JPS6271032A - ドロツプアウト検査装置 - Google Patents
ドロツプアウト検査装置Info
- Publication number
- JPS6271032A JPS6271032A JP60210783A JP21078385A JPS6271032A JP S6271032 A JPS6271032 A JP S6271032A JP 60210783 A JP60210783 A JP 60210783A JP 21078385 A JP21078385 A JP 21078385A JP S6271032 A JPS6271032 A JP S6271032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection level
- difference signal
- signal
- dropout
- sum signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光ディスク等のドロップアウト検査を行なう装
置に関するものである。
置に関するものである。
従来の技術
第1の従来例として特開昭59−193561号公報を
引用し、第9図にその全体の構成図、第1Q図に検出器
の構成図を示す。ンーザー光36はビームスプリッタ3
6により反射されλ/4板3板瓦7絞りレンズ38を経
て光ディスク記録面3eFclllb込まれ、反射光は
絞シレンズ38、λ/4板3板金7てビームスプリッタ
36を透過し、凸レンズ40にて絞られ、ファーフィー
ルド位置に設置された4分割ディテクター41により受
光される。ディテクター41の各セルにより得られる信
号出力から加算器42により和河号43、減算器44に
より周方向差信号46、減算器46により径方向差信号
47が得られる。これらの和信号、差信号を適切な検出
し・ベルで比較し、ドロップアウトの検出を行なう。第
2の従来例として特開昭58−174803号公報を例
にとる。第11図にその全体の構成図、第12図にスポ
ット形状を示す説明図を示す。レーザー発振器48によ
りレーザーが出射され、スポット整形部4eを経て投光
レンズ60により絞られ、ディスク61の記録面62に
照射され、その反射光は七ンサ53で受光され記録面6
2上の傷等を検出する。記録面上のスポット形状64は
ディスク半径方向に長く、かつ半径方向忙対して適度に
傾けるととKより検査時間の短縮化等の効果を得る。
引用し、第9図にその全体の構成図、第1Q図に検出器
の構成図を示す。ンーザー光36はビームスプリッタ3
6により反射されλ/4板3板瓦7絞りレンズ38を経
て光ディスク記録面3eFclllb込まれ、反射光は
絞シレンズ38、λ/4板3板金7てビームスプリッタ
36を透過し、凸レンズ40にて絞られ、ファーフィー
ルド位置に設置された4分割ディテクター41により受
光される。ディテクター41の各セルにより得られる信
号出力から加算器42により和河号43、減算器44に
より周方向差信号46、減算器46により径方向差信号
47が得られる。これらの和信号、差信号を適切な検出
し・ベルで比較し、ドロップアウトの検出を行なう。第
2の従来例として特開昭58−174803号公報を例
にとる。第11図にその全体の構成図、第12図にスポ
ット形状を示す説明図を示す。レーザー発振器48によ
りレーザーが出射され、スポット整形部4eを経て投光
レンズ60により絞られ、ディスク61の記録面62に
照射され、その反射光は七ンサ53で受光され記録面6
2上の傷等を検出する。記録面上のスポット形状64は
ディスク半径方向に長く、かつ半径方向忙対して適度に
傾けるととKより検査時間の短縮化等の効果を得る。
発明が解決しようとする問題点
第1の従来例ではレーザー光を1トラツクに追従させな
がらドロップアウト検出を行なうため検査に時間がかか
る。第2の従来例では検出時間の短縮化が図れるが、そ
の検出結果は第1従来例の如き記録再生光学系を用いた
検出結果と互換がとれない。本発明はかかる点に鑑みな
されたもので、記録再生光学系と互換がとれ、かつ検出
時間短縮化の図れるドロップアウト検査装置を提供する
ものである。
がらドロップアウト検出を行なうため検査に時間がかか
る。第2の従来例では検出時間の短縮化が図れるが、そ
の検出結果は第1従来例の如き記録再生光学系を用いた
検出結果と互換がとれない。本発明はかかる点に鑑みな
されたもので、記録再生光学系と互換がとれ、かつ検出
