JPS628022B2 - - Google Patents
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- JPS628022B2 JPS628022B2 JP56051793A JP5179381A JPS628022B2 JP S628022 B2 JPS628022 B2 JP S628022B2 JP 56051793 A JP56051793 A JP 56051793A JP 5179381 A JP5179381 A JP 5179381A JP S628022 B2 JPS628022 B2 JP S628022B2
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- light beam
- cathode ray
- ray tube
- light
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光起電力法を用いて、半導体の諸特性
を測定する装置に関する。
を測定する装置に関する。
光起電力法自体は、半導体計測分野で古くから
用いられており、例えば、抵抗率を測定する４探
針法などに比べて、非接触測定法としての利点が
ある。第１図は従来周知の、光ビームを用いた半
導体試料の抵抗率分布を測定する方法の基本原理
を説明するための図である。
用いられており、例えば、抵抗率を測定する４探
針法などに比べて、非接触測定法としての利点が
ある。第１図は従来周知の、光ビームを用いた半
導体試料の抵抗率分布を測定する方法の基本原理
を説明するための図である。
光ビーム１を２次元的な広がりを有する半導体
試料２の表面２′に照射すると、一般に、試料２
の表面２′で正孔３と電子４のキヤリヤ対が発生
し、このキヤリヤは、試料２の裏面２″に向つ
て、矢印３′，４′のように拡散してゆく。ところ
が、例えば、Siの場合によく知られているよう
に、電子４の易動度が、正孔３の易動度より大き
いため、裏面２″には、電子４が正孔３より多く
移動するから、半導体試料２の表面２′には、正
の電荷をもつ正孔３が多く残り、結局試料２の表
面２′は正に帯電する。この現象は、ドイツのの
ハー・デンバ（H.Dember）によつて1931年に報
告され、以来“デンバ効果”として知られてい
る。しかし、デンバ効果によつて生起される電
圧、即ち、デンバ電圧は、ｐ−ｎ接合に光を照射
した場合に発生する電圧に比して格段に小さいた
め、従来、利用されていなかつた。
試料２の表面２′に照射すると、一般に、試料２
の表面２′で正孔３と電子４のキヤリヤ対が発生
し、このキヤリヤは、試料２の裏面２″に向つ
て、矢印３′，４′のように拡散してゆく。ところ
が、例えば、Siの場合によく知られているよう
に、電子４の易動度が、正孔３の易動度より大き
いため、裏面２″には、電子４が正孔３より多く
移動するから、半導体試料２の表面２′には、正
の電荷をもつ正孔３が多く残り、結局試料２の表
面２′は正に帯電する。この現象は、ドイツのの
ハー・デンバ（H.Dember）によつて1931年に報
告され、以来“デンバ効果”として知られてい
る。しかし、デンバ効果によつて生起される電
圧、即ち、デンバ電圧は、ｐ−ｎ接合に光を照射
した場合に発生する電圧に比して格段に小さいた
め、従来、利用されていなかつた。
本発明者等の考察によれば、ｎ型のSiなどのウ
エハについて、次のような結果がえられる。
エハについて、次のような結果がえられる。
ΔＶD＝（ｂ−１）／Ｓρ（０）eIαＬＰ ２／αＬＰ＋１ｖＰ／Ｓｆ＋ｖＰ (1)
ここで、ΔＶDはデンバ電圧を意味するが、
各々の信号の意味は下記の通りである。
各々の信号の意味は下記の通りである。
ｂ：電子の易動度／正孔の易動度
Ｓ：ウエハの面積
ρ（０）：ウエハ表面の抵抗率
ｅ：電子の電荷
Ｉ：光ビームの強さ（光子数／秒）
α：光ビームの吸収係数
ＬP：少数キヤリヤの拡散長
ＶP：少数キヤリヤの拡散速度
Sf：ウエハ表面でのキヤリヤの再結合速度
式(1)から分るように、デンバ電圧は、多くの因
子に依存するが、抵抗率ρ（０）以外は一定とみ
