JPS6269272A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報全画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材全光学的に走査することによシ靜電潜像全形成し、次
いで該潜像を現像するか、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像全記録する方法が知られてお
９、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長全
方する）全使用して像記録全行なうのが一般である。

ところで、半導体レーザー全周いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子？含む非晶質材料（以後ｒａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度全保持し
つつ、電子写真用として要求される１０１２０ｍ以上の
暗抵抗全確保するには、水素原子やハロゲン原子、或い
はこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中に
制御された形で構造的に含有させる必要性があり、ため
に層形成に当って各種条件全厳密にコントロールするこ
とが要求される等、光受容部材の設計についての許容度
に可成υの制約がある。そしてそうした設計上の許容度
の問題音ある程度低暗抵抗であっても、その高光感度全
有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなされ
ている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号公
報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１７
２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異なる
層全積層した二層以上の層構成として、光受容層内部に
空乏層全形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８号
、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号、
同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられるよ
うに支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上部
表面に障壁層全役けた多層構造としたすして、見掛は上
の暗抵抗金高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造？有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これ金円いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層内部成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者全件せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々が干
渉を起してし１うことがしばしばある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画像不良の原因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像全形成する場合にあっては
、識別性の著しく劣った阻画像金与えるところとなる。

また、重要な点として、使用する半導体レーザー光の波
長領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザ
ー光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著
になるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上のＮ（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起シ、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様金星するところとなり、それがそのま＼転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画像に現出して不良画像をもたら
してしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５０ＯＡ−ｎ■■Ａの凹凸を
設けて光散乱面全形成する方法（例えば特開昭５８−１
６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニウム支持体表
面金黒色アルマイト処理し念り、或いは、樹脂中にカー
ボン、着色顔料、染料全分散し次シして光吸収層を設け
る方法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報参照）
　、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状のアルマイ
ト処理したシ、サンドブラストにょシ砂目状の微細凹凸
金膜けたりして、支持体表面に光散乱反射防止層金膜け
る方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公報参照）等
が提案されてはいる。

これ等の提案方法は、一応の結果はも几らすものの、画
像上に現出する干渉縞模様全完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸全多数設けていて、それにニジ光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなシに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果に工す照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層？形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−Ｊｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能全低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−３ｉ　＃の形成に悪影響金
与えること等の問題点金有する。

（ｅ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となシ、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るｔめ依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉全防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうし友ところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーション金主じて
しまい、結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層での表面での反射光、第２
Ｎでの反射光、支持体表面での正反射光の夫々が干渉し
て、光受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じ
る。従つて、各層構成の光受容部材においては、支持体
表面全不規則に荒すことでは、干渉縞全完全に防止する
ことは不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロット間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをも几らしてし
まう。

又、支持体表面金単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾
斜面とが平行になシ、その部分では入射光は、明部、暗
部金もたらすところとなυ、また、光受容層全体では光
受容層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現わ
れてしまう。従って、支持体表面を規則的に荒しただけ
では、干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面全規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合ニジ一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−８ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しておシ、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材全提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザとのマップ−ング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容Ｒを有する
光受容部材全提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性全方する、ａ−８ｉで構成された光受
容層表面する光受容部材全提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり、層品質の高い、ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光？用いる画像
形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞模
様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や画
像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明
に出て且つ解像度の高い、高品質画像金得ることのでき
る、ａ−８ｉで構成され次光受容層を有する光受容部材
全提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的全達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方とを含有する
非晶質材料で構成された多層構成の光受容層を有する光
受容部材であって、前記支持体の表面が、複数の球状痕
跡窪みによる凹凸形状を有していることを骨子とする光
受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究金型ねた結果得友知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設けることにニジ、画像形成時に現われる干渉縞模
様の問題が解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところ金、理解を容易にするため、図面音用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１００の層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１０１上に、その凹凸の傾斜面に沿
って第一の層１０２′と第二の層１０２“とからなる光
受容層１０２　ｋ備えた光受容部材全示している。

第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところ全説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部全拡大
して示した図である３、核図において、３０１は第一の
層、３０２は第二の層、３０３は自由表面、３０４は第
一の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第３図
に示すごとく、支持体表面全切削加工等の手段により単
に規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表面の
凹凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持体表
面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平行関
係金なすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層が第一の層３０１
と、第二の層３０２との２つの層からなる多層構成のも
のである光受容部材においては、例えば次のような問題
が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ１と自由表面での反射光Ｒ２とは方向が一致し、第二
の層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、第１図の一部全拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されておシ
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が第一の層２０１と第二の層２０２
との二層からなる多層構成の光受容部材にあっては、第
一の層２０１と第二０層２０２との界面２０４、及び自
由表面２０３は６各々、前記支持体表面の凹凸形状に沿
つで、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成される。界面
２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率ｔＲ，、自由表
面に形成される球状痕跡窪みの曲率全Ｒ２とすると、Ｒ
１とＲ２とはＲ工＼Ｒ２となるため、界面２０４での反
射光と、自由表面２０３での反射光とは、各々異なる反
射角度含有し、即ち、第２図におけるθ□、θ２がθ□
＼θ２であって、方向が異なるうえ、第２図に示すｔ□
、ｔ２、ｔ３′ｆｒ：用いて、１□＋１２−１．で表わ
されるところの波長のずれも一定とはならずに変化する
ｔめ、いわゆるニュートンリング現象に相当するシェア
リング干渉が生起し、干渉縞は窪み内で分散されるとこ
ろとなる。これにエリ、こうした光受容部材金介して現
出される画像は、ミクロ的には干渉縞が仮に現出されて
いたとしても、それらは視画にはとられられない程度の
ものとなる。

即ち、かくなる表面形状含有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容贋金形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層全通過した光が、Ｉ［相］界面及び支
持体表面で反射し、それらが干渉することにより、形成
される画像が縞模様となることを効率的に防止し、優れ
た画像金形成しうる光受容部材金得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果全効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験金型ねた結果、以下のところを究明
した。即ち、曲率Ｒ及び幅りが次式： ％式％ 全満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ 全満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうし友ことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止する九り めには、前記ｉ　ｋ　Ｏ，０３５、好ましくは０．０５
５以上とすることが望ましい。

筐た、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、ニジ好ましくは
１００１１ｍ以下とするのが望ましい。

上述のような特定の表面形状の支持体上に形成される光
受容層は、シリコン原子とゲルマニウム原子又はスズ原
子の少なくともいずれが一方と、好筐し２くはさらに水
素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）の少なくともいず
れが一方と金含有するアモルファス材料〔以下、ｒ　ａ
　Ｓｌ　（Ｇｅ　＋　５ｎ）（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記する。

〕で構成され、さらに必要に応じて伝導性全制御する物
質全含有せしめることができる。そして、前記光受容層
は、多層構造含有することもあり、特に好ましくけ伝導
性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層を構成層の
１つとして有するか、または／及び、障壁層を構成層の
１つとして有するものである。

