JPS6273439A - 光学情報記録部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光、熱などを用いて高速かつ、高密度に情報
を記録、消去、再生可能な光学情報記録部材に関するも
のである。

従来の技術 近年、情報量の増大化、記録、再生の高速化、高密度化
に伴ない、レーザ光線を利用した光ディスクが注目され
ている。光ディスクには、一度のみ記録可能な追記型と
、記録した信号を消去し何度も使用可能な書き換え可能
なものがある。追記型光ディスクには、記録信号を穴あ
き状態として、再生するものや、凹凸を生成させて再生
するものがある。書き換え可能なものとしてはカルコゲ
ン化物を用いる試みがあり、Ｔｅ−Ｇｏ　　を初めとし
て、これにＡｓ　、　Ｓ　、Ｓｉ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｂｉな
どを添加した列が知られている。

これに対し、本発明者らは先に、Ｔｏ−Ｔｅ０２のよう
な酸化物を含んだ系の相転移による反射率変化を信号と
する方式を提案した。さらに、相転移を利用した書き換
え可能な光ディスクとして、Ｔｅ−Ｔｅ０２に対し各種
添加物を添加（Ｓｎ、Ｇｏ。

Ｂｉ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｔｅ、Ｓｅ　　など）した列がある
。これらの記録部材の特徴は、Ｃ／Ｎが高く、耐湿性に
対しても優れるという特徴を有している。

発明が解決しようとする問題点 カルコゲン化物よシなる書き換え可能な情報記録部材は
、一般的に、記録、消去の繰シ返しに対する安定性が悪
いといった％徴を有する。ごの理由は、Ｔｅ、Ｇｏとそ
の他の添加成分が、数度のくり返しによって、膜が相分
離を生じてしまい、初期とくシ返し後では膜の構成成分
が異なることに帰因すると思われる。消去可能な光ディ
スクで相転移を利用する場合、通常は、未記録、消去状
態を結晶質とし、記録状態を非晶質とする方法がとられ
る。この場合、記録はレーザ光で、一旦、膜を溶融させ
急冷によって非晶質にする訳であるが、現在の半導体レ
ーザにはパワーの限界があシ、できるだけ融点の低い膜
が、記録感度が高いことになる。このために、上述した
カルコゲン化物よりなる膜は、記録感度を向上させるた
めに、できるだけ融点の低い組成、すなわち、Ｔｏが多
い膜組成となっている。Ｔｏが、他の添加成分より多い
ということは、〈シ返し特性においてそれだけ相分離が
起こし易いことを意味する。したがって融点を下げるた
めに添加した過剰のＴｏをいかに固定して動きにくい組
成にするがが、くシ返し特性や、ＣＮＲ，消去率の経時
変動に大きな影響を及ぼすことになる。

酸化物を含んだ記録部材にも、以下に記述する欠点があ
る。すなわち、消去率が録再消去のくシ返しによって低
下することである。

書き換え可能な光ディスクは、通常、初期状態を結晶状
態とし、記録状態を非晶質として記録を行なう。消去は
初期状態と同様に結晶質とする。

この記録部材の結晶質−非晶質間の相転移は、レーザの
徐冷−急冷の条件変化によって達成される。

すなわち、レーザ光による加熱後、徐冷によって結晶質
となｐ急冷によって非晶質となる。したがって記録、消
去のくり返しＫよって、膜は何度も結晶質１非晶質状態
を経ることになる。この場合、膜に酸化物が存在すると
、膜の粘性が高いので、カルコゲン化物の泳動性が少な
くなり、膜組成の偏析が生じやすくなる。さらに、酸化
物の存在は膜自身の熱伝導が悪くするので、レーザ光の
入射側と反対側の膜厚間で温度分布差を生じ、膜組成の
偏析ばやはシ生ずる。こうした理由によシ、酸化物を含
んだ膜は、記録、消去のくり返しによって次第に特性が
変化するなどの欠点を有していた。

本発明は、上述した酸化物を含む膜のくシ返し特性を向
上させることを目的とし、さらに、カルコゲン化物よシ
なる従来組成の欠点（Ｃｊ／Ｎが低い、消去率が充分で
はない、耐湿性、耐熱性が悪い、くり返し特性が充分で
はない）を克服したものである。

問題点を解決するための手段 本発明における記録層は、Ｔｅ　−Ｇｅ　−Ｓｅ　−Ｂ
ｉ系の組成物であって、’ｒｅ、ｃθ、Ｓｅの原子数比
が第１図の’Ｉ　ＩＢ＋　＋０１．ｐ、　＋Ｅｌの点を
結んだ領域内にあるとともに、Ｂｉの謡度が１６〜３５
ａｔ％である材料によシ構成される。

作用 本発明の特徴は、結晶化転移温度が高いＴｏ　−Ｇｅ−
３ｓ系にＢｉを添加して過剰のＴｅを固定することであ
る。ＢｉはＴｅ　と化合物（Ｂｉ、２Ｔｅｓ）を形成し
、Ｔ８濃度が５０チ以上のＢｉ−Ｔｅ系では、融点が最
も高い場合、（Ｂｉ２Ｔｊ３）ｆも５８５°Ｃである。

この温度は他のＴｅ−Ｇｅ　、　Ｔｅ−８ｎ　。

などと比較しても２００’Ｃ近くも低い。したがって、
Ｂｉの添加は、Ｔｅを母材とする膜の融点を上昇させる
ことなしに、過剰なＴＯを固定することが可能となる。

実施例 本発明は、ＴＯ−Ｇｅ−３ｓ−Ｂｉによシ構成される。

本発明においてＴｏは、Ｂｉ、あるいはＧ。

と結合した状態で、記録前後によって光学的濃度変化を
呈する母材である。Ｓｅは単独でも、またＴｅとの化合
物状態でも非晶質膜を作成することが容易である特徴を
有するものの、逆に結晶化速度が遅いこと、結晶転移温
度が低い（＝＝１００°Ｃ）ことなどの欠点を持つ。Ｔ
ｏ−３ｓにＧＯを添加することによシ、結晶転移温度は
上昇するが、結晶化速度は改善されず、光ディスクの実
用上必要な結晶化速度（数百ｎｓ　　）は得られない。

本発明はＴｅ−Ｇｅ−３θで構成される、上述した特長
、すなわち、結晶化転移温度が高いことを活かし、しか
も欠点である結晶化速度が遅いことをＢｉを添加するこ
とによシ、大巾に改善し、実用可能な書き換え可能な記
録膜を提供しようとするものである。

本発明において、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｂｉは結晶状態に
おいて、ＧｅＴｅ　、ＧｅＳｅ２．Ｂｉ２Ｔｅ３　など
の結晶状態をとるものと思われる。この中で、Ｇｅ５ａ
２は非晶質状態が安定で、結晶化湿度は４７０°Ｃ程度
であシ、しかも結晶化速度は遅い。このため、膜中にあ
っては、主に結晶化転移温度を高め、非晶質化を容易に
する役割を担っているものと思われる。Ｇｅ−Ｔｅは、
ＧｅとＴｅの比によって、結晶化が容易な領域と、困難
な領域に別れる。すなわちＧｏ−ＴＯ系で、非晶質状態
が最も安定な領域は、Ｔｅａ度が７０％程度のＧｅＴａ
２が生成される領域である。この点を境にしてＧ６が増
えると、（量論に近いＧｅＴｅ６度が増すと）、結晶化
速度は速くなる。本発明においてＧｅはＧｅｍ５２とし
ての他、ＧｅＴｅを形成しておシ、Ｔｏ　−Ｇｅ−３ｅ
　系においてＧ　ｅ　ＴＯは結晶化速度を向上させるこ
とに寄与しているものと思われる。しかしながら、ＴＯ
−４６−３ｓで構成される系では、実用可能な結晶化速
度の速い組成は、Ｓｅ量が少なく、ＧｅＴｅの量論に近
い領域となる。この領域の特徴は、結晶化速度は速いも
のの、ＧｅＴｅの融点が７２５°Ｃと高いため、非晶質
化が困難なことである。したがって、実用可能な領域で
、結晶化、非晶質化を可能にするのはＧ６濃度が低く、
Ｓｅ濃度が高い領域である。

