JPS6281983A - 電流形インバ−タ−の主回路 - Google Patents
電流形インバ−タ−の主回路Info
- Publication number
- JPS6281983A JPS6281983A JP60217894A JP21789485A JPS6281983A JP S6281983 A JPS6281983 A JP S6281983A JP 60217894 A JP60217894 A JP 60217894A JP 21789485 A JP21789485 A JP 21789485A JP S6281983 A JPS6281983 A JP S6281983A
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- JP
- Japan
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- main circuit
- source inverter
- transistor
- chip
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電流形インバータに係シ5%に・各アームの自
己消弧素子としてトランジスタを使用した電流形インバ
ータに好適なアーム素子の構成に関する。
己消弧素子としてトランジスタを使用した電流形インバ
ータに好適なアーム素子の構成に関する。
従来の電流形インバータの主回路は、rACサーボモー
タとマイコン制[J<s59/2発行〉総合電子出版社
発行の技術書のP、 171に記載のように電圧形イン
バータと異なり、主回路に直流リアクトkDcLを入れ
て定電流源とし、インバータ領主回路制御Kl素子は、
トランジスタ81〜S6と逆阻止用のダイオードD1〜
D6 を各アームに図のようにトランジスタと直列に持
続し、コンバータ側主回路制gl素子は、逆阻止形のサ
イリスタ8 D l−8l) a を第5図のように接
続して構成していた。また、第6図に示すように、コン
バータ側主回路制御111素子として、インバータ側と
同じように、トランジスタS、〜Satと逆阻止用のダ
イオードD、〜D8.を図のようにトランジスタと直列
に接続し、三相肪導竜動機へ流し込む電流を制脚してい
た。また、これらの主回路素子は、従来は、各々、個々
に独立した素子として1制却キ1−ビクルに実装され、
その間は、その電流容量に適合した太い電線によシ接続
して、必要な回路を構成していた。
タとマイコン制[J<s59/2発行〉総合電子出版社
発行の技術書のP、 171に記載のように電圧形イン
バータと異なり、主回路に直流リアクトkDcLを入れ
て定電流源とし、インバータ領主回路制御Kl素子は、
トランジスタ81〜S6と逆阻止用のダイオードD1〜
D6 を各アームに図のようにトランジスタと直列に持
続し、コンバータ側主回路制gl素子は、逆阻止形のサ
イリスタ8 D l−8l) a を第5図のように接
続して構成していた。また、第6図に示すように、コン
バータ側主回路制御111素子として、インバータ側と
同じように、トランジスタS、〜Satと逆阻止用のダ
イオードD、〜D8.を図のようにトランジスタと直列
に接続し、三相肪導竜動機へ流し込む電流を制脚してい
た。また、これらの主回路素子は、従来は、各々、個々
に独立した素子として1制却キ1−ビクルに実装され、
その間は、その電流容量に適合した太い電線によシ接続
して、必要な回路を構成していた。
この従来例では1次の二つの不具合があった。
その第一は、逆阻止用のダイオードとして、通常、電力
用ダイオードを使用するため、第9図に示すように、ト
ランジスタスイッチを8.よりSフに切換える時に、S
、とD8が完全にオフ状態になるまで、点線で示した環
流電流工rrが流れ+ 87のオン電流が810図に示
すように2通常の回路電流ILに加算されるため、トラ
ンジスタs、。
用ダイオードを使用するため、第9図に示すように、ト
ランジスタスイッチを8.よりSフに切換える時に、S
、とD8が完全にオフ状態になるまで、点線で示した環
流電流工rrが流れ+ 87のオン電流が810図に示
すように2通常の回路電流ILに加算されるため、トラ
ンジスタs、。
ダイオードD、の内部損失発熱が大きくなシ、トランジ
スタS?、ダイオードD、の容量に余裕をもたせる必要
があること。
スタS?、ダイオードD、の容量に余裕をもたせる必要
があること。
第二は、ダイオードとトランジスタの接続配線本数が増
加し、組立配線工数が増えることである。
加し、組立配線工数が増えることである。
本発明の目的は、電流形インバータ用として好適な主回
路制御素子を提供することにある。
路制御素子を提供することにある。
本発明は、最近、汎用的となったトランジスタモジュー
ル(グラスチックケースの中にトランジスタのチップを
収納し、ケース上の端子より電流を増シ出すようにした
構造の主回路素子)のケースの中に高速ダイオード(逆
回復時間trr≦lμs)のチップを収納し、これをト
ランジスタと直列に内部で接続し、制御キユービクル内
での配線本数を低減し、スイッチング時の環流゛電流に
