JPS6281029A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6281029A JPS6281029A JP22020785A JP22020785A JPS6281029A JP S6281029 A JPS6281029 A JP S6281029A JP 22020785 A JP22020785 A JP 22020785A JP 22020785 A JP22020785 A JP 22020785A JP S6281029 A JPS6281029 A JP S6281029A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- polyimide
- film
- etching
- thin film
- Prior art date
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- Granted
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、 〔産業上の利用分母〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは
ポリイミドコート膜を有する半導体装置の製造方法に関
する。
ポリイミドコート膜を有する半導体装置の製造方法に関
する。
第３図はポリイミドコート膜を有する従来の半導体装置
の概略図である。第３図において、（１）は半導体基板
、（２）は半導体デバイス、（３）はポリイミド厚膜で
ある。第４図は係る半導体装置の主要なる製造工程図で
ある。まず、半導体基板（１）上に形成した半導体デバ
イス（２）の全面にポリイミドをコーティングしてポリ
イミド厚膜（３）を形成し、次いでポリイミド厚膜（３
）上にフォトレジスト＃ＩＡ（４１を形成して（第４図
（ａ）参照）、半導体基板（１）全体をエツチング液（
５）に浸して（第４図（ｂ）参照）、ポリイミドの厚膜
（３）不必要な部分を除去して（第４図（Ｃ）参照）、
さらに有機溶剤によってフォトレジスト る。
の概略図である。第３図において、（１）は半導体基板
、（２）は半導体デバイス、（３）はポリイミド厚膜で
ある。第４図は係る半導体装置の主要なる製造工程図で
ある。まず、半導体基板（１）上に形成した半導体デバ
イス（２）の全面にポリイミドをコーティングしてポリ
イミド厚膜（３）を形成し、次いでポリイミド厚膜（３
）上にフォトレジスト＃ＩＡ（４１を形成して（第４図
（ａ）参照）、半導体基板（１）全体をエツチング液（
５）に浸して（第４図（ｂ）参照）、ポリイミドの厚膜
（３）不必要な部分を除去して（第４図（Ｃ）参照）、
さらに有機溶剤によってフォトレジスト る。
ところで、上記構成の半導体装置はエッチング工程にお
いて、ポリイミド厚膜（３）がエツチングされて除去さ
れろと、ポリイミド厚膜（３）に覆われていた半導体デ
バイス（２）がエツチング液（５）に触れて、エツチン
グ液（５）に侵されてしまうという問題があった。
いて、ポリイミド厚膜（３）がエツチングされて除去さ
れろと、ポリイミド厚膜（３）に覆われていた半導体デ
バイス（２）がエツチング液（５）に触れて、エツチン
グ液（５）に侵されてしまうという問題があった。
特に、半導体デバイス（２）のアルミポンディングパッ
ドがエツチング液（５）に侵されてしまうという問題が
あった。
ドがエツチング液（５）に侵されてしまうという問題が
あった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
半導体デバイス（２）がエツチング液（５）に侵されな
い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
半導体デバイス（２）がエツチング液（５）に侵されな
い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
そこで本発明では、半導体基板上に半導体デバイスを形
成し、次いで半導体デバイス上の全面にポリイミド厚膜
を形成し、さらにポリイミド厚膜をエツチングにより選
択的に除去して製造する半導体装置の製造方法において
、半導体基板上に半導体デバイスを形成した後、半導体
デバイス上の全面に耐エツチング性を備えたポリイミド
薄膜を形成する工程と、ポリイミド厚膜を除去した後、
ポリイミド厚膜の除去により露出したポリイミド薄膜を
、ドライエツチングにより除去する工程とを付加する。
成し、次いで半導体デバイス上の全面にポリイミド厚膜
を形成し、さらにポリイミド厚膜をエツチングにより選
択的に除去して製造する半導体装置の製造方法において
、半導体基板上に半導体デバイスを形成した後、半導体
デバイス上の全面に耐エツチング性を備えたポリイミド
薄膜を形成する工程と、ポリイミド厚膜を除去した後、
ポリイミド厚膜の除去により露出したポリイミド薄膜を
、ドライエツチングにより除去する工程とを付加する。
上述した半導体装置の製造方法は、半導体デバイス上に
形成された耐エツチング性を備えたポリイミド薄膜が、
エツチングによりポリイミド厚膜を選択的に除去すると
きに、半導体デバイスをエツチング液から保護する。
形成された耐エツチング性を備えたポリイミド薄膜が、
エツチングによりポリイミド厚膜を選択的に除去すると
きに、半導体デバイスをエツチング液から保護する。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法により製造
される半導体装置の概略図である。第１図において、（
６）は半導体基板、（７）は半導体デバイス、（８）は
ポリイミド薄膜、（９）はポリイミド厚膜である。ポリ
イミド薄膜（８）はポリイミド厚膜（９）と同質の材料
を用いており、回転塗布により半導体デバイス（７）上
の全面に形成される。又、ポリイミドｒ４膜（８）は半
導体デバイス（７）にポリイミドを塗布した後に、加熱
することにより耐エツチング性を備えることになる。
される半導体装置の概略図である。第１図において、（
６）は半導体基板、（７）は半導体デバイス、（８）は
ポリイミド薄膜、（９）はポリイミド厚膜である。ポリ
イミド薄膜（８）はポリイミド厚膜（９）と同質の材料
を用いており、回転塗布により半導体デバイス（７）上
の全面に形成される。又、ポリイミドｒ４膜（８）は半
導体デバイス（７）にポリイミドを塗布した後に、加熱
することにより耐エツチング性を備えることになる。
次に、第２図は第１図に示した半導体装置の製造工程図
である。まず、半導体基板（６）上に形成した半導体デ
バイス（７）の全面に回転塗布によりポリイミドを薄く
コーティングしてポリイミドｒ４膜（８）を形成し、次
いでポリイミド薄膜（８）を加熱して、耐エツチング性
を持たせた後、ポリイミド薄膜（８）にポリイミドを塗
布して、ポリイミド厚膜（９）を形成する。次いで、ポ
