JPS6278904A - 圧電装置 - Google Patents
圧電装置Info
- Publication number
- JPS6278904A JPS6278904A JP60219632A JP21963285A JPS6278904A JP S6278904 A JPS6278904 A JP S6278904A JP 60219632 A JP60219632 A JP 60219632A JP 21963285 A JP21963285 A JP 21963285A JP S6278904 A JPS6278904 A JP S6278904A
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- Japan
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- thin film
- glass substrate
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave device
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、たとえばガラス基板上に圧電薄膜を形成し、
その上にすだれ状電極を形成してなる薄膜弾性表面波装
置に用いられる圧電装置に関する。
その上にすだれ状電極を形成してなる薄膜弾性表面波装
置に用いられる圧電装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
一般に薄膜弾性表面波装置は、圧電薄膜を用いることに
より高価な圧電結品を多足に用いる必要がなく、ざらに
基板として非常に安価なガラス基板を用いることができ
るため、圧電単結晶基板を用いた弾性表面波装置と比較
して、非常に経済的である。
より高価な圧電結品を多足に用いる必要がなく、ざらに
基板として非常に安価なガラス基板を用いることができ
るため、圧電単結晶基板を用いた弾性表面波装置と比較
して、非常に経済的である。
また圧電ａＰ）、を多層構造にすることにより、伝播速
度、電気機械結合係数等の表面波特性の取り得る範囲を
大幅に拡張さぼることができるという特徴を備えている
。
度、電気機械結合係数等の表面波特性の取り得る範囲を
大幅に拡張さぼることができるという特徴を備えている
。
このような薄膜弾性表面波装置は、たとえば第３図に示
すように、ガラス基板１上にフＡトエッチングによりす
だれ状電極２を形成し、その後酸化亜鉛、窒化アルミ等
の圧電薄膜３をグロー放電スパッタ装置等によりスパッ
タ蒸着を行い形成される。
すように、ガラス基板１上にフＡトエッチングによりす
だれ状電極２を形成し、その後酸化亜鉛、窒化アルミ等
の圧電薄膜３をグロー放電スパッタ装置等によりスパッ
タ蒸着を行い形成される。
またこの薄膜弾性表面波装置の構造は、一般に第４図（
ａ）〜（ｄ）に示すように、４種類のものが可能である
とされている。
ａ）〜（ｄ）に示すように、４種類のものが可能である
とされている。
第４図（ａ）は、第３図に示したものである。
また第４図（ｂ）は、圧電薄膜３上にすだれ状電極２が
形成されたものである。さらに第４図（Ｃ）および第４
図（ｄ＞は、圧電薄膜３のすだれ状電極２が形成された
面の対向面に金属対向電極４が形成されたものである。
形成されたものである。さらに第４図（Ｃ）および第４
図（ｄ＞は、圧電薄膜３のすだれ状電極２が形成された
面の対向面に金属対向電極４が形成されたものである。
ところで上述したガラス基板１上にスパッタ蒸着により
圧電薄膜３を形成したとき、形成された圧電薄膜３内に
内部応力が生じ、この内部応力によりガラス基板１に反
りが生じるという問題がある。
圧電薄膜３を形成したとき、形成された圧電薄膜３内に
内部応力が生じ、この内部応力によりガラス基板１に反
りが生じるという問題がある。
たとえば厚さが０゜５ｍｍ、直径が３インチのパイレッ
クスガラス（商品名）からなるガラス基板上に酸化亜鉛
からなる圧電薄膜をスパッタ蒸着により１μｍの厚さと
なるように形成したとき、このガラス基板に約４００μ
ｍの反りが生じた。
クスガラス（商品名）からなるガラス基板上に酸化亜鉛
からなる圧電薄膜をスパッタ蒸着により１μｍの厚さと
なるように形成したとき、このガラス基板に約４００μ
ｍの反りが生じた。
また第３図に示した（邑葛の薄膜弾性表面波装置を５７
Ｍ１１７．帯の弾性表面波フィルタとして使用するとき
、酸化亜鉛からなる圧電薄膜を約２２μｍの厚さに形成
する必要がある。このような圧電薄膜を上述した厚さが
０．５ｍｍ、直径が３インチのパイレックスガラスから
なるガラス基板上にスパッタ蒸着により形成したとき、
このガラス基板に２〜３ｍｍの反りが生じた。
Ｍ１１７．帯の弾性表面波フィルタとして使用するとき
、酸化亜鉛からなる圧電薄膜を約２２μｍの厚さに形成
する必要がある。このような圧電薄膜を上述した厚さが
０．５ｍｍ、直径が３インチのパイレックスガラスから
なるガラス基板上にスパッタ蒸着により形成したとき、
このガラス基板に２〜３ｍｍの反りが生じた。
このにうにガラス基板に大きな反りが生じることは、薄
膜弾性表面波装置の形成工程において妨゛げとなるばか
りでなく、ガラス基板上に形成された圧電ａ膜がはがれ
たり、さらにガラス基板に割れが生じるという問題があ
った。
膜弾性表面波装置の形成工程において妨゛げとなるばか
りでなく、ガラス基板上に形成された圧電ａ膜がはがれ
たり、さらにガラス基板に割れが生じるという問題があ
った。
［発明の目的］
