JPS6281617A - 焦点検出装置 - Google Patents
焦点検出装置Info
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- JPS6281617A JPS6281617A JP22256585A JP22256585A JPS6281617A JP S6281617 A JPS6281617 A JP S6281617A JP 22256585 A JP22256585 A JP 22256585A JP 22256585 A JP22256585 A JP 22256585A JP S6281617 A JPS6281617 A JP S6281617A
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- Japan
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- focus
- detection device
- photometry
- light
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は1例えば−眼レフレックスカメラ等の光学装訝
において、撮影レンズを通過した光束を利用して自動合
焦検出を行うための焦点検出装置に関するものである。
において、撮影レンズを通過した光束を利用して自動合
焦検出を行うための焦点検出装置に関するものである。
[従来の技術]
一眼レフレックスカメラ等の焦点検出方法には種々の方
法があるが、撮影レンズ瞳の異なる2つの領域からの光
束による2像の相対的位置ずれを検出して、合焦状態を
検知する所謂ずれ方式による検知方法を次に説明する。
法があるが、撮影レンズ瞳の異なる2つの領域からの光
束による2像の相対的位置ずれを検出して、合焦状態を
検知する所謂ずれ方式による検知方法を次に説明する。
第6図(a)はこの場合の合焦状態を示し。
(b) 、 (c)は合焦状態からずれていることを図
示している。(a)において、被写体面1上の被写体1
&からの光束は、撮影レンズ2を通過し予面結像面3に
結像する。結像された光束は更にスプリットプリズム4
の瞳4a及び4bに入射するが、このとき瞳4aに入射
する光束は撮影レンズ2の瞳2bを通過した光束であり
、同様に撮影レンズ2の瞳2aを通過した光束は瞳4b
に入射し、二次結像レンズ5によって瞳4aからの光束
はPa、瞳4bからの光束はPa′ として、上下に配
置されたセンサ列6a及び6b上にそれぞれ結像される
。なお、図示は省略しているが、正確には撮影レンズ2
の瞳2a、2bをスプリットプリズム4に結像させるた
めの瞳結像レンズが予定結像面3の近傍に必要である。
示している。(a)において、被写体面1上の被写体1
&からの光束は、撮影レンズ2を通過し予面結像面3に
結像する。結像された光束は更にスプリットプリズム4
の瞳4a及び4bに入射するが、このとき瞳4aに入射
する光束は撮影レンズ2の瞳2bを通過した光束であり
、同様に撮影レンズ2の瞳2aを通過した光束は瞳4b
に入射し、二次結像レンズ5によって瞳4aからの光束
はPa、瞳4bからの光束はPa′ として、上下に配
置されたセンサ列6a及び6b上にそれぞれ結像される
。なお、図示は省略しているが、正確には撮影レンズ2
の瞳2a、2bをスプリットプリズム4に結像させるた
めの瞳結像レンズが予定結像面3の近傍に必要である。
ここで、撮影レンズ2による像Qaが予定結像面3上に
あり、センサ列6a、6b上に形成された像Pa、 P
a”は、センサ列6a、”6bの長手方向に関し相対的
に同位置にあることから、合焦していることが判る。
あり、センサ列6a、6b上に形成された像Pa、 P
a”は、センサ列6a、”6bの長手方向に関し相対的
に同位置にあることから、合焦していることが判る。
第6図(b)では、図示を省略した撮影レンズ2により
結像された像Qbが予定結像面3よりも前方にある前ピ
ント状態であり、二次結像レンズ5によりセンサ列6a
、6bの手前で結像され、センサ列6a、6b上に形成
される像pb、 pb’は、スプリットプリズム4の瞳
4a、4bからの光束が交差した状態で、相対的に左右
にずれるため非合焦が検知される。
結像された像Qbが予定結像面3よりも前方にある前ピ
ント状態であり、二次結像レンズ5によりセンサ列6a
、6bの手前で結像され、センサ列6a、6b上に形成
される像pb、 pb’は、スプリットプリズム4の瞳
4a、4bからの光束が交差した状態で、相対的に左右
にずれるため非合焦が検知される。
第6図(C)では(b)とは逆に、撮影レンズ2により
結像された像Qcが予定結像面3よりも後方にある後ピ
ント状態であり、二次結像レンズ5によリセンサ列6a
、6bの後方で結像され、センサ列6a、6b上に形成
される像Pc、 Pc’は、瞳4a、4bからの光束が
交差しない状態で相対位置ずれが生じ非合焦が検知され
る。
結像された像Qcが予定結像面3よりも後方にある後ピ
ント状態であり、二次結像レンズ5によリセンサ列6a
、6bの後方で結像され、センサ列6a、6b上に形成
される像Pc、 Pc’は、瞳4a、4bからの光束が
交差しない状態で相対位置ずれが生じ非合焦が検知され
る。
上述のような焦点検出装置を一眼レフレックスカメラに
適用した場合を第7図に示す。なお、第6図と同一の符
号は同一機能を有する光学部材である。被写体からの光
束りは、撮影レンズ2を通過し、クイックリターンミラ
ー7により上方に反射され、焦点板8を通過しペンタプ
リズム9、接眼レンズ10を通して撮影者の眼に入る。
適用した場合を第7図に示す。なお、第6図と同一の符
号は同一機能を有する光学部材である。被写体からの光
束りは、撮影レンズ2を通過し、クイックリターンミラ
ー7により上方に反射され、焦点板8を通過しペンタプ
リズム9、接眼レンズ10を通して撮影者の眼に入る。
ここでシャッタが押されると、クイックリターンミラー
7は上方にはね上り光束りは直進しフィルム11に達す
る。
7は上方にはね上り光束りは直進しフィルム11に達す
る。
クイックリターンミラー7が下降しているときに、クイ
ックミラー7に設けられたハーフミラ一部を透過した光
束は、クイックミラー7に付設された小ミラー12によ
り下方に反射され、第6図に図示した焦点検出装置に導
かれる。小ミラー12により反射された光は測距視野を
形成するための視野マスク13を通り、瞳結像レンズ1
4、スプリットプリズム4、二次結像レンズ5を通過し
、センサ列6a、6bに達するようになっている。これ
により、前述したように合焦・前ピント・後ピント状態
をセンサ列6a、6bからの出力により求めることがで
きる。
ックミラー7に設けられたハーフミラ一部を透過した光
束は、クイックミラー7に付設された小ミラー12によ
り下方に反射され、第6図に図示した焦点検出装置に導
かれる。小ミラー12により反射された光は測距視野を
形成するための視野マスク13を通り、瞳結像レンズ1
4、スプリットプリズム4、二次結像レンズ5を通過し
、センサ列6a、6bに達するようになっている。これ
により、前述したように合焦・前ピント・後ピント状態
をセンサ列6a、6bからの出力により求めることがで
きる。
従来、焦点検出素子に用いられるCCD等の光電素子で
は、微少な出力光電流を蓄積して蓄積時間の制御を行い
焦点検出を行う方法が採用されている。そして、CCD
から成る焦点検出素子の近傍に測光素子を設けて光量を
検出し蓄積時間の制御を行っているが、焦点検出素子と
測光素子とが同−視野部にないので、高精度の蓄積時間
の制御を行うことができない、なお、焦点検出素子の内
部に蓄積時間のリアルタイム制御を行う回路を設ける方
式もあるが、素子構造が複雑になるという欠点がある。
は、微少な出力光電流を蓄積して蓄積時間の制御を行い
焦点検出を行う方法が採用されている。そして、CCD
から成る焦点検出素子の近傍に測光素子を設けて光量を
検出し蓄積時間の制御を行っているが、焦点検出素子と
測光素子とが同−視野部にないので、高精度の蓄積時間
の制御を行うことができない、なお、焦点検出素子の内
部に蓄積時間のリアルタイム制御を行う回路を設ける方
式もあるが、素子構造が複雑になるという欠点がある。
蓄積時間の制御を行う測光素子の設置場所としては、焦
点板8の下側や或いは第7図に示すようにカメラボック
ス底部の一次ピント面に配置することが考えられる。前
者の焦点板8の下に測光素子を配置した場合には、マッ
ト処理をした焦点板8の周辺部では測光素子は目立たな
いが、中心部の測距用のスプリットプリズム部では測光
素子がファインダに見えてしまい、被写体と交錯して目
視によるピント合わせがし難くなる。また、後者のカメ
ラボックス底部に測光素子を配置して測光を行う場合に
は、測光素子が焦点検出系により測距視野の像とみなさ
れ、被写体に合焦されず測光素子に合焦されてしまうと
いう不都合が生ずる。
点板8の下側や或いは第7図に示すようにカメラボック
ス底部の一次ピント面に配置することが考えられる。前
者の焦点板8の下に測光素子を配置した場合には、マッ
ト処理をした焦点板8の周辺部では測光素子は目立たな
いが、中心部の測距用のスプリットプリズム部では測光
素子がファインダに見えてしまい、被写体と交錯して目
