JPS6271902A - 光学用成形品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は光学用成形品に関し、更に詳しくは少量の安定
剤を含有する高度に精製さｎＬポリカーボネートから成
形さｎ＋優れた性能を有する光学用成形品に関する。

〈従来技術〉 最近ポリカーボネートが光学用途、特に情報処理機器部
品の材料として、脚光を浴びるようになつ７ｔ、かかる
用途の中でも特に情報記録用基盤として使用さｎるとき
は、その表面に例えば金属や金属化合物の薄膜を付けｆ
ｃ　り　、色素を含む層を付けたりする。又メガネ用レ
ンズに使用さｎるときには表面硬度の改善、防廼、防眩
などを目的とした薄膜全村けることが多い。かかる場合
には成形品表面の化学的性質が］ｉ要な因子となる。

従来、一般のポリカーボネートは僅がではあるが、溶媒
として使用さｎ次塩化メチレンや未反応残基であるクロ
ロホーメート基を有する化合物などの塩素化合物全含有
しており、こｎらの化合物は３００℃以上の如き高温で
成形するときに分解して酸性物Ｘｔ生じ、金型腐食の原
因となったり、更に成形品の表面に金属、金属化合物な
どの薄膜１色素を含有する薄膜、或はその他の薄膜が付
けられろときＫは、それらの薄膜１色素などを変質させ
る原因となる。しかして、かかる塩素化合物全可及的に
除去し九ポリカーボネートは、高温成形において、酸性
物質を生じろことはないが、例えば３５０℃以上の成形
においては、焼けや着色を回避することはできなかった
、かかる場合に、従来の一般用ポリカーボネートの熱安
定剤として最も広く使用されている有機ホスファイトラ
配合すると、焼けや着色は解消しうろが、得らｎた成形
品全高温多湿の雰囲気下に長時間曝露するとポリカーボ
ネートの平均分子量の低下をもたらすと同時にその表面
に前記の薄膜を付けてわろときは、それらに対して悪影
響を与えることがある。

〈発明の目的〉 本発明の目的は塩素系酸性物質を実質上問題のない程度
にまでしか発生せず、かつ高温・多湿の雰囲気下におい
てもその表面に付けらｎろ金属や金属化合物の薄膜、そ
の他の薄層に悪影響を与えろことのない光学用成形品全
提供することにある。

（発明の構成〉 本発明は、ポリカーボネートの重量を基準にしてリン原
子として０．００００１重量％以上０．０１重’ｔ％以
下の有機ホスフィンオキシトが配合されており、かつ塩
素含有量が０．００４０　ｉｔ　８％未満でろる。平均
分子量１３．０００〜１８，０００のポリカーボネート
樹脂組放物全溶融成形してなる光学用成形品である。

本発明で使用されるポリカーボネートは２価フェノール
とカーボネート先駆体との反応に工って得らｎろ透明な
樹脂であり２価フェノールとしてはハイドロキノン、　
　４．４’−ジオキノジフェニル、ビス（ヒドロキシフ
ェニル）アルカン。

ビス（ヒドロキシフェニル）シクロアルカン。

ビス（ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（ヒドロキ
ンフェニル）ケトン、ビス（ヒドロキシフェニル）スル
フィド、ビス（ヒドロキシフェニル）スルホン及びこ扛
らの低級アルキル。

ハロゲン等の置換体を挙げることができるが、２．２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下ビスフ
ェノールＡという）、１．１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）エタンｒ等カ好１しく使用できろ。こｎらの２
価フェノールは単体で、或は温合して使用することがで
きる。

更に本発明で使用されるポリカーボネートは、炭酸残基
の一部が芳香族二塩基酸残基で置換されていても工いし
、分岐構造になっていてもよ（・。

こｎらのポリカーボネートは、２０℃で塩化メチレン１
００−に樹脂０．７　ｇ　＋　＝　Ｃ）全溶解した浴液
の比粘度ηｓｐをオストワルド粘度計で測定しηｓｐ／
Ｃ＝　ｌ：η）　＋０．４　ｓ　（η：］２Ｃで得らｎ
ろ極限粘度の値を次の式（１）Ｋ代入して求めらｎる平
均分子量が１３．０００へ１８．０００の範囲にあるこ
とが必要である。

−０，８３ 〔η）＝１．２３ＸｌＯ−’Ｍ　　　　　・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・ｆｌ＋平均分子着が１３
，０００未満では、得られ次成形品の強度が実用に耐え
ないので適当でない、又１８．ＯＯＯ′を越えるときは
、成形品の光学的性質１％に光学歪９色相、透明性など
に問題を生じ易いので適当でな−・。