この領域の特徴は、結晶化温度は高いが、結晶化速度が
遅いことである。Ｂ１の添加により、膜中で過剰なでθ
とＢｉ２Ｔ１３を形成し、結晶化を促進させることがで
きる。ＴＯとの化合物で、結晶化を促進する元素は、上
述したＢｉに限らず、Ｓｎ。

Ｐｂ　、　Ｐｄ　、　Ｎｉ　、　Ｇｏ　、　Ｏｒ　など
種々ノ材料がある。

こうした材料は、確かに、結晶化速度が速いという特徴
を有し、添加量を限定することにより、追記型材料（Ｗ
１０材料）となシ得るが、書き換え可能な光デイスク材
料としては適さない。その理由は、上述した元素と’ｒ
ｅ　とで構成される合金の融点が高いことによる。

しかし、こうした材料でもレーザパワーが強く、膜を充
分に溶融させることが可能であれば、消去可能なディス
クとして使用することは可能である。

現在、我々が実用上入手できる半導体レーザは、波長が
８３Ｏｎｌ！ｌでパワーは３０　ｍＷ程度であり、Ｔｅ
　、Ｇｅ、Ｓｅの量論に近い組成（ＴａＧａ　、Ｇｅ５
ｅ２）を溶融させることは困難である。（融点が８００
°Ｃ程度）ＴＯ−Ｇｏ−Ｂ６で記録、消去可能な領域は
、ＴＯが非常に多い領域（５ｏａｔ％以上）にあるが、
こつ領域の組成は転移温度が低く、熱的に不安定である
こと、Ｔｅが過剰なため、くり返しによって、ＴｏとＴ
ｅＧｅあるいはＧｅＳｅ２に膜が相分離を起こしやすい
ことなどの欠点を有している。

本発明のＢｉは、この過剰のＴｅをＢ１２Ｔθ３　とし
て安定化させる働きを有する。Ｂ１ばＴｏ　との合金系
ではＴＯが５０ａｔ％以上では、融点が５８５°Ｃ以下
で、Ｂｉを添加してもＴｅの融点が４５１°Ｃなので、
融点をそれ程上昇させることはない。そのため、Ｂｉを
添加した膜は現行の半導体レーザパワーでも充分に溶融
させることが可能である。

しかも熱的に不安定な過剰Ｔ６をＢｉ２Ｔｅ３として結
合させているため、熱的に安定で、かつ、記録。

消去のくり返しによ−〕でも相分離を生ずることなく、
長期に亘って安定な膜となる。

Ｂ１の添加量は、Ｇｅ、Ｓｅと結合した残りの過剰Ｔｅ
を固定化するので、必要なり＋７９度はＴθ／（Ｇθ＋
Ｓｅ）の量に支配される。

すなわち、Ｂｉの添加量は、Ｇｅ−Ｔｅ−３ｓ系の組成
比により異なる。例えば、比較的Ｓｅ酸成分多い領域（
Ｓθ〉２５ａｔ％）においては、非晶質として安定なの
で、結晶化を促進させるＢ１の添加量は多くなる。（２
５〜３５ａｔ％）、逆にＳθ酸成分少ない領域（Ｓｅ≦
１５２Ｌｔ％）では、比較的結晶化速度が速いので、少
ないＢｉｆｉ度（１０〜２５１Ｌｔ％）で充分である。

同様に、ＧＯ濃度の多い領域（Ｇｏ〉２５ａｔ％）は、
結晶化速度は速いので、Ｂｉ濃度は低（（１ｏ−２ｓａ
ｔ％）Ｇｅ成分の少ない領域（ｅｅく１０ａｔ％）では
結晶化構成される記録部材の適正範囲を示した。図はＴ
ｅ−Ｇ５−８θ　より構成されているが、Ｂｉ量度は第
１図に示されたＴｅ−Ｇｅ−８ｏ組成に対し、１５〜３
５ａｔ％である。