時間短縮化の図れるドロップアウト検査装置を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
レーザー光を光デイスク記録面上にその長軸が案内溝と
直交する楕円状に絞シ、記録面から反射し絞りレンズで
集光される反射光の、0次回折光光軸と直交し±1次回
折光光軸と交わる直線にて分割される2つの領域の光強
度をそれぞれ検出して、各検出信号の和信号と差信号を
得、差信号を1個もしくは複数の戸波器に通し、F波器
後の差信号を適切な検出レベルで比較し、検出レベルを
こえる場合とこえない場合とでドロップアウトの要因分
別を行なうとともに、その分別結果にもとづき和信号の
検出レベルを切シ換えるものであも作 用 光ディスクのドロップアウト要因として基材内の遮光性
異物(以下基材内典物と呼ぶ)、案内溝上の傷や異物(
以下溝異常と呼ぶ)、記鎌膜内の異物やピンホール(以
下膜異常と呼ぶ)等の3つが考えられている。膜異常と
膜異常をまとめて記録面異常と呼ぶ。一般に基材内異物
による差信号は低周波でsb、記録面異常に゛よる差信
号は高周波となるため、低域通過F波器(以下LPFと
呼ぶ)後の差信号は基材内典物で振幅が大きく、記録面
異常では小さくなり、高域通過沖波器(以下HPFと呼
ぶ)後の差信号は基材内典物で小さく、記録面異常で大
きくなる。なお膜異常はその和信号におけるドロップア
ウト振幅が膜異常に比べ極めて大きいため、LPFによ
ってLPF後の差信号でもその振幅が大きくなる。以上
よILPFもしくはHPF後の差信号を適切な検出レベ
ルで比較することにより、その検出レベルをこえるか否
かで基材内典物、膜異常等の要因を分別することができ
、仁の分別結果KJニジ和信号の検出レベルを切シ換え
る。一般に記録再生光学系の円形状と−ムに比べ、楕円
状ビームは基材内典物に高感度な検出系となるため、基
材内異物との判定をうけたドロップアウトはその和信号
検出レベルを高くし、記録再生光学系との互換をとる。
直交する楕円状に絞シ、記録面から反射し絞りレンズで
集光される反射光の、0次回折光光軸と直交し±1次回
折光光軸と交わる直線にて分割される2つの領域の光強
度をそれぞれ検出して、各検出信号の和信号と差信号を
得、差信号を1個もしくは複数の戸波器に通し、F波器
後の差信号を適切な検出レベルで比較し、検出レベルを
こえる場合とこえない場合とでドロップアウトの要因分
別を行なうとともに、その分別結果にもとづき和信号の
検出レベルを切シ換えるものであも作 用 光ディスクのドロップアウト要因として基材内の遮光性
異物(以下基材内典物と呼ぶ)、案内溝上の傷や異物(
以下溝異常と呼ぶ)、記鎌膜内の異物やピンホール(以
下膜異常と呼ぶ)等の3つが考えられている。膜異常と
膜異常をまとめて記録面異常と呼ぶ。一般に基材内異物
による差信号は低周波でsb、記録面異常に゛よる差信
号は高周波となるため、低域通過F波器(以下LPFと
呼ぶ)後の差信号は基材内典物で振幅が大きく、記録面
異常では小さくなり、高域通過沖波器(以下HPFと呼
ぶ)後の差信号は基材内典物で小さく、記録面異常で大
きくなる。なお膜異常はその和信号におけるドロップア
ウト振幅が膜異常に比べ極めて大きいため、LPFによ
ってLPF後の差信号でもその振幅が大きくなる。以上
よILPFもしくはHPF後の差信号を適切な検出レベ
ルで比較することにより、その検出レベルをこえるか否
かで基材内典物、膜異常等の要因を分別することができ
、仁の分別結果KJニジ和信号の検出レベルを切シ換え
る。一般に記録再生光学系の円形状と−ムに比べ、楕円
状ビームは基材内典物に高感度な検出系となるため、基
材内異物との判定をうけたドロップアウトはその和信号
検出レベルを高くし、記録再生光学系との互換をとる。
実施例
本発明のドロップアウト検査装置の一実施例を第1図に
示す。レーザー光1はビームスプリッタ2により反射さ
れλ/4板3及び絞シレンズ4更に光デイスク基板6を
経て光デイスク記録面6に絞し込まれ、反射光は光デイ
スク基板6、絞りl/ンズ4、λ/4板3を経てビーム
スプリッタ2を透過し、凸レンズ7にて絞られ、分割ミ
ラー8により分割され、透過光側はナイフエッヂ9にて
一部遮光されてニアフィールド位置の2分割ディテクタ
ー10に集光され、反射光側はファーフィールド位置の
2分割ディテクター11に集光される0な −お
ディテクター10よシ焦点誤差信号を得で絞りレンズ4
を記録面6に追従させている。第2図はディテクター1