又、ポリカーボネートはその重合反応において使用さ扛
た塩化メチレンや二価フェノールのクロロホーメート、
＊Ｕ末端にクロロホーメート基金有する才（ノボマーや
ポリマーを含有しており、ごｎらの含有量は通常一括し
て塩素の含有量で表わされる。３０Ｑ’Ｃ以上での拵融
成形に使用するポリカーボネート或はその組成物の塩素
含有量・が０．００４　Ｏｌｉ童％以上では、成形機内
でこｎらの塩素化合物が分解し酸性物質を生じて金型腐
食の原因になったり、更に成形品の表面に金属、金属化
合物などの薄膜９色素を含有する薄膜、或はその他の薄
膜が付けらｎるときにはそれらの薄膜１色素などを変質
させる原因になるので適当でない。塩素含有量が０．０
０４０重９％未満のときは、こｎらの有害作用は製品の
実用上からは無視しうる程度である、また、ポリカーボ
ネートは、その製造過程において添加されたリン系安定
剤、例えば有機ホスファイト、有機ホスホナイトなど金
含有していても工いが、その含有量はリン原子として０
．０００３電蓄％以下でおることが望ましい。

本発明で使用されろポリカーホ４−ト樹脂組成物は有機
ホスフィンオキ７ドをポリカーボネートの重量を基準に
してリン原子として、０．００００１　重罰％以上ｏ、
ｏ　１ｆｔｔ％以下配合されたものである。更に好まし
い配合１は、ｏ、ｏ　ｏ　ｏ　ｏ　ｓ重量％以上０．０
０　Ｆ１重重量以下である。

ＩＩン原子として０．００００１　重量％未満では安定
化効果が殆んどみられず、０．０１重蓋％を超えろ）１
は効果が飽和しているのでその必要はな（・。

イイ機ホスフィンがポリカーボネートの安定剤として有
効であることは、例えば特公昭４７−２２０８８号公報
で知られている。これらの有機ホスフィンは還元性の３
価のリンを含有しているのに対して、本発明で使用する
有機ホスフィンオキシトのリンは５価であって還元性を
有しな℃・。それにも拘らず、有機ホスフィンオキシト
が、：１機ホスフィンや有機ホスファイトと同等の安定
化作用を奏することは全く驚くべきことである。又、５
価のリンを含有するトリメチルホスフェートは、ポリカ
ーボネート単体に対しては、その安定化作用はやや劣り
むしろ無機物質全含有するとき洗優れた効果全発揮する
のに対して、有機ホスフィンオキシトがポリカーボネー
ト単体に対しても優れた安定化作用を示すことも予想し
えざるところである。

かくて、本発明で使用されろボリカーボマ・−ト組成物
は、ボ１１カーホ不一トの重量全基準にして、塩Ｉ含有
量が０．００４０重量％未溝、好１しくンユ０．００２
０重に％以下であり、かつ、廟機ホスフインオキンドが
リン原子とし−ＣＯ，０Ｏ００］重針％以上０．０】重
量％以下、好壕しくは０．００００５重量％以上０．０
０５重量％以下配合されたものである。

本発明に用いられろ有機ホスフィンオキノドＩｄ　ｆｌ
ｌ　エば、トリエチルホスフィンオキ／ド、トリイソブ
ロビルホスフインオキンド、トリーローブチルホスフィ
ンオキノド、トリノクロヘキシルホスフィンオキンド、
アリルンフェニルホヌフィンオキ７ド、トリフェニルホ
スフィンオキシト、１−リス（２，４−ツメチルフェニ
ル）ホスフィンオキシト、トリス（２，４，６−トリメ
チルフェニル）ホスフィンオキ７ド、トリス（０−トリ
ル）ホスフィンオキシト、トリス（０−アニ／ルホスフ
インオキンド、ジフェニルブチルホスフィンオキ７ド、
ジフェニルオクタデシルホスフィンオキノド、トリス−
（ｐ−７ニルフエニル）−ポスフィンオキ／ド、トリナ
フチルホスフィンオキンド、ジフェニル−（ヒドロキノ
メチル）−ホスフ１ソオキ７ド、ジフェニルアセトギ／
メチルホスフイノオキンド、ジフェニル−（β−エチル
力ルホキンエチル）ホスフインナキンド、ジフェニルベ
ンジルホスフィンオキ７ド、ジフェニル−（ｐ−ヒドロ
キシフェニル）−ホスフィンオキシト、ジフェニル−２
，５−ジヒドロキ７フエニルホヌフインオキシド、フェ
ニルナフチルベンンルホヌフィンオキンドなどを例示す
ることができろ。

更に本発明で使用される組成物には、ステアリル７テア
レート、モンタン酸ワックス、グリセリンモノステアレ
ート、ペンタエリスリトールのステアレートなどの高級
脂肪酸と一価又は多価アルフールとのエステル又は部分
エステル系の離型剤＜　ｏ、ｏ　ｉ〜０．５重量％）、
ベンゾトリアゾール系、アセトフェノン系、サリチル酸
エステル系などの紫外線吸収剤（０，１〜０．７重量％
）、エポキシ化合物、オキセタン化合物すどの安定化助
剤（０，０１〜０．５重１％）などを配合することがで
きろ。

本発明で使用されるポリカーボネート樹脂組成物はポリ
カーボネートと有機ホスフィンオキ７ド全混合すること
（Ｃよって得られる。例えばタンブラ−１Ｖ型フレンタ
ー、スーパーミキサー等によってポリカーボネートの粉
末又はペレットと有機ホスフィンオキシトを簡単に混合
することができる。またポリカーボネートの溶液に有機
ホスフィンオキシトを混合し、次いで溶媒を除去するな
どの公知の手段によって容易に調製することができろ、
更にポリカーボネートの粉末又はペレットと有機ホスフ
ィ：／オキノドを連続的に押出し機に投入することに工
ってもｖ！４！ｌＩできる。