よる電力損失を低減するようにしたものである。
ル(グラスチックケースの中にトランジスタのチップを
収納し、ケース上の端子より電流を増シ出すようにした
構造の主回路素子)のケースの中に高速ダイオード(逆
回復時間trr≦lμs)のチップを収納し、これをト
ランジスタと直列に内部で接続し、制御キユービクル内
での配線本数を低減し、スイッチング時の環流゛電流に
よる電力損失を低減するようにしたものである。
M7図は、従来のトランジスタモジュール素子の撰造図
であシ、第8図に示すようなトランジスタが収納さnて
いる。(モジュール素子は、トランジスタではなく、ダ
イオードでもサイリスタでも良く、要は、第7図に示す
ようなモールドのケースの中に半導体素子が収納されて
いればよい。)lはトランジスタのチップ、2はトラン
ジスタチップ1で発生する熱を放出するための金属性の
プレート、3はチップlと金属性プレート2を電気的に
絶縁する絶縁材、4はチップlを収納するモールドケー
スでめり、金属プレート2とは接着剤などで完全に密着
接続されている。
であシ、第8図に示すようなトランジスタが収納さnて
いる。(モジュール素子は、トランジスタではなく、ダ
イオードでもサイリスタでも良く、要は、第7図に示す
ようなモールドのケースの中に半導体素子が収納されて
いればよい。)lはトランジスタのチップ、2はトラン
ジスタチップ1で発生する熱を放出するための金属性の
プレート、3はチップlと金属性プレート2を電気的に
絶縁する絶縁材、4はチップlを収納するモールドケー
スでめり、金属プレート2とは接着剤などで完全に密着
接続されている。
5はモールドケース40カバーであシ、これには外部接
続用端子E(エミッタ)、B(ベース)。
続用端子E(エミッタ)、B(ベース)。
C(コレクタ)が取付けられており、この端子のネジを
利用して外部の配線と電気的に接続する。
利用して外部の配線と電気的に接続する。
トランジスタチップlのエミッタ、ベース、コレクタの
端子は、それぞれ、リード線6,7.8によハ端子E、
H,Cと電気的に接続さt’tている。
端子は、それぞれ、リード線6,7.8によハ端子E、
H,Cと電気的に接続さt’tている。
本発明は、このモジュールのケースの中に、第2図に示
すように、トランジスタのテップlと、高速ダイオード
、例えば、逆回復時間trr≦1μsのもののチップ9
を収納し、接続リード10にょシそれらのチップ間を′
wL′A的に接続し、第3図あるいは、84図に示すよ
うな回路構成のモジュールとすることである。このよう
にすることにより、電流形インバータの回路は第1図の
ようになり、一点鎖線で囲まれた部分がモジュール構造
となシ。
すように、トランジスタのテップlと、高速ダイオード
、例えば、逆回復時間trr≦1μsのもののチップ9
を収納し、接続リード10にょシそれらのチップ間を′
wL′A的に接続し、第3図あるいは、84図に示すよ
うな回路構成のモジュールとすることである。このよう
にすることにより、電流形インバータの回路は第1図の
ようになり、一点鎖線で囲まれた部分がモジュール構造
となシ。
配線工数、実装スペースの大幅な低減が可能となる。ま
た、高速贋の逆阻止用ダイオードがそれぞれのスイッチ
ングトランジスタに直列に挿入されるため、スイッチン
グ切換時の環流電流が、第11図に示すように小さく抑
えられて無視できるものとなり、トランジスタの発熱も
低く抑えられ、使用トランジスタの容量を1ランク下げ
たものを使用できる効果がある。
た、高速贋の逆阻止用ダイオードがそれぞれのスイッチ
ングトランジスタに直列に挿入されるため、スイッチン
グ切換時の環流電流が、第11図に示すように小さく抑
えられて無視できるものとなり、トランジスタの発熱も
低く抑えられ、使用トランジスタの容量を1ランク下げ
たものを使用できる効果がある。
また、第3図あるいは第4図に示すように1本発明のモ
ジュールは、内部のトランジスタチップとダイオードチ
ップの接続点を端子Aとして外部に引出すようにしてお
シ、この端子Aを利用して第12図、あるいは、第13
図に示すように、外部にコンデンサC1あるいは、抵抗
などの分圧素子を接続し、モジュール内のトランジスタ
チップ、および、高速ダイオードチップに印加される電
圧を、それぞれのチップの耐電圧に見合って制御するこ
とが出来る。
ジュールは、内部のトランジスタチップとダイオードチ
ップの接続点を端子Aとして外部に引出すようにしてお
シ、この端子Aを利用して第12図、あるいは、第13
図に示すように、外部にコンデンサC1あるいは、抵抗
などの分圧素子を接続し、モジュール内のトランジスタ
チップ、および、高速ダイオードチップに印加される電
圧を、それぞれのチップの耐電圧に見合って制御するこ
とが出来る。
本発明によれば、電流形インバータ用として好適なスイ
ッチング損失が少なく、実装が簡単な主回路素子が得ら
れる。
ッチング損失が少なく、実装が簡単な主回路素子が得ら
れる。
第1図は本発明の一実施例の電流形インバータの主回路
構成図、第2図、第3図は本発明のモジュール素子の構
造図、第4図は本発明の他のモジュール素子の構成図、
第5図は従来の電流形インバータの主回路構成図、第6
図は従来の他の電流形インバータの主回路構成図、第7
図はモジュール素子の構造図、第8図はモジュール素子
の回路図、第9図はスイッチング切換時の説明図、第1
0図は第9図の補足説明図、第11図は本発明の効果に
よるスイッチング切換時の電流波形図、第12図は本発
明のモジュールの接続例図、第13図は本発明の他のモ
ジュールの接続例図である。 9・・・高速ダイオードのチップ。
構成図、第2図、第3図は本発明のモジュール素子の構
造図、第4図は本発明の他のモジュール素子の構成図、
第5図は従来の電流形インバータの主回路構成図、第6
図は従来の他の電流形インバータの主回路構成図、第7
図はモジュール素子の構造図、第8図はモジュール素子
の回路図、第9図はスイッチング切換時の説明図、第1
0図は第9図の補足説明図、第11図は本発明の効果に
よるスイッチング切換時の電流波形図、第12図は本発
明のモジュールの接続例図、第13図は本発明の他のモ
ジュールの接続例図である。 9・・・高速ダイオードのチップ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、トランジスタをブリッジ接続したコンバータ及びイ
ンバータから成る電流形インバータにおいて、 前記各々のトランジスタと直列に高速ダイオードを直列
接続したことを特徴とする電流形インバータの主回路。 2、特許請求の範囲第1項において、前記トランジスタ
と前記高速ダイオードの直列回路を、夫々同一のモジュ
ールの中に収納したことを特徴とする電流形インバータ
の主回路。 3、特許請求の範囲第2項において、前記トランジスタ
と前記高速ダイオードの直列回路の接続点よりリードを
出し、モジュールケースの一端子として外部回路と接続
できるよう構成したことを特徴とする電流形インバータ
の主回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217894A JPS6281983A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電流形インバ−タ−の主回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60217894A JPS6281983A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電流形インバ−タ−の主回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281983A true JPS6281983A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16711422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60217894A Pending JPS6281983A (ja) | 1985-10-02 | 1985-10-02 | 電流形インバ−タ−の主回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281983A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113587U (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027924A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-03-22 | ||
| JPS5752386A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS59153478A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-09-01 | Hitachi Ltd | 交流エレベ−タ−の制御装置 |
-
1985
- 1985-10-02 JP JP60217894A patent/JPS6281983A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5027924A (ja) * | 1973-07-16 | 1975-03-22 | ||
| JPS5752386A (en) * | 1980-09-16 | 1982-03-27 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS59153478A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-09-01 | Hitachi Ltd | 交流エレベ−タ−の制御装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01113587U (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-31 |
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