JPS6281720A

JPS6281720A - 半導体装置

Info

Publication number: JPS6281720A
Application number: JP60221829A
Authority: JP
Inventors: Michiaki Furukawa; 古川　道明; Takayuki Okinaga; 隆幸沖永; Hiroshi Tate; 宏舘
Original assignee: Hitachi ULSI Engineering Corp; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Solutions Technology Ltd
Priority date: 1985-10-07
Filing date: 1985-10-07
Publication date: 1987-04-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】し技術分野〕本発明は半導体装置に関し、荷に、半導体素子の太ざさ
に応じて抛々のパッケージを用意する必要のない、当該
パッケージのワイヤボンディング用配線の改良技術に関
する。

し背景技術〕従来、半導体装置を製造する際に、ベレットサイズの異
なる製品をバクケージに恰載する場合、ベレットサイズ
毎罠適正パッケージを製作している。すなわち、例えば
、ベレットサイズが大なるときは、パッケージのサイズ
も大としなければならない。そして、パッケージのワイ
ヤボンディング用配線とベレットとをワイヤボンディン
グするに、このような場合にはベレットサイズカー太な
る分、当該配線を短くしたり、配線の引き回しを工夫し
たりしなければならないが、かかる引き回しもいわゆる
多ピン化に伴ない困ｍ（リードショートを生じたりする
）となり′″Ｃぎている。

しかも、バクケージを、搭載可能ペレットサイズ毎に製
作する必要があるため、その製作期間が長期化し、かつ
、費用も多大にかかり、半導体装置のコストを高いもの
にしている。なお、半導体のパッケージング技術につい
て詳しく述べた文献の例とし℃、工朶調査会発行１９８
０年１月１５日発行の「ＩＣ化実装技術ｊｐ１３６〜１
５６がある。

し発明の目的〕本発明は、かかる従来技術の有する欠点を解消し、ベレ
ットサイズ毎に、いちいち、ワイヤボンディング用配線
の長さの異なるパッケージを用意する必要のない技術を
提供することを目的とする。

本発明は、ペレットサイズ毎にそれに見合った多植多様
のパッケージを製作する必要がないため、パッケージコ
ストを安いものとすることができる蚊術を提供すること
を目的とする。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な％徴は、
本明細書の記述および添付図面からあざらかになるであ
ろう。

〔発明の概要〕

示顕において開示されろ発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、例えば、本発明では、ペレットサイズ毎何に
かかわらずワイヤボンディング用配線をペレット下面ま
で伸長しておぎ、そこに、ベレット？：搭載するように
したので、ペレットサイズ毎に当該配線長の異なるパッ
ケージを用意する必要がなく、また、多植多様のパッケ
ージを製作する必要がないため、裏作期間も短縮され、
コストを安いものとすることができた。

〔実施例〕

次に、不発明′？：実施例を示す図面に基づいて説明す
る。

第１図は本発明による半導体素子（ペレット）とワイヤ
ボンディング用配線との関係を説明する要部平面図で、
第１図にて、１および２はそれぞれペレットで、ペレッ
トｌおよびペレット２はサイズが異なり、ペレット１は
ペレット２よりもサイズが小となっているが、ボンディ
ング用配線３のベレット内長さは一定であることを模式
的に示しである。

本発明は、第５図および第６図に示す従来例と対比され
る。すなわち、これら従来例では、ペレット４のサイズ
が小の場合、それに応じてボンディング用配線５の長さ
も長くなっており（第５図）また、ペレット４のサイズ
が大の場合、それに応じて、ボンディング用配−５の長
さも短くなっている（第６図）。

そして、これら第５図および第６図に示すように、従来
例では、ペレット搭載部６から離隔し℃一点鎖線７で示
す線上に各ボンディング用配線５ヲ配列して８つ、図示
していないが、当該ペレット４のパッドと当該配線５と
をコネクタワイヤによりワイヤボンディングしている。

これに対し、不発明では、ボンディング用配線長を一定
としておぎ、かつ、第５図および第６図に示すよ５なペ
レット搭載部の中心に向けてその内側にまで当該配線を
伸長しておく。

ペレットの下面にボンディング用配線が位置すると、当
該配線とペレットの下面とが当接するので、電気的な接
続を回避するため罠、細繊を必要とする。

両者の間に絶縁層を介装する。

この絶縁層は、絶耐を必要とする部分のみに設けてもよ
いが、ボンディング配線上にもペレット付用の絶縁性接
着剤がゆきわたるようにして当該接層剤によりペレット
付を行う等の方法を採ることかでざる。

第２図は、セラミックパッケージについ【本発明を適用
した例を示し、第２図にて、８はペレット、９はペレッ
ト付用絶縁性接着剤、ｌＯはワイヤボ／ディング用配置
、１１はコネクタワイヤ、１２はスルホールメッキ、１
３はリード、１４は封止材、１５はキャップ、１６はベ
ースを示す。

第２図に示すように、ペレット８の下面までワイヤボン
ディング用配線１０ン伸長し、絶縁性接着剤９にてペレ
ット付を行ない、コネクタワイヤ１１にて、上記配線１
０とワイヤボンディングし、当該配線１０と、ベース１
６の下面に垂設されたり一ド１３とをスルホールメッキ
１２により電気的に接続し、封止材１４によりキャップ
１５を取付して成る。

絶縁性接着剤９は、例えばシリコーンゴム系接着剤によ
り構成される。

ワイヤボンディング用配線１０は、例えばタングステン
（Ｗ）メタライズにＮ１およびＡｕメツキな施したもの
により構成される。

コネクタワイヤ１１は例えばＡμ線により構成される。

リード１３は、例えばＮ　ｉ　−Ｆ　ｅ系合金により構
成される。

封止材１４は、例えばエポキシ樹脂より構成される。

キャップ１５およびペース１６は、例えば、それぞれセ
ラミック材料より成る。

本発明においては、ボンディング用配線上にソルダーレ
ジスｌコートシ、ベレットを前記の如きシリコーンゴム
系接着剤により接着させてもよい。また、絶縁性を高め
るためベレット搭載部にツルターレジストコートを施す
等、絶縁層を多層としても良いことは言うまでもない。

この場合、当該配線の長さを一定にしておき、当該レジ
ストパターンのみをベレットサイズに応じて変更しても
よい。

第３図は、当該実施例の説明図で、ペース１７上に、ワ
イヤボンディング用配線パターン１８を形成し、さらに
、該配線上にソルダーレジスト１９を全面にコートし、
ベレットサイズにより、該レジスト１９をエツチングな
どにより、当該パターンを変更し、シリコーンゴム系接
着剤２０により、ベレッｌ’ペレット付する。すなわち
、例えば、ベレット２１がそれよりも大のベレット２２
となるとぎには、当該レジストパターンをエツチングし
て、パターンの変更を行ない、ワイヤボンディング司能
となるようにする。

第４図は、かかる例を適用した半導体装置の実施例を示
す断面図で、同図にて、２３はベレット、２４はコネク
タワイヤ、２５はベレット骨用絶縁接着剤、２６はワイ
ヤボンディング用配線、２７はソルダーレジスト、２８
はペース、２９はリード、３０はダム、３１はシリコー
ン系ゲル、３２はキャップ、３３は接着剤である。

ペース２８は、例えばプリント基材より構成される。ボ
ンディング用配線２６は、例えば銅配線により構成され
る。ダム３０およびキャップ３２を工、例えばそれぞれ
Ａｉにより構成される。

ベレット骨用絶縁接着剤２５および接着剤３３はそれぞ
れシリコーン系ゴム接着剤により構成される。

不発明におけるベレットは、例えばシリコン単結晶基板
から成り、周知の技術によってこのクエハ内には多数の
回路素子が形成され、１つの回路機能が与えられている
。

回路素子の具体例は、例えばＭ　ｉ　Ｓ　トランジスタ
から成り、これらの回路素子によって、例えば論理回路
の回路機能が形成されている。

〔効　果〕

本発明によれば、ワイヤボンディング用配線長乞一定と
しておぎ、ベレット付をするようにしたので、ベレット
サイズ毎に当該配線長の異なるパッケージを用意する必
要がなく、また、多積多様のパッケージ′？：製作する
必要がないため、製作期間、工程数も短縮され、コスト
を低減し、歩留の向上に多大の貢献を果たすことができ
た。

以上不発明者によっ℃なされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、不発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で捕々に更可
ｎ目であることはいうまでもない。

〔利用分野〕

本発明は広く半導体装置全般に適用できる。

なお、本発明はペースが平面のものにワイヤボンディン
グ用配線を施す場合に著効がある。すなわち、ペースに
ベレット搭載用の溝部を設けるような場合には該溝部の
サイズによりベレットサイズも決まりてくることが多い
からである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の詳細な説明する要部平面図、ｗ、２図
は本発明の５１！施例な示す断面図、第３図は本発明の
実施例の変形例な説明する狭部断面図、第４図は本発明の他の実施例を示す断面図、第５図及び
第６図はそれぞれ従来例を示す説明図である。１・・・ベレット、２・・・ベレット、３・・・ボンデ
ィング用配線、４・・・ベレット、５・・・ボンディン
グ用配線、６・・・ペレット′Ｗｒ載部、７・・・＠線
、８・・・ベレット、９・・・ペレット付用絶縁性接着
剤、１０・・・ワイヤポンディング用配線、１１・・・
コネクタワイヤ、１２・・スルーホールメッキ、１３・
・・ＩＪ−）’、１４・・・封止材、１５・・・キャッ
プ、１６・・・ベース、１７・・・ベース、１８・・・
ワイヤボンディング用配線パターン、１９・・・ソルダ
ーレジスト、２０・・・シリコーン−ｒム系接ｍ剤、２
１・・・ベレット、２２・・・ベレット、２３・・・ベ
レット、２４・・・コネクタワイヤ、２５・・・ペレッ
ト付用絶縁接着剤、２６・・・ワイヤポンディング用配
線、２７・・・ソルダーレジスト、２８・・・ベース、
２９・・・！Ｊ−ド、３０・・・ダム、３１・・・シリ
コーン系ゲル、３２・・・キャップ、３３・・・接着剤
。代理人　弁理士　　小　川　　肋　男第　　３　　図第　　４　　図

Claims

【特許請求の範囲】１、半導体素子を搭載する配線基板のワイヤボンディン
グ用配線の長さを一定としておき、当該素子の大きさに
より当該ワイヤボンディング用配線と当該素子とが面接
触するときにはこれら素子と配線間に絶縁層を介在させ
て成ることを特徴とする半導体装置。２　ワイヤボンディング用配線を半導体素子の下面にま
で延設し、当該配線上に絶縁層を設け、半導体素子を搭
載して成る、特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。