本発明の光学用成形品はインジェクション成形、フンフ
レツ７ヨン成形、或はインジエクションーフンフレツン
ヨン成形などに工って成形されるが１％に好ましいイン
ジェクション成形の成形条件は樹脂温度３２０〜３８０
℃、金型塀Ｆｉｊ７０〜１２０℃である。

本発明の光学用成形品は、光線透過率が９０％前後で極
めて透明でおり、かつ　彷屈折で代表される光学歪が非
常に小さいので、成形品中での光の屈折現象が殆んどな
く、ｉ１ζ、前記の如き彷々の薄膜を付けてもそれらに
変質を生ずることがないなどの優れた性能を有−するの
で、し゛／ス、プＩＩスム、フレネルレンズ或は各種情
報記録ディスク等の基盤として光分に実用に供しうろも
のでｈろ。

〈発明の効果〉 本発明の成形品は、透明性、光学歪などが極めて侵れて
おり、史に金属や金、−化合物或は色素などの記録材料
會含む薄膜或は表面硬度、防曇、防眩などのための薄膜
上付けてもその耐久性に優れるなどの光学用成形品とし
ての必要な特性を充分に具備するものである。

〈実施例〉 以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を説明する。な
お、成形盤の複屈折、透過率の測定と蒸着品の評価（外
観判定）は以下の方法によった。

複屈折の測定 ベレット１ｒ３オンス射出成形機（ネオマット１５０／
７５型−住友重機工業社製）′ｌｒ用い、樹脂温度３５
０℃、金型温度１１０℃で厚さ１．２ｍｍ、直径１２０
　ａｒｍの円盤に成形し、■溝尻光学工業所製偏光解析
装置を用いて中心から３０閤周辺部に向かって測定しｎ
ｍで表示した。

透過率の測定 上記、成形円盤を日立自記分光光度計Ｕ−３４００形で
５００　へ１１０００ｎ　の波長範囲で測定し、透過率
を％で表示した、 蒸着品の評価 真空蒸着装置のペルジャー内に前述した成形板全入れ３
０−’　　）−ルでアルミニラムラ片面のみ蒸着し、ウ
レタン樹脂を塗布したのち、湿度９５％ＲＨ、温度８５
℃の雰囲気の恒温恒湿機に７２時間放置し、処理前後に
発生したピンホールの数を数えて評価した。ピンホール
が発生すると情報を正確に配分することができないので
好ましくない。

実施例１〜３ 平均分子量１４，９００のポリカーボネート樹脂粉末に
第１表記載の割合で有機ホスフィンオキシトを配合し、
３０ｍｍ１ｉ５ペント付き押出機を用いて２６０℃でス
レッドを押し出しカッターで切断してペレットヲ得た。

ペレットの平均分子量および塩素含有量は第１表のとお
りであった。

得られたペレットを３オンスの射出成形機を用い樹脂温
度３５０℃、金型温度１１０℃の条件で成形した厚さ１
．２ｍ＋ｍ、直径１２０ｍの円板は焼は等による着色が
全く認められなかったので複屈折と透過率を測定した。

更にこの成形板にアルミニウム全蒸着し、更にウレタン
樹脂を塗布して湿熱処理をおこない、外観の変化を発生
したピンホールの数で評価した結果を第１表に示した。

実施例４〜５ 平均分＋＊１７．ｌｏｏのポリカーボネート樹脂粉末を
使用する以外は実施例２〜３と同様に行ない、その結果
？：＊１表に示した。

比較例１ 有機ホスフィンオキシトを配合しなかったほかは、実施
例１と同様に操作した。結果は第１表に示した。

比較例２ 押出機のベントの吸引全行なわなかったほかは、実施例
２と同様に操作した。結果は第１表に示した。

比較例４ 有機ホスフィンオキノドをトリフェニルホスファイトに
替えたほかは、実施例２と同様に操作した。結果は第１
表に示した。

実施例６ ステアリン酸モノグリセリド０．０４重量％全有機ホス
フインオキンドと一緒に配合したほかは、実施例１と同
様に操作した。

ベレットの平均分子量は１４．８００．塩素含有賃は０
．００３５重量％、放形円盤の透過率は９１％、複屈折
は８　ｎｍで蒸着し次円板のピンホールはなく、湿熱処
理後にも観察されなかった。

Ａ：トリフェニルホスフィンオキノド Ｂニジフェニル−４−ヒドロキンフェニルホスフィンオ
キシト

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ポリカーボネートの重量を基準にして、リン原子とし
   て０．００００１重量％以上０．０１重量％以下の有機
   ホスフィンオキシドが配合されており、かつ塩素含有量
   が０．００４０重量％未満である平均分子量１３，００
   ０〜１８，０００のポリカーボネート樹脂組成物を溶融
   成形してなる光学用成形品。