本発明はかかる事情に対処してなされたもので、絶縁基
板に生じる反りを非常に小ざくすることができる圧電装
置を提供することを目的としている。
板に生じる反りを非常に小ざくすることができる圧電装
置を提供することを目的としている。
［発明の概要］
すなわち本発明の圧電装置は、絶縁基板上に網構が形成
され、この網構を覆って圧電）璋膜が形成されているこ
とにより、絶縁基板に生じる反りを非常に小さくするこ
とができるようにしたものでおる。
され、この網構を覆って圧電）璋膜が形成されているこ
とにより、絶縁基板に生じる反りを非常に小さくするこ
とができるようにしたものでおる。
［発明の実施例］
以下、本発明の実施例の詳細を図面に塁づいて説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の薄膜弾性表面波装置の縦断
正面図、第２図はこの実施例の薄膜弾性表面波装置の一
部拡大平面図である。
正面図、第２図はこの実施例の薄膜弾性表面波装置の一
部拡大平面図である。
これらの図に示すように、この薄膜弾性表面波装置５は
、厚さが１．２１１１ｍ、直径が３インチのパイレック
スガラスからなるガラス基板６上に深さが０．４ｍｍの
ダイシングによる網構７が各４龍の等間隔で形成されて
おり、この上に厚さが１０μｍの酸化亜鉛からなる圧電
薄膜８がスパッタ蒸着により形成されている。
、厚さが１．２１１１ｍ、直径が３インチのパイレック
スガラスからなるガラス基板６上に深さが０．４ｍｍの
ダイシングによる網構７が各４龍の等間隔で形成されて
おり、この上に厚さが１０μｍの酸化亜鉛からなる圧電
薄膜８がスパッタ蒸着により形成されている。
そしてこのように形成された薄膜弾性表面波装置５は、
ガラス基板６上にスパッタ蒸着により圧電薄膜８を形成
したとき、形成されたこの圧電薄膜８に内部応力が生じ
、この圧電薄膜８がガラス基板６を図中矢印９の方向に
反りを生じさける力が加わる。その際、ガラス基板６上
に形成された網構７により、この反りは緩和され、この
反りは非常に小さいものとなる。
ガラス基板６上にスパッタ蒸着により圧電薄膜８を形成
したとき、形成されたこの圧電薄膜８に内部応力が生じ
、この圧電薄膜８がガラス基板６を図中矢印９の方向に
反りを生じさける力が加わる。その際、ガラス基板６上
に形成された網構７により、この反りは緩和され、この
反りは非常に小さいものとなる。
このような効果を確認するために上）ホした実施例のン
埠膜弾性表面波装置５およびガラス基板上に網構が形成
されていないことを除けばこの薄膜弾性表面波装置５と
同一でおる薄膜弾性表面波装置のガラス基板の反りを測
定したところ、網構が形成された薄膜弾性表面波装置５
のガラス基板の反りは１４０μｍであり、網構が形成さ
れていない薄膜弾性表面波装置のガラス基板の反りは５
７０μｍであった。つまり本実施例によれば、反りが約
１／４緩和されたことになる。
埠膜弾性表面波装置５およびガラス基板上に網構が形成
されていないことを除けばこの薄膜弾性表面波装置５と
同一でおる薄膜弾性表面波装置のガラス基板の反りを測
定したところ、網構が形成された薄膜弾性表面波装置５
のガラス基板の反りは１４０μｍであり、網構が形成さ
れていない薄膜弾性表面波装置のガラス基板の反りは５
７０μｍであった。つまり本実施例によれば、反りが約
１／４緩和されたことになる。
また上述した網構によるガラス基板の反りの緩和は、以
下に示す範囲内において特に特徴ある効果を示した。
下に示す範囲内において特に特徴ある効果を示した。
０．２＋１１Ｔ［ｌ＜ ｔ ＜ １．５ｍｉかつ ０．
１＜ ｈ／ ｔ ＜ ０．８ただしｔ−ガラス基板の厚
さ ｈ＝綱網溝深さ なお、［）／ｌが０．８以上のとき、ガラス基板が非常
に壊れやすくなり、またｈ／ｌが０．１以下のとぎ、ガ
ラス基板の反りが緩和されず大きな反りが生じた。
１＜ ｈ／ ｔ ＜ ０．８ただしｔ−ガラス基板の厚
さ ｈ＝綱網溝深さ なお、［）／ｌが０．８以上のとき、ガラス基板が非常
に壊れやすくなり、またｈ／ｌが０．１以下のとぎ、ガ
ラス基板の反りが緩和されず大きな反りが生じた。
また上述した実施例においてダイシングにより形成され
た網構は、この薄膜弾性表面波装置形成後にチップの分
離を行うときに用いることができ、その際のダイシング
をする工程を省略することができる。
た網構は、この薄膜弾性表面波装置形成後にチップの分
離を行うときに用いることができ、その際のダイシング
をする工程を省略することができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の圧電装置によれば、絶縁基
板上に網構が形成されていることにより、絶縁基板に生
じる反りが、この網構に緩和され、非常に小さいものと
なる。
板上に網構が形成されていることにより、絶縁基板に生
じる反りが、この網構に緩和され、非常に小さいものと
なる。
第１図は本発明の一実施例の薄膜弾性表面波装置の縦断
正面図、第２図はこの実施例の薄膜弾性表面波装置の一
部拡大平面図、第３図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来例
の薄膜弾性表面波装置の縦断正面図である。 ５・・・・・・・・・・・・・・・薄膜弾性表面波装置
６・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板７．７・
・・７・・・網構 ８・・・・・・・・・・・・・・・圧電薄膜出願人
株式会社 東芝 代理°人弁理上 須 山 佐 − 図面の１′に書（古０に変更なし） 第１図 常２図 第３図 第４図 手続補正書 昭和 ６年 ２月１２ 日
正面図、第２図はこの実施例の薄膜弾性表面波装置の一
部拡大平面図、第３図、第４図（ａ）〜（ｄ）は従来例
の薄膜弾性表面波装置の縦断正面図である。 ５・・・・・・・・・・・・・・・薄膜弾性表面波装置
６・・・・・・・・・・・・・・・ガラス基板７．７・
・・７・・・網構 ８・・・・・・・・・・・・・・・圧電薄膜出願人
株式会社 東芝 代理°人弁理上 須 山 佐 − 図面の１′に書（古０に変更なし） 第１図 常２図 第３図 第４図 手続補正書 昭和 ６年 ２月１２ 日
Claims (6)
- （１）絶縁基板上に網構が形成され、この網溝を覆つて
圧電薄膜が形成されていることを特徴とする圧電装置。 - （２）絶縁基板が、ガラス基板である特許請求の範囲第
１項記載の圧電装置。 - （３）絶縁基板の厚さが、０．２〜１．５ｍｍの範囲内
であり、かつ絶縁基板の厚さに対する網溝の深さの比が
、０．１〜０．８の範囲内である特許請求の範囲第２項
記載の圧電装置。 - （４）圧電薄膜の一方のもしくは両方の面に導体パター
ンが形成されている特許請求の範囲第１項記載ないし第
３項のいずれか１項記載の圧電装置。 - （５）導体パターンが、すだれ状電極である特許請求の
範囲第１項ないし第４項のいずれか１項記載の圧電装置
。 - （６）圧電装置が、薄膜弾性表面波装置に用いられるも
のである特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか
１項記載の圧電装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219632A JPS6278904A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 圧電装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60219632A JPS6278904A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 圧電装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6278904A true JPS6278904A (ja) | 1987-04-11 |
Family
ID=16738567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60219632A Pending JPS6278904A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 圧電装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6278904A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018204A1 (fr) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
| WO1998048464A1 (en) * | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film piezoelectric element, method for manufacturing the same, and circuit element |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60219632A patent/JPS6278904A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998018204A1 (fr) * | 1996-10-18 | 1998-04-30 | Tdk Corporation | Dispositif de traitement des ondes acoustiques de surface |
| US6121713A (en) * | 1996-10-18 | 2000-09-19 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave device |
| WO1998048464A1 (en) * | 1997-04-24 | 1998-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film piezoelectric element, method for manufacturing the same, and circuit element |
| US6963155B1 (en) | 1997-04-24 | 2005-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film acoustic wave device, manufacturing method and circuit device |
| US7196452B2 (en) | 1997-04-24 | 2007-03-27 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Film acoustic wave device, manufacturing method and circuit device |
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