なすことができれば、Ｋを定数として結果的に、 ΔＶD＝Ｋ・ρ（０） (2) となる。すなわち、光ビーム１を細く絞つて、そ
れにより接合のない半導体試料（ウエハ）２上を
走査し、その時の光起電力の分布を測定すれば、
これがデンバ電圧に等しくなるから、結局、試料
２の表面の抵抗率の分布を測定していることにな
る。
子に依存するが、抵抗率ρ（０）以外は一定とみ
なすことができれば、Ｋを定数として結果的に、 ΔＶD＝Ｋ・ρ（０） (2) となる。すなわち、光ビーム１を細く絞つて、そ
れにより接合のない半導体試料（ウエハ）２上を
走査し、その時の光起電力の分布を測定すれば、
これがデンバ電圧に等しくなるから、結局、試料
２の表面の抵抗率の分布を測定していることにな
る。
抵抗率の分布を知るためには、従来、シヨツト
キ接合が用いられていた。第２図にその基本原理
を示す。半導体試料２の裏面２″にオーミツク電
極６をつけ、表面に金属探針５を立て、この探針
５の近くを光ビーム１で照射する。よく知られて
いるように、シヨツトキ接合５′では光起電圧が
発生し、これは電圧計７で測定できる。通常、光
起電力の大きさは、金属探針５が対向している部
分の試料２の抵抗率に依存するから、電圧計７の
指示は、抵抗率に比例することになる。広いウエ
ハ表面２′に対しては、金属探針５を移動させれ
ばよいが、実用上困難であるので第３図に示すよ
うに、網状の電極８を試料２に圧着して、シヨツ
トキ接合８″を全面に形成する。このようにし
て、光ビーム１を試料２上で走査すると、表面
２′上での抵抗率の分布を知ることができる。
キ接合が用いられていた。第２図にその基本原理
を示す。半導体試料２の裏面２″にオーミツク電
極６をつけ、表面に金属探針５を立て、この探針
５の近くを光ビーム１で照射する。よく知られて
いるように、シヨツトキ接合５′では光起電圧が
発生し、これは電圧計７で測定できる。通常、光
起電力の大きさは、金属探針５が対向している部
分の試料２の抵抗率に依存するから、電圧計７の
指示は、抵抗率に比例することになる。広いウエ
ハ表面２′に対しては、金属探針５を移動させれ
ばよいが、実用上困難であるので第３図に示すよ
うに、網状の電極８を試料２に圧着して、シヨツ
トキ接合８″を全面に形成する。このようにし
て、光ビーム１を試料２上で走査すると、表面
２′上での抵抗率の分布を知ることができる。
しかしながら第３図に示す従来の方法には、い
くつかの欠点がある。すなわち、第１にシヨツト
キ接合８″は、金属の圧着力、金属の表面の状態
（突起、酸化膜など）、半導体表面状態（酸化膜、
湿気、ゴミなど）に複雑に依存し、広い面に一様
な接合を作りにくいこと、第２に網状の電極８に
覆われる部分があり、試料２の全表面を光ビーム
１で照射できないこと、第３にオーミツク電板６
をつけることは、試料２に一種の損傷を与えるこ
とになり、完全な非破壊検査とはいえないこと、
などの欠点がある。
くつかの欠点がある。すなわち、第１にシヨツト
キ接合８″は、金属の圧着力、金属の表面の状態
（突起、酸化膜など）、半導体表面状態（酸化膜、
湿気、ゴミなど）に複雑に依存し、広い面に一様
な接合を作りにくいこと、第２に網状の電極８に
覆われる部分があり、試料２の全表面を光ビーム
１で照射できないこと、第３にオーミツク電板６
をつけることは、試料２に一種の損傷を与えるこ
とになり、完全な非破壊検査とはいえないこと、
などの欠点がある。
なお、第３図の方法と同じ原理で、一方の電極
に、第４図に示すように、Na2SO4などの電解液
１３を用いてシヨツトキ接合を形成して試料２の
特性を測定した例が報告されている。しかしなが
ら、電解液１３は透明電極として一般に使いにく
いものである上に、裏面２″にオーミツク電極６
をつけなければならないという不都合があること
も、前に述べた従来技術と同様である。なお、第
４図において、１２は電極、１４は電解液の槽の
側壁を示す。
に、第４図に示すように、Na2SO4などの電解液
１３を用いてシヨツトキ接合を形成して試料２の
特性を測定した例が報告されている。しかしなが
ら、電解液１３は透明電極として一般に使いにく
いものである上に、裏面２″にオーミツク電極６
をつけなければならないという不都合があること