’（Ｂｉ量１度は（Ｔ８ｘＧｅｙＳｎｚ）＋００−ｍＢ
ｉｍで示した場合のｍに相当、ただし、ｘ＋ｙ−１−ｚ
＝＝１００）第１図において各点は以下の組成である。

人１点　：　　Ｔｅ９．）Ｇｅ５Ｓｅ５８１点　：　　
Ｔｅ６ｏＧｏ５Ｓｅ５５Ｃ１点　＝　Ｔｏ４０Ｇθ２５
”ｅ５５Ｄ１点　：　Ｔｅ４ｏＧｅ４ｏＳｅ２゜８１点
　：　　Ｔｏ５５Ｇｏ４ｏＳｅ５本発明は上記、Ｔａ−
Ｇｅ−３ｅの三元系のＡ、Ｂ、Ｃ。

Ｄ、！、点で囲まれた範囲内であって、がっ、Ｂ１濃度
が式（ｒｅ）（ＧａｙＳｅｚ　）　Ｔｏｏ　ｍＢ’ｍ　
　で表わした場合、ｍの値として１５〜３５ａｔ％の範
囲内にある。線ム＋Ｂｔより０６が少ない場合、膜はＴ
ｅ−８ｓが過剰となシ、結晶化転移温度は低く（＜１２
０°Ｃ）、実用上安定な記録膜を得ることが困難である
。線Ｂ１Ｇ、よ５ｓθが多い場合は、Ｔｅａｓ、ＧｅＳ
ｅ２の形成量が多くなシ、安定な非晶質膜となり、結晶
化が困難となる。線ＣＩＤＩ　　よシＴθが少ない場合
、結晶化に必要なりｉ　２Ｔθ、の量も少なくなるので
、記録部と未記録部の信号のコントラスト比が低く、充
分な記録特性が得られない。線り、Ｅ、よりＧｏが多い
場合、この領域は、量論的なＧｅＴｅが生成する領域で
、結晶化速度は上昇するが、融点の高いＧｅＴｅが多量
に存在するので、非晶質化が困難となる。線入ｊＥ＋よ
りＳ８量が少ない場合は、ＧｅＳｅ２量が少なくなるた
め、非晶化が困難となる。しかし同じＡ、１！：、線上
でもＧ。

が少ない場合はＧｅＴａ量が少ないため、非晶質化は比
較的容易であるが、結晶化転移温度が低くなる。

上述した傾向は、当然ながら、添加するＢｉ量によって
異なってぐる。Ｔｅ−Ｇｅ−８ｅからなる組成を限定し
Ｂｉ、量を変化させると、Ｂｉ量が少ない場合は非晶質
化が容易で、Ｂｉ量が増えるに従って結晶化が容易とな
る。この適正なりｉ量はＴｅ、Ｇａ、Ｓθ　によって構
成される膜の特性によって異なるが、本発明の範囲内で
は１５〜３５１鳴で、実用的な書き換え可能な記録膜が
得られる。

以上述べた理由によシ、本発明は、第１図において、点
ム＋　　Ｂ＋　　Ｃ＋　　Ｄｌ　　１１で囲まれた範囲
内に限定される。すなわち、この領域内のＴｅ−Ｇｅ−
８θにＢｉを１６〜３５ａｔ％添加した場合、実用上、
結晶質と非晶質の可逆性を利用して、情報の記録、消去
が可能となる。

次に第１図のＡ２−８２−０２−０２−　Ｂ２あるいは
Ａ５−Ｂ　ｒ　Ｃ１０Ｂ５−　Ｂ５によって囲まれた領
域【ついて述べる。この領域は、第１図のＡ１−Ｂ１−
Ｃ１Ｄ＋　　Ｅ＋で囲まれた範囲より、より実用的な組
成範囲を未しである。

第１図においてＡ２−８２−０２−　Ｂ２−　Ｂ２各点
の組成を以下に示す。

Ａ２　　：　　ＴｅＨＧｅ７Ｓｅ、。

Ｂ２　　：　　Ｔｅ６ｓＧｅ７Ｓａｓａ０２　　：　　
’ｒ６４５ｅｅ５０ｓ６２５Ｄ２　　：　　Ｔａａ５Ｇ
ｅ３５８ｅ２（。

Ｂ２　　：　　Ｔｅ５５Ｇｅ３５ＳｅＢ）この各点で囲
まれた領域におけるＢｉ量度は１６〜３０ａｔ％である
。（ただし、（７６Ｘ０６７Ｓ６Ｚ　）＋ｏｏ−ｍＢｉ
ｍ　におけるｍのイ直で、Ｘ十Ｙ十Ｚ＝１００とする。

） この領域の非晶質から結晶質への転移温度は１３０〜１
７０°Ｃ以内である。転移温度は人２が最も低く、線Ｃ
２Ｄ２の方向にＳｅ、Ｇ６１度が増えるに従って温度は
上昇する。結晶化を促進する上で必要なりｉ　ｇ度は、
Ａ誌に近い領域では少なく、線Ｃ２Ｄ２に近い領域では
多くなる。すなわち、Ａ１に近い領域では、過剰のＴｅ
が多く箋結晶化速度は速いので多くのＢｉ量を必要とせ
ず、Ｃ２Ｄ２に近い領域は結晶化が困難なため、多くの
Ｂｉ量を必要とする。

その結果、点Ａ１ではＧ６Ｔ６　、　ＧｅＳｅ２　　の
量が少なく過剰Ｔｏも残存しているので安定な非晶質状
態が形成されず、結晶転移温度は低くなる。ム２点より
Ｓｅｔが多くなると（８２点）転移温度は上昇するが、
結晶化速度は遅くなる。人２点よりＧｏが多くなると、
転移温度は上昇し、結晶化温度も高くなるが、非晶質化
が困難となる。すなわち、点Ａ２−８２−０２−０２−
　Ｂ２で囲まれた点で、Ｂｉ量が１６〜３０　ａｔ％で
ある場合は、用途、目的に応じて、結晶化転移温度、結
晶化速度の適正値を選択することが可能である。しかし
、このＡ２−８２−０２−Ｂ２−Ｂ２点で囲まｎた領域
内であっても・現在・市販されている半導体レーザ出力
（２５ｍＷ程度）で、全ての点で、録再が可能とは限ら
ない。点Ａ５−　Ｂ５−　Ｃ，−Ｂ３−　Ｋ、で囲まれ
た領域は、現行の半導体レーザパワーの範囲で録再が可
能で、結晶化速度が速く、かつ熱的安定性を示す結晶化
転移温度も高（（１５０〜１８０’Ｃ）より実用的な領
域である。この領域における必要なり１量は１５〜２５
ａｔ％である。Ｂｉの添加はＴｅ−Ｇｏ−３ｅだけより
なる系に比べ、結晶への転移温度を１０〜３０℃高める
働きを有する。しかもＢ１の添加によって膜の融点は下
がるため、非晶質化に対しては都合がよい。この理由は
、ＢｉはＴｅ　ａ度に対して４０係以下である場合、最
大でも、融点が６２２°Ｃ以下であることに起因する１
、、一方、Ｇｅ、Ｓｎなどの場合は、Ｔｅ濃度に対し、
６０　ａ　ｔ％以下の場合、各々、最大で７２６°Ｃ，
７９００となる。それ故、Ｂ１の添加は、熱的安定性を
示す転移温度を上昇させる効果と、膜の融点を下げ、非
晶質化を容易にするといった利点を有する。

以上述べた理由によシ、本発明のＴｅ−Ｇｅ−５ｓ−Ｂ
ｉの最適組成は限定される。

次に本発明による光学情報記録部材の製法について述べ
る。

第２図は、本発明の記録層を用いて構成した光ディスク
の断面の模式図である。図において、１゜εは基板を表
わしており、材質は、ポリカーボネート、アクリル樹脂
、ガラス、ポリエステル等の透明な基材を用いることが
可能である。２．４は保護層で、種々の酸化物、硫化物
、炭化物を用いることができる。この保護層２．４は記
録膜３の記録、消去の操り返しによる基材の熱劣化を防
ぐものであシ、さらに、記録膜３を湿度よシ保護するも
のである。したがって、保護層の材質、膜厚は、上述し
た観点より決定される。記録膜３は、蒸着、スパッタリ
ング等によって形成される。蒸着で行なう場合は各組成
を単独に蒸着可能な４ソ一ス蒸着機を用いるのが、均一
膜を作成できるので望ましい。

