JPS6268263U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6268263U JPS6268263U JP16054385U JP16054385U JPS6268263U JP S6268263 U JPS6268263 U JP S6268263U JP 16054385 U JP16054385 U JP 16054385U JP 16054385 U JP16054385 U JP 16054385U JP S6268263 U JPS6268263 U JP S6268263U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- photodiode
- laser
- film formed
- reflective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Description
第１図は本考案の実施例を示す模式図、第２図
は本案装置のモード間隔拡大内容の説明図である
。 １……半導体レーザ、２……フオトダイオード
、３……反射膜。
は本案装置のモード間隔拡大内容の説明図である
。 １……半導体レーザ、２……フオトダイオード
、３……反射膜。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 光出力をモニタするためのフオトダイオードを
備えた半導体レーザ装置において、 レーザ光を２面から放出する半導体レーザと、 該半導体レーザの１放出面に対向させて設けた
フオトダイオードと、 該フオトダイオードの半導体レーザ側表面に前
記レーザ光の一部を反射せしめるべく形成してあ
る反射膜と を具備し、前記半導体レーザにてその内部共振の
縦モードと、半導体レーザと反射膜との間の外部
共振の縦モードとの干渉を行わしめて、実質的に
単一モードのレーザ光を半導体レーザの他放出面
より放出するように構成してあることを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16054385U JPS6268263U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16054385U JPS6268263U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6268263U true JPS6268263U (ja) | 1987-04-28 |
Family
ID=31086022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16054385U Pending JPS6268263U (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6268263U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205784A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
| JPS60110187A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP16054385U patent/JPS6268263U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59205784A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |
| JPS60110187A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光帰還型半導体レ−ザ装置 |