本発明の光受容部材の光受容層の作成については、本発
明の前述の目的を効率的に達成する次めに、その層厚を
光学的レベルで正確に制御する必要があることから、グ
ロー放電法、スパッタリング法、イオンブレーティング
法等の真空堆積法が通常使用されるが、これらの他、光
ＣｖＯ法、熱ＣｖＯ法等を採用することもできる。

以下、第１図に示した本発明の光受容部材の具体的構成
について詳しく説明する。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であシ、図中、１００は光受容部材
、１０１は支持体、１０２は光受容層、１０３は自由表
面金示している。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１０１は、その表面
が光受容部材に要求される解像力よシも微小な凹凸含有
ｉ〜、しかも該凹凸は複数の球状痕跡窪みによるもので
ある。

以下、該支持体表面の形状およびその好ましい製造方法
の例金、第４及び５図に工り、詳しく説明するが、本発
明の光受容部材における支持体の形状及びその製造方法
は、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体表面の形
状の典型的１例金、その凹凸形状の１部金部分的に拡大
して模式的に示すものである。第４図において、４０１
は支持体、４０２は支持体表面、４０３は剛体真球、４
０Ｊは球状痕跡窪み全示している。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもある。即ち、剛体真球
４０３ヲ、支持体表面４０２よυ所定高さの位置Ｊ：り
自然落下させて支持体表面４０２に衝突させることによ
シ、球状窪み４０４全形成しうること金示している。そ
して、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３金複数個用い、
それら全同一の高さｈ工υ、同時あるいは逐時、落下さ
せることにより、支持体表面４０２に、ほぼ同一曲率Ｒ
及び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪み４０４　ｆｆ
ｉ形成することができる。

第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成され友支持体の、いくつかの典
型例金示すものである。

第５（Ａ）図に示す例では、支持体５０１の表面５０２
の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０３．５
０３、・・・・・・金ほぼ同一の高さより規則的に落下
させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡窪
み６０４．６０４、・・・・・・　全圧いに重複し合う
ように密に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したも
のである。なおこの場合、互いに重複する窪み５０４．
５０４、・・・・・・を形成するには、球体５０３の支
持体表面５０２への衝突時期が、互いにずれるように球
体５０３．５０３、・・・・・・を自然落下せしめる必
要のあることはいうまでもない。

ま九、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３．５０３′、・・・・・・金ほぼ同一
の高さ又は異なる高さから落下させて、支持体５０１の
表面５０２に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５
０４．５０４′・・・・・・全圧いに重複し合うように
密に生じせしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸全
形成したものである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５０１の表面５０２に、ほぼ同
一の径の複数の球体５０３．５０３　、出をほぼ同一の
高さエシ不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率及び複数種
の幅？有する複数の窪み５０４．５０４、・・・・・・
全圧いに重複し合うように生じせしめて、不規則な凹凸
を形成したものである。

以上のように、剛体真球全支持体表面に落下させること
にニジ、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件全適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び＠全方する複数の球状痕跡窪み金、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件全選択することに工、す、支持体表面
に形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、
目的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状表
面する支持体？得ることができる。

そして、光受容φ部材の支持体全凹凸形状表面のものに
するについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモン
ドバイトにより切削加工して作成する方法の提案がなさ
れていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあ
っては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉
の除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠
であり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない
等の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹
凸表面形状全前述したように球状痕跡窪みによシ形成す
ることから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表
面の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体ｉｏｉは、導電性のものであって
も、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支持
体と１−では、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｔ、
（：：ｒ、Ｍｏ、Ａｕ％Ｎｂ％　Ｔａ。

Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ５Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げ
られる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ理化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面全導電処理し、該導電処理′された表面側に光受容ｆ
ｆｉ’を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、Ｎｉ（：：ｒ　
。

Ａｌ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｖ、Ｔｉ。

ｐｔ、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｎ０２、Ｉ　ＴＯ（
Ｉｎ２Ｏ３＋　５ｎ０２）　等から成る薄膜？設けるこ
とに裏って導電性全付与し、或いはポリエステルフィル
ム等の合成樹ｉフィルレムであれば、ＮｉＣｒ　、　Ａ
ｔ　、　Ａｇ　、　Ｐｂ　。

Ｚｎ、　Ｎｉ　、　Ａｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏ　、　　Ｉｒ
ｓ　Ｎｂ、　Ｔａ、Ｖ。

Ｔｔ、Ｐｔ等の金属の薄膜業真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面金ラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状であることができるが、用途、所望によって、
その形状は適宜に決めることのできるものである。例え
ば、第１図の光受容部材Ｚｏｏ　を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば、連続高速複写の場合には
、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体
の厚さは、所望通りの光受容部材を形成しうる様に適宜
決定するが、光受容部材として回復性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で可
能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は
１０μ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置ｑ
例金第６（４）図及び第６（Ｂ）図？用いて説明するが
、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工金施して、ボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体音用い、該円筒状基体に第６（
Ａ）、（ロ）図に示した製造装置音用いて、支持体表面
て凹凸形状全形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状全形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が好ましい。そしてそうした球体の硬度は、
支持体の硬変よゆも高くても、あるいは低くてもよいが
、球体全繰返し使用する場合には、支持体の硬度よシも
高いものであることが望ましい。

第６Ａ、第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図であシ、６
０１は支持体作成用のアルミニウムシリンダーであり、
該シリンダー６０１は、予め表面を適宜の平滑度に仕上
げられていてもよい。

シリンダー６０１は、回転軸６０２によって軸支されて
おり、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動され、
ほぼ軸芯、のまわシで回転可能にされている。回転速度
は、形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供給量
等全考慮して、適宜に決定され、制御される。

６０４は、剛体真球６０５ヲ自然落下させるための落下
装置であり、剛体真球６０５ヲ貯留し、落下させるため
のボールフィーダー６０６、フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動機６０
７、シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５？回
収するための回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５全フイーダー６０６まで管輸送するため
のボール送り装＃６０９、送ｐ装置６０９の途中で剛体
真球全液洗浄するための洗浄装置６１０、洗浄装置６１
０にノズル等金介して洗浄液（溶剤等）全供給する液だ
め６１１、洗浄に用いた波音回収する回収槽６１２など
で構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の量は、落
下口６１３の開閉度、振動機７０７による揺動の程度等
に工す適宜調節される。

光受容層 本発明の光受容部材１００においては、前述の支持体１
０１上に光受容層１０２　ｋ設けるものであり、該受容
層１０２は、ａ　　５ｔ（ＨＩＸ）で構成されてお９、
該光受容層には、必要に応じて伝導性を制御する物質金
含有せしめることが可能である。そして、本発明の光受
容層は、多層構成となっており、例えば第１図に示す例
においては第一の層１０２′と第二の層１０２“とより
構成され、光受容層の支持体側と反対の側には自由表面
１０３？有している。

ところで、本発明の光受容部材の光受容層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性全向上せしめることにある。

即ち、前記光受容層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子金含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れ友特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体し：ザ
全光源とした場合に特に顕著である。