本発明の記録膜３の膜厚は、保護層２．４の光学特性と
のマツチング、すなわち、記録部と未記録との反射率の
差が大きくとれる値とする。

以下、具体的な例で本発明を詳述する。

実施列１ ４源蒸着が可能な電子ビーム蒸着機を用いてＴｏ。

Ｇｅ、Ｓｅ、Ｂ１をそれぞれのソースから基材上に同時
に蒸着した。用いえ基材はφ８朋のガラスで、蒸着は真
空度が１×１０〜５Ｔｏｒｒ、　　基材の回転速度１ｓ
ｏｒｐｍで行ない、膜厚は１０００人とした。。

各ソースからの蒸着速度は記録膜中のＴｅ　、　Ｃｘｅ
　。

Ｓｅ　、Ｂｉの原子数の割合を調整するため、変化させ
た。第１表の組成の割合は、この蒸着の速度よシ換算し
た値であるが、代表的な組成をＸ線マイクロアナライザ
ー（ＸＭＡ）で行なったところ、仕込値とほぼ同様の定
量結果が得られた。したがって、表中の仕込み組成は、
膜中でも同じと思われる。

上記製法によって作成された試験片の評価方法を以下に
記す。

〔転移温度〕

転移温度とは、蒸着直後の非晶質状態の膜が熱によって
結晶状態になる開始温度を意味する。

測定は、膜の透過率の測定が可能な装置を用い、ヒータ
ーにより試験片の温度を昇温速度１°Ｃ／東で上昇させ
た場合の透過率が減少を開始する湿度とした。

転移温度が高いことは、膜が熱的に安定であることを意
味する。

〔黒化、白化特性〕

黒化特性とは、非晶質から結晶質への変態に対しての転
移速度を示したもので、白化特性は結晶質から非晶質の
転移速度を示したものである。

測定は、φ８ＭＭのガラス片上の記録膜に、レンズを用
いて、レーザ光を集光させ、サンプル片を上下、左右移
動可能とした装置を用いて行なった。

’ヤーー＋＋’光のスポットは４５　Ｘ　Ｏ，４μｍ、
パルス巾２００ｎｓ、パワー密度１０．６ｍＷ／μｍ　
　波長は９００ｎｍとした。黒化特性は、試験片を比較
的、緩かに移動させた場合の変態（非晶質から結晶質）
の速度を観察し、速度が充分早く、かつ未記録部分と記
録部分のコントラスト比が充分大きいものを◎とした。

×は緩やかに移動させても、黒化しないもの、あるいは
、コントラスト比が小さいものを示す。○、△は◎と×
の中間に位置する。この定性的な表現において、実用可
能な黒化特性は０以上である。

次に白化特性について述べる。白化特性を観る場合は、
まず、一旦、黒化し、その上を試験片を速やかに移動さ
せ、急冷状態を作シ、白化（結晶質から非晶質）させる
。白化状態が◎のものは、移動速度が比較的緩やかでも
、白化し、しかも非晶質部分と結晶質部分のコントラス
ト比が大きいものを示し、×は全く白化しないものを示
している。○と△は、◎と×の中間に位１“、童する。

上述した表現によれば、黒化、白化特性とも非常にすぐ
れている場合は、◎、◎となるが、実際問題としては同
じ移動速度で、どちらも◎となることはあり得す、望ま
しい材料としては、◎、○あるいは◎、△と、多少黒化
特性が優れているものである。

第１表に、本発明の範囲でＢ工濃度を３０　ａｔ％とし
て作成した膜の転移温度と、黒化、白化特性の結果を示
す。

（以下余白） 第１表 第１表の結果より明らかなように、本発明の範囲にある
Ｔｅ−Ｇｅ−３ｓ−Ｂｉ系記録薄膜は、黒化及び白化が
、それぞれ可能である。即ちこの範囲内にある記録部材
は、加熱条件、例えば照射するレーザー光線の照射強度
、照射時間を適蟲に選ぶことで非晶質状態と結晶状態の
いずれの状態も、とることが可能であり、光学的に情報
を記録し、かつ消去することが可能である。

本実施１１ＦＩＪにおいてはＢ工の濃度を２０ａｔ％　
とじたが、上述の黒化白化特性は、Ｂ１の濃度に強く依
存する。一方、転移温度も又、それほど強くはないがＢ
ｉ濃度に依存する。

実施例２ 実施列１と同様の作成法、評価法を用い、Ｔ。

−Ｇｏ−５ｅ系にＢｉを添加した場合の濃度依存性につ
いて調べた結果を第２表に示す。−レリとしてＴｏ　６
０Ｇ＋５２０３６２０組成を選び、Ｂ１濃度を１０〜４
０ａｔ％の範囲で変化させる。

（以下余白） 第２表の結果から明らかなように、Ｔｅ６ｏＧθ２０Ｓ
θ２０に、Ｂ１を添加した場合、Ｂｉ濃度が１６〜３５
ａｔ係にある場合、レーザー光線によって、結晶化、非
晶質化のいずれも可能であり、光学記録部材として有効
である。

結晶−非晶質の相変態を記録原理として用いる場合、記
録（非晶質化）速度は、照射部が溶融するまでの時間、
消去（結晶化）速度は、原子配列の秩序が回復する時間
に依存し、一般に前者は後者に比べて十分速い。従って
本発明の組成領域を［３’ｌｌえば光ディスつて適用す
る場合、主としてその消去速度がデバイスとしてのスペ
ックを決定する。

即ち、デバイスとしての使用条件、例えば光ディスクの
場合には、その回転速度記録半径（線速度）に応じて組
成を選べば浪い。即ち、Ｂ１濃度の低い組成の場合には
記録感度（白化感度）は高いが、消去感度（黒化速度）
が低い。従って、回転速度が比較的遅い場合に有効であ
る。逆に、Ｂｉ濃度の高い組成の場合には、消去感度（
黒化速度）は十分であるので高速回転に適用可能である
。ただし、この場合は、やや大きい記録パワーを必要と
する。

Ｂ１の添加効果は、ｃｅ−Ｔｅ−３６系の組成比によシ
やや異なっている。ｆｆ１ｌえば、比較的Ｓｅ成分の多
い領域（Ｓｅ〉２６　ａ　ｔ％）においては比較的Ｂｉ
ａ度の高い領域２０〜３５Δｔ％が良好な特性を示し、
比較的Ｓｅ成分の少ない領域（Ｓｅく１５ａｔ％）にお
いては比較的Ｂｉａ度の低い領域１ｏ〜２５　ａｔ％が
良好な特性を示した。同様に、比較的Ｇ６成分の多い領
域（Ｇθ’＞２５ａｔ％）においては比較的Ｂ　ｉ　ａ
度の低い領域（１０〜２Ｓａｔ乃）。

ＧＯ成分の少ない領域（Ｇ８二１０ａｔ％）においては
比較的３　ｌａ度の高い領域（２０〜３６ａｔ％）が良
好な特性を示した。

実施列３ 基材として光ガイド用のトラックを備えた１、２オメφ
２００１ＲＭのポリカーボネイト樹脂基材を用い、記録
膜として、（Ｔｅ６０Ｇｅ２０Ｓｅ２０　）８０Ｂｉ２
０の薄膜を用いて光ディスクを試作した。

まず、基材上に耐熱層としてＺｎＳ薄膜を９００人蒸着
し、その上に記録層を約１００ｏ人の厚さに蒸着し、更
にその上に、同じく耐熱層としてＺｎＳ薄膜を１８００
人蒸着入念。

この光ディスクの基板側から、光学系を用いて絞シ込ん
だレーザー光線を照射して信号を記録し、直ちに消去を
行なった。記録に先立って、スポット形状が１μｍ×１
０μｍの長楕円形のレーザ光線を１４ｍＷの強さでトラ
ックにそって照射し、トラ、り内の記録膜を結晶化し、
次に０．９μｍφに絞り込んだレーザー光線を８ｍＷの
強さで照射した。記録周波数は２Ｍ）ｈ、ディスクの回
転速度は５　ｍ　／　ｓである。このとき照射部は非晶
質化され、トラックに沿って信号が記録された。スペク
トラムアナライザーで、Ｃ／Ｎを測定したところ、５０
ｄＢが得られた。このトラック上に、前述の長楕円スポ
ットを照射したところ、信号は完全に消去された。

実施列４ 実施列３における光ディスクを用いて、寿命試Ｉ検を８
０’Ｃ，６０％ＲＨの条件下で行なった。

試験方法は、予じめ情報を記録しておき、上記条件で保
持後のＣ／Ｈの劣化をみた。１ケ月経過後のＣ／Ｈの低
下は−０，５ｄＢと無視できる程度であった。

実施列５ 実施Ｆ！ｊＩＪ３における光ディスクの記録、消去の繰
り返し特性を評価した。

１０万回記録、消去を繰シ返し息抜のＣ／Ｎの低下は、
約１ｄＢ程度であった。

発明の効果 本発明によるＴｅ−Ｇｅ−８ｓ−Ｂｉ記録薄膜は、耐熱
性及び耐湿性に極めて優れ、記録−消去を繰シ返しても
膜が破壊されることが無い。即ち、本発明によって実用
上、極めて優れた光学情報記録部材が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による光学情報記録部材の組成の範囲
を示す組成図、第２図は本発明の一実施例における光学
情報記録部材の構成を示した断面図である。 第１図 ＧｅＣｔσＯＬｔ％ジ 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｂｉを主成分とし、Ｔｅ、Ｇ
   ｅ、Ｓｅの原子数比が第１図における、 Ａ＿１（Ｔｅ＿９＿０Ｇｅ＿５Ｓｅ＿５）、Ｂ＿１（Ｔ
   ｅ＿６＿０Ｇｅ＿５Ｓｅ＿３＿５）、Ｃ＿１（Ｔｅ＿４
   ＿０Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿３＿５）、Ｄ＿１（Ｔｅ＿４＿
   ０Ｇｅ＿４＿０Ｓｅ＿２＿０）、Ｅ＿１（Ｔｅ＿３＿５
   Ｇｅ＿４＿０Ｓｅ＿５）の各点で囲まれる領域内にあり
   、Ｂｉの濃度（ａｔ％）が全体の組成を（Ｔｅ＿ｘＧｅ
   ＿ｙＳｅ＿ｚ）＿１＿０＿０＿−＿ｍＢｉｍと表したと
   き、１５≦ｍ≦３５ａｔ％である薄膜を備えた光学情報
   記録部材。
2. （２）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図における、
   Ａ＿２（Ｔｅ＿８＿３Ｇｅ＿７Ｓｅ＿１＿０）、Ｂ＿２
   （Ｔｅ＿６＿３Ｇｅ＿７Ｓｅ＿３＿０）、Ｃ＿２（Ｔｅ
   ＿４＿５Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿２＿５）、Ｄ＿２（Ｔｅ＿
   ４＿５Ｇｅ＿３＿５Ｓｅ＿２＿０）、Ｅ＿２（Ｔｅ＿５
   ＿５Ｇｅ＿３＿５Ｓｅ＿１＿０）の各点で囲まれる領域
   内に有って、Ｂｉの濃度（ａｔ％）が１５≦ｍ≦３０ａ
   ｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の光学情報記録部材。
3. （３）Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅの原子数比が第１図における、
   Ａ＿３（Ｔｅ＿７＿５Ｇｅ＿１＿０Ｓｅ＿１＿５）、Ｂ
   ＿３（Ｔｅ＿６＿５Ｇｅ＿１＿０Ｓｅ＿２＿５）、Ｃ＿
   ３（Ｔｅ＿５＿０Ｇｅ＿２＿５Ｓｅ＿２＿５）、Ｄ＿３
   （Ｔｅ＿５＿０Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿２＿０）、Ｅ＿３（
   Ｔｅ＿５＿５Ｇｅ＿３＿０Ｓｅ＿１＿５）の各点で囲ま
   れる領域内に有って、Ｂｉの濃度（ａｔ％）が、１５≦
   ｍ≦２５ａｔ％であることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の光学情報記録部材。
4. （４）組成を（Ｔｅ＿８＿０＿−＿ｐＧｅ＿ｐＳｅ＿２
   ＿０）＿１＿０＿０＿−＿ｍＢｉ＿ｍと表したとき、１
   ０≦ｐ≦２５、１５≦ｍ≦２５ａｔ％であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記録部材。