JPS6280265A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS6280265A JPS6280265A JP22042785A JP22042785A JPS6280265A JP S6280265 A JPS6280265 A JP S6280265A JP 22042785 A JP22042785 A JP 22042785A JP 22042785 A JP22042785 A JP 22042785A JP S6280265 A JPS6280265 A JP S6280265A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- substrates
- chambers
- substrate
- compartment
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は超ＬＳＩ例えば１）１ｂｉｔのダイナミックＲ
Ａ）ｌの製造に使用される基板等を真空処理する装置に
関する。
Ａ）ｌの製造に使用される基板等を真空処理する装置に
関する。
（従来の技術）
従来、超ＬＳＩの製造に際して基板上に複数の薄膜の層
を重層形成するために真空処理室内に複数のターゲット
を設け、順次に該ターゲットを作動させることは行なわ
れており、この場合該真空処理室内の雰囲気は例えばＡ
ｒガスの雰囲気から変えられることがなく一定の雰囲気
中で基板の処理が行なわれる。
を重層形成するために真空処理室内に複数のターゲット
を設け、順次に該ターゲットを作動させることは行なわ
れており、この場合該真空処理室内の雰囲気は例えばＡ
ｒガスの雰囲気から変えられることがなく一定の雰囲気
中で基板の処理が行なわれる。
（発明が解決しようとする問題点）
同一の処理室内に於いて複数のターゲットを使用して基
板の処理を行なえば、基板面が大気にざらされて変質す
ることがなく有利ではあるが、１つのターゲットを作動
させてのスパッタ中に他のターゲットのスパッタ物質が
混入するスパッタ物質相互のクロスコンタミネーション
が生じ、低質の薄膜しか得られない欠点がある。
板の処理を行なえば、基板面が大気にざらされて変質す
ることがなく有利ではあるが、１つのターゲットを作動
させてのスパッタ中に他のターゲットのスパッタ物質が
混入するスパッタ物質相互のクロスコンタミネーション
が生じ、低質の薄膜しか得られない欠点がある。
また同一の処理室内で複数のターゲットによる処理を行
なう場合、該室内の雰囲気を急変させることが出来ない
ので、特定の例えばＡｒガス雰囲気とＡ「及びＮ２ガス
雰囲気とで交互に基板の処理を行なえず、反応性スパッ
タの処理は別個の処理装置で行なわなければならない不
便がある。
なう場合、該室内の雰囲気を急変させることが出来ない
ので、特定の例えばＡｒガス雰囲気とＡ「及びＮ２ガス
雰囲気とで交互に基板の処理を行なえず、反応性スパッ
タの処理は別個の処理装置で行なわなければならない不
便がある。
本発明は基板の複数の処理をクロスコンタミネーション
を生じずにしかも雰囲気を変えて行なえる処理装置を提
供することを目的とするものである。
を生じずにしかも雰囲気を変えて行なえる処理装置を提
供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、基板にスパッタその他の処理を施す真空処
理室内を複数に区画し、その各区画室に基板の流通可能
な流通口を形成してシリーズに接続し、各流通口にこれ
を開閉する仕切弁を設け、各区画室に真空ポンプと処理
用電極とを設けると共に該区画室のシリーズに於ける最
初の区画室に仕切弁を備えた流通口を介して基板仕込室
を連設すると共に最後の区画室に仕切弁を備えた流通口
を介して基板取出室を連設することにより前記目的を達
成するようにした。
理室内を複数に区画し、その各区画室に基板の流通可能
な流通口を形成してシリーズに接続し、各流通口にこれ
を開閉する仕切弁を設け、各区画室に真空ポンプと処理
用電極とを設けると共に該区画室のシリーズに於ける最
初の区画室に仕切弁を備えた流通口を介して基板仕込室
を連設すると共に最後の区画室に仕切弁を備えた流通口
を介して基板取出室を連設することにより前記目的を達
成するようにした。
（作 用）
基板仕込室に多数枚の基板を収めて真空排気し、その１
枚を仕切弁を介してシリーズに接続された真空処理室内
の最初の区画室へ送り込まれる。真空処理室内の各区画
室には真空ポンプと処理用電極とが設けられており、基
板に施す処理に応じて室内の雰囲気を変更すると共に該
電極によりエツチング或いはスパッタリングの処理を施
せる。区画室内で処理された基板は次々とシリーズに接
続された区画室に送られ各室に於いて夫々別個の真空処
理を施し、基板面を例えばエッチクリーニングし、Ｔｉ
１ｉＪとＴｉＮ層とＭ層をスパッタにより順次重ねて形
成させることが出来る。最後の区画室に連設した基板取
出室に処理済の基板が集まると外部に取出される。
枚を仕切弁を介してシリーズに接続された真空処理室内
の最初の区画室へ送り込まれる。真空処理室内の各区画
室には真空ポンプと処理用電極とが設けられており、基
板に施す処理に応じて室内の雰囲気を変更すると共に該
電極によりエツチング或いはスパッタリングの処理を施
せる。区画室内で処理された基板は次々とシリーズに接
続された区画室に送られ各室に於いて夫々別個の真空処
理を施し、基板面を例えばエッチクリーニングし、Ｔｉ
１ｉＪとＴｉＮ層とＭ層をスパッタにより順次重ねて形
成させることが出来る。最後の区画室に連設した基板取
出室に処理済の基板が集まると外部に取出される。
各区画室は仕切弁を閉じることにより閉鎖独立した室と
なりしかも真空ポンプを備えるので一室でＡｒガスでス
パッタ中に同時に他の室で八ｒとＮ２ガスでスパッタし
てもガスのクロスコンタミネーションがない。従って例
えば反応スパッタでＴｉＮのような物質の薄膜を基板に
形成することが出来る。
なりしかも真空ポンプを備えるので一室でＡｒガスでス
パッタ中に同時に他の室で八ｒとＮ２ガスでスパッタし
てもガスのクロスコンタミネーションがない。従って例
えば反応スパッタでＴｉＮのような物質の薄膜を基板に
形成することが出来る。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１図及び第
２図に於いて（１）は長手の真空処理室、（２）は該真
空処理室（１）内に形成した区画壁で、該処理室（１）
内を例えば４室のシリーズの区画！（３）＜４） （５
） （６）に区画する。（７＞は各区画壁（２）に設け
た基板（８）を流通し得る程度の流通口（９）を開閉す
べく設けた仕切弁、０Ｃは各区画室（３）〜（６）に設
けたクライオポンプからなる真空ポンプ、ａｌは各区画
室（３）〜（６）内の処理用電極で、シリーズの最初の
区画室（３）には例えばエツチグ用電極、他の区画室（
４） （５） （ωにはスパッタ用電極が設けられる。
２図に於いて（１）は長手の真空処理室、（２）は該真
空処理室（１）内に形成した区画壁で、該処理室（１）
内を例えば４室のシリーズの区画！（３）＜４） （５
） （６）に区画する。（７＞は各区画壁（２）に設け
た基板（８）を流通し得る程度の流通口（９）を開閉す
べく設けた仕切弁、０Ｃは各区画室（３）〜（６）に設
けたクライオポンプからなる真空ポンプ、ａｌは各区画
室（３）〜（６）内の処理用電極で、シリーズの最初の
区画室（３）には例えばエツチグ用電極、他の区画室（
４） （５） （ωにはスパッタ用電極が設けられる。
（＋２１はシリーズ最初の区画室（３）に連設した基板
仕込室、ｑ３はシリーズ最後の区画室＜６）に連接した
基板取出室を示し、該基板仕込室ａδには多数の基板（
８）を入れたカセットケースを収め、これより一枚ずつ
区画室（３）へ送り込み、各区画室に於いて夫々別個の
真空処理を基板（８）に施したのち基板取出室ａ３のカ
セットケースに収め、外部に取出されるようにした。（
ＩＩは基板（８）を搬送するコンベア、ａ９はコンベア
（＋４１上の基板（８）を処理用電極ａｖに対向させる
ように起立させるプラテンである。
仕込室、ｑ３はシリーズ最後の区画室＜６）に連接した
基板取出室を示し、該基板仕込室ａδには多数の基板（
８）を入れたカセットケースを収め、これより一枚ずつ
区画室（３）へ送り込み、各区画室に於いて夫々別個の
真空処理を基板（８）に施したのち基板取出室ａ３のカ
セットケースに収め、外部に取出されるようにした。（
ＩＩは基板（８）を搬送するコンベア、ａ９はコンベア
（＋４１上の基板（８）を処理用電極ａｖに対向させる
ように起立させるプラテンである。
また（ＩＧは各区画室（３）〜（６）に計ガスを供給す
る回路、（１７１は区画室（４） （５＞に８２ガスを
゛供給する回路、０ｅは粗引き用真空ポンプである。
る回路、（１７１は区画室（４） （５＞に８２ガスを
゛供給する回路、０ｅは粗引き用真空ポンプである。
その更に具体的実施例は第３図及び第４図示の如くであ
り、基板仕込室０から１枚ずつ取出された基板（８）は
コンベアａ＠により区画室（３）のプラテンａ９上に仕
切弁（１９を介して送り込まれ、真空ポンプにより排気
されると共にＡｒガスの供給を受けてのＡｒガス雰囲気
中でエツチング用電穫０と対向してエツチングの処理を
受ける。
り、基板仕込室０から１枚ずつ取出された基板（８）は
コンベアａ＠により区画室（３）のプラテンａ９上に仕
切弁（１９を介して送り込まれ、真空ポンプにより排気
されると共にＡｒガスの供給を受けてのＡｒガス雰囲気
中でエツチング用電穫０と対向してエツチングの処理を
受ける。
区画室（３）に於ける処理を終えた基板〈８〉は夫々仕
切弁（７＞を介して区画室（４） （５） （６）と順
次送られ、各室に於いて基板（８）に工１層、ＴｉＮ層
、／１ｊ！層が夫々形成されたのち基板取出室（１３に
仕切弁■を介して送り出される。ＴｉＮ層の形成に際し
てはＡｒとＮ２ガスが区画室内に供給され、反応スパッ
タが行なわれるが、その区画室は仕切弁により密閉独立
し、その処理後完全にポンプによりガスが迅速に排気さ
れるので、基板を次の室に迅速に搬送することが出来、
その際クロスコンタミネーションが生じない。
切弁（７＞を介して区画室（４） （５） （６）と順
次送られ、各室に於いて基板（８）に工１層、ＴｉＮ層
、／１ｊ！層が夫々形成されたのち基板取出室（１３に
仕切弁■を介して送り出される。ＴｉＮ層の形成に際し
てはＡｒとＮ２ガスが区画室内に供給され、反応スパッ
タが行なわれるが、その区画室は仕切弁により密閉独立
し、その処理後完全にポンプによりガスが迅速に排気さ
れるので、基板を次の室に迅速に搬送することが出来、
その際クロスコンタミネーションが生じない。
尚、該流通口（９）を基板（８）の流通に必要な最小限
の大きさのスリット状の開口とし、仕切弁（７）を省略
することも可能である。
の大きさのスリット状の開口とし、仕切弁（７）を省略
することも可能である。
（発明の効果）
以上のように本発明では真空処理室内を複数に区画し、
各区画室を基板搬送可能な仕切弁を介してシリーズに接
続し、各室に基板処理用電極と真空ポンプを設け、シリ
ーズ最初の区画室に基板仕込室とその最後の区画室に基
板取出室を設けたので、真空処理室内の独立した区画室
に於いてスパッタ等の処理を行なえ、スパッタ物質相互
のクロスコンタミネーションを防止し得、処理雰囲気を
各室に於いて変え、通常のスパッタと反応スパッタを順
次真空中に於いて連続して行ない得るので大気による汚
染もなく処理速度も向上し、超ＬＳＩの基板の製造に好
都合である等の効果がある。。
各区画室を基板搬送可能な仕切弁を介してシリーズに接
続し、各室に基板処理用電極と真空ポンプを設け、シリ
ーズ最初の区画室に基板仕込室とその最後の区画室に基
板取出室を設けたので、真空処理室内の独立した区画室
に於いてスパッタ等の処理を行なえ、スパッタ物質相互
のクロスコンタミネーションを防止し得、処理雰囲気を
各室に於いて変え、通常のスパッタと反応スパッタを順
次真空中に於いて連続して行ない得るので大気による汚
染もなく処理速度も向上し、超ＬＳＩの基板の製造に好
都合である等の効果がある。。
第１図は本発明の詳細な説明線図、第２図はその概略の
斜視図、第３図は本発明の具体的実施例の截断平面図、
第４図はその■−ＩＶ線断面図である。
斜視図、第３図は本発明の具体的実施例の截断平面図、
第４図はその■−ＩＶ線断面図である。
Claims (1)
- 基板にスパッタその他の処理を施す真空処理室内を複数
に区画し、その各区画室に基板の流通可能な流通口を形
成してシリーズに接続し、各流通口にこれを開閉する仕
切弁を設け、各区画室に真空ポンプと処理用電極とを設
けると共に該区画室のシリーズに於ける最初の区画室に
仕切弁を備えた流通口を介して基板仕込室を連設すると
共に最後の区画室に仕切弁を備えた流通口を介して基板
取出室を連設したことを特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22042785A JPS6280265A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22042785A JPS6280265A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6280265A true JPS6280265A (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=16750943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22042785A Pending JPS6280265A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6280265A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0349250A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Hitachi Ltd | 試料搬送容器および試料移送装置 |
| JP2010037593A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリング装置及びそのメンテナンス方法 |
| CN112391608A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-23 | 宁波沁圆科技有限公司 | Cvd处理系统及处理方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741370A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-08 | Hitachi Ltd | Continuous sputtering device |
| JPS5741369A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-08 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device |
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
| JPS61149476A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22042785A patent/JPS6280265A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741370A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-08 | Hitachi Ltd | Continuous sputtering device |
| JPS5741369A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-08 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device |
| JPS59208074A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Toshiba Corp | 枚葉式膜形成装置 |
| JPS61149476A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Toshiba Corp | スパツタリング装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0349250A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-04 | Hitachi Ltd | 試料搬送容器および試料移送装置 |
| JP2010037593A (ja) * | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリング装置及びそのメンテナンス方法 |
| CN112391608A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-23 | 宁波沁圆科技有限公司 | Cvd处理系统及处理方法 |
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