JPS6278878A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6278878A JPS6278878A JP22060485A JP22060485A JPS6278878A JP S6278878 A JPS6278878 A JP S6278878A JP 22060485 A JP22060485 A JP 22060485A JP 22060485 A JP22060485 A JP 22060485A JP S6278878 A JPS6278878 A JP S6278878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- aluminum wiring
- ohmic contact
- semiconductor device
- silicon region
- Prior art date
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は抵抗が増大するのを防止したオーミックコン
タクトを有する半導体装置に関するものである。
タクトを有する半導体装置に関するものである。
【従来の技術フ
第２図は従来の半導体装置を示す断面図であり。
（１）はシリコン領域であってこ＼ではシリコン基板、
（２）は基板（１）表面に付けられた二酸化シリコン等
の絶縁物層、（３）は少くとも熱処理時にシリコンを含
有しているアルミニウム配線、（４）はシリコン領域（
１）とアルミニウム配線（３）を電気的に接続するオー
ミックコンタクト、（５）はアルミニウム配線の熱処理
時にオーミックコンタクト（４）や絶縁物層（２）上に
アルミニウム配線（２）から析出したしたシリコンの析
出物である。
（２）は基板（１）表面に付けられた二酸化シリコン等
の絶縁物層、（３）は少くとも熱処理時にシリコンを含
有しているアルミニウム配線、（４）はシリコン領域（
１）とアルミニウム配線（３）を電気的に接続するオー
ミックコンタクト、（５）はアルミニウム配線の熱処理
時にオーミックコンタクト（４）や絶縁物層（２）上に
アルミニウム配線（２）から析出したしたシリコンの析
出物である。
従来の半導体装置は上記のように構成され、アルミニウ
ム配線（２）とシリコン領域（１）とは直接またシリコ
ンの析出物（５）を介して電気的に接続されていた。尚
オーミックコンタクト（４）近傍のシリコン領域（１）
には通常高濃度の不純物が導入されている。
ム配線（２）とシリコン領域（１）とは直接またシリコ
ンの析出物（５）を介して電気的に接続されていた。尚
オーミックコンタクト（４）近傍のシリコン領域（１）
には通常高濃度の不純物が導入されている。
（発明が解決しようとする問題点）
以とのような従来の半導体装置においては、最近のよう
にパターンサイズが微細化して来ると第２図に示す如く
、オーミックコンタクト（４）に比してシリコンの析出
物（５）が無視できない大きさになっており、この析出
物（５）の抵抗値が大であるために実効的なオーミック
コンタクト（４）の抵抗が大となる問題点があった。
にパターンサイズが微細化して来ると第２図に示す如く
、オーミックコンタクト（４）に比してシリコンの析出
物（５）が無視できない大きさになっており、この析出
物（５）の抵抗値が大であるために実効的なオーミック
コンタクト（４）の抵抗が大となる問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たものでオーミックコンタクト（４）の部分にシリコン
析出物（５）が生じ難くして、この部分の抵抗が上記の
ように増大するのを防止した半導体装置を得ることを目
的とする。
たものでオーミックコンタクト（４）の部分にシリコン
析出物（５）が生じ難くして、この部分の抵抗が上記の
ように増大するのを防止した半導体装置を得ることを目
的とする。
（問題点を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、シリコン領Ｍのオーミッ
クコンタクト部分に、シリコンを含むアルミニウム配線
を接触させ、このアルミニウム配線（こ、 導電性を要
求されない、 ボロンを含む他のシリコン領域を接触さ
せたものである。
クコンタクト部分に、シリコンを含むアルミニウム配線
を接触させ、このアルミニウム配線（こ、 導電性を要
求されない、 ボロンを含む他のシリコン領域を接触さ
せたものである。
この発明においては他のシリコン領域がバラツキによる
アルミニウム配線中の過剰のシリコンを吸収するから、
オーミックコンタクト部分にシリコンが析出するのを防
ぐ。
アルミニウム配線中の過剰のシリコンを吸収するから、
オーミックコンタクト部分にシリコンが析出するのを防
ぐ。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図であり％（６
）はボロンを含む他のシリコン領域であって、この実施
例ではＣＶＤ法等で形成したポリシリコン層であり、そ
の他の符号は従来のものと同一である。
）はボロンを含む他のシリコン領域であって、この実施
例ではＣＶＤ法等で形成したポリシリコン層であり、そ
の他の符号は従来のものと同一である。
第１図の構造を得る方法の一例は従来の第１図の構造を
得る途中のオーミックコンタクト（４）のために絶縁層
（２）に穴を開ける前の全面についている状態の時にポ
リシリコン層（６）を全面に形成し、こ（Ｉｔ） ２つ
の層（２） 、 （５）に同時に穴を開けこの土にアル
ミニウム層を全面に形成し、この２つのアルミニウム層
とポリシリコン層を同時に微細加工することにより得ら
れる。従って、この場合、オーミックコンタクト（４）
の部分を除いたアルミニウム配線（３）の下にのみポリ
シリコン層（６）は存在することになる。
得る途中のオーミックコンタクト（４）のために絶縁層
（２）に穴を開ける前の全面についている状態の時にポ
リシリコン層（６）を全面に形成し、こ（Ｉｔ） ２つ
の層（２） 、 （５）に同時に穴を開けこの土にアル
ミニウム層を全面に形成し、この２つのアルミニウム層
とポリシリコン層を同時に微細加工することにより得ら
れる。従って、この場合、オーミックコンタクト（４）
の部分を除いたアルミニウム配線（３）の下にのみポリ
シリコン層（６）は存在することになる。
この発明はと記のように構成したので、アルミニウム配
線（３）中に過剰のシリコンが熱処理時に、第１図に示
す如くポリシリコン層（６）上にシリコンの析出物（５
）が吸いよせられるように形成されてオーミックコンタ
クト（４）部分には形成されない。このような現象は、
第３図に示すようなｎｐｎ型バイポーラトランジスタの
ボロンが拡散されｔこベース（７）表面にアルミニウム
配線（３）中のシリコンが析出しやすく、燐が拡散され
ているエミッタ（８）やコレクタ（９）の表面には析出
し難いということでよく知られている。例えばＭ、Ｄｕ
ｔｏｆｔ 等によるＰｈｙｓ １ｃａ１２９Ｂ （１
９８５） ｐｐ２２５〜２５９に述べられている。
線（３）中に過剰のシリコンが熱処理時に、第１図に示
す如くポリシリコン層（６）上にシリコンの析出物（５
）が吸いよせられるように形成されてオーミックコンタ
クト（４）部分には形成されない。このような現象は、
第３図に示すようなｎｐｎ型バイポーラトランジスタの
ボロンが拡散されｔこベース（７）表面にアルミニウム
配線（３）中のシリコンが析出しやすく、燐が拡散され
ているエミッタ（８）やコレクタ（９）の表面には析出
し難いということでよく知られている。例えばＭ、Ｄｕ
ｔｏｆｔ 等によるＰｈｙｓ １ｃａ１２９Ｂ （１
９８５） ｐｐ２２５〜２５９に述べられている。
従って、前記の問題点は上記のことから解決されること
は自明である。
は自明である。
なお上記実施例では、他のシリコン領域（６）はオーミ
ックコンタクト（４）部分を除くアルミニウム配線（３
）の真下全面に設けた場合について述べたが、その一部
に設けたのみでもよく、さらにその上部また側面の一部
に設けてもよい。
ックコンタクト（４）部分を除くアルミニウム配線（３
）の真下全面に設けた場合について述べたが、その一部
に設けたのみでもよく、さらにその上部また側面の一部
に設けてもよい。
また、上記実施例では、シリコン領域（１）はシリコン
基板である場合について述べたが、ポリシリコン配線に
代えた同様の構造についても適用できる。
基板である場合について述べたが、ポリシリコン配線に
代えた同様の構造についても適用できる。
また上記実施例では他のシリコン領域（６）はポリシリ
コンであったがシリコン基板中の電気的に他から分離さ
れた領域にアルミニウム配線（３）を接触させてもよい
。
コンであったがシリコン基板中の電気的に他から分離さ
れた領域にアルミニウム配線（３）を接触させてもよい
。
すナートｐ宙幇Ｈ朗１７ｓ＋ナアルｉ二内ｔ、 １９
ｍ （ｘ）を寸’／ ＋ｌ １ン領域（１）と絶縁物層
（２）により電気的に分離された領域があったが両者（
１） 、 （３）を全面で接触させ、アルミニウム配線
（３）の上部に他のシリコン領域（６）を設けるように
してもよい。
ｍ （ｘ）を寸’／ ＋ｌ １ン領域（１）と絶縁物層
（２）により電気的に分離された領域があったが両者（
１） 、 （３）を全面で接触させ、アルミニウム配線
（３）の上部に他のシリコン領域（６）を設けるように
してもよい。
尚、上記実施例ではシリコンを材料の段階から含んでい
るアルミニウム配線（３）について述べたが。
るアルミニウム配線（３）について述べたが。
その熱処理時に基板（１）等から溶は出ｔこシリコンを
含む場合であってもよい。
含む場合であってもよい。
この発明は以上説明したとおりアルミニウム配線に他の
シリコン領域を接触させたことにより、アルミニウム配
線中のバラツキによる過剰のシリコンをこの他のシリコ
ン領域が吸収してオーミックコンタクト部分にシリコン
が析出するのを防ぐので抵抗の小さなオーミックコンタ
クトが得られる効果がある。
シリコン領域を接触させたことにより、アルミニウム配
線中のバラツキによる過剰のシリコンをこの他のシリコ
ン領域が吸収してオーミックコンタクト部分にシリコン
が析出するのを防ぐので抵抗の小さなオーミックコンタ
クトが得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図は従
来の半導体装置を示す断面図、第３図はこの発明の詳細
な説明するｔコめの断面図である。 図において（１）はシリコン領域、（３）はアルミニウ
ム配線、（４）はオーミックコンタクト、（５）はシリ
コンの析出物、（６）は他のシリコン領域である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
来の半導体装置を示す断面図、第３図はこの発明の詳細
な説明するｔコめの断面図である。 図において（１）はシリコン領域、（３）はアルミニウ
ム配線、（４）はオーミックコンタクト、（５）はシリ
コンの析出物、（６）は他のシリコン領域である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）シリコンを含むアルミニウム配線との間にオーミ
ックコンタクトを形成するシリコン領域と 前記オーミックコンタクト部分を除く前記 アルミニウム配線の部分に接し、ボロンを含む他のシリ
コン領域とを 備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22060485A JPS6278878A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22060485A JPS6278878A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278878A true JPS6278878A (ja) | 1987-04-11 |
Family
ID=16753578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22060485A Pending JPS6278878A (ja) | 1985-10-01 | 1985-10-01 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278878A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210667A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1985
- 1985-10-01 JP JP22060485A patent/JPS6278878A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210667A (ja) * | 1983-05-16 | 1984-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
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