リイミド厚膜（９）上にフォトレジスト膜（４）を形成
して（第２図（ａ）参照）、半導体基板（１）全体をエ
ツチング液（５）に浸して（第２図（ｂ）参照）、ポリ
イミドの厚膜（９）の不必要な部分を除去しく第２図（
ｃ）参照）、有機溶剤によってフォトレジスト （ｄ）参照）。このとき半導体デバイス（７）はポリイ
ミド薄膜（８）に覆われているのでエツチング液（５）
に侵されろことがない。次いで、ドライエツチングによ
り露出した半導体デバイス（７）上のポリイミド厚膜Ｊ
膜（８）を除去して（第２図（ｅ）参照）、半導体装置
を完成する。
である。まず、半導体基板（６）上に形成した半導体デ
バイス（７）の全面に回転塗布によりポリイミドを薄く
コーティングしてポリイミドｒ４膜（８）を形成し、次
いでポリイミド薄膜（８）を加熱して、耐エツチング性
を持たせた後、ポリイミド薄膜（８）にポリイミドを塗
布して、ポリイミド厚膜（９）を形成する。次いで、ポ
リイミド厚膜（９）上にフォトレジスト膜（４）を形成
して（第２図（ａ）参照）、半導体基板（１）全体をエ
ツチング液（５）に浸して（第２図（ｂ）参照）、ポリ
イミドの厚膜（９）の不必要な部分を除去しく第２図（
ｃ）参照）、有機溶剤によってフォトレジスト （ｄ）参照）。このとき半導体デバイス（７）はポリイ
ミド薄膜（８）に覆われているのでエツチング液（５）
に侵されろことがない。次いで、ドライエツチングによ
り露出した半導体デバイス（７）上のポリイミド厚膜Ｊ
膜（８）を除去して（第２図（ｅ）参照）、半導体装置
を完成する。
なお、半導体デバイス（７）はドライエツチングによっ
ては侵されるものではない。
ては侵されるものではない。
以上説明したように本発明によれば、半導体デバイス上
に耐エツチング性を備えたポリイミド薄膜を形成するこ
とにより、ポリイミド薄膜上に形成したポリイミド厚膜
をエツチングにより選択的に除去するときに、ポリイミ
ド薄膜に覆われた半導体デバイスがエツチング液に侵さ
れるのを防ぎ、半導体装置のボンディング性能等の信頼
性を保持でき、高品質の半導体装置を製造できる半導体
装置の製造方法が得られる。
に耐エツチング性を備えたポリイミド薄膜を形成するこ
とにより、ポリイミド薄膜上に形成したポリイミド厚膜
をエツチングにより選択的に除去するときに、ポリイミ
ド薄膜に覆われた半導体デバイスがエツチング液に侵さ
れるのを防ぎ、半導体装置のボンディング性能等の信頼
性を保持でき、高品質の半導体装置を製造できる半導体
装置の製造方法が得られる。
第１図は本発明に係る半導体装置の製造方法により製造
した半導体装置の概略図、第２図は第１図に示した半導
体装置の製造工程図、第３図は従来の半導体装置の概略
図、第４図は第３図に示した半導体装置の製造工程図で
ある。 各図中、１，６は半導体基板、２，７は半導体デバイス
、３，９はポリイミド厚膜、４はフォ１゛レジスト膜、
５はエツチング液、８はポリイミド薄膜である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すもので
ある。
した半導体装置の概略図、第２図は第１図に示した半導
体装置の製造工程図、第３図は従来の半導体装置の概略
図、第４図は第３図に示した半導体装置の製造工程図で
ある。 各図中、１，６は半導体基板、２，７は半導体デバイス
、３，９はポリイミド厚膜、４はフォ１゛レジスト膜、
５はエツチング液、８はポリイミド薄膜である。 なお、各図中同一符号は同−又は相当部分を示すもので
ある。
Claims (2)
- （１）半導体基板上に半導体デバイスを形成し、該半導
体デバイス上の全面にポリイミド厚膜を形成し、該ポリ
イミド厚膜をエッチングにより選択的に除去して製造す
る半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に
半導体デバイスを形成した後、該半導体デバイス上の全
面に耐エッチング性を備えたポリイミド薄膜を形成し、
前記ポリイミド厚膜を除去した後、該ポリイミド厚膜の
除去により露出した前記ポリイミド薄膜を、ドライエッ
チングにより除去するようにしたことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - （２）ポリイミド薄膜は、熱加工により前記耐エッチン
グ性が備えられる特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22020785A JPS6281029A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22020785A JPS6281029A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281029A true JPS6281029A (ja) | 1987-04-14 |
| JPH0523493B2 JPH0523493B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=16747562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22020785A Granted JPS6281029A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281029A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5125079A (en) * | 1974-08-26 | 1976-03-01 | Fujitsu Ltd | Kotainetsuseijushimakuno shorihoho |
| JPS59182531A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置における絶縁膜加工法 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22020785A patent/JPS6281029A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5125079A (en) * | 1974-08-26 | 1976-03-01 | Fujitsu Ltd | Kotainetsuseijushimakuno shorihoho |
| JPS59182531A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置における絶縁膜加工法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523493B2 (ja) | 1993-04-02 |
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