1上の反射光分布を示す説明図である。反射光は0次回
折光12、−1次回折光13、+1次回折光14等の集
まシであり、ディテクター11はその分割ライン16を
O次回針元12の光軸が通シ、±1次回折光の光軸と分
割ライン16が交わるように設置されている。第3図に
この実施例のドロ・ノブアウト検出回路を示す。セル1
1−a、11−bの出力信号をそれぞれva、vbとし
、加算器16により(va+vb)の和信号17を得る
。
示す。レーザー光1はビームスプリッタ2により反射さ
れλ/4板3及び絞シレンズ4更に光デイスク基板6を
経て光デイスク記録面6に絞し込まれ、反射光は光デイ
スク基板6、絞りl/ンズ4、λ/4板3を経てビーム
スプリッタ2を透過し、凸レンズ7にて絞られ、分割ミ
ラー8により分割され、透過光側はナイフエッヂ9にて
一部遮光されてニアフィールド位置の2分割ディテクタ
ー10に集光され、反射光側はファーフィールド位置の
2分割ディテクター11に集光される0な −お
ディテクター10よシ焦点誤差信号を得で絞りレンズ4
を記録面6に追従させている。第2図はディテクター1
1上の反射光分布を示す説明図である。反射光は0次回
折光12、−1次回折光13、+1次回折光14等の集
まシであり、ディテクター11はその分割ライン16を
O次回針元12の光軸が通シ、±1次回折光の光軸と分
割ライン16が交わるように設置されている。第3図に
この実施例のドロ・ノブアウト検出回路を示す。セル1
1−a、11−bの出力信号をそれぞれva、vbとし
、加算器16により(va+vb)の和信号17を得る
。
1だ減算器18により(va−vb)の差信号を得、L
PF19もしくはHFF21を経てLPF後差後置信号
20くはHPF後差後置信号22る。
PF19もしくはHFF21を経てLPF後差後置信号
20くはHPF後差後置信号22る。
第4図(a)はディテクター11上の基材的異物に!る
反射光強度分布に与える影響を示す説明図である。
反射光強度分布に与える影響を示す説明図である。
基材的異物による影はレーザー光の絞りレンズから記録
面までの往路において遮光され、溝面にて反射回折し、
復路にお・いて再度異物により遮光されるため、往路に
おける遮光影響はO次回針元での影響部23と一1次回
折光での影響部24として功われ、復路における遮光影
響部26は0次回針先での影響部23と光軸対称に現わ
れる。各影響部は光ディスクの回転とともに図中矢印の
如く移動する。なお、中1次回折光Vの影響部26は絞
シレンズ瞳径内蜘入らないためディテクター11上には
現われない3影響部23は影響部25とその光量変化量
かほぼ等しいが、影響部24がディテクター11上に現
われているため、差信号において第6図の)に示す如き
波形を生ず!。第6図(a)は瞳面3oから焦平面31
に至るまでのレーザービーム径を示しておシ、絞シレン
ズ焦点距離f。
面までの往路において遮光され、溝面にて反射回折し、
復路にお・いて再度異物により遮光されるため、往路に
おける遮光影響はO次回針元での影響部23と一1次回
折光での影響部24として功われ、復路における遮光影
響部26は0次回針先での影響部23と光軸対称に現わ
れる。各影響部は光ディスクの回転とともに図中矢印の
如く移動する。なお、中1次回折光Vの影響部26は絞
シレンズ瞳径内蜘入らないためディテクター11上には
現われない3影響部23は影響部25とその光量変化量
かほぼ等しいが、影響部24がディテクター11上に現
われているため、差信号において第6図の)に示す如き
波形を生ず!。第6図(a)は瞳面3oから焦平面31
に至るまでのレーザービーム径を示しておシ、絞シレン
ズ焦点距離f。
瞳径φaとすれば溝面から光学的距離2の位置でのビー
ム径はその長軸径がa z/ fであシ、光ディスクの
回転風速度全V、基材内異物径をφdとして差信号の;
パロッグアウト波形の時間幅は(t ・十d :)/v
となる。また2=0の時〈はビームスポット短軸径
をbとして(b+d)/vか時間幅となる。一般にz)
1μmであシNA(−a/δ)=o、sのもとてはb#
1μmとなるから(1十d)/v>’> (b 十d
) / vである。
ム径はその長軸径がa z/ fであシ、光ディスクの
回転風速度全V、基材内異物径をφdとして差信号の;
パロッグアウト波形の時間幅は(t ・十d :)/v
となる。また2=0の時〈はビームスポット短軸径
をbとして(b+d)/vか時間幅となる。一般にz)
1μmであシNA(−a/δ)=o、sのもとてはb#
