JPS6273530A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JPS6273530A JPS6273530A JP21416885A JP21416885A JPS6273530A JP S6273530 A JPS6273530 A JP S6273530A JP 21416885 A JP21416885 A JP 21416885A JP 21416885 A JP21416885 A JP 21416885A JP S6273530 A JPS6273530 A JP S6273530A
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- JP
- Japan
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- plasma chamber
- chamber
- plasma
- ion source
- wall
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- Granted
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、イオン源、特にガス等を導入しこのガスをプ
ラズマ化するプラズマ室の外側壁に永久磁石が配置され
、この永久磁石により前記プラズマをカプス磁場によっ
てとじ込める型のイオン源に関する。
ラズマ化するプラズマ室の外側壁に永久磁石が配置され
、この永久磁石により前記プラズマをカプス磁場によっ
てとじ込める型のイオン源に関する。
この種のイオン源は、たとえば特開昭５７−７８８００
号公報に記載されているようなものが知られている。し
かも、従来のイオン源は、フィラメントとプラズマ室の
内壁との間で、アーク放電がなされるものであるが、こ
のアーク放電による発熱が、前記プラズマ室の外側壁に
配置されている永久磁石にまで伝導され、前記永久磁石
が加熱されるという現象が生ずる。永久磁石はそれがあ
る（ＴＬ （１５０Ｇ ）以上に熱せられると、いわゆ
る減磁現象が発生し、これかもとの磁場に復帰できない
という弊害をも念らす。
号公報に記載されているようなものが知られている。し
かも、従来のイオン源は、フィラメントとプラズマ室の
内壁との間で、アーク放電がなされるものであるが、こ
のアーク放電による発熱が、前記プラズマ室の外側壁に
配置されている永久磁石にまで伝導され、前記永久磁石
が加熱されるという現象が生ずる。永久磁石はそれがあ
る（ＴＬ （１５０Ｇ ）以上に熱せられると、いわゆ
る減磁現象が発生し、これかもとの磁場に復帰できない
という弊害をも念らす。
したがって、通常にあっては、イオン源にはその永久磁
石近傍に水冷管を配置し、前記永久磁石のある値以上の
温度に達成させない配慮がなされている。
石近傍に水冷管を配置し、前記永久磁石のある値以上の
温度に達成させない配慮がなされている。
しかしながら、前記水冷管を配置したとしてもその配置
自由度が、永久磁石らるいはその電流導入端子によって
妨げられるものであった。したがって、水冷管の配置の
困難な部分が生じ、その部分における永久磁石の冷却は
達成できず、前記永久磁石の減磁現象の信頼性ある防止
についての配慮はなされていなかった。
自由度が、永久磁石らるいはその電流導入端子によって
妨げられるものであった。したがって、水冷管の配置の
困難な部分が生じ、その部分における永久磁石の冷却は
達成できず、前記永久磁石の減磁現象の信頼性ある防止
についての配慮はなされていなかった。
本発明の目的は、このような事情に基づいてなされたも
のであり、永久磁石の熱による減磁現象の防止を信頼性
よく行なつ九イオン源を提供するにちる。
のであり、永久磁石の熱による減磁現象の防止を信頼性
よく行なつ九イオン源を提供するにちる。
このよつな目的を達成するために、本発明は、ガス等を
導入しこのガスをプラズマ化するプラズマ室の外側壁に
永久磁石が配置され、この永久磁石により前記プラズマ
をカグス磁場によってとじ込めるイオン源において、前
記プラズマ室の内側面に沿って熱伝導性の良好なインナ
ーチャンバを配置し、このインナーチャンバと前記プラ
ズマ室との間に熱逃げ手段を設けるようにしたものであ
る。
導入しこのガスをプラズマ化するプラズマ室の外側壁に
永久磁石が配置され、この永久磁石により前記プラズマ
をカグス磁場によってとじ込めるイオン源において、前
記プラズマ室の内側面に沿って熱伝導性の良好なインナ
ーチャンバを配置し、このインナーチャンバと前記プラ
ズマ室との間に熱逃げ手段を設けるようにしたものであ
る。
第１図は本発明によるイオン源の一実施例を示す断面図
である。まず、プラズマ室１があり、このプラズマ室１
の上部には一対の電流導入端子３が固設されており、こ
の電流導入端子３からプラズマ室１内に延設してそれぞ
れフイラメン）２が配置されている。また前記各電流導
入端子３のほぼ中央部にはガス導入口４が配置され、こ
のガス導入口４を通して前記プラズマ室１内に所定のガ
スを流入できるようになっている。また、このような電
流導入端子３およびガス導入口４が備えられ九プラズマ
案１の上部外側および外側壁には、前記プラズマ室１内
にカプス磁場を形成するための永久磁石６がそれぞれ配
置されている。プラズマ室１の上部に配置されている永
久磁石６は、前記ガス導入口４ｔ−中心として同心円状
に配置され多環状形をなしている。またプラズマ室１の
外側壁にはプラズマ室１の中心軸に沿う棒状の磁石が前
記外側壁円゛周に沿って並設され、第３図の平面図に示
すように全体として放射状に配置されたものとなってい
る。さらに、前記プラズマ室１の底部には電極７が配置
されている。
である。まず、プラズマ室１があり、このプラズマ室１
の上部には一対の電流導入端子３が固設されており、こ
の電流導入端子３からプラズマ室１内に延設してそれぞ
れフイラメン）２が配置されている。また前記各電流導
入端子３のほぼ中央部にはガス導入口４が配置され、こ
のガス導入口４を通して前記プラズマ室１内に所定のガ
スを流入できるようになっている。また、このような電
流導入端子３およびガス導入口４が備えられ九プラズマ
案１の上部外側および外側壁には、前記プラズマ室１内
にカプス磁場を形成するための永久磁石６がそれぞれ配
置されている。プラズマ室１の上部に配置されている永
久磁石６は、前記ガス導入口４ｔ−中心として同心円状
に配置され多環状形をなしている。またプラズマ室１の
外側壁にはプラズマ室１の中心軸に沿う棒状の磁石が前
記外側壁円゛周に沿って並設され、第３図の平面図に示
すように全体として放射状に配置されたものとなってい
る。さらに、前記プラズマ室１の底部には電極７が配置
されている。
また、前記プラズマ室１の内側壁にはその内側壁面と若
干の間隙を有し、かつ前記内側壁の周方向に沿って延在
し、全体として円筒状となるインナーチャンバ５が配置
されている。このチャンバは九とえばステンレスあるい
はモリブデン等で構成される。このインナーチャンバ５
の上端部および下端部はそれぞれ若干肉厚が厚く形成さ
れ、これにより前記プラズマ室ｌの内側壁に当接されて
いるとともに、この当接部において、前記プラズマ室１
とボルト８によって固定されている。
干の間隙を有し、かつ前記内側壁の周方向に沿って延在
し、全体として円筒状となるインナーチャンバ５が配置
されている。このチャンバは九とえばステンレスあるい
はモリブデン等で構成される。このインナーチャンバ５
の上端部および下端部はそれぞれ若干肉厚が厚く形成さ
れ、これにより前記プラズマ室ｌの内側壁に当接されて
いるとともに、この当接部において、前記プラズマ室１
とボルト８によって固定されている。
さらに、前記プラズマ室１の上内壁にもその上内壁面と
若干の間隙を有して円板状のインナーチャンバ５が西装
置されている。このインナーチャンバ５の周辺部は若干
肉厚が厚く形成され、これにより前記プラズマ室１の上
内壁に当接されているとともに、この当接部において、
前記プラズマ室１とボルト８によって固定されている。
若干の間隙を有して円板状のインナーチャンバ５が西装
置されている。このインナーチャンバ５の周辺部は若干
肉厚が厚く形成され、これにより前記プラズマ室１の上
内壁に当接されているとともに、この当接部において、
前記プラズマ室１とボルト８によって固定されている。
このように構成したイオン源は、インナーチャンバ５を
アノード、フィラメント２をカソードとして電流を流す
ことにより、この間にアーク放電を起こさせることにな
る。このアーク放電は、プラズマ室１内のガスを電離さ
せてプラズマを発生させる。このプラズマはプラズマ室
１の外部に配置され九永久磁石６によるカシス磁場によ
りプラズマ室１内にとじ込められる。
アノード、フィラメント２をカソードとして電流を流す
ことにより、この間にアーク放電を起こさせることにな
る。このアーク放電は、プラズマ室１内のガスを電離さ
せてプラズマを発生させる。このプラズマはプラズマ室
１の外部に配置され九永久磁石６によるカシス磁場によ
りプラズマ室１内にとじ込められる。
この際において、前記アーク放電によりインナーチャン
バ５は加熱されるが、プラズマ室１の内壁面との間には
間隙を有しているため、前記プララズマ呈の上下端に固
設されたボルト８を介して放熱がなされることになる。
バ５は加熱されるが、プラズマ室１の内壁面との間には
間隙を有しているため、前記プララズマ呈の上下端に固
設されたボルト８を介して放熱がなされることになる。
したがって、プラズマ室１の壁面において永久磁石６が
配置されている部分には直接の熱伝導はなされないこと
になる。このため永久磁石６の１０００以上の加熱全抑
制することができ、前記永久磁石６の減磁現象を信頼性
よく防止することができるようになる。
配置されている部分には直接の熱伝導はなされないこと
になる。このため永久磁石６の１０００以上の加熱全抑
制することができ、前記永久磁石６の減磁現象を信頼性
よく防止することができるようになる。
上述した実施例では、インナーチャ〉′バ５はプラズマ
室１の内壁と若干の空隙を形成して配置させたものでお
る。しかし、第２図に示すように。
室１の内壁と若干の空隙を形成して配置させたものでお
る。しかし、第２図に示すように。
前記空隙を形成せず、インナーチヤンノ（５をプラズマ
室１の内壁に当接させるようにしてもよい。
室１の内壁に当接させるようにしてもよい。
この場合にあっても、前記当接部はインナーチャンバ５
とプラズマ室１の内壁の表面の粗さによって微小な間隙
層が形成されることから、熱伝導性の面からみて充分な
効果を奏し得る。第３図は第２図のＡ−Ａ線における断
面図を示し、インナーチャンバ５とプラズマ室１の内壁
とが当接していることを表わしている。
とプラズマ室１の内壁の表面の粗さによって微小な間隙
層が形成されることから、熱伝導性の面からみて充分な
効果を奏し得る。第３図は第２図のＡ−Ａ線における断
面図を示し、インナーチャンバ５とプラズマ室１の内壁
とが当接していることを表わしている。
以上説明したことから明らかなように、本発明によるイ
オン源によれば、永久磁石の熱による減磁現象の防止を
信頼性よく行なうことができるようになる。
オン源によれば、永久磁石の熱による減磁現象の防止を
信頼性よく行なうことができるようになる。
第１図は本発明によるイオン源の一実施例を示す断面図
、第２図は本発明によるイオン源の他の実施例を示す断
面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線における断面図である
。 １・・・プラズマ室、２・・・フィラメント、５・・・
インナーチャンバ、６・・・永久磁石。
、第２図は本発明によるイオン源の他の実施例を示す断
面図、第３図は第２図のＡ−Ａ線における断面図である
。 １・・・プラズマ室、２・・・フィラメント、５・・・
インナーチャンバ、６・・・永久磁石。
Claims (1)
- １、ガス等を導入しこのガスをプラズマ化するプラズマ
室の外側壁に永久磁石が配置され、この永久磁石により
前記プラズマをカプス磁場によつてとじ込めるイオン源
において、前記プラズマ室の内側面に沿つて熱伝導性の
良好なインナーチャンバを配置し、このインナーチャン
バと前記プラズマ室との間に熱逃げ手段を設けてなるこ
とを特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21416885A JPS6273530A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21416885A JPS6273530A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273530A true JPS6273530A (ja) | 1987-04-04 |
| JPH0564408B2 JPH0564408B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=16651359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21416885A Granted JPS6273530A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273530A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165839A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-22 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源用ア−クチヤンバ−装置 |
| JP2007165107A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21416885A patent/JPS6273530A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62165839A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-22 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源用ア−クチヤンバ−装置 |
| JP2007165107A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Jeol Ltd | イオン源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0564408B2 (ja) | 1993-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |