JPS6276576A - 注入型発光素子 - Google Patents
注入型発光素子Info
- Publication number
- JPS6276576A JPS6276576A JP60214561A JP21456185A JPS6276576A JP S6276576 A JPS6276576 A JP S6276576A JP 60214561 A JP60214561 A JP 60214561A JP 21456185 A JP21456185 A JP 21456185A JP S6276576 A JPS6276576 A JP S6276576A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron injection
- film
- light emitting
- efficiency
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は有機薄膜を発光体とする注入型発光素子に関す
る。
る。
各種電子機器の表示用発光素子として、発光ダイオード
が広く用いられている。しかし発光ダイオードでは、発
光波長〜４５０ｎｍの青色発光を行なうものが殆どなく
、青色発光素子の開発が要望されている。
が広く用いられている。しかし発光ダイオードでは、発
光波長〜４５０ｎｍの青色発光を行なうものが殆どなく
、青色発光素子の開発が要望されている。
有四半導体であるアントラセンにおいて、そのエレク１
−ロルミネセンス（ＥＬ）の発光は波長４００〜４５０
ｒ＋ｍにピークをもつ淡青色であるところから、アント
ラセンのＥＬ素子が青色発光素子の候補の一つとして挙
げられている。しかしながら、アントラセン誘導体子で
は、電極からの注入効率の低さと電子移動度の低さのた
めに高い外部発光効率が得られないという問題があった
。注入効率を改善するために、アントラセンにＮａ。
−ロルミネセンス（ＥＬ）の発光は波長４００〜４５０
ｒ＋ｍにピークをもつ淡青色であるところから、アント
ラセンのＥＬ素子が青色発光素子の候補の一つとして挙
げられている。しかしながら、アントラセン誘導体子で
は、電極からの注入効率の低さと電子移動度の低さのた
めに高い外部発光効率が得られないという問題があった
。注入効率を改善するために、アントラセンにＮａ。
Ｋなどのイオンを注入してこれを注入電極とすることが
考えられているが、このＮ極は空気中での安定性が著し
く悪いという欠点があった。またグラファイト繊維やグ
ラフフィト粉末を圧着して電極とするＥＬ素子も報告さ
れているが、これらのグラファイト電極は薄膜化が難し
く、従って薄い発光素子の形成には不向きである。
考えられているが、このＮ極は空気中での安定性が著し
く悪いという欠点があった。またグラファイト繊維やグ
ラフフィト粉末を圧着して電極とするＥＬ素子も報告さ
れているが、これらのグラファイト電極は薄膜化が難し
く、従って薄い発光素子の形成には不向きである。
一方、発光体内の電子移動度の低さを補うためには、ア
ントラセンの薄膜化が必須である。英国ダーラム（Ｄｕ
ｈｒａｍ ）大学のＯパーツ＜Ｇ、Ｇ。
ントラセンの薄膜化が必須である。英国ダーラム（Ｄｕ
ｈｒａｍ ）大学のＯパーツ＜Ｇ、Ｇ。
Ｒｏｂｅｒｔｓ 等はラングミュア・プロジェット法
（以下、ＬＢ法）により１０００Å以下のアントラセン
誘導体の薄膜を用いてＥＬ素子の形成を行なっている。
（以下、ＬＢ法）により１０００Å以下のアントラセン
誘導体の薄膜を用いてＥＬ素子の形成を行なっている。
しかしこの場合も電子注入電極としてＡｊ２蒸着膜を用
いているため、電子注入効率が極めて低く、高い発光効
率は得られていない。
いているため、電子注入効率が極めて低く、高い発光効
率は得られていない。
（発明の目的）
本発明は上記した点に鑑みなされたもので、電子注入効
率の向上により外部発光効率の向上を図った注入型発光
素子を提供することを目的とする。
率の向上により外部発光効率の向上を図った注入型発光
素子を提供することを目的とする。
本発明は、ＬＢ法による有機薄膜（以下、ＬＢＩＩ）を
発光体とする注入型発光素子において、電子注入電極と
してｎ型半導体を用いたことを特徴とする。
発光体とする注入型発光素子において、電子注入電極と
してｎ型半導体を用いたことを特徴とする。
有機材料の多くは電子親和力が小さいため、その伝導帯
への電子注入を効率よく行なうためには仕事関数の小さ
い金属を用いることが必要である。
への電子注入を効率よく行なうためには仕事関数の小さ
い金属を用いることが必要である。
この様な観点から、Ｎａ、Ｌｉなどのアルカリ金属は好
ましいが、これらは大気中、特に湿気存在中で不安定で
あるために用いることができない。
ましいが、これらは大気中、特に湿気存在中で不安定で
あるために用いることができない。
他の多くの金属は仕事関数が４．５〜５ｅＶ程度であり
、例えばアントラセンの電子親和力（〜１．５ｅＶ）と
比較して大きく、電子注入電極として適さない。
、例えばアントラセンの電子親和力（〜１．５ｅＶ）と
比較して大きく、電子注入電極として適さない。
そこで本発明では、これらの金属電極に代えて、電子親
和力が４ｅＶ以下であるＳｉＣ，Ｓｉなどのｎ型半導体
を電子注入電極として用いることにより、電子注入効率
の増大を図るものである。
和力が４ｅＶ以下であるＳｉＣ，Ｓｉなどのｎ型半導体
を電子注入電極として用いることにより、電子注入効率
の増大を図るものである。
本発明で発光体として用いる有機半導体材ねとしては、
ナフタレン、アントラセン、ペリレン。
ナフタレン、アントラセン、ペリレン。
ピレンなとの縮合多環芳香族化合物及びその誘導体、ク
マリン、ローダミン、キトンレッド、フタロシアニン、
キナクリドンなどの色素類及びその誘導体、またはポリ
ピロール、ポリインドール。
マリン、ローダミン、キトンレッド、フタロシアニン、
キナクリドンなどの色素類及びその誘導体、またはポリ
ピロール、ポリインドール。
ポリチェニレン、ポリアニリン、ポリビニルカルバゾー
ルなどのへテロ原子をもつポリマーなどのＬＳＩを挙げ
ることができる。これらの有機半導体は、直鎖脂肪酸を
置換基として付加することによりＬＢ躾化が容易になる
。また、これらの有機半導体にステアリン酸やアラキシ
ン酸等の百Ｍ ＩＩＦｔ肪酸を混合した混合系を用いて
ＬＢＩＩＩ化してもよい。
ルなどのへテロ原子をもつポリマーなどのＬＳＩを挙げ
ることができる。これらの有機半導体は、直鎖脂肪酸を
置換基として付加することによりＬＢ躾化が容易になる
。また、これらの有機半導体にステアリン酸やアラキシ
ン酸等の百Ｍ ＩＩＦｔ肪酸を混合した混合系を用いて
ＬＢＩＩＩ化してもよい。
本発明によれば、発光体としてのＬＢ膜に対する電子注
入効率を向上して高い発光効率を実現した注入型発光素
子を得ることができる。
入効率を向上して高い発光効率を実現した注入型発光素
子を得ることができる。
下記構造
９４）（。
をもつアントラセン誘導体を、ベンゼン溶液に約１ｍＱ
／ｒｒｌ！の濃度となるように溶解してＬＢ膜展開溶液
を作成する。この成膜分子は１０ｄｙｎｅ／α以上の凝
縮膜となることが表面圧−分子占有面積曲線から知られ
た。ＬＢＢ形成装置は市販の垂直引上げ方式のものを用
い、展開累積に先だって、水相を１）Ｈ６，０、共存金
篇塩として二価カドミウム塩を約０．０５ｍＭ添加し、
水温を２０℃に保った。ｎ型Ｓ１基板を、公知の表面処
理を施した後上記水相内に設置した。そして上記成膜分
子を約６００μ２トラニツト法により展開し、表面圧を
１５ ｄｙｎｔ３／ ｃｍ １．：設定して単分子膜を
安定させた。引上げ速度１００μｍ／分で基板を引上げ
、ＬＢ膜を累積した。累積数は５０層とした。
／ｒｒｌ！の濃度となるように溶解してＬＢ膜展開溶液
を作成する。この成膜分子は１０ｄｙｎｅ／α以上の凝
縮膜となることが表面圧−分子占有面積曲線から知られ
た。ＬＢＢ形成装置は市販の垂直引上げ方式のものを用
い、展開累積に先だって、水相を１）Ｈ６，０、共存金
篇塩として二価カドミウム塩を約０．０５ｍＭ添加し、
水温を２０℃に保った。ｎ型Ｓ１基板を、公知の表面処
理を施した後上記水相内に設置した。そして上記成膜分
子を約６００μ２トラニツト法により展開し、表面圧を
１５ ｄｙｎｔ３／ ｃｍ １．：設定して単分子膜を
安定させた。引上げ速度１００μｍ／分で基板を引上げ
、ＬＢ膜を累積した。累積数は５０層とした。
ＬＢ膜膜形後後Ｎ２雰囲気中で乾燥し、ＬＢ摸幌上ホー
ル注入電極として金電極を蒸着形成した。
ル注入電極として金電極を蒸着形成した。
図はこの注入型発光素子を示す。１はｎ型Ｓ１基板、２
はＬＢＩＩＩ、３は金電極である。この発光素子に金電
極側が正となる電圧を印加したところ、４ Ｘ １’Ｏ
’ Ｖ／ｃｍ以上−の電界で青色発光が認められた。
はＬＢＩＩＩ、３は金電極である。この発光素子に金電
極側が正となる電圧を印加したところ、４ Ｘ １’Ｏ
’ Ｖ／ｃｍ以上−の電界で青色発光が認められた。
比較例として、ｎ型３ｉ基板の代わりにＡＲ蒸着躾を形
成したガラス基板を用いた伯、上記実施例と同様の条件
で発光素子を形成した。この発光素子では、５Ｘ１０”
以上の電界まで光先は認められなかった。
成したガラス基板を用いた伯、上記実施例と同様の条件
で発光素子を形成した。この発光素子では、５Ｘ１０”
以上の電界まで光先は認められなかった。
図は本発明の一実施例の注入型発光素子を示す。
１・・・ｎ型Ｓｉ基板、２・・・ＬＢ膜、３・・・金電
極。
極。
Claims (1)
- ラングミュア・プロジェット法による有機薄膜を発光体
とする注入型発光素子において、電子注入電極としてｎ
型半導体を用いたことを特徴とする注入型発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214561A JPS6276576A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 注入型発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60214561A JPS6276576A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 注入型発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276576A true JPS6276576A (ja) | 1987-04-08 |
Family
ID=16657760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60214561A Pending JPS6276576A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 注入型発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276576A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312873A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01312874A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| WO1997047050A1 (en) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
| US6582837B1 (en) | 1997-07-14 | 2003-06-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP1314977A4 (en) * | 2000-09-01 | 2005-04-13 | Japan Science & Tech Corp | METHOD FOR DETECTING GAS BY USING PHOTOGRAPHER REINFORCEMENT AND THE SAME AND GAS SENSOR |
| US7081368B2 (en) | 2000-09-01 | 2006-07-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for detecting gas with the use of photocurrent amplification and the like and gas sensor |
| WO2008058527A3 (de) * | 2006-11-15 | 2008-10-16 | Till Keesmann | Feldemissionsvorrichtung |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60214561A patent/JPS6276576A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312873A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| JPH01312874A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| WO1997047050A1 (en) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
| US6433355B1 (en) | 1996-06-05 | 2002-08-13 | International Business Machines Corporation | Non-degenerate wide bandgap semiconductors as injection layers and/or contact electrodes for organic electroluminescent devices |
| US6582837B1 (en) | 1997-07-14 | 2003-06-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescence device |
| EP1314977A4 (en) * | 2000-09-01 | 2005-04-13 | Japan Science & Tech Corp | METHOD FOR DETECTING GAS BY USING PHOTOGRAPHER REINFORCEMENT AND THE SAME AND GAS SENSOR |
| US7081368B2 (en) | 2000-09-01 | 2006-07-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for detecting gas with the use of photocurrent amplification and the like and gas sensor |
| WO2008058527A3 (de) * | 2006-11-15 | 2008-10-16 | Till Keesmann | Feldemissionsvorrichtung |
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