換樹脂強
酸性カチオンイオン交換樹脂、弱酸性カチオンイ
オン交換樹脂などである。
次に本発明の詳細を実施例で説明する。
実施例 1 塩酸(Hcl)4g/、リンゴ酸(C4H6O5)3
g/、イソプロピルアルコール(C3H8O)1
g/、ポリアクリルアミド
〔(CHCONH2CH2)n〕1g1の組成の洗浄液
中の銅濃度が1500mg/となつたので図の洗浄槽
1よりポンプP8を用い、SV2の速度で、ポリプロ
ピレン製の布を保有する過塔3、キレート型
イオン交換樹脂のダイヤイオンCR―10(商品
名)を保有するキレート型イオン交換塔5、強酸
性のカチオンイオン交換樹脂のダイヤイオンPK
―212(商品名)を保有するカチオンイオン交換
樹脂塔6の順に通し、処理したところ洗浄液中の
浮遊物質濃度は5mg/以下、銅濃度は3mg/
以下になつたので、洗浄液として再度使用した。
なお図中のP9〜P10はポンプ、V11〜V22はバル
ヴ、W23は流量計、2,4は再生剤槽、7は廃
液処理槽である。またキレート型イオン交換樹脂
は塩酸で洗浄後苛性ソーダーで洗浄して再生を行
なつた。カチオンイオン交換樹脂は塩酸で洗浄し
て再生を行なつた。
実施例 2 塩酸14g/、酒石酸(C4H6O6)3g/、
エチルアルコール(C2H6O)1g/の組成の洗
浄液中の銅濃度が1200mg/となつたので実施例
1と同様の工程で洗浄液をSV6の速度でポリプロ
ピレン製の布、キレート型イオン交換樹脂のユ
ニチカキレート樹脂(商品名)、強酸性カチオン
イオン交換樹脂のアンバーライトIR―120B(商
品名)の順に通し、処理したところ洗浄液中の浮
遊物質濃度は5mg/以下、銅濃度は3mg/以
下になつたので、洗浄液として再度使用した。な
おキレートイオン交換樹脂、カチオンイオン交換
樹脂の再生は実施例1と同様に行なつた。
実施例 3 硫酸(H2SO4)6g/、リンゴ酸
(C4H6O5)2g/、イソプロピルアルコール
(C3H8O)1g/の組成の洗浄液中の銅濃度が
1100mg/となつたので、実施例1と同様の工程
で、洗浄液をSV4の速度でポリプロピレン製の
布、キレート型イオン交換樹脂のダイヤイオン
CR―10(商品名)、強酸性カチオンイオン交換樹
脂のダイヤイオンRMK―120の順に通し、処理し
たところ洗浄液中の浮遊物質濃度は5mg/以下
銅濃度は3mg/以下になつたので、洗浄液とし
て再度使用した。なおキレート型イオン交換樹
脂、カチオンイオン交換樹脂の再生は実施例1と
同様に行なつた。
実施例 4 アンモニア(NH4OH)2g/過硫酸アンモ
ニウム〔((NH42S2O8)〕1g/、イソプロピ
ルアルコール(C3H8O)1g/トリエタノール
アミン〔(HOCH2CH23N〕1g/の組成の洗
浄液中の銅濃度が1500mg/となつたので、実施
例1と同様の工程で、洗浄液をSV2の速度で、モ
ダアクリル酸の布キレート型イオン交換樹脂の
ユニチカキレート樹脂(商品名)弱酸性カチオン
イオン交換樹脂のダイヤイオンKV―10(商品
名)の順に通し処理したところ洗浄液中の浮遊物
質濃度は5mg/以下、銅濃度は3mg/以下に
なつたので、洗浄液として再度使用した。
なお、キレート型イオン交換樹脂、カチオンイ
オン交換樹脂の再生は実施例1と同様に行なつ
た。
以上述べたように本発明はプリント回路基板表
面の洗浄液をイオン交換樹脂法により処理し、処
理液は同工程の洗浄液として使用できる。
本発明によれば液中に含まれる銅イオンを電気
透折法溶媒抽出法などの複雑な工程を経て、洗浄
液として再生する方法に比較し容易に再生できる
ため省資源省エネルギーに役立つことができる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明に用いるプリント回路基板表面洗浄
液の再生装置のブロツク図である。 1……洗浄液槽、3……過槽、5……キレー
ト型イオン交換塔、6……カチオンイオン交換
塔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 プリント回路基板製造工程でプリント回路基
    板表面を洗浄して使用できなくなつた洗浄廃液中
    の浮遊物質を過して次にキレート型イオン交換
    樹脂で銅イオンをイオン交換し、同樹脂でイオン
    交換されてでてくるナトリウムイオンをカチオン
    イオン交換樹脂でイオン交換処理した液を再度洗
    浄液として利用することを特徴とするプリント回
    路基板表面洗浄液の再生方法。
JP13369878A 1978-11-01 1978-11-01 Method of regnerating printed circuit board surface cleanser Granted JPS5562794A (en)

Priority Applications (1)

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JP13369878A JPS5562794A (en) 1978-11-01 1978-11-01 Method of regnerating printed circuit board surface cleanser

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JP13369878A JPS5562794A (en) 1978-11-01 1978-11-01 Method of regnerating printed circuit board surface cleanser

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JPS5562794A JPS5562794A (en) 1980-05-12
JPS626678B2 true JPS626678B2 (ja) 1987-02-12

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1283031C (en) * 1986-07-01 1991-04-16 Digital Equipment Corporation On-line filtration of potassium permanganate solutions
US6346195B1 (en) * 1998-07-10 2002-02-12 U.S. Filter Corporation Ion exchange removal of metal ions from wastewater
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US6398964B1 (en) * 1999-08-19 2002-06-04 Koch Microelectronic Service Company, Inc. Process for treating aqueous waste containing copper and copper CMP particles
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JPS5562794A (en) 1980-05-12

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