JPS628103A - 偏光素子 - Google Patents
偏光素子Info
- Publication number
- JPS628103A JPS628103A JP14769585A JP14769585A JPS628103A JP S628103 A JPS628103 A JP S628103A JP 14769585 A JP14769585 A JP 14769585A JP 14769585 A JP14769585 A JP 14769585A JP S628103 A JPS628103 A JP S628103A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- polarizing element
- kio3
- polarizing
- thin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、偏光素子、詳しくは偏光プリズムとして用い
られる偏光素子に関する。
られる偏光素子に関する。
(従来技術)
偏光プリズムは、デジタル・オーディオ・ディスク等の
元ピックアップや、各種の偏光利用測定装置に利用され
ている。
元ピックアップや、各種の偏光利用測定装置に利用され
ている。
従来、偏光プリズムとして用いられる偏光素子としては
、方解石の薄板を用いるものが知られている(応用物理
35(15)55(1966) ) 。しかし、方解
石は、その人工的な結晶育成が困難なところから、天然
産のものを利用せざるを得す、このため、方解石利用の
偏光素子は製造コストが高いという問題があった。
、方解石の薄板を用いるものが知られている(応用物理
35(15)55(1966) ) 。しかし、方解
石は、その人工的な結晶育成が困難なところから、天然
産のものを利用せざるを得す、このため、方解石利用の
偏光素子は製造コストが高いという問題があった。
(目 的)
本発明は、上述の事1iK鑑みてなされたものであって
、低コストで実現でき、しかも方解石を用いる場合と同
等の性能を有する、新規な偏光素子の提供を目的とする
。
、低コストで実現でき、しかも方解石を用いる場合と同
等の性能を有する、新規な偏光素子の提供を目的とする
。
(構 成)
以下、本発明を説明する。
本発明の偏光素子は、KIO3もしくは、BaCO3の
単結晶の薄層な、透光性光学部材で挾持した構成となっ
ている。
単結晶の薄層な、透光性光学部材で挾持した構成となっ
ている。
KIO3、BaCO3の単結晶は、これを容易に人工的
に結晶育成することができる。
に結晶育成することができる。
以下、図面を参照しつつ説明する。
矛1図は、KIO3の単結晶を用いる偏光素子の基本構
成の1例を示す。図中、符号10は、KIO3の単結晶
の薄層、符号12. 14は透光性光学部材を、それぞ
れ示す。
成の1例を示す。図中、符号10は、KIO3の単結晶
の薄層、符号12. 14は透光性光学部材を、それぞ
れ示す。
との例において、透光性光学部材12,14の材料は、
ガラス(SFS −1、nd= 1.932 ) で
ある。
ガラス(SFS −1、nd= 1.932 ) で
ある。
薄層10は、KIO3の単結晶から切り出されたもので
あって、その光学的弾性軸がら決定される主屈折率の差
が、素子の左側面に垂直に入射する光@に対して最大と
なるように切出されている。図中の角A、B、C,D、
E、F、G、Hは、それぞれ、A=65°、B=115
°、C=D=65°、E=72.10. F=650
. C)=+550. H=115°である。また
、上記の如く切出された薄層の主屈折率は、nα=i、
7oo、nβ=1.828、町=1.832 である。
あって、その光学的弾性軸がら決定される主屈折率の差
が、素子の左側面に垂直に入射する光@に対して最大と
なるように切出されている。図中の角A、B、C,D、
E、F、G、Hは、それぞれ、A=65°、B=115
°、C=D=65°、E=72.10. F=650
. C)=+550. H=115°である。また
、上記の如く切出された薄層の主屈折率は、nα=i、
7oo、nβ=1.828、町=1.832 である。
光を、この素子に入射させると、一部は、薄層10
を透過し、透過光として素子から射出し、他は5薄層1
0Vcより全反射されて、全反射光として素子から射出
する。透過光、全反射光ともに、直線偏光光であり、そ
の偏光面は互いに直交している。
を透過し、透過光として素子から射出し、他は5薄層1
0Vcより全反射されて、全反射光として素子から射出
する。透過光、全反射光ともに、直線偏光光であり、そ
の偏光面は互いに直交している。
なお、薄層10と、透光性光学部材12.14との接合
面は、十分に研M精度を高めて、接合部に空気層が生じ
ないようにする。
面は、十分に研M精度を高めて、接合部に空気層が生じ
ないようにする。
矛2図は、BaCO3の単結晶の薄層10Aを用いる偏
光素子の基本構成の1例を示す。この例においても、透
光性光学部材12A、 14Aの材料は、ガラス(SF
S −1、n、1 = 1.923 ) であり、透
光性光学部材12A、14Aは一同一形状の直角プリズ
ムである。
光素子の基本構成の1例を示す。この例においても、透
光性光学部材12A、 14Aの材料は、ガラス(SF
S −1、n、1 = 1.923 ) であり、透
光性光学部材12A、14Aは一同一形状の直角プリズ
ムである。
薄層10Aは、BaCO3の単結晶から切り出されたも
のであって、その光学的弾性軸から決定される主屈折率
の差が、素子の左側面への垂直入射光線に対して、最大
となるように切出されている。すなわち、具体的には、
偏光顕微鏡を用いて、光軸と光学的弾性軸とを決定し、
上記入射光線に対し、単結晶の屈折率が最大(nr )
、 最小(nα)となるように切り出しを行うので
ある。空気層の発生を避けるために、薄層10Aと透光
性光学部材12A、14Aとの接合面を高精度に研磨す
ることは、いうまでもない。図中、角J = 8 =
35°、角L=T=55°、角P = U = 55°
、角M=69.9°、角Q=200.角R= 41.1
0である。薄層10Aの主屈折率は、nα= 1.52
9 、 nβ= 1.676 、 nr= 1.67
7である。
のであって、その光学的弾性軸から決定される主屈折率
の差が、素子の左側面への垂直入射光線に対して、最大
となるように切出されている。すなわち、具体的には、
偏光顕微鏡を用いて、光軸と光学的弾性軸とを決定し、
上記入射光線に対し、単結晶の屈折率が最大(nr )
、 最小(nα)となるように切り出しを行うので
ある。空気層の発生を避けるために、薄層10Aと透光
性光学部材12A、14Aとの接合面を高精度に研磨す
ることは、いうまでもない。図中、角J = 8 =
35°、角L=T=55°、角P = U = 55°
、角M=69.9°、角Q=200.角R= 41.1
0である。薄層10Aの主屈折率は、nα= 1.52
9 、 nβ= 1.676 、 nr= 1.67
7である。
以下、具体的な実症例に即して説明する。
(実洩例1〕
この実施例では、KIO3の単結晶が用いられた。
KIO3の単結晶は、単科晶系または三斜晶系に属し、
その魚群は、C2,C8およびC1であることが調べら
れている。
その魚群は、C2,C8およびC1であることが調べら
れている。
KIO3の単結晶育成は、水溶液法において、HIO3
を添加した温度差法で行った。すなわち、所定の育成温
度における飽和1よりも5グラム程度多いKIO3と、
このKIC15に対し15%程度であるHIO3とを混
合し、純水中に加熱溶解させたものを母液とした。
を添加した温度差法で行った。すなわち、所定の育成温
度における飽和1よりも5グラム程度多いKIO3と、
このKIC15に対し15%程度であるHIO3とを混
合し、純水中に加熱溶解させたものを母液とした。
この母液を、45℃ の温度に設定されたウォーターバ
ス中の結晶育成用ビーカー(径30 yn ) にい
れ、育成液を定常状態としたのち、白金線につるした種
結晶を浸漬した。このとき、母液内の温度差は2.5℃
であった。ウォーターバスを恒温槽にいれて結晶育成を
行った。15日 間の育成により、約7龍角くらいの大
きさの結晶が得られた。
ス中の結晶育成用ビーカー(径30 yn ) にい
れ、育成液を定常状態としたのち、白金線につるした種
結晶を浸漬した。このとき、母液内の温度差は2.5℃
であった。ウォーターバスを恒温槽にいれて結晶育成を
行った。15日 間の育成により、約7龍角くらいの大
きさの結晶が得られた。
この結晶から、縦横5龍、厚す0.5. 1. 1.5
mmの6種の薄層を切り出して、矛1図に示す構成の偏
向素子を3種作製した。これら3@の偏光素子の消光比
の測定した。結果を、表1VC示す。
mmの6種の薄層を切り出して、矛1図に示す構成の偏
向素子を3種作製した。これら3@の偏光素子の消光比
の測定した。結果を、表1VC示す。
表 1
(実施例2)
実施例1では、結晶が5すく白濁していたので、母液に
おけるHID3 を、15チ から10% にへらし
、他は実施例1におけると同一の条件で結晶育成を行な
い、得られた結晶から、縦横が、それぞれ5龍で、厚さ
が、0.5朋、1.0mm、 1.5龍である6種の薄
層を切出し、牙1図に示す構成の偏光素子6種を作製し
た。これら6種の偏向素子の消光比の測定結果を、表2
に示す。
おけるHID3 を、15チ から10% にへらし
、他は実施例1におけると同一の条件で結晶育成を行な
い、得られた結晶から、縦横が、それぞれ5龍で、厚さ
が、0.5朋、1.0mm、 1.5龍である6種の薄
層を切出し、牙1図に示す構成の偏光素子6種を作製し
た。これら6種の偏向素子の消光比の測定結果を、表2
に示す。
表 2
実捲例1.2から明らかなように、消光比はKIO3単
結晶の結晶状態により影響を受け、良質の単結晶?育生
(結晶の育成コントロールで十分VC可能である)する
ことにより、十分な性能の偏光素子が作製可能である。
結晶の結晶状態により影響を受け、良質の単結晶?育生