も、前に述べた従来技術と同様である。なお、第
４図において、１２は電極、１４は電解液の槽の
側壁を示す。
このように、被測定試料に損傷を加えないで、
例えばSiウエハ面内の抵抗率分布を光起電圧を用
いて測定する方法は、従来全く知られていなか
た。
例えばSiウエハ面内の抵抗率分布を光起電圧を用
いて測定する方法は、従来全く知られていなか
た。
本発明の目的は、したがつて、半導体試料に全
く損傷を加えることなく、光起電力を用いて半導
体試料面内の諸特性の分布を測定することができ
る装置を提供することである。
く損傷を加えることなく、光起電力を用いて半導
体試料面内の諸特性の分布を測定することができ
る装置を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明による装置
は、特性を測定しようとする半導体試料の両面に
間隔を置いて少くとも一方が透明な電極をつけ、
上記透明な電極を介して、パルス化された細い光
ビームで上記半導体試料表面を走査し、キヤパシ
タンス結合によつて両電極間に発生する光起電力
を測定し、半導体試料の特性の平面内分布を観測
するように構成したことを要旨とする。
は、特性を測定しようとする半導体試料の両面に
間隔を置いて少くとも一方が透明な電極をつけ、
上記透明な電極を介して、パルス化された細い光
ビームで上記半導体試料表面を走査し、キヤパシ
タンス結合によつて両電極間に発生する光起電力
を測定し、半導体試料の特性の平面内分布を観測
するように構成したことを要旨とする。
本発明の一層有利な装置構成においては、電極
が両面とも透明であつて、半導体試料を透過する
光もまた検知し、透過光と光起電力とが同時に測
定される。
が両面とも透明であつて、半導体試料を透過する
光もまた検知し、透過光と光起電力とが同時に測
定される。
以下、本発明を図面にもとづいて詳細に記述す
る。
る。
第５図は本発明による測定方法の原理を示す。
本発明によれば、光ビーム１を試料２上の任意の
場所に照射したとき、デンバ電圧を正しく測定す
ることができる。デンバ電圧は、既に述べたよう
に、試料２の表面２′と裏面２″との間に発生する
から、電極８，９を各面に間隔を置いて対向させ
ておく。光ビーム１をパルス化すると発生される
デンバ電圧もパルス化されるから、電極８，９
を、試料２から離しておいても、形成される浮遊
キヤパシタンス１０，１１によるキヤパシタンス
結合でデンバ電圧を検知することができる。
本発明によれば、光ビーム１を試料２上の任意の
場所に照射したとき、デンバ電圧を正しく測定す
ることができる。デンバ電圧は、既に述べたよう
に、試料２の表面２′と裏面２″との間に発生する
から、電極８，９を各面に間隔を置いて対向させ
ておく。光ビーム１をパルス化すると発生される
デンバ電圧もパルス化されるから、電極８，９
を、試料２から離しておいても、形成される浮遊
キヤパシタンス１０，１１によるキヤパシタンス
結合でデンバ電圧を検知することができる。
第６図に、第５図の状態の等価回路を示す。光
ビーム１の照射によつて発生する電圧源（試料）
２の上下にキヤパシタンス１０，１１があり、こ
れを介して電圧計７が接続されることになる。
ビーム１の照射によつて発生する電圧源（試料）
２の上下にキヤパシタンス１０，１１があり、こ
れを介して電圧計７が接続されることになる。
第５図において、電極８は、例えば、ガラス面
にインジユウムを焼きつけることにより、透明な
電極を作ることができ、光ビーム１を、大きな吸
収なく、試料２上に導くことができる。なお、電
極９は電極８と同じように透明電極であつてもよ
いし、不透明電極であつてもよい。
にインジユウムを焼きつけることにより、透明な
電極を作ることができ、光ビーム１を、大きな吸
収なく、試料２上に導くことができる。なお、電
極９は電極８と同じように透明電極であつてもよ
いし、不透明電極であつてもよい。
結局、半導体試料２は、原理的には、電極８，
９の間に、電極８，９に直接接触せずに置かれる
から、この方法は、完全に非破壊方法となりうる
ことは明らかである。
９の間に、電極８，９に直接接触せずに置かれる
から、この方法は、完全に非破壊方法となりうる