1μmとなるから(1十d)/v>’> (b 十d
) / vである。
一方第4図中)は記録面異常による影響を示す説明図で
あり、0次回針先での影響部27と一1次回折光での影
響部28がディテクター11上に現われ、それぞれ図中
矢印の方向に移動するC、なお+1次回折針先の影響部
29はディテクター上には現われない。第6図(&)は
記録面異常の1つ膜異常の一例を示しており膜異常32
を有する案内溝33上をビームスボンド34が走査して
いる。(b)は和信号波形、(C)は差信号波形であシ
、差信号波形の時間幅はb/v に等しい・。従って
膜異常の時間巾す、/v を基材的異物の時間巾(了
+ d )と比較し、て(1十d)V>>b/v が成
り立ち、差信号は基材内異物が低周波、膜異常が高周波
と乃る。
あり、0次回針先での影響部27と一1次回折光での影
響部28がディテクター11上に現われ、それぞれ図中
矢印の方向に移動するC、なお+1次回折針先の影響部
29はディテクター上には現われない。第6図(&)は
記録面異常の1つ膜異常の一例を示しており膜異常32
を有する案内溝33上をビームスボンド34が走査して
いる。(b)は和信号波形、(C)は差信号波形であシ
、差信号波形の時間幅はb/v に等しい・。従って
膜異常の時間巾す、/v を基材的異物の時間巾(了
+ d )と比較し、て(1十d)V>>b/v が成
り立ち、差信号は基材内異物が低周波、膜異常が高周波
と乃る。
よって第3図のLPF19もしくはHFF21を設ける
ことに:す、LPF後の差信号は基材的異物で、振醪が
大きく、膜異常で小さくなり、HPF後の差信号は基材
的異物で小さく、膜異常で大きくなる。また膜異常は基
本的に、膜異常と同じであるが、和信号において膜異常
に比ベドロップアウト振@が極めて大きいため、LPF
によ・ってLPF襲の差信号が大きく出ることもある。
ことに:す、LPF後の差信号は基材的異物で、振醪が
大きく、膜異常で小さくなり、HPF後の差信号は基材
的異物で小さく、膜異常で大きくなる。また膜異常は基
本的に、膜異常と同じであるが、和信号において膜異常
に比ベドロップアウト振@が極めて大きいため、LPF
によ・ってLPF襲の差信号が大きく出ることもある。
第7図(a)は要因別の和信号波形を示す説明図であり
、(b) 、 (d)はLPF後の差信号、(c)はH
PF後の差信号を示している。基材内異物をイ、膜異常
を口、膜異常をハに示す。第7図(b)によりLPF後
の差り号ζ(±V、の検出レベルを設けることで基材的
異物イ及び膜異常ハが検出されるが、膜異常口は検出さ
れない。またLPHの特性を向上させることで第7図(
d)の如きLPF後差信号が得られた場合、±v1′の
検出レベルを設けることによって基材的異物イは検出さ
れるが、膜異常口、膜異常ハは検出されない。
、(b) 、 (d)はLPF後の差信号、(c)はH
PF後の差信号を示している。基材内異物をイ、膜異常
を口、膜異常をハに示す。第7図(b)によりLPF後
の差り号ζ(±V、の検出レベルを設けることで基材的
異物イ及び膜異常ハが検出されるが、膜異常口は検出さ
れない。またLPHの特性を向上させることで第7図(
d)の如きLPF後差信号が得られた場合、±v1′の
検出レベルを設けることによって基材的異物イは検出さ
れるが、膜異常口、膜異常ハは検出されない。
さらに第1図(C)によりHPF後の差信号に±v、′
の検出レベルを設けることで、膜異常口、膜異常ノ・は
検出されるが、基材的異物イは検出されない。
の検出レベルを設けることで、膜異常口、膜異常ノ・は
検出されるが、基材的異物イは検出されない。
なお第7図中) 、 (0)を併用することによりLP
F後差盾号すで検出、f(PF後差信号Cで未検出は基
材的異物、LPF後差信号すで未検出、f(PF後差信
号Cで検出は膜異常、LPF後差信号す。
F後差盾号すで検出、f(PF後差信号Cで未検出は基
材的異物、LPF後差信号すで未検出、f(PF後差信
号Cで検出は膜異常、LPF後差信号す。
HPF後差信号Cとも検出は膜異常と、全要因を分別す
ることもできる。第8図に円形ビームと楕円ビームの瞳
面から焦平面に至るまでのビーム形状を示す。楕円ビー
ムは瞳面上56から焦平面上57に、円形ビームは瞳面
上58から焦平面上59にそのビーム形状が変化する。
ることもできる。第8図に円形ビームと楕円ビームの瞳
面から焦平面に至るまでのビーム形状を示す。楕円ビー
ムは瞳面上56から焦平面上57に、円形ビームは瞳面
上58から焦平面上59にそのビーム形状が変化する。
なお断面60を境にして瞳面側では
円形ビーム断面積〉楕円形ビーム断面積焦平面側では
円形ビーノー断面績〈楕円形ビーム断面積となる。記録
面異常は焦平面もしくは断面60の焦平面側に存在し、
基材内異物は断面6oの焦平面側のみならず瞳面111
Jにも多く存在する。このため悄円状スポットを得るた
め楕円形ビームを用いれば、和信号におけるドロップア
ウト振幅が基材内異物と記録面異常とで感度が異なり、
円形ビームを用いた検出結果と対応がとれない。すなわ
ち記録面異常での感度を円形ビームを用いたものと等し
ぐずれば基材内異物の感度が大きくなる。従って前述の
如くF波器後の差信号によって得られた要因分別結果に
もとずき、第7図(a)に示す如く和信号の検出レベル
を切り換える。すなわち基材内異物と判定されたドロッ
プアウトの検出レベルを±1・2(基材内異物はその和
信号ドロップアウト波形が反射率低下方向にあるので、
検出レベルば72 のみでもよい。)とし、他の要因
と判定されたドロップアウトの検出レベルを±vs(7
2)Vs)0)とす°ることにより、円形ビームを用い
ている記録再生光学系との互換のとれるドロップアウト
検出が可能となる。なおビームスポットは第6図(a)
に示す如く、数トラツクにまたがる楕円状スポットであ
り、図中矢印の如くビームスポットを動かfことで高速
にドロップアウト検出を行なうことが出来る。
面異常は焦平面もしくは断面60の焦平面側に存在し、
基材内異物は断面6oの焦平面側のみならず瞳面111
Jにも多く存在する。このため悄円状スポットを得るた
め楕円形ビームを用いれば、和信号におけるドロップア
ウト振幅が基材内異物と記録面異常とで感度が異なり、
円形ビームを用いた検出結果と対応がとれない。すなわ
ち記録面異常での感度を円形ビームを用いたものと等し
ぐずれば基材内異物の感度が大きくなる。従って前述の
如くF波器後の差信号によって得られた要因分別結果に
もとずき、第7図(a)に示す如く和信号の検出レベル
を切り換える。すなわち基材内異物と判定されたドロッ
プアウトの検出レベルを±1・2(基材内異物はその和
信号ドロップアウト波形が反射率低下方向にあるので、
検出レベルば72 のみでもよい。)とし、他の要因
と判定されたドロップアウトの検出レベルを±vs(7
2)Vs)0)とす°ることにより、円形ビームを用い
ている記録再生光学系との互換のとれるドロップアウト
検出が可能となる。なおビームスポットは第6図(a)
に示す如く、数トラツクにまたがる楕円状スポットであ
り、図中矢印の如くビームスポットを動かfことで高速
にドロップアウト検出を行なうことが出来る。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、記録再生用光
学系と互換のとれるドロップアウト検査を高速に行なう
ことが可能となり、ドロップアウト検査装置としてきわ
めて有用である。
学系と互換のとれるドロップアウト検査を高速に行なう
ことが可能となり、ドロップアウト検査装置としてきわ
めて有用である。
第1図は本発明の一実施例におけるドロップアウト検査
装置の原理図、第2図は同装置のディチクf−上反射光
分布を示す図、第3図は同装置のドロップアウト検出回
路ブロック図、第4図(a)。 (b)はそ九ぞれ基材内異物、記録面異常の反射光分布
に与える影響を示す図、第5図(a)はレーザービーム
径を示す図:(b)は基材内異物の差信号波形図、第6
図(a)は膜異常の一例を示す図、Φ)はその和信号波
形図、(C)はその差信号波形図、第7図(a)は要人 国別の和信号波形図、伽)及び(ム)はLPF後差信号
波形図、(C>はHPF後差信号波形図、第8図は円形
ビームと楕円形ビームのビーム径を示す説明図、第9図
は従来の1°ロソプアウト検査装置の原理図、H2O図
はそのドロップアウト検出回路のブロック図、第11図
は他の従来のドロップアウト検査装置の原理図、第12
図はそのビームスポットを示す説明図である。 1・・・・・・レーザー光、2・・・・・・ビームスプ
リッタ、3・・・・・・λ/′4板、4・・・・・・絞
りレンズ、6・・・・・・基板、6・・・・・・記録面
、7・・・・・・凸レンズ、8・・・・・・ハーフミラ
−19・・・・・・ナイフエッヂ、10.11・・・・
・・ディテクター、16・・・・・・加算器、17・・
・・・・和信号、18・・・・・・減算器、19・・・
・・・LPF(低域通過F波器)、2o・・・・・・L
PF後差信号、21・・・・・・HPF(高域通過ろ波
器)、22・・・・・・HPF後差信号。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1 図 居テ島チクター 第3図 第5図 第7図 第8図 、り8 第9(2! 第11図 第12図
装置の原理図、第2図は同装置のディチクf−上反射光
分布を示す図、第3図は同装置のドロップアウト検出回
路ブロック図、第4図(a)。 (b)はそ九ぞれ基材内異物、記録面異常の反射光分布
に与える影響を示す図、第5図(a)はレーザービーム
径を示す図:(b)は基材内異物の差信号波形図、第6
図(a)は膜異常の一例を示す図、Φ)はその和信号波
形図、(C)はその差信号波形図、第7図(a)は要人 国別の和信号波形図、伽)及び(ム)はLPF後差信号
波形図、(C>はHPF後差信号波形図、第8図は円形
ビームと楕円形ビームのビーム径を示す説明図、第9図
は従来の1°ロソプアウト検査装置の原理図、H2O図
はそのドロップアウト検出回路のブロック図、第11図
は他の従来のドロップアウト検査装置の原理図、第12
図はそのビームスポットを示す説明図である。 1・・・・・・レーザー光、2・・・・・・ビームスプ
リッタ、3・・・・・・λ/′4板、4・・・・・・絞
りレンズ、6・・・・・・基板、6・・・・・・記録面
、7・・・・・・凸レンズ、8・・・・・・ハーフミラ
−19・・・・・・ナイフエッヂ、10.11・・・・
・・ディテクター、16・・・・・・加算器、17・・
・・・・和信号、18・・・・・・減算器、19・・・
・・・LPF(低域通過F波器)、2o・・・・・・L
PF後差信号、21・・・・・・HPF(高域通過ろ波
器)、22・・・・・・HPF後差信号。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1 図 居テ島チクター 第3図 第5図 第7図 第8図 、り8 第9(2! 第11図 第12図
Claims (3)
- (1)案内溝の形成された記録媒体の面にレーザー光を
前記案内溝を短軸方向とする楕円状に絞って照射するこ
とにより得られる反射光を集光する絞りレンズと、前記
反射光により焦点誤差信号を得て焦点制御を行なう手段
と、前記反射光の0次回折光光軸と直交し±1次回折光
光軸と交わる直線にて分割される前記反射光の2つの領
域の光強度をそれぞれ検出し各検出信号の和信号と差信
号を得る手段とを備え、差信号を1個もしくは複数のろ
波器に通し、ろ波器後の差信号を適切な検出レベルで比
較判別し、前記ろ波器後の差信号がその検出レベルをこ
える場合とこえない場合とに応じて、和信号の検出レベ
ルを切り換えることを特徴とするドロップアウト検査装
置。 - (2)ろ波器に低域通過ろ波器を用い、この低域通過ろ
波器後の差信号がその検出レベル±v_1をこえる場合
の和信号検出レベルを±v_2とし、こえない場合の和
信号検出レベルを±v_3とし、v_2>v_3>0に
設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
ドロップアウト検査装置。 - (3)ろ波器に高域通過ろ波器を用い、この高域通過ろ
波器後の差信号がその検出レベル±v_1′をこえる場
合の和信号検出レベルを±v_3とし、こえない場合の
和信号検出レベルを±v_2とし、v_2>v_3>0
に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のドロップアウト検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210783A JPH0650565B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ドロツプアウト検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210783A JPH0650565B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ドロツプアウト検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271032A true JPS6271032A (ja) | 1987-04-01 |
| JPH0650565B2 JPH0650565B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=16595060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210783A Expired - Lifetime JPH0650565B2 (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ドロツプアウト検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0650565B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666110B2 (en) | 2003-03-26 | 2010-02-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Control system for power transmission mechanism |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210783A patent/JPH0650565B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666110B2 (en) | 2003-03-26 | 2010-02-23 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Control system for power transmission mechanism |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0650565B2 (ja) | 1994-06-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890004754B1 (ko) | 광헤드 | |
| JPS6271032A (ja) | ドロツプアウト検査装置 | |
| US4633454A (en) | Optical information pickup apparatus | |
| JP3397880B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH0212624A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPS6271031A (ja) | ドロツプアウト検査装置 | |
| JPS6273428A (ja) | ドロツプアウト検査装置 | |
| US5033042A (en) | Optical apparatus for optical pickup | |
| JPS5954039A (ja) | 光学ヘツド | |
| JPS6271033A (ja) | ドロツプアウト検査装置 | |
| JPS61230633A (ja) | 焦点位置検出装置 | |
| JPH04125826A (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JPS6245614B2 (ja) | ||
| KR970012401A (ko) | 고밀도 기록재생을 위한 광픽업 | |
| JPS63146253A (ja) | 光学的記録媒体検査装置 | |
| JP2879601B2 (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JPH0433549Y2 (ja) | ||
| JPS60258739A (ja) | フオ−カシング誤差検出装置 | |
| KR930002128Y1 (ko) | 촛점생성과 에러검출을 겸한 광픽업대물렌즈 | |
| JPS6273427A (ja) | ドロツプアウト検査装置 | |
| JPH02210625A (ja) | 光ピックアップ | |
| JPH0646463B2 (ja) | 光ピツクアツプ装置 | |
| JPH0482024A (ja) | 光学式ディスクプレーヤのトラッキングエラー信号生成装置 | |
| JPS6292137A (ja) | 光学的トラツク位置検出装置 | |
| JPH06119653A (ja) | 光ヘッド装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |