JPS6271087A - イオン注入バブルメモリ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気バブルメモリ素子に関し、特に動作特性を
改善したイオン注入磁気パブルメそり素千罠関する。

（従来の技術） イオン注入磁気バブルメモリ素子は高度が微細加工技術
を必要とせずに高密度化、大容量化が笑現できるものと
して近年注目を集めている。磁気バブルメモリ素子の場
合一般的には発生器、検出器を有するメジャー転送路と
転送ループ群よりなるマイナー転送路を有するメジャー
・マイナー構成が採用されている。イオン注入磁気パブ
、３．　／　％り素子にｂいては例えばアイイーイーイ
ーΦトランメアクシ菅ンズ・オン・マグネチフス（ＩＩ
ＵＢＩｉＴｒａｎｓａＣｔｉｏｎｓ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅ
ｔｉｃｓ）Ｍａｇ−２０巻、５号。

１９８４年、９月、　１０７２〜１０７４ページ；（構
成及び特性が示されている。第７図はドメイン径１７ｍ
、標準パターンピッチ４μ風のバブルメモリ素子に用い
比上記文献に示されていると同様のメジャーｅマイナー
間トランスファーゲート部を示す図であり、ｌＦｉメジ
ャー転送路であり直線状に接続されたディスクパターン
によりできている。２ｒｔマイナー転送路であり同様な
ディスクパターンからなりコーナーパターンがメジデー
転送路と隣接している。３はメジャー・マイナー転送路
間の双方向トランスファー動作を行なうためのコンダク
タパターンであり帯状導体に両側から切れ込み部を入れ
た形をしている。従来メジャー及マイナー転送路間の位
置関係はメジャー・マイナー転送路間のトランスファー
動作が容易であるとしてマイナー転送路の長手方向中心
線をメジャー転送路のディスクパターンの山頂を通り且
つ長手方向に垂直力ｆｉｌＫ一致させるのが通例である
。ここでパズル動作は第７図に示される様に面内回転磁
界ＨＲの回転に伴い生ずるチャージドウオールの動きに
従って磁気バブルは転送パターン端部に沿って矢印２１
の方向に転送される。メジャー転送路からマイナー転送
路へのトランスファー（トランスファーイン）の場合磁
気バブルが山頂部１２に来たときに１３の部分に引力が
、１′４の部分に反発力が動く様にコンダクタパターン
／にパルス電流を流ずと磁気バブＡ−は１３の部分に引
き込まれる。その後チ却−ジドウｔ−ルが１５付近に来
たときにパルス電流を切るとその後はチャージドウオー
ルの動きに従ってマイナー転送路上を矢印２３の方向に
転送される。一方マイナー転送路からメジャー転送路へ
のトランスファー（トランスファーアウト）の場合はマ
イナー転送路上を矢印２４の様に転送されて来た磁気バ
ブルが１６の位置に来たときに１４の部分に引力が、１
３の部分に反発力が生じる様にパルス電流を流すと磁気
バブルａ１４の部分に引き込まれ、パルス電流を切っ九
後は１フから２１の方向に転送される。

（発明が解決しようとする問題点） しかし表から、前述の様な配置の場合、トランスファー
アウトにおいてパルス電流振幅を十分大きくしがいとバ
イアス磁界マージンの上限が悪いという問題がある。こ
の理由はパルス電流振幅が小さく生ずる磁場勾配が小さ
い場合バブルは第７図１４の部分に引き込まれず矢印２
５の方向く飛び出し、正常動作におけるときより１ビツ
トうしろの谷部１８に落ち込むエラーが生じやすいから
である。又、製造上コンダクタパターンが転送路に対し
てメジャー転送路の転送方向と逆の方向に少しで亀ずれ
るとマージンが急激に劣化することが認められた。これ
は前述の様なエラーが増々生じやすくなるためである。

この様に従来構成のバブルメモリ素子において社十分な
トランスファーゲート特性が得られず、“　コンダクタ
パターンの０合せず九に対する余裕度も小さいという欠
点があフた。

本発明はこの様々問題点全解決したイオンバブルメモリ
素子を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明のイオン注入バブルメモリ素子は、イオン注入法
を用いて作られた連続かつ直列に配されたパターンより
なる第１の転送路と第２の転送路があり、第２の転送路
のコーナーパターンが第１の転送路と所定の間隔で隣接
しており、第１及び第２の転送路間のトランスファー動
作用コンダクタパターンを有するイオン注入バブルメモ
リ素子にお込て、第２の転送路の長て方向中心線がコー
ナー・パターンに隣接した第１Ｃ転送路のパターン山頂
に対して第１の転送路の第２の転送路側の転送方向に第
１の転送路の平均パターンピッチの一以上い未満ずれて
いることを％徴とするものである。

ここで、第１の転送路に対する第２の転送路のずれはバ
ブル径の約いあれば有効であるのでパターンピッチの一
以上が必要である。しかし、ずれがパターンピッチのい
以上にカるとトランスファーイン特性がかえって悪く彦
るので好ましくない。− （作用） 本発明の様にｍｌの転送路の転送方向に第２の転送路が
ずれている場合、トランス７アーアウトにおいてコーナ
ーパターンから飛び出しｆｃ　バブルが１ビツトうしろ
側の谷部に飛び込みにくいので電流振幅が比較的小さい
場合でも安定したパイアスミ界マージンが得られる様に
なる。又、製造上コンダクタパターンの転送路罠対する
目合せずれが第１の転送路の転送方向と逆側にずれても
第り及び第２の転送路間のずれより小さいならば急激に
バイアス磁界マージンが劣化することに々い。

