JPS6267Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、磁気デイスク装置等に使用される微
少浮揚量の浮揚型磁気ヘツドであつて、その微少
浮揚量の動的な変動を電気的信号として取り出す
ための構造を付加した浮揚量測定用磁気ヘツドの
改良に関するものである。

まず従来の浮揚量測定用の磁気ヘツドについて
図面を参照して説明する。第１図は従来の浮揚量
測定用磁気ヘツドの斜視図であり、第２図はその
浮揚状態を磁気デイスクとともに示す断面図であ
る。図において１０１は非導電性材料からなるス
ライダで、１０２ａ，ｂ，ｃがスライダ浮揚面で
あり、１０３は４個の金属膜で、この表面が電極
面１０４を形成している。更にこの電極面１０４
及びスライダ浮揚面１０２ａ，ｂ，ｃの上にはガ
ラスあるいは石英などの硬い非導電性の材質の保
護膜１０５が被せてある。保護膜の厚さはミクロ
ンオーダで、保護膜表面１０６は鏡面研磨されて
いる。また各電極面１０４は導電性薄膜１０７を
介してスライダ背面の４本のリード線（図示せ
ず）にそれぞれ独立に導通結合されている。

この磁気ヘツドを用いて浮揚量の測定を行なう
場合は、第２図に示すようにスライダ１０１を磁
気デイスク表面１１１に浮揚させ、スライダの電
極面１０４と磁気デイスク内の導電体１１２の表
面１１３との間の静電容量を測定すればよい。す
なわち、４個の電極面１０４の静電容量をそれぞ
れ独立に測定すれば、各電極面１０４と磁気デイ
スク導電体表面１１３との間隙δが独立に求ま
り、従つて各電極部分における浮揚量ｈ（保護膜
表面１０６と磁気デイスク表面１１１の間隙）が
独立に求まり、磁気ヘツドの浮揚量分布が求ま
る。

ところでこの場合、各電極面１０４における浮
揚量ｈと静電容量ｃとの関係は、保護膜１０５の
厚さ、磁気デイスク表面１１１と導電体表面１１
３の距離、あるいはまたリード線の浮遊容量など
の影響を強く受けるため、各磁気ヘツドの各電極
及び各磁気デイスク毎に、ｈとｃの関係を較正す
る必要がある。

較正に際してはｈの測定が必要となるが、現在
の磁気ヘツドの浮揚量は１μｍ以下であるので、
その正確な測定は干渉色によらなければならな
い。次にその較正方法を図に従つて説明する。

第３図は浮揚量測定用磁気ヘツドの較正方法を
示す断面図で、磁気デイスクの替わりにガラス円
板１２１を周速度Ｕで回転させて、浮揚量測定用
磁気ヘツドを浮揚させている。この状態でガラス
円板を介して磁気ヘツド浮揚面を観察すれば、ガ
ラス円板表面１２２で保護膜表面１０６との間の
光の干渉により、動的な変動成分が平均化された
浮揚量に相当する干渉縞が生じる。このとき保護
膜表面１０６とスライダ浮揚面１０２ａ，１０２
ｂとの間でも光の干渉が起り干渉縞が生じるた
め、２種の干渉縞が混じり合つて観察されること
になり、干渉色による浮揚量の測定ができないこ
とになる。

従つて、従来の浮揚量測定の磁気ヘツドの静電
容量ｃと浮揚量ｈの較正は浮揚量が周速Ｕに依在
することを利用して、次のようになつていた。す
なわちまず初めに電極も保護膜もない通常の磁気
ヘツドを浮揚量測定用磁気ヘツドと同一寸法に製
作し、この磁気ヘツドの浮揚量をガラス円板との
干渉色を利用して測定し、浮揚量ｈと周速Ｕの関
係を求める。次に浮揚量測定用の磁気ヘツドと磁
気デイスクを用いてデイスク周速Ｕと静電容量ｃ
の関係を求める。この後浮揚量測定用磁気ヘツド
が通常の磁気ヘツドと同じ浮揚特性をもつと仮定
して周速Ｕをパラメータとして浮揚量ｈと静電容
量ｃの関係を求めていた。

このように従来の浮揚量測定用の磁気ヘツドで
は、浮揚量ｈと静電容量ｃの関係を別の磁気ヘツ
ドを用いて間接的に測定しなければならなかつ
た。このため浮揚量ｈと静電容量ｃの較正が不正
確となる欠点を有していた。

本考案は、このような欠点を除去するため、一
部のスライダの浮揚面から保護膜を除去し、その
部分を用いて浮揚量測定用磁気ヘツドの浮揚量を
干渉色を利用して直接測定できるようにしたもの
で、以下図面に従つて詳細に説明する。

第４図は本考案の一実施例を示す斜視図であ
り、第５図はその断面図である。図において２０
１は非導電性材料からなるスライダで２０２ａ，
ｂ，ｃがそれぞれ独立したスライダ浮揚面であ
り、特に２０２ｃは微少幅の独立した浮揚面で、
幅狭のために浮揚力は殆んど発生しない。２０３
は４個の薄い金属膜で、この表面が電極面２０４
を形成している。更に電極面２０４及びスライダ
浮揚面２０２ａ，ｂの上にはガラスあるいは石英
などの硬い非導電性の材質の保護膜２０５がスパ
ツタなどの手法により被せてあり、保護膜表面２
０６は鏡面研磨されている。但し、スライダ浮揚
面２０２ｃの表面は保護膜のない構造である。

更にこの実施例においては、導電性材料の薄膜
２０７をスライダ側面２０８からスライダ背面２
０９にかけて引き回し、この薄膜の一端が電極を
形成している金属膜２０３に他の一端がスライダ
背面２０９でリード線２１０に導通結合される構
造を有している。

これを用いて浮揚特性の測定を行なうには、従
来の場合と同様にスライダ２０１を磁気デイスク
表面（図示せず）上に浮揚させ、スライダの電極
面２０４と磁気デイスク中の導電体の表面（図示
せず）との間の静電容量を測定すればよい。この
場合４個の電極の静電容量をそれぞれ測定すれ
ば、あらかじめ較正してある静電容量と浮揚量の
関係を用いて各電極面の部分の保護膜表面と磁気
デイスク表面との間隙すなわち浮揚量がその動的
な変動成分も含めそれぞれ独立に求まる。

次に、浮揚量と静電容量の較正を行なう場合に
は、第５図の実施例をガラス円板に浮揚させ、ガ
ラス円板を通して観察すれば、スライダ浮揚面２
０２ｃ上には干渉色あるいは干渉縞が観察され
る。この場合スライダ浮揚面２０２ｃ上には保護
膜がないので従来のように他の干渉色との混色が
なく、静的な浮揚量に相当する情報が得られる。
そこでこのガラス円板を用いて浮揚量測定用磁気
ヘツドの浮揚量ｈとガラス円板のヘツド装着トラ
ツクでの周速Ｕとの関係を求めることができ、次
に磁気デイスクを用いて周速Ｕと浮揚量測定用磁
気ヘツドの静電容量ｃの時間平均の関係を求めれ
ば、周速Ｕをパラメータにして浮揚量ｈと静電容
量ｃの較正を行うことができる。

ここでスライダ浮揚面２０２ｃは保護膜の表面
より低くなつているので、浮揚圧力の発生は殆ん
どないが、元来、通常の磁気ヘツドにおいても２
０２ｃに相当するスライダ浮揚面はその幅が極め
て細いため発生圧力はきわめて少なく、他の浮揚
面で発生する浮揚圧力に比べて無視される値であ
るため、浮揚面２０２ｃ上に保護膜がなくても浮
揚特性への影響はない。

なお、本実施例における浮揚力を殆んど発生し
ない独立した浮揚面２０２ｃはスライダ中央に、
スライダの前後にまたがつたテーパードフラツト
スライダとして描かれているが、その形状は浮揚
力を殆んど発生しない形状であればどのような形
状でも良いし、その位置も任意である。例えばス
ライダ後方の局部に複数の微小幅の浮揚面が存在
する磁気ヘツドに対しても、これらの複数の微小
幅の浮揚面にのみ保護膜を形成せず、他の浮揚面
に全て保護膜を形成することで本考案を適用する
ことができ、同様の効果を得ることができること
は明白である。

以上説明したように、本考案によれば同一磁気
ヘツドで浮揚量ｈと静電容量Ｃの較正を行なうこ
とができ従来なされていた２種の磁気ヘツドを用
いて較正を行なう場合に比べ、はるかに正確な較
正ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の浮揚量測定用磁気ヘツドを示す
斜視図、第２図は磁気デイスクとともに示す第１
図の磁気ヘツドの断面図、第３図はガラス円板と
ともに示す第１図の磁気ヘツドの断面図、第４図
は本考案の一実施例を示す斜視図、第５図はその
横方向の断面図である。 図において、２０１はスライダ、２０２ａ，
ｂ，ｃはスライダ浮揚面、２０３は金属膜、２０
４は電極面、２０５は保護膜、２０７は導電性薄
膜、２１０はリード線を表わす。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. スライダの浮揚面の一部に電極面を有し、浮揚
   面及び電極面が鏡面研磨された表面をもつた硬質
   な電気的不良導体材料からなる保護膜で被覆され
   た磁気ヘツドにおいて、微少幅の独立した浮揚面
   が上記保護膜の無い状態で形成されている構造を
   備えたことを特徴とする浮揚型磁気ヘツド。