本発明における光受容層においては、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子は、その全層領域に均一な分布状態
で含有せしめるがあるいは不均一な分布状態で含有せし
めるものである。

（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の分布濃度が、光受容層は支持体表面と平
行な面方向において均一であり、光受容層の層厚方向に
も均一であることをいい、又、不均一な分布状態とは、
ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度が、光
受容層の支持体表面と平行な面方向には均一であるが、
光受容層の層厚方向には不均一であること金いう。） そして、本発明の光受容層においては、特に支持体側の
端部にゲルマニウム原子及び／又はスズ原子を比較的多
量に均一な分布状態で含有する層（第１図における第一
の層１０２’）ｆｆｉ設けるか、あるいは自由表面側よ
りも支持体側の方に多く分布した状態となる様にゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子を含有せしめることが望
喧しく、こうした場合、支持体側の端部においてゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度を極端に大き
くすることにより、半導体レーザ等の長波長の光源を用
いた場合に、光受容層の自由表面側に近い構成層又は層
領域においては殆んど吸収しきれない長波長の光を、光
受容層の支持体と接する構成層又は層領域において実質
的に完全に吸収されるため、支持体表面からの反射光に
よる干渉が防止されるようになる。

前述のごとく、本発明の光受容層においては、ゲルマニ
ラ１２原子又は／及びスズ原子？全層領域において均一
に分布せしめることもでき、また層厚方向に連続的かつ
不均一に分布せ１〜めることもできるが、以下、層厚方
向の分布状態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム
原子４例として、第７乃至１５図にエリ説明する。

第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃ金、縦軸は、光受容層の層厚を示し、ｔ、
は支持体側の光受容層の端面の位置を、１Ｔは支持体側
とは反対側の自由表面側の端面の位置を示す。即ち、ゲ
ルマニウム原子の含有される光受容層はｔ、側よりｔ〒
側に向って層形成がなされる。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解全容易に
するだめの説明のための模式的なものである。

第７図には、光受容層中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る光受容層が形成される支持体表面と光受容層とが接す
る界面位置ｔｎ、Ｊ、すｔｌの位置までは、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なる一定の値を取り乍ら
ゲルマニウム原子が光受容層に含有され、位置ｔ、、ｒ
：りは濃度Ｃ２工り位置ｔ、に至る壕で徐々に連続的に
減少されている。位Ｉｆｆ　ｔｔにおいてはゲルマニウ
ム原子の分布濃度ＣＦ′ｉ実質的にゼロとされる。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃｉ／ｌｉ位置ｔｍ工り位置ｔ、に至
る筐で濃度Ｃ３から徐々に連続的の減少して位置１．に
おいて濃度Ｃ４となる様な分布状態全形成している。

第９図の場合には、位置ｔ、↓り位置ｔ２ｔでは、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ５と一定位置とされ
、位置し２と位置ｔＴとの間において、除々に連続的の
減少され、位置１．においで、分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとされている。

第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔ、より位置ｔ？に芋るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ３よりは急速に連続的に
減少されて位置ｔｔにおいて実質的にゼロとされている
。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔ、と位置ｔ４間においては、濃度Ｃ７と
−・定値であり、位置ｔＴに於ては分布濃度Ｃはゼロと
される。位置ｔ４と位置す、Ｔとの間では、分布濃度Ｃ
は一次関数的に位置ｔ４工９位置１Ｔに至る１で減少さ
れている。

第１２図に示される例においでは、分布濃度Ｃは位置ｔ
、より位置１，１では濃度Ｃ６の一定値全取り、位置ｔ
５より位置１Ｔまでは濃度Ｃ６工９濃度Ｃ１ｏまで一次
関数的に減少する分布状態とさえしている。

第１３図に示す例においては、位置１．より位ｆｆ　ｔ
ｔに至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ
１１，Ｊ：Ｉ）−次間数的に減少されて、ゼロに至って
いる。

第１４図においては、位置ｔ、より位置ｔ６に至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１□工り濃
度Ｃ１３ｔで一次関数的に減少され、位置ｔ６と位ｔ　
ｔｔとの間にふ・いては、濃度０１３の一定値とされた
例が示されている。

第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位ｆｔ　ｔｍにおいて濃度Ｃ１４であり、
位置ｔ７に至るまではこの濃度’４４　ｘ、シ初めはゆ
っくりと減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に
減少されて位置ｔ７では濃度Ｃ１５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ８
で濃度Ｃ□６となり、位置ｔ８と位置ｔ、との間では、
徐々に減少されて位置ｔ９において、濃度Ｃ１□に至る
。位置ｔ、と位置ｔ！との間においては濃［Ｃ□７よシ
実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に従っ
て減少されている。

以上、第７図乃至第１５図によシ、光受容層中に含有さ
れるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚方向の
分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明の光
受容部材においては、支持体側において、ゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し
、端面ｔ、側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
比べてがなり低くされ九部分を有するゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布状態が光受容層に設けられて
いるのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材全構成する光受容層は
、好ましくは、上述し友様に支持体側の方にゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域全方するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔｍ
より５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔＳ、！：５５μ厚
までの全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の
一部とされる場合もある。

局在領域金層領域の一部とするか又は全部とするかは、
形成される光受容層に要求される特性に従って適宜決め
られる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値（’ｍａｘ
がシリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、最ｓニハｉ　ｘ　１ｏ’ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される光受容層は、支持体
側からの層厚で５μ以内（ｔｍから５μ厚の層領域）に
分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成されるの
が好ましいものである。

本発明の光受容部材において、光受容層中に含有せしめ
るゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量は、本
発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従って適宜
決める必要があシ、通常は１〜６ｘ　１ｏ５ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ　１０５
１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、よシ好ましくはＩ　Ｘ　１０２
〜２　Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍとする。

また、本発明の光受容部材において、光受容層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あシ、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、ニジ好ましくは２〜５０μとする。

太発明の光受容部材においては光受容層に伝導性全制御
する物質を、全層領域又は一部の層領域に均−又は不均
一な分布状態で含有せしめることかできる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物金挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第１族に属する原子（以下単に「第１
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下卑に「第■族原子ｊと称す
。）が使用される。具体的には、第１族原子としては、
Ｂ（硼素）、Ａｔ　（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｔ　（タリウム）等を挙
げることができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｑａで
ある。また第■族原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ　（砒
素）、ｓｂ　ｃアンチモン）、Ｂｉ　（ビスマン）等を
挙げることができるが、特に好ましいものは、ｐＳｓｂ
である。