(結晶の育成コントロールで十分VC可能である)する
ことにより、十分な性能の偏光素子が作製可能である。
(実癩例6)
熱水合成法で得られたBaCO3の単結晶から、縦6朋
、横6n、厚さ0.5 mttt、 1.01111
1. 1.5 mmの3種の薄層を切り出し、これら6
種の薄層を用いて、矛2図に示す構成の6種の偏光素子
を作製し、各々につき、消光比を測定した。結果を表6
に示す。
、横6n、厚さ0.5 mttt、 1.01111
1. 1.5 mmの3種の薄層を切り出し、これら6
種の薄層を用いて、矛2図に示す構成の6種の偏光素子
を作製し、各々につき、消光比を測定した。結果を表6
に示す。
表 に
の実捲例6における、これら3種の偏光素子は、十分に
実用に供しうるものであるが、単結晶の育成条件のコン
トロールにより、さらに良質の結晶を用いることで、さ
らに消光比を改良することが可能である。
実用に供しうるものであるが、単結晶の育成条件のコン
トロールにより、さらに良質の結晶を用いることで、さ
らに消光比を改良することが可能である。
(効 果〕
以上、本発明によれば、新規な偏光素子を提供できる。
本発明の偏光素子に用いられる、KIO3やBaCO3
の単結晶は、これを人工的に育成できるので、低コスト
で入手できる。従って、偏光素子自体も低コストで実現
できる。さらに、本発明の偏光素子は、良好な消光比を
有し、実用上の使用が十分可能であるばかりでなく、結
晶育成条件のコントロールにより、良質の結晶を得るこ
とにより、方解石を用いる偏光素子に匹敵する性能を実
現することもできる。
の単結晶は、これを人工的に育成できるので、低コスト
で入手できる。従って、偏光素子自体も低コストで実現
できる。さらに、本発明の偏光素子は、良好な消光比を
有し、実用上の使用が十分可能であるばかりでなく、結
晶育成条件のコントロールにより、良質の結晶を得るこ
とにより、方解石を用いる偏光素子に匹敵する性能を実
現することもできる。
、71図は、KIO3の単結晶を用いる偏光素子の基本
的構成の1例を示す図、才2図は、CaCO3の単結晶
を用いる偏光素子の基本的構成の1例を示す図である。 10・・・KIO3の単結晶の薄層、IOA・・・Ca
CCl3の単結晶の薄層、12. 12A、 14.
14A・・・透光性光学部材 (1雀)
的構成の1例を示す図、才2図は、CaCO3の単結晶
を用いる偏光素子の基本的構成の1例を示す図である。 10・・・KIO3の単結晶の薄層、IOA・・・Ca
CCl3の単結晶の薄層、12. 12A、 14.
14A・・・透光性光学部材 (1雀)
Claims (1)
- KIO_3もしくはBaCO_3の単結晶の薄層を、透
光性光学部材で挾持してなる偏光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14769585A JPS628103A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 偏光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14769585A JPS628103A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 偏光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628103A true JPS628103A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15436171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14769585A Pending JPS628103A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 偏光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628103A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04208901A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Shimadzu Corp | 偏光プリズム |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14769585A patent/JPS628103A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04208901A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Shimadzu Corp | 偏光プリズム |
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