JPS6271270A - 赤外線検出器およびその製造方法 - Google Patents
赤外線検出器およびその製造方法Info
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- JPS6271270A JPS6271270A JP60211538A JP21153885A JPS6271270A JP S6271270 A JPS6271270 A JP S6271270A JP 60211538 A JP60211538 A JP 60211538A JP 21153885 A JP21153885 A JP 21153885A JP S6271270 A JPS6271270 A JP S6271270A
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/184—Infrared image sensors
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は赤外線検出素子と信号処理用の半導体素子を
合体した赤外線検出器お工びその製造方法に関するもの
である。
合体した赤外線検出器お工びその製造方法に関するもの
である。
（従来の技術）
Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅ （α１ｓ＜ｘ＜α４）のｐｎダ
イオードは光起電力形の赤外線検出素子であシ、これを
複数個用いて１次元ないし２次元的に配列し、赤外線画
像を得る検出器として用いられる。こうした赤外線検出
器を動作させる場合、更に信号処理回路、具体的には個
々のｐｎダイオードの信号出力を時系列的に読み出すた
めのＣＯＤ−ＰＭＯＳスイッチアレー等のマルチプレク
サや、微弱な信号出力を増幅するプリアンプや、より高
度の種々の信号処理回路等が必要である。しかし、こう
した信号処理機能を赤外線検出素子材料である）Ｉｇｌ
−。
イオードは光起電力形の赤外線検出素子であシ、これを
複数個用いて１次元ないし２次元的に配列し、赤外線画
像を得る検出器として用いられる。こうした赤外線検出
器を動作させる場合、更に信号処理回路、具体的には個
々のｐｎダイオードの信号出力を時系列的に読み出すた
めのＣＯＤ−ＰＭＯＳスイッチアレー等のマルチプレク
サや、微弱な信号出力を増幅するプリアンプや、より高
度の種々の信号処理回路等が必要である。しかし、こう
した信号処理機能を赤外線検出素子材料である）Ｉｇｌ
−。
Ｃｄ、Ｔｅで実現することは非常に困廟であり、このた
め、信号処理回路はＳｉ基板上に形成し、個々のＨｇ１
−ｘｃａｘＴｅ ｐ ｎダイオードと電気的に接続して
いる。この接続の方法として、従来は例えばプロシープ
４７グズ・オプｍ ８ＰＩＢ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ８ＰＩＥ）の４４３巻の１２１頁に発表されたｊ
＠３図に示すような半導体素子２１とｐｎダイオードか
らなる赤外線検出素子２２０両者をＩｎの柱２８で結合
する方法が行なわれていた。賞、この例ではＨｇ１−ｘ
ｃｄｌＴｅのｐｎダイオードは同一のＣｄＴｅ基板上に
エピタクシャル成長させてから配列状に形成されたもの
である。
め、信号処理回路はＳｉ基板上に形成し、個々のＨｇ１
−ｘｃａｘＴｅ ｐ ｎダイオードと電気的に接続して
いる。この接続の方法として、従来は例えばプロシープ
４７グズ・オプｍ ８ＰＩＢ（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ
ｏｆ ８ＰＩＥ）の４４３巻の１２１頁に発表されたｊ
＠３図に示すような半導体素子２１とｐｎダイオードか
らなる赤外線検出素子２２０両者をＩｎの柱２８で結合
する方法が行なわれていた。賞、この例ではＨｇ１−ｘ
ｃｄｌＴｅのｐｎダイオードは同一のＣｄＴｅ基板上に
エピタクシャル成長させてから配列状に形成されたもの
である。
（発明が解決しようとする問題点）
Ｌ、かじ、この方法では画素数、すなわちｐｎダイオー
ドの配列数の多いものを製造することは非常に困難であ
る。上記の構成を製造するにはＳｉ基板上の接続点なり
し、Ｈｇｒ−ｘｃａｘＴｅ ｐ ｎダイオードにＩｎの
バンプを設は両者を熱圧着するのであるが、例えば６４
ｘ６４画素の場合接続点数は４０００点を超しており、
Ｉｎ表面の酸化や、基板のノリ等による加圧ムラ等のた
め、すべての点で接続不良を生じないようにすることは
国産となっている。一方、こうした赤外線検出器を利用
する面ではよシ画素数の多いものが必要となっており、
その実現のためにはこの相互接続方法の改善が不可欠と
なっている。
ドの配列数の多いものを製造することは非常に困難であ
る。上記の構成を製造するにはＳｉ基板上の接続点なり
し、Ｈｇｒ−ｘｃａｘＴｅ ｐ ｎダイオードにＩｎの
バンプを設は両者を熱圧着するのであるが、例えば６４
ｘ６４画素の場合接続点数は４０００点を超しており、
Ｉｎ表面の酸化や、基板のノリ等による加圧ムラ等のた
め、すべての点で接続不良を生じないようにすることは
国産となっている。一方、こうした赤外線検出器を利用
する面ではよシ画素数の多いものが必要となっており、
その実現のためにはこの相互接続方法の改善が不可欠と
なっている。
本発明の目的は上述した従来の問題点を解決し赤外線検
出素子と半導体素子との結合の際の接触不良を大幅に改
善し、より画素数の多い赤外線検出器ν工びその製造方
法を提供することにある。
出素子と半導体素子との結合の際の接触不良を大幅に改
善し、より画素数の多い赤外線検出器ν工びその製造方
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段〉
本発明の第１の発明の赤外線検出器は、Ｈｇｘ −ｘＣ
ｄｘＴｅのｐｎダイオードから成る赤外線検出素子と信
号処理回路を形成した半導体素子とを合体した赤外線検
出器において、前記ｐｎダイオードのｎ形部分が前記半
導体素子上に設けられた高濃度ｎ形領域上に直接形成さ
れることにより構成される０ また、本発明の第２の発明の赤外線検出器の製造方法は
、赤外線検出素子を結合する半導体素子の高濃度ｎ形領
域上の絶縁層を除去する工程と、該絶縁層の除去された
高濃度ｎ形領域を含む表面にｎ形の第１のＨｇｘ−ｘｃ
ｄ、Ｔｅ単結晶層をエピタキシャル成長する工程と、該
ｎ形の第１の）Ｉｇｌ−ｘＣｄ、Ｔｅ単結晶層上にｐ形
の第２のＨｇｘ−ｘＣｄｘＴｅ単結晶層をエピタキシャ
ル成長する工程と、該ｐ形の第２及び前記ｎ形のｇｌの
Ｈｇ １−ｘ ｃａ ｘ Ｔｅの単結晶層の不要部分を
除去する工程とを含むことにより構成される。
ｄｘＴｅのｐｎダイオードから成る赤外線検出素子と信
号処理回路を形成した半導体素子とを合体した赤外線検
出器において、前記ｐｎダイオードのｎ形部分が前記半
導体素子上に設けられた高濃度ｎ形領域上に直接形成さ
れることにより構成される０ また、本発明の第２の発明の赤外線検出器の製造方法は
、赤外線検出素子を結合する半導体素子の高濃度ｎ形領
域上の絶縁層を除去する工程と、該絶縁層の除去された
高濃度ｎ形領域を含む表面にｎ形の第１のＨｇｘ−ｘｃ
ｄ、Ｔｅ単結晶層をエピタキシャル成長する工程と、該
ｎ形の第１の）Ｉｇｌ−ｘＣｄ、Ｔｅ単結晶層上にｐ形
の第２のＨｇｘ−ｘＣｄｘＴｅ単結晶層をエピタキシャ
ル成長する工程と、該ｐ形の第２及び前記ｎ形のｇｌの
Ｈｇ １−ｘ ｃａ ｘ Ｔｅの単結晶層の不要部分を
除去する工程とを含むことにより構成される。
（作用）
ｉ（ｇｔ−２ｃｄｚＴｅのｐｎダイオードはｎ形部分が
直接に半導体素子基板の高濃度ｎ形領域上にエピタキシ
ャル成長したものであり、またｐｎダイオードのｎ形層
を十分高濃度とすることによって両者は金属的となり、
機械的にも電気的にもよく結合される。更に、機械的な
圧着とは異なり画素数への制約はない。
直接に半導体素子基板の高濃度ｎ形領域上にエピタキシ
ャル成長したものであり、またｐｎダイオードのｎ形層
を十分高濃度とすることによって両者は金属的となり、
機械的にも電気的にもよく結合される。更に、機械的な
圧着とは異なり画素数への制約はない。
製造方法として、半導体素子の高濃度ｎ形領域上の絶縁
層を除去して半導体結晶面を露出させることにより、電
気的接続と共にエピタクシャル成長の基板として利用す
る。エピタクシャル成長させたｎ形のＨｇ １−ｘ ｃ
ａｘ Ｔｅ単結晶層（以下Ｈｇ１−。
層を除去して半導体結晶面を露出させることにより、電
気的接続と共にエピタクシャル成長の基板として利用す
る。エピタクシャル成長させたｎ形のＨｇ １−ｘ ｃ
ａｘ Ｔｅ単結晶層（以下Ｈｇ１−。
Ｃｄ、Ｔｅ層と記す）は半導体素子基板との界面では格