本発明の光受容層に伝導性全制御する物質である第■族
原子又は第Ｖ族原子金含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるか、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果に工つて異なシ、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、光受容層の伝導型又は／及び伝導率全制御す
ること金主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１族原子又は第Ｖ族原
子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１０
−３〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、好ま
しくは５×１０−２〜５×１０２ａｔＯｍｉ１０２ａｔ
Ｏ最適にはＩ　Ｘ　１０　”〜２　Ｘ　１０２１０２ａ
ｔｏ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
Ｖ族原子を均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは
層厚方向における第１族原子又は第■族原子の分布濃度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第１族原子又は第Ｖ族原子
全含有する一部の層領域あるいは高濃度に含有する領域
は、電荷注入阻止層として機能するところとなる。即ち
、第１族原子を含有せしめた場合には、光受容層の自由
表面が■極性に帯電処理金堂けた際に、支持体側から光
受容層中へ注入される電子の移動全より効率的に阻止す
ることができ、又、第Ｖ族原子全含有せしめた場合には
、光受容層の自由表面がＯ極性に帯電処理金堂けた際に
、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移動をよ
り効率的に阻止することができる。そして、こうし′ｆ
ｃ場合の含有量は比較的多量であって、具体的には、３
０〜５×１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは５
０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ、最適にはＩ
　Ｘ　１０２〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍと
する。さらに、該電荷注入阻止層としての効果全効率的
に奏するためには、第１族原子又は第Ｖ族原子を含有す
る支持体側の端部に設けられる層又は層領域の層厚金ｔ
とし、光受容層の層厚ｆｆ１Ｔとした場合、ｔ／Ｔ　＜
　０．４の関係が成立することが望ましく、より好まし
くは該関係式の値が帆３５以下、最適には０．３以下と
なるようにするのが望ましい。また、該層又は層領域の
層厚ｔは、一般的には３　Ｘ　１０’−’〜１０μとす
るが、好ましくは４　Ｘ　１０−３〜８μ、最適には５
　Ｘ　１０−”〜５μとするのが望ましい。

次に光受容層に含有せしめる第１族原子又は第Ｖ族原子
の量が、支持体側においては比較的多量であって、支持
体側から自由表面を有する側に向って減少し、光受容層
の自由表面付近においては、比較的少量となるかあるい
は実質的にゼロに近くなるように第１族原子又は第Ｖ族
原子全分布させる場合の典型的例のいくつかを、第１６
図乃至第２４図によって説明するが、本発明はこれらの
例によって限定されるものではない。各図において、横
軸は第１族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃを、縦軸は
光受容層の層厚全示し、ｔ、は支持体と光受容層との界
面位置金、１Ｔは光受容層の自由表面側の端面の位置金
示す。

第１６図・は、光受容層中に含有せしめる第１族原子又
は第Ｖ族原子の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示
している。該層では、第１族原子又は第Ｖ族原子を含有
する光受容層と支持体表面とが接する界面位置ｔ１ニジ
位置ｔ□までは、第璽族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度
ＣがＣＩなる一定値をとり、位置ｔ１より自由表面側の
端面位置ｔ？までは、第１族原子又は第Ｖ族原子の分布
濃度Ｃが濃度Ｃ２から連続的に減少し、位置１１におい
ては第１族原子又は第■族原子の分布濃度Ｃが０３とな
る。

第１７図は、他の典型列の１つ金示している。

該層では、光受容層に含有せしめる第１族原子又は第Ｖ
族原子の分布濃度Ｃは、位置ｔ３から位置１１にいたる
まで、濃度Ｃ４から連続的に減少し、位置ｔ〒において
濃度Ｃ６となる。

第１８図に示す例では、位置ｔ、から位置ｔ２までは第
１族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ６なる一
定値金保ち、位置ｔ２から位置１Ｔにいたるまでは、第
１族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７がら徐
々に連続的に減少して位置ｔ？においては第１族原子又
は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。但し
、ここで実質的にゼロとは、検出限界量未満の場合？い
う。

第１９図に示す例では、第曹族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは位置ｔＢ、！：り位Ｍ　ｔｔにいたるまで、
濃度Ｃ２から連続的に徐々に減少し、位置Ｌアにおいて
は第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとなる。

第２０図に示す例では、第■族原子又は第■族原子の分
布濃度Ｃは、位ｉＫｊ＋＋より位置ｔ３の間においては
濃度Ｃ９の一定値にちり、位置ｔ３から位ｉｉ　ｊｔの
間においては、濃度Ｃ９から濃度Ｃ１ｏとなる壕で、−
次間数的に減少する。

第２１図に示す例では、第１族原子又は第Ｖ族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、　、Ｊ：り位置も４にいたるまで
は濃度Ｃ１□の一定値にあり、位置ｔ４よシ位置ｔＴ１
では濃度Ｃ１□から濃度Ｃ工、となるまで一次関数的に
減少する。

第２２図に示す例においては、第■族原子又は第■族原
子の分布濃度Ｃは、位ｖｔＢから位置ｔＴにいたるまで
、濃度Ｃ１４から実質的にゼロとなる寸で一次関数的に
減少する。

第２３図に示す例では、第１族原子又は第■族原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、から位置Ｌ５にいたるまで濃度Ｃ
１５から濃度Ｃｚ６となるまで一次関数的に減少し、位
置１．力）ら位＠ｔＴまでは濃度Ｃ１６の一定値金保ｐ
０ 最後に、第２４図に示す例では、第■族摩了又は第■族
原子の分布濃［Ｃは、位置（、□において濃度Ｃ１７で
あり、位置ｔ、から位置ｔ６丑で：づ二濃度Ｃ１７から
はじめはゆっくり減少して、位１Ｒｔ６付近では急激に
減少し、位置ｔ６では濃度ｃ１８となる。次に、位置ｔ
６から位置ｔ７まではンまじめのうちは急激に減少し、
その後は緩かシて除々に減少し１、位置ｔ７においては
濃度Ｃ１９となる。更に位置ｔ７と位１ｆｔｔｔＢの間
では極めてゆっくりと徐々に減少し、位置ｔ８において
濃度ｃ９となら、。

また更に、位置ｔ８から位置ｔＴにいたるまでは、濃度
Ｃ２０から実質的にゼロとなるまで１余々に減少する。

第１，６図〜第２４図に示した例のごと＜、　＊―受容
層の支持体側Ｖ（−近い側に第璽族原子又は第〜′族原
子の分布濃度Ｃの高い部分音、５し、光受容層の自由表
面側においては、該分布濃度Ｃががなり低い濃度の部分
あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合に
あっては、支持体側に近い部分に第１族原子又は第Ｖ族
原子の分布濃度が比較的高濃度でちる局在領域全役ける
こと、好１しくけ該局在領域全支持体表面と接触する界
面位置から５μ以内に設けることにより、第１族原子又
は第■族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注
入阻止層全形成するという前述の作用効果がより一層効
率的に奏される。