（実施例） 第１図は本発明ｔ−１／ｊｍバブル径の素子に適用した
第１の実施例であり、メジ〜−・マイナーループ間トラ
ンスファーゲート部分１示す。１はメジ１−転送路であ
り大小交互のディスクパターンより危るが平均ピッチは
４μ風である。２Ｆｉマイナー転送路より々す４Ｐビフ
チパター７とコーナーパターンからなる。３はトランス
ファーゲート用コンダクタであり帯状パターンに両側か
ら切れ込みを入れた形をしている。これらはｆａＴ図く
示した従来例と同じ形をしているが、マイナー転送路を
メジャー転送路に対してメジャー転送路転送方向２１側
に図中２２の様に１μ凰平行移動し、コンダクタパター
ンも同様に１μ凰ずらせたものテする。第２図はトラン
スファーアウトのバイアス磁界（Ｈａ）マージンのパル
ス電流振４９！（Ｉ）依存を示すもので実施例１ｔ−実
線、比較のため従来例を破線で示した。図から明らがな
ように本実施例においては低振幅側における高バイア′
ス磁界部のマージンの改善が顕著である。第３図は同様
化トランスフ゛ｒ−・インのマージンを比較したもので
あるが、やはり本実施例の方がマージンが良くなってい
る。これはバブルがメジャー転送路のパターン山頂から
ノツチ部に飛び込みやすくなったからである。第４図は
メジャー転送路を転送するバブルのバイアス磁界（ＨＢ
）マージンの面内回転磁界（ＨＲ）依存を比較したもの
である。図かられかる様に本実施例の場合バイアス磁界
下限の、マージンが改善されている。従来例が悪い原因
はパズルがディスクパターンを登るときにマイナー転送
路のコーナーパターン側に飛び移る工２−が生じる沈め
である。この様に本発明によればトランスファーアウト
ミージンが改善されるだけでなくトランスファーイン及
び転送マージンも改善されるので非常に有効である。従
来においてはコンダクタパターンの目合せずれがメジャ
ー転送路転送方向の逆方向にずれ穴場合極端にマージン
が悪くな９試作チップの約手数が満足なゲート動作がで
きなかったが本実施例においてはこの様なチッン０がな
く製造プロセス的にも強！ヘパプルメモリ素子とするこ
とができた。

第５図は本発明を１１１ｒｌＬバブル素子に適用した゛
第２の実施例を示す。メジャー転送路ｌ及びマイナー転
送路２は標準パターンピッチ４μｍのディスクパターン
で形成し、メジャー転送路に対するマイナー転送路のず
れｌｌ１１．５μ隅とした。又、コンダクタパターンは
蛇向状のものを月いている。

この様な場合においても従来の様にメジャー転送路罠対
するマイナー転送路のずれが々い場合と比べてトランス
ファーアウトのマージン及びメジャー転送路の転送マー
ジンを改善できる。

第６図は本発明ｔ−１Ａｓパズル素子に適用しｔ第３の
実施例である。本実施例ではメジャー転送路及びマイナ
ー転送路２は山形パターンを用いでいるが他は第１の実
施例と同様である。この場合ＫｊｉＰいても前述と同様
のマージン改善効果がある。

（発明の効果） 以上述べた様に本発明においてはトランス７フーイン特
性、メジャー転送路の転送特性が改善され、又、トラン
ス７フーイン特性も良くできるので効果が著しい。又、
製造玉虫ずる転送路、コンダクタパターン間の目合せず
れに対するトランスファー特性の安定度も大きくでき非
常に有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図、第５図、第６図は本発明によるメジャー・マイ
ナーゲート部の実施例の構成図である。 第２図は一トランスファーアウトマージンを示す図、第
３図はトランスファーインマージンを示す図、第４図は
メジャーループ転送マージンを示す図である。第７図は
従来のメジャー−マイナーゲート部の構成図である。 図において １・・・メジャー転送路、２・・・マイナー転送路、３
・・・コンダクタパターン、１１・・・マイナー転送路
の長て方向中心線、１２・・・コーナーパターンに隣接
し几メジャー転送路山頂、２２・・・メンヤー転送路に
対するマイナー転送路のずれ、２１　＠　２３　ｇ２４
・・・バブル転送方向。 フイ九１１ｉ１差路、１９１′ゴ１ 手　５　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. イオン注入法を用いて作られた連続かつ直列に配された
   パターンよりなる第１の転送路と第２の転送路があり、
   前記第２の転送路のコーナーパターンが前記第１の転送
   路と所定の間隔で隣接しており、前記第１及び第２の転
   送路間にトランスファー動作用コンダクタパターンを有
   するイオン注入バブルメモリ素子において、前記第２の
   転送路の長手方向中心線が前記コーナーパターンに隣接
   した前記第１の転送路のパターン山頂に対して前記第１
   の転送路の前記第２の転送路側の転送方向（前記第１の
   転送路の平均パターンピッチの１／８以上１／２未満ず
   れていることを特徴とするイオン注入バブルメモリ素子
   。