ことは明らかである。
第７図に本発明装置の一実施例を示す。本例で
は、光ビーム２０の光源として、陰極線管１７を
用いる。光ビーム２０は、光学フイルタ１８によ
り、適当な波長に揃えられ、光学レンズ１９で収
束されて、半導体試料２上に照射される。光ビー
ム２０の走査は、陰極線管１７の中の電子線（図
には示されていない）を偏向走査させることでな
される。走査速度、走査範囲は、走査電源３１か
らの電圧を適当に調整器３２で調整して偏向コイ
ル１６に電流変換されて供給される。同一走査信
号は、走査像表示用の陰極線管２６，２８の偏向
コイル２７，２９に供給されるが、特に、陰極線
管２８にあつては、半導体試料２からの信号を加
算器３０で偏向電流に重畳できるようにしてあ
る。つまり、陰極線管２８の走査は、光源となる
陰極線管１７の電子ビームと同期して走査され、
試料表面上に光電圧が生じない箇所では、陰極線
管２８の電子ビームと同様な走査が陰極線管１７
の画面上に行なわれる。試料表面上で光電圧が生
じる箇所では、その光電圧信号が、加算器で、走
査信号に加算されるため、加算された信号が偏向
コイル２９に加えられ、電子ビームを、光電圧信
号に対応して偏向させる。従つて、画面上には試
料表面上の光電圧の変化を表わす、振幅変調され
た走査像がえられる。
は、光ビーム２０の光源として、陰極線管１７を
用いる。光ビーム２０は、光学フイルタ１８によ
り、適当な波長に揃えられ、光学レンズ１９で収
束されて、半導体試料２上に照射される。光ビー
ム２０の走査は、陰極線管１７の中の電子線（図
には示されていない）を偏向走査させることでな
される。走査速度、走査範囲は、走査電源３１か
らの電圧を適当に調整器３２で調整して偏向コイ
ル１６に電流変換されて供給される。同一走査信
号は、走査像表示用の陰極線管２６，２８の偏向
コイル２７，２９に供給されるが、特に、陰極線
管２８にあつては、半導体試料２からの信号を加
算器３０で偏向電流に重畳できるようにしてあ
る。つまり、陰極線管２８の走査は、光源となる
陰極線管１７の電子ビームと同期して走査され、
試料表面上に光電圧が生じない箇所では、陰極線
管２８の電子ビームと同様な走査が陰極線管１７
の画面上に行なわれる。試料表面上で光電圧が生
じる箇所では、その光電圧信号が、加算器で、走
査信号に加算されるため、加算された信号が偏向
コイル２９に加えられ、電子ビームを、光電圧信
号に対応して偏向させる。従つて、画面上には試
料表面上の光電圧の変化を表わす、振幅変調され
た走査像がえられる。
第７図には、試料２が、二つの透明電極８，
８′ではさみこまれている状態を示す。その目的
は試料２を透過した光ビーム２０′の強度、波長
分布を知ることにある。すなわち、光ダイオード
からなる検知器２１により透過光２０′を検知分
析し、増幅器２２で増幅してやれば、よく知られ
た原理により、不純物濃度の情報をえることがで
きる。その結果、式(1)で示すデンバ電圧の関連因
子の中で、どれが最も効果が大きいのかの判定
が、一段と確実になり、相乗効果が大きい。たと
えば、透過光２０′の強度に何の変化もないの
に、デンバ電圧が大きく変つたとすれば、それ
は、抵抗率ρ（０）に依るよりは、例えば表面再
結合速度Sfが急激に変化したと考えられる。
８′ではさみこまれている状態を示す。その目的
は試料２を透過した光ビーム２０′の強度、波長
分布を知ることにある。すなわち、光ダイオード
からなる検知器２１により透過光２０′を検知分
析し、増幅器２２で増幅してやれば、よく知られ
た原理により、不純物濃度の情報をえることがで
きる。その結果、式(1)で示すデンバ電圧の関連因
子の中で、どれが最も効果が大きいのかの判定
が、一段と確実になり、相乗効果が大きい。たと
えば、透過光２０′の強度に何の変化もないの
に、デンバ電圧が大きく変つたとすれば、それ
は、抵抗率ρ（０）に依るよりは、例えば表面再
結合速度Sfが急激に変化したと考えられる。
既に述べたように、本発明では、キヤパシタン
ス結合でデンバ電圧を測定するが、そのために、
光ビーム２０はパルス化されている。パルス化
は、陰極線管１７の電子線をパルス化することに
よつて行なわれるが、これは、パルス電源１５で
陰極線管１７の輝度変調を行うことでなされる。
このパルス電圧は、信号を同期検波するために用
いられる。すなわち、これは同期検波器２５の参
照電圧として用いられる。このようにすることに
よつて、信号のSN比が格段に向上する。
ス結合でデンバ電圧を測定するが、そのために、
光ビーム２０はパルス化されている。パルス化
は、陰極線管１７の電子線をパルス化することに
よつて行なわれるが、これは、パルス電源１５で
陰極線管１７の輝度変調を行うことでなされる。
このパルス電圧は、信号を同期検波するために用
いられる。すなわち、これは同期検波器２５の参
照電圧として用いられる。このようにすることに
よつて、信号のSN比が格段に向上する。
増幅されて、同期検波された信号は、一つは、
表示用陰極線管２６の電子ビーム強度の変調に用
いられる。電子ビームの走査は、陰極線管１７の
電子ビーム走査と同期しているため、陰極線管２
６の画面上に輝度変調された走査像は、試料表面
上の光電圧分布を表わすことになる。これに対し
て、同期検波された信号は、表示用陰極線管２８
の偏向コイルにも加えられ、上述のように、光電
圧信号に対応した振幅変調された走査像が得られ
る。輝度変調像は、光電圧分布の概略をつかむの
に便利ではあるが、定量的に把握することが困難
である。一方、振幅変調された走査像は、光電圧
を定量的に把握できるのに便利であり、本実施例
では、両者の走査像を併用するため、陰極線管２
６と２８とを配置している。
表示用陰極線管２６の電子ビーム強度の変調に用
いられる。電子ビームの走査は、陰極線管１７の
電子ビーム走査と同期しているため、陰極線管２
６の画面上に輝度変調された走査像は、試料表面
上の光電圧分布を表わすことになる。これに対し
て、同期検波された信号は、表示用陰極線管２８
の偏向コイルにも加えられ、上述のように、光電
圧信号に対応した振幅変調された走査像が得られ
る。輝度変調像は、光電圧分布の概略をつかむの
に便利ではあるが、定量的に把握することが困難
である。一方、振幅変調された走査像は、光電圧
を定量的に把握できるのに便利であり、本実施例
では、両者の走査像を併用するため、陰極線管２
６と２８とを配置している。
第７図において、電極８，８′と試料２の間
に、スペーサ３９，３９′がそう入されている
が、これは、試料２を損傷せずに、電極８，８′
に近接しておくためのもので、マイカ、マイラ、
ポリエチレンなどの光透過性の絶縁膜を用いる。
厚さとしては、数10μｍ以下が適当である。
に、スペーサ３９，３９′がそう入されている
が、これは、試料２を損傷せずに、電極８，８′
に近接しておくためのもので、マイカ、マイラ、
ポリエチレンなどの光透過性の絶縁膜を用いる。
厚さとしては、数10μｍ以下が適当である。
以上、第７図に基づいて、本発明の実施例を説
明したが、本発明において、光源としては、陰極
線管１７に限定するものではなく、他の光源、例
えばレーザ、でもよく、光ビーム２０の走査方法
として鏡も動かすなどの方式を用いてもよいとい
うことは言う迄もない。
明したが、本発明において、光源としては、陰極
線管１７に限定するものではなく、他の光源、例
えばレーザ、でもよく、光ビーム２０の走査方法
として鏡も動かすなどの方式を用いてもよいとい
うことは言う迄もない。
また、応用例としては、抵抗率の分布測定にお
いての有効性のみについてふれたが、式(1)からも
明らかなように、他の特性についても測定可能だ
し、さらに、イオンインプランテーシヨンなどで
作つたｐ−ｎ接合または同一導電型であつて異な
つた不純物濃度を有する領域からなる接合を有す
るウエハ、酸化膜、特にその中に固定電荷を含む
酸化膜を有するウエハ、さらには表面（もしくは
界面）準位を有するウエハについても本装置を適
用できることは明らかである。たとえば、ｐ−ｎ
接合の場合には、接合の一様性が表示管上に短時
間で表示されるから、そのウエハが固体回路素子
のプロセスに用いられるか否か簡単に判別でき、
工業的メリツトは大きい。
いての有効性のみについてふれたが、式(1)からも
明らかなように、他の特性についても測定可能だ
し、さらに、イオンインプランテーシヨンなどで
作つたｐ−ｎ接合または同一導電型であつて異な
つた不純物濃度を有する領域からなる接合を有す
るウエハ、酸化膜、特にその中に固定電荷を含む
酸化膜を有するウエハ、さらには表面（もしくは
界面）準位を有するウエハについても本装置を適
用できることは明らかである。たとえば、ｐ−ｎ
接合の場合には、接合の一様性が表示管上に短時
間で表示されるから、そのウエハが固体回路素子
のプロセスに用いられるか否か簡単に判別でき、
工業的メリツトは大きい。
第１図は光ビームを用いた半導体試料の抵抗率
分布を測定する基本原理を示す図、第２図から第
４図までは従来の光ビームを用いた半導体試料の
特性測定装置の原理を示す図、第５図は本発明の
原理を示す図、第６図は第５図に対応する等価回
路図、第７図は本発明による半導体特性測定装置
の一実施例の態様を示すブロツク図である。 １，２０，２０′……光ビーム、２……半導体
試料、２′……表面、２″……裏面、３……正孔、
４……電子、５，１２……探針、５，８″……シ
ヨツトキ接合、６……オーミツク電極、７……電
圧計、８，８′……透明電極、９……不透明電
極、１０，１１……浮遊キヤパシタンス、１３…
…電解液、１４……側壁、１５……パルス電源、
１６，２７，２９……偏向コイル、１７，２６，
２８……陰極線管、１８……光学フイルタ、１９
……光学レンズ、２０，２１……光検知器、２
２，２４……増幅器、２３……スイツチ、２５…
…同期検波器、３０……加算器、３１……走査電
源、３２……調整器、３９，３９′……スペーサ
ー。
分布を測定する基本原理を示す図、第２図から第
４図までは従来の光ビームを用いた半導体試料の
特性測定装置の原理を示す図、第５図は本発明の
原理を示す図、第６図は第５図に対応する等価回
路図、第７図は本発明による半導体特性測定装置
の一実施例の態様を示すブロツク図である。 １，２０，２０′……光ビーム、２……半導体
試料、２′……表面、２″……裏面、３……正孔、
４……電子、５，１２……探針、５，８″……シ
ヨツトキ接合、６……オーミツク電極、７……電
圧計、８，８′……透明電極、９……不透明電
極、１０，１１……浮遊キヤパシタンス、１３…
…電解液、１４……側壁、１５……パルス電源、
１６，２７，２９……偏向コイル、１７，２６，
２８……陰極線管、１８……光学フイルタ、１９
……光学レンズ、２０，２１……光検知器、２
２，２４……増幅器、２３……スイツチ、２５…
…同期検波器、３０……加算器、３１……走査電
源、３２……調整器、３９，３９′……スペーサ
ー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パルス化され、かつ、収束された光ビームに
よつて半導体試料の表面上を走査しながら照射す
る光ビーム照射手段と、上記光ビームの照射によ
つて上記試料の表裏面間に生じる光起電力をキヤ
パシタンス結合によつて取り出すため上記試料の
表側及び裏側に間隔を置いて配置された電極であ
つて、これらの電極のうち少なくとも上記光ビー
ムの照射側の電極が光透過性電極からなる上記電
極と、上記電極によつて取り出された出力信号を
上記光ビームのパルス化信号と比較・参照させる
ことによつて上記光起電力の信号成分のみを取り
出す同期検波回路と、上記同期検波回路からの出
力の変化を観測するため上記信号成分を変調信号
として入力する観測手段とを備えてなることを特
徴とする半導体特性測定装置。 ２ 上記光ビーム照射手段が陰極線管と、輝度変
調を行なうため上記陰極線管に接続されたパルス
電源と、偏向を行なうため上記陰極線管の偏向コ
イルに接続された走査電源と、収束を行なうため
上記陰極線管と上記試料との間に配置された光学
レンズとからなる特許請求の範囲第１項の半導体
特性測定装置。 ３ 上記陰極線管と上記光学レンズとの間に上記
光ビームの波長を揃えるための光学フイルタが付
加されている特許請求の範囲第２項の半導体特性
測定装置。 ４ 上記電極が光透過性の電気的絶縁板を介して
上記試料上に配置している特許請求の範囲第１項
の半導体特性測定装置。 ５ 上記観測手段が上記信号成分によつて輝度変
調される陰極線管である特許請求の範囲第１項の