以上、第１族原子又は第Ｖ族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果全記述したが、所望の目的全達成
しうる特性金石する光受容部材を得るについては、これ
らの第１族原子又は第Ｖ族原子の分布状態および光受容
層に３有せしめる第１族原子又は第Ｖ族原子の量百：、
必要に応じて適宜組み合わせて用いるものであることは
、いうまでもない。例えば、光受容層の支持体側の端部
に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外の
光受容層中に、電荷注入阻止層にｔ有せ（〜めた伝４件
ｒ利仰する師ａ　Ｆｊ　：ｖ極性とは別の極性の伝導性
全１１ｊｌｌ　（卸する物ＴＩ’ｒ言有ぜしめても工く
、あるいは、同極性の伝導性全制御する物質金、電荷注
入阻止層に含イＹさｉる量工９も一段と少ない量にｊ〜
て３仔せし、２めてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層と（〜て、４ス荷注入阻止層の代わｐ
に、電気絶縁性飼料から成Ｋ）いわゆる障壁層ケ設ける
こともでき、ちるい：：↓、該障壁層と電荷注入阻止層
との両方↑ｌ；’／７成゛呂とすることもできる。こう
Ｌ７た障壁層でｔ構成する材料、’：Ｌ−１ｊ：、Ａｔ
２０４、ＳｉＯ２，５１３Ｎ４　’！Ｆ”）　ｊＷ　ａ
＆　”ｒＨ気絶縁材料やポリカーボネート等の有機ｉ１
−ε気絶縁材料金挙げることができる。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルノァス、／リコンで構成された光
受容贋金０゛する光受容部（」−の諸問題の総て全解決
でき、特に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源
と１−で用いたＪ＋ｊ自にも、干渉現象による形成画像
における干渉縞模様の現出金顕著に防止し７、きわめて
良質な可視画像全形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光導
電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性？示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像全安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象全利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性全方する光受容部材全製造するに当っての条件
の制御が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入全容易に行い得る等のことからし
て、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適である
１３そして、グロー放電法とスパッタリング法と金量−
装置系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ　　Ｓ　ｉＱｅ　（Ｈ、Ｘ　）
で構成される光受容層全形成するには、シリコン原子ｃ
ｓｉ）ｗ供給しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニ
ウム原子（Ｇｅ）’を供給しうるＧｅ供給用の原料ガス
と、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）　を
供給しりる水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）供給用の原料ガスを、内部全減圧にしうる堆積室内に
所望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電全
生起せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支持
体表面上に、ａ−８ｉＧｅ　（ＩＬ　Ｘ）で構成される
層全形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓ　ｉ　４ＨＩＱ等
のガス状態の又はガス化しつる水素化硅素（シラン類）
が挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点から、ＳｉＨ４およびＳ　１２Ｈ６
が好ましい。

また、ＡｉＪ記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質と
しては、ＧｅＩ（４、Ｇｅ　２Ｈｅ、Ｇｅ、Ｈｇ、Ｇｅ
４Ｈ１ｏ、Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ□６
、Ｇｅ８Ｈ１８、Ｇｅ、Ｈ，等のガス状態の又はガス化
しうる水素化ゲルマニウム金柑いることができる。特に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｑｅ供給効率の良さ等の
点がら、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、お２びＧｅ３Ｈ４が好
ましい。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなシうる物
質としては、多くのハロゲン化合物があり、例えば・・
ロゲンガス、）・ロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハロ
ゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガス
化しうるハロゲン化合物を用いることができる。具体的
には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、Ｂ
ｒＦ、　　　Ｃ１Ｆ　　、、　　Ｃ１，Ｆ、３、　　Ｂ
ｌ−Ｆ３、　　Ｂｌ−Ｆ５、　　ＩＦ、３、　　ＩＦ７
、丁ＣＡ。

ＩＢｒ等のハロゲン間化合物、あ・工びＳｉＦ４、Ｓｉ
２Ｆ６．５ｉＣｔ４．３ｉ１３ｒ４等のハロゲン化硅素
等が好凍しいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるもの全原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓｉ原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガス金使用することなく、所定の支
持体上にハロゲン原子を含有するａ−８ｉで構成さ第１
る層を形成することができるので、！＃１（Ｃ有効であ
る。

グロー放電法を用いて光受簀層ケ形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料づスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、
Ｈ２、）（ｅ等のガスとを所定の混合比とガス流楡にな
るようにして堆積室に導入し、グロー放電全生起してこ
れ等のガスのプラズマ雰囲気全形成することにより、支
持体上に光受容層？形成するものであるが、電気的ある
いは光電的特性の制御という点で極めて有効であるとこ
ろの水素原子（Ｈ）の含有量の制御全一層容易にするた
めには、これ等のガスに更に水素原子供給用の原料ガス
全混合することもできる。該水素原子供給用のガスとし
ては、水素ガスあるいは、５ｉＩ（４、Ｓｉ２■（６、
ｓ　ｉ　、Ｈ，、Ｓ　ｌ　４Ｈ１Ｏ等の水素化硅素のガ
スが用いられる。また、水素原子供給用ガスとして、叩
、ＨＣｔＳＨＢｒｌＨＩ等のハロゲン化物、ＳｉＨ２Ｆ
２．５ｉＨ２Ｉ２、ｓ　１Ｈ２ｃｚ　２．５ｉＨｃｔ３
．５ｉＨ２Ｂｒ２、Ｓ　１ＨＢｒ　３　　等の／％Ｏゲ
ン置換水素化硅素等のガス状態のあるいはガス化しうる
もの全周いた場合には、ハロゲン原子（Ｘ）の導入と同
時に水素原子（Ｈ）も導入されるので、有効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉＱｅ（Ｈ，Ｘ）で構
成される光受容層全形成するには、シリコンから成るタ
ーゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの二枚
金、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるターゲ
ットを用い、これ等全所望のガス雰囲気中でスパッタリ
ングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層全形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源全抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、Ｂ、法）等によ
゛って加熱蒸発させ、飛翔蒸発換金所望のガスプラズマ
雰囲気中を通過せしめることで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子金含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガス金堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気全形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨ２あるい
は前記した水素化シラン類又ｉＩｉ／及び水素化ゲルマ
ニウム等のガス類全スパッタリング用の堆積室内に導入
してこれ等のガス類のプラズマ雰囲気全形成すればよい
。さらにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記
のハロゲン化物或いはハロゲン金倉む硅素化合物が有効
なものとして挙げられるが、その他に、ＩＦ。