子不整合による欠陥が発生するのであるが、５〜１０μ
ｍ程度成長させた部分ではこうした欠陥は殆んどなく、
更にこの上に成長させたｐ形のＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅ層
の結晶性も十分なものとなる。
子不整合による欠陥が発生するのであるが、５〜１０μ
ｍ程度成長させた部分ではこうした欠陥は殆んどなく、
更にこの上に成長させたｐ形のＨｇ１−ｘＣｄｘＴｅ層
の結晶性も十分なものとなる。
Ｈｇ１−ｘＣｄｘＴｅのｐｎダイオードの暗電流等の特
性は主としてｐｎ接合面、及びｐ形層の結晶性できまり
、従ってこうして製造したｐｎダイオードの特性の劣化
はない。更に、絶縁層におおわれた部分でにエピタキシ
ャル成長はおこりに＜＜、多結晶となってｐｎダイオー
ドの特性劣化の原因となるのでおるが、その部分を除去
することにより特性劣化が防止される。７７４、Ｈｇ５
−エＣｄｘＴｅエピタクシャル層の成長温度は４００℃
〜５００℃と比較的低いため、を九Ｈｇ１−ｘｃｄ、Ｔ
ａのｎ形層の濃度を高くしておくことによシ、半導体素
子の高濃度ｎ形領域中の不純物の拡散によるＨｇ１−２
ｃｄｘＴｅ層への影響は無視できる。
性は主としてｐｎ接合面、及びｐ形層の結晶性できまり
、従ってこうして製造したｐｎダイオードの特性の劣化
はない。更に、絶縁層におおわれた部分でにエピタキシ
ャル成長はおこりに＜＜、多結晶となってｐｎダイオー
ドの特性劣化の原因となるのでおるが、その部分を除去
することにより特性劣化が防止される。７７４、Ｈｇ５
−エＣｄｘＴｅエピタクシャル層の成長温度は４００℃
〜５００℃と比較的低いため、を九Ｈｇ１−ｘｃｄ、Ｔ
ａのｎ形層の濃度を高くしておくことによシ、半導体素
子の高濃度ｎ形領域中の不純物の拡散によるＨｇ１−２
ｃｄｘＴｅ層への影響は無視できる。
（実施例）
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の２次元配列屋の赤外線検出
素子の１画素を示す断面図である。ｓ１図に示すように
、半導体素子１はこの図には示してはいないが、配列さ
れ九Ｈｇｘ−ｘＣｄｘＴｅのｐｎダイオードからの信号
を時系列的にとり出すためのＣＯＤ−？ＭＯＳスイッチ
アレー等のマルチプレクサ回路、プリアンプや積分アン
プ等の増幅回路、等の信号処理回路が形成されたもので
ある。ｐｎダイオード２からの信号の入力部として高濃
度ｎ形領域３が設けられており、ここにｎ形のＨｇ１−
ｘＣｄｘＴｅ（単結晶）層５が直接形成され、更にその
上部のｐ形のＨｇ５−ｘＣｄｘＴｅ （単結晶）層６と
でｐｎダイオードを形成している。また、この図には示
していないが、ｐ形のＨｇｒ−ｘｃｄ、Ｔｅ層６には電
極を形成し、各画素について同電位とする。こうして、
上方から入射した赤外線はｐ形のＨｇ１−１ｃｄｘＴｅ
層６で吸収され励起された鬼子がｎ形のＨｇ１−ｘＣｄ
ｘＴｅ層５ｉ通して半導体素子ｌの入力部すなわち高濃
度ｎ形領域３に注入される。ここで波長１０μｍ程度の
赤外線を検出する場合、Ｈｇ １−ｘＣｄｘＴｅの組成
比Ｘはα２とすればよい。またｎ形の）ｉｇｌ−ｘＣｄ
、Ｔｅ層５の厚さは５〜ｌＱＪｍ、 ドナー＃＆度は１
０ ” ７７ａｍ”程度おれは十分である。更にｐ形の
Ｈｇ５−ｘＣｄｚＴｅ層６に検出しようとする波長の赤
外ＭＡ７が吸収されるのに必要十分な厚さにすれはよ＜
、１０〜２０μｍとすればよい。半導体素子の基板材料
としてはＳｉないしＧａＡｓ、Ｉｎ８ｂ 等を使用する
ことができる。
素子の１画素を示す断面図である。ｓ１図に示すように
、半導体素子１はこの図には示してはいないが、配列さ
れ九Ｈｇｘ−ｘＣｄｘＴｅのｐｎダイオードからの信号
を時系列的にとり出すためのＣＯＤ−？ＭＯＳスイッチ
アレー等のマルチプレクサ回路、プリアンプや積分アン
プ等の増幅回路、等の信号処理回路が形成されたもので
ある。ｐｎダイオード２からの信号の入力部として高濃
度ｎ形領域３が設けられており、ここにｎ形のＨｇ１−
ｘＣｄｘＴｅ（単結晶）層５が直接形成され、更にその
上部のｐ形のＨｇ５−ｘＣｄｘＴｅ （単結晶）層６と
でｐｎダイオードを形成している。また、この図には示
していないが、ｐ形のＨｇｒ−ｘｃｄ、Ｔｅ層６には電
極を形成し、各画素について同電位とする。こうして、
上方から入射した赤外線はｐ形のＨｇ１−１ｃｄｘＴｅ
層６で吸収され励起された鬼子がｎ形のＨｇ１−ｘＣｄ
ｘＴｅ層５ｉ通して半導体素子ｌの入力部すなわち高濃
度ｎ形領域３に注入される。ここで波長１０μｍ程度の
赤外線を検出する場合、Ｈｇ １−ｘＣｄｘＴｅの組成
比Ｘはα２とすればよい。またｎ形の）ｉｇｌ−ｘＣｄ
、Ｔｅ層５の厚さは５〜ｌＱＪｍ、 ドナー＃＆度は１
０ ” ７７ａｍ”程度おれは十分である。更にｐ形の
Ｈｇ５−ｘＣｄｚＴｅ層６に検出しようとする波長の赤
外ＭＡ７が吸収されるのに必要十分な厚さにすれはよ＜
、１０〜２０μｍとすればよい。半導体素子の基板材料
としてはＳｉないしＧａＡｓ、Ｉｎ８ｂ 等を使用する
ことができる。
第２図（ａ）〜（ｄ）は上記の赤外線検出素子の製造方
法を説明するために工程順に示した断面図である０但し
、本発明では半導体素子上にＨｇｘ−ｘＣｄｘＴｅのｐ
ｎダイオードを形成することが特徴であり、ここではそ
の工程のみを説明する。
法を説明するために工程順に示した断面図である０但し
、本発明では半導体素子上にＨｇｘ−ｘＣｄｘＴｅのｐ
ｎダイオードを形成することが特徴であり、ここではそ
の工程のみを説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、半導体素子１１の高
濃度ｎ形領域１２上の絶縁層１３をエツチング除去する
。
濃度ｎ形領域１２上の絶縁層１３をエツチング除去する
。
次に、４２図俤）に示すように、ｎ形のＨｇ １− ｘ
ＣｄｘＴｅＭ １４ ｋ表面にエピタクシャル成長させ
る。
ＣｄｘＴｅＭ １４ ｋ表面にエピタクシャル成長させ
る。
この成長法としては周知の液相エピタククヤル法や、Ｍ
ＯＣＶＤ法が可能である□ｎ形の形ｒ！！、はエビタク
７ヤル成長と同時にしても、また成長後に拡散させるの
であってもよ＜、Ｈｇｆｆ１による制御、ないしはｉ’
ｄ、 ＋８ ｉ等の不純物を導入することで所定のドナ
ーＡ度とすればよい。
ＯＣＶＤ法が可能である□ｎ形の形ｒ！！、はエビタク
７ヤル成長と同時にしても、また成長後に拡散させるの
であってもよ＜、Ｈｇｆｆ１による制御、ないしはｉ’
ｄ、 ＋８ ｉ等の不純物を導入することで所定のドナ
ーＡ度とすればよい。
次に、′４２図（Ｃ）に示”ｒ工うに、ｐ形のＨｇｔ−
ｘＣｄｘＴａ層１５をエピタクシャル成長させる。この
ｐ形の形成もやはりエビタクシャ形成長時ないし成長後
に行なえばよく、ｉ（ｇ ｉｌによる制御やＭ。
ｘＣｄｘＴａ層１５をエピタクシャル成長させる。この
ｐ形の形成もやはりエビタクシャ形成長時ないし成長後
に行なえばよく、ｉ（ｇ ｉｌによる制御やＭ。
ｐ等の不純物によって形成でき・る。ここで、Ｈｇ１−
ｘＣｄｘＴｅのエビタク／ヤル成長温度ｔ’１４０００
〜ｓｏｏ”ｃ程度であり半導体素子の高濃度ｎ形領域１
２の不純物、例えば８ｉ基板であれば、−等や、Ｈｇｘ
−１ｃｄｘＴｅのｎ形１ａ１４の不純物紅やＳｉの拡散
の影響は殆んどなく、また、ｐ形層の不純物のｎ形層へ
の拡散についてもｎ形層の濃度が高いため影響は無視で
きる。
ｘＣｄｘＴｅのエビタク／ヤル成長温度ｔ’１４０００
〜ｓｏｏ”ｃ程度であり半導体素子の高濃度ｎ形領域１
２の不純物、例えば８ｉ基板であれば、−等や、Ｈｇｘ
−１ｃｄｘＴｅのｎ形１ａ１４の不純物紅やＳｉの拡散
の影響は殆んどなく、また、ｐ形層の不純物のｎ形層へ
の拡散についてもｎ形層の濃度が高いため影響は無視で
きる。
こりしたエビタクシャ形成長時には第２図（ｂ）及び第
２図（Ｃ）に示すように絶縁層１３上にもＨｇ１−ｘＣ
ｄ、Ｔｅが析出してくるが、この部分は多結晶になり易
く、ｐｎダイオードの特性を劣化させるので第２図（ｄ
）に示すように、これを除去すると共に、同時に感光面
積を規定する０同、ｌｌ形及びｐ形Ｈｇ＊−ｘＣｄｘＴ
ｅ層１４ 、 １５の不要部分の除去はｐ形Ｈｇ１−ｘ
ＣｄｘＴｅ層の形成の前後に分けて実施して４ｈ工い。
２図（Ｃ）に示すように絶縁層１３上にもＨｇ１−ｘＣ
ｄ、Ｔｅが析出してくるが、この部分は多結晶になり易
く、ｐｎダイオードの特性を劣化させるので第２図（ｄ
）に示すように、これを除去すると共に、同時に感光面
積を規定する０同、ｌｌ形及びｐ形Ｈｇ＊−ｘＣｄｘＴ
ｅ層１４ 、 １５の不要部分の除去はｐ形Ｈｇ１−ｘ
ＣｄｘＴｅ層の形成の前後に分けて実施して４ｈ工い。
更に図には示していないがこのｐ形層の側に電極を設け
ることで赤外線検出器の画素部の製造が完了する。
ることで赤外線検出器の画素部の製造が完了する。
同、以上の例ではＨｇｘ−ｘｃｄｘ’Ｉ’ｅＯｎ形層及
びｐ形層を同組成としているが、ｎ形層のＸ値をｐ形層
工ｐ大きくすることもできる。この場合、ｐ形層の成長
温度はｎ形層の成長温度より低くでき、成長厚さの制御
はよシ容易になる。また、光電変換はあくまでもｐ形層
中でなされるため、組成の制御もｐ形層を正確に設定し
さえすればよい。
びｐ形層を同組成としているが、ｎ形層のＸ値をｐ形層
工ｐ大きくすることもできる。この場合、ｐ形層の成長
温度はｎ形層の成長温度より低くでき、成長厚さの制御
はよシ容易になる。また、光電変換はあくまでもｐ形層
中でなされるため、組成の制御もｐ形層を正確に設定し
さえすればよい。
次に、第３図に示した従来の赤外線検出器と本発明のも
のを比較してみる。光電変換特性等については両者の差
はない。しかし、これを実際に製造する場合大きな差が
生じる。すなわち６４Ｘ６４画素の赤外線検出器の製造
では第３図に示した従来のものは４０９６点の接続意中
平均して６点、すなわちα１５チ程度の接触不良が生じ
ているのに対し、本発明のものでは不良率は１桁以上小
さくなつている。これは従来のものではＩｎの熱圧着の
際の加熱によるＩｎ表面の酸化、基板のノリ等による加
圧ムラを避けるのが困−でらるのに対し、本発明のもの
ではそうした問題がないためである。
のを比較してみる。光電変換特性等については両者の差
はない。しかし、これを実際に製造する場合大きな差が
生じる。すなわち６４Ｘ６４画素の赤外線検出器の製造
では第３図に示した従来のものは４０９６点の接続意中
平均して６点、すなわちα１５チ程度の接触不良が生じ
ているのに対し、本発明のものでは不良率は１桁以上小
さくなつている。これは従来のものではＩｎの熱圧着の
際の加熱によるＩｎ表面の酸化、基板のノリ等による加
圧ムラを避けるのが困−でらるのに対し、本発明のもの
ではそうした問題がないためである。
（発明の効果）
以上説明し友ように、本発明によれば、赤外線検出素子
と半導体素子との結合の際の接触不良は大幅に改善する
ことができる。これにより、より画素数の多い赤外線検
出器が実現可能となった０
と半導体素子との結合の際の接触不良は大幅に改善する
ことができる。これにより、より画素数の多い赤外線検
出器が実現可能となった０
施例の製造方法を説明するために工程順に示した断面図
、ｊｇ３図は従来の赤外線検出器の画素部の構成を示す
Ｍ面図である。 １．１１，２１・・・・・・半導体素子、２，２２・・
・・・・ｐｎダイオードから成る赤外線検出素子、３，
１２゜２４・・・・・・高濃度ｎ形領域、４，１３．２
３・・・・・・絶縁層、５，１４．２７＝ｎ形Ｈｇｘ−
１ｃｄ、Ｔｅ層、６．１５．２６−−−−−−ｐ形Ｈｇ
ｔ 、ＣｄｘＴｅ層、７−−−−−−赤外線、２５・・
・・・・エビタクシキル成長用基板、２８・・・・−Ｉ
ｎの柱。 代理人 弁理士 内 原 音 竿 ７Ｍ 茅 ２ 図
、ｊｇ３図は従来の赤外線検出器の画素部の構成を示す
Ｍ面図である。 １．１１，２１・・・・・・半導体素子、２，２２・・
・・・・ｐｎダイオードから成る赤外線検出素子、３，
１２゜２４・・・・・・高濃度ｎ形領域、４，１３．２
３・・・・・・絶縁層、５，１４．２７＝ｎ形Ｈｇｘ−
１ｃｄ、Ｔｅ層、６．１５．２６−−−−−−ｐ形Ｈｇ
ｔ 、ＣｄｘＴｅ層、７−−−−−−赤外線、２５・・
・・・・エビタクシキル成長用基板、２８・・・・−Ｉ
ｎの柱。 代理人 弁理士 内 原 音 竿 ７Ｍ 茅 ２ 図
Claims (3)
- （１）Ｈｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ（０．１５＜ｘ＜
０．４）のｐｎダイオードから成る赤外線検出素子と、
信号処理回路を形成した半導体素子とを合体した赤外線
検出器において、前記ｐｎダイオードのｎ形部分が前記
半導体素子上に設けられた高濃度ｎ形領域上に直接に形
成されていることを特徴とする赤外線検出器。 - （２）赤外線検出素子を結合する半導体素子の高濃度ｎ
形領域上の絶縁層を除去する工程と、該絶縁層の除去さ
れた高濃度ｎ形領域を含む表面にｎ形の第１のＨｇ＿１
＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅ単結晶層をエピタクシャル成長す