半導体特性測定装置。 ６ 上記観測手段が上記信号成分によつて振幅変
調される陰極線管である特許請求の範囲第１項の
半導体特性測定装置。 ７ パルス化され、かつ、収束された光ビームに
よつて半導体試料の表面上を走査しながら照射す
る光ビーム照射手段と、上記光ビームの照射によ
つて上記試料の表裏面間に生じる光起電力をキヤ
パシタンス結合によつて取り出すため上記試料の
表側及び裏側に間隔を置いて配置された光透過性
電極と、上記光ビームの照射によつて上記試料中
を透過する光の強度を検出するため上記試料の裏
側に配置された光検知手段と、上記電極によつて
取り出された出力信号あるいは上記光検知手段か
らの出力信号を上記光ビームのパルス化信号と比
較・参照させることによつて上記光起電力の信号
成分あるいは上記透過光の信号成分のみを取り出
す同期検波回路と、上記同期検波回路からの出力
の変化を観測するため上記信号成分を変調信号と
して入力する観測手段とを備えてなることを特徴
とする半導体特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5179381A JPS56155543A (en) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Measuring device for semiconductor characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5179381A JPS56155543A (en) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Measuring device for semiconductor characteristic |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56155543A JPS56155543A (en) | 1981-12-01 |
| JPS628022B2 true JPS628022B2 (ja) | 1987-02-20 |
Family
ID=12896813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5179381A Granted JPS56155543A (en) | 1981-04-08 | 1981-04-08 | Measuring device for semiconductor characteristic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56155543A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5881944U (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体ウエハ検査装置 |
| JPS5982740A (ja) * | 1982-11-02 | 1984-05-12 | Nec Corp | 高抵抗半導体ウエハの評価方法 |
| CN115032236B (zh) * | 2021-03-04 | 2025-04-29 | 光颉科技股份有限公司 | 电阻元件金属层杂质的检测方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54136182A (en) * | 1978-04-13 | 1979-10-23 | Fumio Horiguchi | Method of measuring nonncontact semiconductor wafer characteristics |
-
1981
- 1981-04-08 JP JP5179381A patent/JPS56155543A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56155543A (en) | 1981-12-01 |
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