ＨＣｌ　、　ＨＢｒ　、　Ｈｌ等のハロゲン化水素、５
ｉＨ２Ｆ′２、ＳｉＨ２工２．５ｉＨ２Ｃｔ２．５ｉＨ
Ｃｔ８．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ、３等のハロゲン
置換水素化硅素、お工びＧｅＨＦ３、Ｇｅ上２Ｆ２、Ｇ
ｅＨ３Ｆ、　ＧｅＨ（Ｊ３、ＧｅＨ２ＣｔＺ、ＧｅＨ３
Ｃ１゜ＧｅＨＢｒ、、ＧＣＨ２Ｂｒ２、ＧｅＨ３Ｂｒ、
　ＧｅＨＩ３、ＧｅＩ（２Ｉ　２　、ＧｅＨ３Ｉ等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウムｌ、ＧｅＦ４、ａｅｃｔ、
、ＱｅＢｒ、、ＧｅＩイＧｅＦ２　、ＧａＣｌ２、Ｇｅ
Ｂｒ２、Ｑｅ　Ｉ　２等のハロゲン化ゲルマニウム等々
のガス状態の又はガス化しうる物質も有効な出発物質と
して使用できる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は
、好ましくは０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％、工υ
好適には０．０５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適にはＯ
９１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
ンリコン（以下、ｒａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記す
る。）で構成される光受容層全形成するには、上述のａ
−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の際に、
ゲルマニウム原子供給用の出発物質金、スズ原子（Ｓｎ
）供給用の出発物質にかえて使用し７、形成する層中へ
のその量を制御しながら含有せしめることによっで行な
う。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりつる物質
としては、水素化スズ（ＳｎＨ４）や５ｎＦ２．５ｎＦ
４．５ｎＣ６ｚ、５ｒＣ１４，３ｎ１３ｒ２．５ｎＢｒ
　４．５ｎＪｚ、ＳｎＬ等のハロゲン化スズ等のガス状
態の又はガス化しうるもの全周いることができ、／・ロ
ゲン化スズ金用いる場合には、所定の支持体上に・′・
ロゲン原子？含有するａ−３ｉ″″Ｃ構成される層重形
成することができるので、特に有効である。

なかでも、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の
良さ等の点から、５ｎＣ４４が好ましい。

そして、５ｎＣｌ、　ｔスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発
物質として用いる場合、これ金ガス化するには、固体状
の５ｎｅｔ４２加熱するとともに、Ａｒ％Ｈｅ等の不活
性ガス全欧き込み、該不活性ガスを用いてバブリングす
るのが望ましく、こうして生成したガスを、内部全減圧
にした堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法金用いて、第１族原子又は第１族原子導入用
するａ　　Ｓ　Ｉ　Ｇｅ　（Ｈ＋　Ｘ　）又は／及びａ
−８ｉＳｎ　（Ｈ、Ｘ）で構成される層又は一部の層領
域全形成するには、上述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は
／及びａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）で構成される層の形成の
際に、第１族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物贋金、
ａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）又は／及びａ−８ｉＳｎ
　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成
する層中へのそれらの置型制御しながら含有せしめるこ
とによって行なう。

第１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、　Ｂ２Ｈ６、Ｂ　４Ｈｚｏ　、　Ｂ　
５Ｈｇ、ＢｓＨｕ＝　ＢａＨｘｏ、　Ｂ６Ｈ４□、Ｂ６
Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣｌ２、ＢＢｒ３等
のハロゲン化硼素等が挙げられる１、この他、ＡｔＣ１
６、Ｇａ（：ｔ；３．　Ｇａ（ＣＨ：ｉ）２、ＸｎＣ１
，３、Ｔ７Ｃ２３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質と１２，５て、具体的には
燐原子導入用としてはＰＩｂ、Ｐ２Ｉ−■４等の水素比
隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３、ＰＦ６、ＰＣｌ３、ＰＣ，
ｌ！、１１．　ＰＢｒ、、ＰＢｒ３、ＰＩ３等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、ＡｓＨ３、Ａ３Ｆ３、Ａ
ｓＣｌ３、ＡＳＢｒ３、Ａ３Ｆ、　％　５ｂｌ（、、Ｓ
ｂＦ３、ＳｂＦ、、５ｌ）Ｃｌ３．５ｂｃｔ、、ＢｉＨ
３、Ｂ１Ｃ４３、Ｂ１Ｂｒ３等も第１族原子導入用の出
発物質の有効なものとして挙げることができる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等金用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、あるいは水素
原子及び／又はハロゲン原子の各々の含有曾の制御は、
堆積室内へ流入する。各々の原子供給用出発物質のガス
流量あるいは各々の原子供給用出発物質間のガス流量比
全制御することにニジ行われる。

また、光受容層形成時の支持体温度、堆積室内のガス圧
、放電パワー等の条件は、所望の特性を有する光受容部
材を得るためには重要な要因であり、形成する層の機能
に考慮をはらって適宜選択されるものである。さらに、
これらの層形成条件は、光受容層に含有せしめる上記の
各原子の種類及び量によっても異なることもあることが
ら、含有せしめる原子の種類あるいはその量等にも考慮
をはらって決定する必要もある。

具体的には、２ｌ−８ｉＱｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を
形成する場合、あるいは第■族原子又は第Ｖ族原子を含
有せしめたａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる層重形成
する場合については、支持体温度は、通常５０〜３５０
℃とするが、より好ましくは５０〜３００℃、特に好筐
しくは１００〜３００℃とする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常ｏ、ｏｉ〜５Ｔｏｒ
ｒとするが、好ましくは、０．００１−３　’ｆ：ｏｒ
ｒ　。

特に好ましくは０，１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとする。−！た、
放電パワーは０゜００５〜５０Ｗ／ｉとするのが通常で
あるが、好ましくは０．０１〜３０Ｗ／ｃｆｆ！、特に
好ましくは０．０１〜２０Ｗ／−とする。

しかし、これらの、層形成金行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所頃の特性の非晶質材料層全形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件全
快めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、第１族原子又は第■族原子
、あるいは水素原子又は／及びハロゲン原子の分布状態
を均一とするためには、光受容層を形成するに際して、
前記の諸条件金一定に保つことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せ１〜めるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
ちるいは第■族原子又は第Ｖ族原子の分布濃度全層厚方
向に変化させて所望の層厚方向の分布状態全方する光受
容層全形成するには、グロー放電性ケ用いる場合であれ
ば、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子あるいは第１
族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質のガスの堆積室
内に導入する際のガス流置型、同情の変化率に従って適
宜変化させ、その他の条件全一定に保ちつつ形成する。

そして、ガス流量全変化させるには、具体的には、例え
ば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている
何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられた所
定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操作全行え
ばよい。このとき、流量の変化率は線型である必要はな
く、例えばマイコン等金用いて、あらかじめ設計され几
変化率曲線に従って流量全制御し、所望の含有率曲線金
得ることもできる。

！た、光受容層重スパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子あるいは第頁族原子
又は第Ｖ族原子の層厚方向の分布濃度全層厚方向で変化
させて所望の層厚方向の分布状態全形成するには、グロ
ー放電法を用いた場合と同様に、ゲルマニウム原子又は
スズ原子あるいは第凱族原子又は第Ｖ族原子導入用の出
発物質４ガス状態で使用し７、該ガス？堆積室内へ導入
する際のガス流）貸金所宅の変化率に従って変化させる
。

〔実施例〕

以下、本発明全実施例１乃至１０に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層重グロー放電法金用いて
形成した。第２５図はグロー放電法による本発明の光受
容部材の製造装置である。

図中の２５０２．２５０３．２５ｏ４．２５ｏ５．２５
ｏ６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成するた
めの原料ガスが密封されており、その−例として、たと
えば、２５０２はＳｉＨ，ガス（純度９９．９９９係）
ボンベ、２５０３はＨ２で稀釈されたＢ２Ｈ６ガス（純
度９９．９９９％、以下Ｂ２　Ｈａ／Ｔ（２と略す。）
ボンベ、２５０４はＳ１２■ムガス（純度９９．９９９
％）ボンベ、２５０５はＧｅＨ，ガス（純度９９．９９
９％）ボンベ、２５０６は不活性ガス（Ｈｅ）ボンベで
ある。そして、２５０６’は５ｎＣ４４が入った密閉容
器である。