視によるピント合わせがし難くなる。また、後者のカメ
ラボックス底部に測光素子を配置して測光を行う場合に
は、測光素子が焦点検出系により測距視野の像とみなさ
れ、被写体に合焦されず測光素子に合焦されてしまうと
いう不都合が生ずる。
[発明の目的]
本発明の目的は、上述の欠点を解消し、蓄積時間の制御
を行うための測光を正確に行い、精度の高い合焦検出を
行うことができる焦点検出装置を提供することにある。
を行うための測光を正確に行い、精度の高い合焦検出を
行うことができる焦点検出装置を提供することにある。
[発明の概要]
、上述の目的を達成するための本発明の要旨は、撮影レ
ンズを通過した光束により焦点検出を行う焦点検出装置
において、測距視野に細線の感光パターンを有する光透
過型薄膜光電変換素子を設け、該光電変換素子の出力に
基づいて焦点検出素子の蓄積時間の制御を行うことを特
徴とする焦点検出装置である。
ンズを通過した光束により焦点検出を行う焦点検出装置
において、測距視野に細線の感光パターンを有する光透
過型薄膜光電変換素子を設け、該光電変換素子の出力に
基づいて焦点検出素子の蓄積時間の制御を行うことを特
徴とする焦点検出装置である。
[発明の実施例]
本発明を第1図〜第5図に図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。なお、第7図と同一の符号は同一の部材を
示している。
に説明する。なお、第7図と同一の符号は同一の部材を
示している。
第1図はカメラ底部に配置された合焦光学系であり、第
2図は瞳結像レンズ14の平担面に視野マスク13を兼
ねて形成された測光用のアモルファスシリコンフォトダ
イオード(以下ASPDと云う)のパターンである。A
SPDは微細な薄膜パターンをガラスに蒸着できるとい
う特性を生かし、瞳結像レンズ14上にASPDが細線
状にM着されている。ここで、20は測距視野内に配置
された測光部であり、何本かの平行線状に配置され中央
測光素子20aが形成され、この中央測光素子20aに
挟まれた部分が焦点検出素子のセンサ列6a、6bに光
を導くための光透過部20bとなっている。測距視野の
周囲は視野マスク13を兼ねた測光部21となっており
、縦横にASPDから成り露光制御用の周辺測光素子2
1aと、この周辺測光素子21aに挟まれた遮光部21
bから構成されている。
2図は瞳結像レンズ14の平担面に視野マスク13を兼
ねて形成された測光用のアモルファスシリコンフォトダ
イオード(以下ASPDと云う)のパターンである。A
SPDは微細な薄膜パターンをガラスに蒸着できるとい
う特性を生かし、瞳結像レンズ14上にASPDが細線
状にM着されている。ここで、20は測距視野内に配置
された測光部であり、何本かの平行線状に配置され中央
測光素子20aが形成され、この中央測光素子20aに
挟まれた部分が焦点検出素子のセンサ列6a、6bに光
を導くための光透過部20bとなっている。測距視野の
周囲は視野マスク13を兼ねた測光部21となっており
、縦横にASPDから成り露光制御用の周辺測光素子2
1aと、この周辺測光素子21aに挟まれた遮光部21
bから構成されている。
測距視野の測光部20の部分は、第6図で説明したよう
な焦点検出系では縦線或いはその成分に対して合焦判定
はできるが、横線に対しては検出機能を持たないので、
横線方向に細線パターンを配置した場合には、焦点検出
系に影響を与えることなく測距視野内での測光が可能で
ある。ただし、焦点検出系へ通過する光量が減少しない
程度に中央測光素子20aを形成する必要がある。
な焦点検出系では縦線或いはその成分に対して合焦判定
はできるが、横線に対しては検出機能を持たないので、
横線方向に細線パターンを配置した場合には、焦点検出
系に影響を与えることなく測距視野内での測光が可能で
ある。ただし、焦点検出系へ通過する光量が減少しない
程度に中央測光素子20aを形成する必要がある。
第3図は測光装置を用いた自動露出及び自動焦点検出装
置のブロック回路構成図である。自動露出機構において
は、第2図に示す中央測光素子20aの出力と周辺測光
素子21aの出力が測光演算回路30に入力され、この
演算結果出力は露光量を制御する露出演算回路31に入
力するようになっている。このとき、中央測光素子20
aと周辺測光素子21aの出力を個別に又は組合わせて
使い分けることにより、中央焦点測光や平均測光を行う
ことができる。
置のブロック回路構成図である。自動露出機構において
は、第2図に示す中央測光素子20aの出力と周辺測光
素子21aの出力が測光演算回路30に入力され、この
演算結果出力は露光量を制御する露出演算回路31に入
力するようになっている。このとき、中央測光素子20
aと周辺測光素子21aの出力を個別に又は組合わせて
使い分けることにより、中央焦点測光や平均測光を行う
ことができる。
一方、焦点検出機構においては、中央測光素子20aの
出力信号が蓄積時間制御用の計時回路32に入力され、
更に比較回路33を経て焦点検出素子34に入力される
。また、焦点検出押釦などの焦点検出部材35からの信
号が、計時回路32及び焦点検出素子34に入力されて
いる。そして、焦点検出素子34の出力は焦点検出用演
算回路36を経て撮影レンズ制御回路37に接続されて
いる。
出力信号が蓄積時間制御用の計時回路32に入力され、
更に比較回路33を経て焦点検出素子34に入力される
。また、焦点検出押釦などの焦点検出部材35からの信
号が、計時回路32及び焦点検出素子34に入力されて
いる。そして、焦点検出素子34の出力は焦点検出用演
算回路36を経て撮影レンズ制御回路37に接続されて
いる。
計時回路32は焦点検出部材35から出力される計時ス
タート信号によって中央測光素子20aからの信号の取
り込みを開始し、同時に焦点検出素子34、つまり第7
図に示すセンサ列6a、6bは画像情報の蓄積を開始す
る。比較回路33は中央測光素子20aの出力を受けた
計時回路32の出力が成る値に達するとトリガ信号を発
信し、焦点検出素子34の画像情報蓄積を完了し、時系
列的に読み出された情報を焦点検出用演算回路36に送
って測距演算を行い、その結果に基づいて撮影レンズ制
御回路37により撮影レンズ2を合焦位置に駆動する。
タート信号によって中央測光素子20aからの信号の取
り込みを開始し、同時に焦点検出素子34、つまり第7
図に示すセンサ列6a、6bは画像情報の蓄積を開始す
る。比較回路33は中央測光素子20aの出力を受けた
計時回路32の出力が成る値に達するとトリガ信号を発
信し、焦点検出素子34の画像情報蓄積を完了し、時系
列的に読み出された情報を焦点検出用演算回路36に送
って測距演算を行い、その結果に基づいて撮影レンズ制
御回路37により撮影レンズ2を合焦位置に駆動する。
第4図、第5図は焦点検出素子34を構成するCCDの
作動説明図である。第4図は発生した電荷がバリア電極
BAを介して電荷蓄積部STに蓄積され、シフトゲート
SH及び積分クリア電極ICGの電位により、4相駆動
のアナログシフトレジスタφ1〜φ4或いはオーバフロ
ードレインOFDに流される仕組を図示している。
作動説明図である。第4図は発生した電荷がバリア電極
BAを介して電荷蓄積部STに蓄積され、シフトゲート
SH及び積分クリア電極ICGの電位により、4相駆動
のアナログシフトレジスタφ1〜φ4或いはオーバフロ
ードレインOFDに流される仕組を図示している。
第5図は電荷の蓄積状態を説明する電位井戸を表したも
のであり、(a) 、 (b) 、 (c)はそれぞれ
電荷蓄積前、蓄積中、蓄積後を示している。(a)では
光電変換部PDから発生した電荷が電荷蓄積部STに蓄
積され、積分クリア電極■CGを介してオーバフロード
レインOFDに棄てられている。焦点検出部材35が作
動すると、(b)に示すように積分クリア電極ICGが
低レベルに反転し、光電変換部PDから発生した電荷が
蓄積電極STに蓄積され始める。第3図の比較回路33
からトリガ信号が出力されると、シフトゲートSHが高
レベルとなり、(C)に示すように蓄積電極STに蓄積
された電荷がアナログシフトレジスタφ1〜φ4の転送
用BCCDに移送され、最適状態に蓄積された画像情報
の読み出しが行われる。
のであり、(a) 、 (b) 、 (c)はそれぞれ
電荷蓄積前、蓄積中、蓄積後を示している。(a)では
光電変換部PDから発生した電荷が電荷蓄積部STに蓄
積され、積分クリア電極■CGを介してオーバフロード
レインOFDに棄てられている。焦点検出部材35が作
動すると、(b)に示すように積分クリア電極ICGが
低レベルに反転し、光電変換部PDから発生した電荷が
蓄積電極STに蓄積され始める。第3図の比較回路33
からトリガ信号が出力されると、シフトゲートSHが高
レベルとなり、(C)に示すように蓄積電極STに蓄積
された電荷がアナログシフトレジスタφ1〜φ4の転送
用BCCDに移送され、最適状態に蓄積された画像情報
の読み出しが行われる。
また、この場合に積分クリア電極ICGが無い焦点検出
素子でも、信号の蓄積開始・完了の期間を計時回路32
、比較回路33により変えることにより、蓄積時間制御
を高精度にリアルタイムで達成できる。
素子でも、信号の蓄積開始・完了の期間を計時回路32
、比較回路33により変えることにより、蓄積時間制御
を高精度にリアルタイムで達成できる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明に係る焦点検出装置は、焦点
検出素子の蓄積時間を決定する測光素子を測距視野に合
わせて細線パターンの光電変換素子としたため、測距と
測光が同一視野の光束により行われ、測光素子の出力に
基づいてより高精度な蓄積時間制御を行うことができ1
合焦検出が一段と高精度に達成できる。
検出素子の蓄積時間を決定する測光素子を測距視野に合
わせて細線パターンの光電変換素子としたため、測距と
測光が同一視野の光束により行われ、測光素子の出力に
基づいてより高精度な蓄積時間制御を行うことができ1
合焦検出が一段と高精度に達成できる。
図面第1図〜第3図は本発明に係る焦点検出装置の一実
施例を示し、・第1図は焦点光学系の構成図、第2図は
測光素子の平面図、第3図は自動露出及び自動焦点検出
装置のブロック回路構成図であり、第4図、第5図は測
光素子の作動説明図、第6図は従来の合焦機構の構成図
、第7図は第6図の合焦機構を一眼レフレックスカメラ
に応用した構成図である。 符号4はスプリットプリズム、5は二次結像レンズ、6
a、6bはセンサ列、13は視野マスク、14は瞳結像
レンズ、20.21は測光部であり、20aは中央測光
素子、20bは光透過部、21aは周辺測光素子、21
bは遮光部、30は測光演算回路、31は露出演算回路
、32は計時回路、33は比較回路、34は焦点検出素
子、35は焦点検出部材、36は焦点検出用演算回路、
37は撮影レンズ制御回路である。 特許出願人 キャノン株式会社 第2図 第3図
施例を示し、・第1図は焦点光学系の構成図、第2図は
測光素子の平面図、第3図は自動露出及び自動焦点検出
装置のブロック回路構成図であり、第4図、第5図は測
光素子の作動説明図、第6図は従来の合焦機構の構成図
、第7図は第6図の合焦機構を一眼レフレックスカメラ
に応用した構成図である。 符号4はスプリットプリズム、5は二次結像レンズ、6
a、6bはセンサ列、13は視野マスク、14は瞳結像
レンズ、20.21は測光部であり、20aは中央測光
素子、20bは光透過部、21aは周辺測光素子、21
bは遮光部、30は測光演算回路、31は露出演算回路
、32は計時回路、33は比較回路、34は焦点検出素
子、35は焦点検出部材、36は焦点検出用演算回路、
37は撮影レンズ制御回路である。 特許出願人 キャノン株式会社 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、撮影レンズを通過した光束により焦点検出を行う焦
点検出装置において、測距視野に細線の感光パターンを
有する光透過型薄膜光電変換素子を設け、該光電変換素
子の出力に基づいて焦点検出素子の蓄積時間の制御を行
うことを特徴とする焦点検出装置。 2、前記光電変換素子は前記焦点検出素子の測距成分方
向と直交する方向に細線パターンとして配置した特許請
求の範囲第1項に記載の焦点検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22256585A JPS6281617A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 焦点検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22256585A JPS6281617A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 焦点検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281617A true JPS6281617A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16784450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22256585A Pending JPS6281617A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 焦点検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281617A (ja) |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22256585A patent/JPS6281617A/ja active Pending
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