る工程と、該ｎ形の第１のＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴ
ｅ結晶層上にｐ形の第２のＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴ
ｅ単結晶層をエピタキシャル成長する工程と、該ｐ形の
第２及び前記ｎ形の第１のＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴ
ｅの単結晶層の不要部分を除去する工程とを含むことを
特徴とする赤外線検出器の製造方法。 - （３）第１及び第２のＨｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの
単結晶層の不要部分の除去をｐ形の第２のＨｇ＿１＿−
＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの単結晶層のエピタキシャル成長前に
ｎ形の第１及び成長後にｐ形の第２ないしｎ形の第１の
Ｈｇ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘＴｅの単結晶層につき行う特
許請求の範囲第（２）項記載の赤外線検出器の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211538A JPS6271270A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 赤外線検出器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60211538A JPS6271270A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 赤外線検出器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271270A true JPS6271270A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16607509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60211538A Pending JPS6271270A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | 赤外線検出器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192559A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器及びその製造方法 |
| JP2013084757A (ja) * | 2011-10-10 | 2013-05-09 | Denso Corp | 撮像素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984467A (ja) * | 1982-11-06 | 1984-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60211538A patent/JPS6271270A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5984467A (ja) * | 1982-11-06 | 1984-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | モノリシツク赤外線電荷転送素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192559A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-10 | Nec Corp | 配列型赤外線検知器及びその製造方法 |
| JP2013084757A (ja) * | 2011-10-10 | 2013-05-09 | Denso Corp | 撮像素子 |
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