これらのガス金反応室２５０１に流入させるにはガスボ
ンベ２５０２〜２５０６のバルブ２５２２〜２５２６、
リークバルブ２５３５が閉じられていることを確認し又
、流入バルブ２５１２〜２５１６、流出バルブ２５１７
〜２５２１、補助バルブ２５３２．２５３３が開かれて
いることを確認して、先ずメインバルブ２５３４　’ｃ
開いて反応室２５旧、ガス配管内金排気する。次に真空
計２５３６の読みが約５×１０□−６Ｔｏｒｒになった
時点で、補助バルブ２５３２．２５３３、流出バルブ２
５１７〜２５２１　’ｅ閉じる。

基体シリンダー２５３７上に光受容層１０２ケ形成する
場合の一例をあげる。ガスボンベ２５０２工りｓ　ｉＨ
，ガス、ガスボンベ２５０５　ｊすＧｅＨ１４ガスの夫
々全バルブ２５２２．２５２５　全開いて出口圧ゲージ
２５２７．２５３０の圧’ｊｚ　Ｉ　Ｋ９／ｃｄに調整
し、流入バルブ２５１２．２５１５’を徐々に開けて、
マスフロコントローラ２５０７．２５１０内に流入させ
る。

引き続いて流出バルブ２５１７．２５２０．補助バルブ
２５３２　ｋ徐々に開いてガス金反応室２５ｏ１内に流
入させる。このときのＳ　Ｉ　Ｈ４ガス流量、Ｇ　ｅ　
Ｈ４ガス流量の比が所望の値になるように流出バルブ２
５１７．２５２０金調整し、又、反応室２５ｏ１内の圧
力が所望の値になるように真空計２５３６の読みを見な
がらメインバルブ２５３４の開口全調整する。そ（〜で
基体シリンダー２５３７の温度が加熱ヒーター２５３８
により５０〜，１００℃の範囲の温度に設定されている
ことを確認された後、電源２５４０　ｉ所望の電力に設
定１−２７′反応室２５旧内にグロー放電全生起せしめ
るとともに、マイクロコンピュータ−・（図示せず）を
用いて、あらかじめ膜用された変化率線に従って、Ｑｅ
山ガス流量とｓｉｎ、ガス流量の比金制御１〜ながら、
基体シリンダー２５３７Ｊ二に先ず、ゲルマニウム原子
を含有する光受容層全形成する。

光受容層中にハロゲン原子金含有ぜしめる場合には、上
記の５ｉ）（、ガスやＧｅＩ（４ガスにかえて例えがＳ
ｉＦ４ガスシＧｅＦ４ガスを反応室に送り込めばよい。

夫々の贋金形成する際に必要なガスの流出ノメルプ以外
の流出パルプは全て閉じることは言うまでもない。

また、光受容層中にスズ原子金倉背せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ１４’Ｃ出発物質としたガス
全相いる場合には、２５０６’に入れられた固体状５ｎ
Ｃ４全加熱手段（図示せず）金片いて加熱するとともに
、該５ｎＣｌ、中にＡｒ、ＨＣ等の不活性ガスボンベ２
５０６よりＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス全欧き込み、バブ
リングする。発生した５ｎＣ４のガスは、前述の５ｉＩ
（４、Ｇｅ山ガス等と同様の手順により反応室内に流入
させる。

試験例 径２　ｍｒｎのＳＵＳステンレス製剛体直球全用い、前
述の第６図に示した装置ｆ　ｋ用い、アルミニウム合金
製シリンダー（（’１６０ｍｍ、長さ２９８ｍｍ）の♂
七面金処理１２、凹凸全形成させた、真球の径Ｒ′、落
下高さｈと痕跡窪みの曲率Ｉく、幅りとの関係？・調べ
たとこ、ろ、痕跡窪み、Ｚす１１ド（べＲと幅りとは、
直球の径Ｒ２′と落下高さｈ等の条件により決められる
ことが確認さｉ、、　ｆｃ　ｏ　また、痕跡窪みのピッ
チ（痕跡窪みの密度、また凹凸のピッブー）は、シリン
ダーの回転速度、回転数乃至は剛体真球の落下縫等を制
御して所望のピッチに調整することができることが確１
１２さハ、ｔ、。

実施例１ 試験例と同様にアルミ；ラム合金製シリンダーの表面を
処理し７、第１Ａ表上欄に示−多Ｄ、及びＤ金石するシ
リンダー状Ａノ支持体（／リンダ一屋１０１〜１０６）
を得た。

次にに！１．Ａｔ支持体（シリンダー・Ｊｌ瓜１０１−
１０６　）上に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第２５
図に示した製造装置ｕに工り光受容贋金形成しり１、こ
れらの光受容部材について、第２６図（・てろく十画像
露光装置金用い、波長７８０旧η、スボツ［・径８０ｚ
ｔｍのレーザー光全照射して画ｉ’、、”、Ｃａ＋Ａ元
金行、ｔい、現像、転写くで行なって画像を得た。得ら
れた画像の干渉縞の発生状況は第１Ａ表下欄に示すとお
りであった３、 なお、第２６　（Ａ　）図は露光装置の全体全模式的に
示す平面略図であり、第２６　（Ｂ）図は露光装置の全
体全模式的に示す側面略図である。図中、２６０１は光
受容部材、２６０２は半導体レーザー、２６０３はｆθ
レンズ、２６０４はポリゴンミラーを示している。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（径６０ｍ
ｍ、長さ２９８ｍｍ、凹凸ピッチ１００μｍ、凹凸の深
さ３μｍ）ｆ用いて、前述と同様に１−で光受容部打金
作製１〜た。得られた光受容部打金電子顕微鏡で観察し
たところ、支持体表面と光受容層の層界面及び光受容層
の表面とは平行金なＩ７ていた。この光受容部材？用い
て、前述と同様にし２て画像形成？おこない、得られた
画像についイ、前述と同様の評価全行なった。その結果
は、第１Ａ表下欄に示すとおりで実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層全形成した
以外はすべて実施例１と同様にして、Ａｔ支持体（シリ
ンダー＆１０１〜１０７）上に光受容層を形成した。な
お、光受容層形成時におけるＳｉＦ４ガス及びＧｅＦ４
ガスのガス流量は第２７図に示す流量変化線に従って、
マイクロコンピュータ−制御にニジ、自動的に調整した
。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像全形成したところ、得られた画像における干渉縞の発
生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおシであった。

実施例３〜１０ 実施例１のＡｔ支持体（シリンダー屋１０３〜１０６）
上に、第５〜１０表に示す層形成条件に従って光受容層
形成時 １と同様にして光受容部材を作製し友。なお、実施例４
〜１０において、光受容層形成時における使用ガスの流
量は、各々、第２８〜３４図に示す流量変化線に従って
、マイクロコンピュータ−制御により自動的に調整した
。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルノアスンリコンで構成された光受
容層形成する光受容部材の諸問題の総′て全解決でき、
特に、可干渉性の単色光である１／−チー光全光源とし
、て用いた場合にも、干渉現象による形成画像におりる
干渉縞模様の現出？顕著に防止し、きわめて良質なｉｉ
］祝画像画像全形成ことができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、−！た、特に長波長側の光感度特性に優れて
いるため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用項境特性金示す。

殊に、電子写真用光受容部材と；−で適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その市：
気的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比重重するも
のであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が
高く、・・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い
高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例全模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理全説明するための部分拡大図
であシ、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろこと金示す図、第３図は、従来の表面全規則的
に荒した支持体上に光受容層形成積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生すること金示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状全作製する方法全説明する友めの模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状全形成するのに好適な装置の一構成例全
模式的に示す図であって、第６（４）図は正面図、第６
　（Ｂ）図は縦断面図である。第７〜１５図は、本発明
の光受容層におけるゲルマニウム原子又はスズ原子の層
厚方向の停缶状態を表わす図であり、第１６〜２４図は
、本発明の光受容層における第１族原子又は第Ｖ族原子
の層厚方向の分布状態全表わす図であり、各図において
、縦軸は光受容層の層厚？示ｉ−１横軸は各原子の分布
濃度を表わしている。第２５図は、本発明の光受容部材
の光受容層形成造するための装置の１例で、グロー放電
法による製造装置の模式的説明図である。第２６図はレ
ーザー光による画像露光装置金説明する図である。、第
２７乃至３４図は、本発明の光受容層形成におけろガス
流量比の変化状態を示す図であり、ば１抽は光受容層の
層Ｊワ、横軸は使用ガスのガス流量金示している。 第１乃至第３図について、 １００・・・光受容層　１０１・・支持体　１０２・・
・光受容層１０２′、２０１、：（０１・・・第一の層
１０２″、２０２．３０２・・・第二の層１０３．２０
３．３０３・・・自由表面２０４．３０４・・・第一の
層と第二の層との界面第４．５図について、 ４０１．５０１・・・支持体　４０２．５０２・・・支
持体表面４０３．５０３．５０３′・・・剛体真球４０
４．５０４・・・球状窪み 第６図について、 ６０１・・・シリンダー　　６０２・・・回転軸６０３
・・・駆動手段　６０４・・・落下装置６０５・・・剛
体真球　６０６・・・ボールフィーダー６０７・・・振
動機　　６０８・・・回収槽６０９・・・ボール送り装
置　６１０・・・洗浄装置６１１・・・洗浄液だめ　　
６１２・・・洗浄液回収槽６１３・・・落下口 第２５図について、 ２５０１・・・反応室　２５０２〜２５０６・・・ガス
ボンベ２５０６’　・５ｎＣｔ４槽 ２５０７〜２５１１・・・マスフロコントローラ２５１
２〜２５１６・・・流入バルブ ２５１７〜２５２１・・・流出バルブ ２５２２〜２５２６・・・バ　ル　ブ ２５２７〜２５３１・・・圧力調整器 ２５３２．２５３３・・・補助バルブ ２５３４・・メインバルブ ２５３５・・・リークバルブ　　２５３６・・・真空計
２５３７・・・基体シリンダー ２５３８・・・加熱ヒ・−ター　　２５３９・・・モー
ター２５４０・・・高周波電源 第２６図について、 ２６０１・・・光受容部材 ２６０２・・・半導体レーザー ２６０３・・・ｆθレンズ ２６０４・・・ポリゴンミラー 図面の浄書（内容に変更なし） 第２図 第４図 、５０３ 第６（Ａ）図 区　　　　　　　　　　　区 ト　　　　　　　　　　■ 法　　　　　　　　　　綜 ■ 踪 区　　　　　　　　　　区 ロー 線　　　　　　　　　綜 五 〇 一 快 の　　　　　　　　　　　　寸 ＠　　　　　　　　　法 区 い 一 沫 区 ■ 昧 区 一 囚 昧 ＳＣＣＭ　　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＣＣＭ
ＳｉＦ４ガス　　　　Ｇ　＊　Ｆ　４ガスＳＣＣＭ　　
　　　　　　　　　　　　　　　　ＳＣＣＭ０５ＣＣＳ
ＣＣＭ ＳｉＨ４ガス　　　　５ｎＣ１４／Ｈｅガス５Ｃ０１１
ＳＣＣＭ　　　　　　　　　　　　　　　　　８ＣｃＭ
ＳｉＨ４ガス　ＳｎＣム／Ｈｅガス　Ｂ２Ｈａ／Ｈｚガ
ス手　　続　　補　　正　　書　（方　式）昭和６０年
１１月２０日 特許庁長官　宇　賀　道　部　殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２０９６７７　　号２、発明の名称 光　　受　　容　　部　　材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　特許出願人 住　所　　東京都大田区下丸子３丁目３０番２号名称　
（１００）キャノン株式会社 ４、代理人 住　所　　東京都千代田区麹町３丁目１２番地６麹町グ
リーンビル ５、補正命令の日付　　　自　　発 、−″て− 、、’　、、ｌ　ｋ ｆｐρ１１．□１ ６　補正の対象 明細書および図面 ７、補正の内容 願書に最初に添付した明細書および図面の浄書・別紙の
とおり（内容に変更なｊ〜）以上

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   及びスズ原子の少くともいずれか一方とを含有する非晶
   質材料で構成された感光層を少なくとも有する多層構成
   の光受容層を有する光受容部材であつて、前記支持体の
   表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有してい
   ることを特徴とする光受容部材。
2. （２）光受容層が伝導性を制御する物質を含有している
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）光受容層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（４）項に記載の光受容部材。
5. （５）支持体の表面に設けられた複数の凹凸が、同一の
   曲率の球状痕跡窪みによる凹凸である特許請求の範囲第
   （１）項に記載の光受容部材。
6. （６）支持体の表面に設けられた複数の凹凸が、同一の
   曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸である特許
   請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
7. （７）支持体の表面の凹凸が、支持体表面に複数の剛体
   真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕跡窪み
   による凹凸である特許請求の範囲第（１）項に記載の光
   受容部材。
8. （８）ほぼ同一径の剛体真球をほぼ同一の高さから落下
   させて得られた剛体真球の痕跡窪みによる凹凸である特
   許請求の範囲第（７）項に記載の光受容部材。
9. （９）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが次式：０．０３
   ５≦Ｄ／Ｒを満足する値である特許請求の範囲第（１）
   項に記載の光受容部材。
10. （１０）球状痕跡窪みの幅Ｄが５００μｍ以下である特
    許請求の範囲第（９）項に記載の光受容部材。
11. （１１）支持体が金属体である特許請求の範囲第（１）
    項に記載の光受容部材。