JPS628320A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS628320A JPS628320A JP14570185A JP14570185A JPS628320A JP S628320 A JPS628320 A JP S628320A JP 14570185 A JP14570185 A JP 14570185A JP 14570185 A JP14570185 A JP 14570185A JP S628320 A JPS628320 A JP S628320A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘラｒの製造方法に係り、特にトラッ
ク巾精度に優ｎかつコイルの一断線などを生じない薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関する。
ク巾精度に優ｎかつコイルの一断線などを生じない薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を第２図及び第６図を
用いて詳細に説明する。まずフェライトなどの磁性ある
いはＡ７２０３ 、Ａ７２０Ｂ−ＴｉＣなどの非磁性基
板＋１１上にＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモルフ
ァス、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金（ノセーマロイ）等から成る下部磁性層（２）、
さらにＳ ｓ Ｏ，Ｓ ｉ Ｑ ２、Ａ７２０δなどの
無機材料から成る第１絶縁層（３）、さらにＣｕあるい
はＡ１１などから成るコイル導体層（４）、さらにその
上に第一１・絶縁層と同様は無機材料から成る第２絶縁
層（５）を蒸着あるいはス・センタリングなどで形成す
る。
用いて詳細に説明する。まずフェライトなどの磁性ある
いはＡ７２０３ 、Ａ７２０Ｂ−ＴｉＣなどの非磁性基
板＋１１上にＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモルフ
ァス、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金（ノセーマロイ）等から成る下部磁性層（２）、
さらにＳ ｓ Ｏ，Ｓ ｉ Ｑ ２、Ａ７２０δなどの
無機材料から成る第１絶縁層（３）、さらにＣｕあるい
はＡ１１などから成るコイル導体層（４）、さらにその
上に第一１・絶縁層と同様は無機材料から成る第２絶縁
層（５）を蒸着あるいはス・センタリングなどで形成す
る。
その後、前記第２絶縁層（５）上にフォトレジスト（図
示せず）を厚く塗布し、フォトレジスト上からイオンミ
リングなどで７オトレジストと絶縁層（５）のエツチン
グ速度が同一となるイオンビーム入射角度〒エツチング
しく以下こｎをエツチノ９ツク法と呼ぶ）、平坦な第２
絶縁層（５）を形成する。さらに前記第２絶縁層（５）
上にＣｕあるいはｋｌなどから成るコイル導体層（６）
、さらにその上にＳｉＯあるいは５ｉ０２、Ａ／２０３
などから成る第３絶縁層（７）を蒸着あるいはス／−？
ツタリングなどで形成する。その稜第２絶縁層（５）を
平坦化したのと同様な方法〒第３絶縁層（７）をエッチ
パンクする。このようにして形成された第３絶縁層（７
）上にコイル導体層（４１（６１を全て覆うように７オ
トレ・シストを／ぞターニングしく図示せず）その後こ
のフォトレジストを１０００位〒３０分程度熱処理し、
例えばＡｒイオンを用いたイオンミリングで絶縁層＋３
１ 、 ＋５１ 、 （７１を所定のチー・ぞ角度（θ
１）、（θ２）になるようにチー・ξエツチングする３
この時第３図に示すようにチー／ぞ部の角度（θ、）、
（θ２）はフォトレジストの厚さと大きさを適当に選ぶ
事により任意の角度をつける事が出来る。しかしながら
、このテーパ角度はあまり急使すぎると上部磁性層（９
）がこの部分で積厚減少を生じ、磁気抵抗が高くなり、
記録再生効率が低下する。また、あまりなだらかすぎる
と上部磁性層（９）と下部磁性層（２）間で漏洩磁束が
増加し、同様に記録再生効率が低下する。したがって、
磁気抵抗を増加せずかつ漏洩磁束も増加させない最適な
チー・七角度は通常６０°〜６０°付近にある事が知ら
ｎている。
示せず）を厚く塗布し、フォトレジスト上からイオンミ
リングなどで７オトレジストと絶縁層（５）のエツチン
グ速度が同一となるイオンビーム入射角度〒エツチング
しく以下こｎをエツチノ９ツク法と呼ぶ）、平坦な第２
絶縁層（５）を形成する。さらに前記第２絶縁層（５）
上にＣｕあるいはｋｌなどから成るコイル導体層（６）
、さらにその上にＳｉＯあるいは５ｉ０２、Ａ／２０３
などから成る第３絶縁層（７）を蒸着あるいはス／−？
ツタリングなどで形成する。その稜第２絶縁層（５）を
平坦化したのと同様な方法〒第３絶縁層（７）をエッチ
パンクする。このようにして形成された第３絶縁層（７
）上にコイル導体層（４１（６１を全て覆うように７オ
トレ・シストを／ぞターニングしく図示せず）その後こ
のフォトレジストを１０００位〒３０分程度熱処理し、
例えばＡｒイオンを用いたイオンミリングで絶縁層＋３
１ 、 ＋５１ 、 （７１を所定のチー・ぞ角度（θ
１）、（θ２）になるようにチー・ξエツチングする３
この時第３図に示すようにチー／ぞ部の角度（θ、）、
（θ２）はフォトレジストの厚さと大きさを適当に選ぶ
事により任意の角度をつける事が出来る。しかしながら
、このテーパ角度はあまり急使すぎると上部磁性層（９
）がこの部分で積厚減少を生じ、磁気抵抗が高くなり、
記録再生効率が低下する。また、あまりなだらかすぎる
と上部磁性層（９）と下部磁性層（２）間で漏洩磁束が
増加し、同様に記録再生効率が低下する。したがって、
磁気抵抗を増加せずかつ漏洩磁束も増加させない最適な
チー・七角度は通常６０°〜６０°付近にある事が知ら
ｎている。
前記絶縁層（３１、ｆ５） 、 ｆ７＋を最適チー・ぞ
角度になるようにチーａＲエツチングした後、ＳｉＯ，
５ｉ０２或いはＡＪ２０．などから成るギャップ層（８
）を蒸着またはス・ぐツタリング等で形成する。次いで
、このギャップ層（８）に下部磁性層（２）と上部磁性
層（９）を結合させるための窓をエツチングした後、Ｃ
ＯあるいはＦｅを主成分とするアモルファス、Ｆｅ −
ＡＡ’−Ｓｉ合金（センダスト）、あるいはＦｅ−Ｎｉ
合金（・ソーマロイ）から成る上部磁性層（９）を蒸着
あるいはスノクツタリングなど〒形成する。この後上部
磁性層（９）上にフォトレジスト（図示せず）を塗布し
、このレジスト層を所定形状にＡターニングし、こｎを
マスクとして、上部磁性層（９）を例えば、Ａｒイオン
を用いたイオンミリングでエツチングして薄膜磁気ヘッ
ドを形成する、 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、この上部磁性層（９）のエツチングの際
に以下に示す様な問題点があった。こｎを第４図〜第７
図を用いて詳細に説明する。
角度になるようにチーａＲエツチングした後、ＳｉＯ，
５ｉ０２或いはＡＪ２０．などから成るギャップ層（８
）を蒸着またはス・ぐツタリング等で形成する。次いで
、このギャップ層（８）に下部磁性層（２）と上部磁性
層（９）を結合させるための窓をエツチングした後、Ｃ
ＯあるいはＦｅを主成分とするアモルファス、Ｆｅ −
ＡＡ’−Ｓｉ合金（センダスト）、あるいはＦｅ−Ｎｉ
合金（・ソーマロイ）から成る上部磁性層（９）を蒸着
あるいはスノクツタリングなど〒形成する。この後上部
磁性層（９）上にフォトレジスト（図示せず）を塗布し
、このレジスト層を所定形状にＡターニングし、こｎを
マスクとして、上部磁性層（９）を例えば、Ａｒイオン
を用いたイオンミリングでエツチングして薄膜磁気ヘッ
ドを形成する、 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、この上部磁性層（９）のエツチングの際
に以下に示す様な問題点があった。こｎを第４図〜第７
図を用いて詳細に説明する。
まず第１に、上部磁性層（９）を１０μｍ厚程度１形成
しｆＣ場合、絶縁層ｆ３１ 、 ＋５１ 、 ＋７１の
テーパ部が３０°〜６０°−Ｔ！影形成れた場合には、
チー／９部での上部磁性層（９）の膜厚は平面フの膜厚
よりも実際には薄くなっている。したがってこの様にし
て形成された上部磁性層（９）を例えば、イオンビーム
入射角ψ（イオンビーム入射角とは、イオンビームと試
料の法線方向がなす角度をいう。）をψ＝σ〒イオンミ
リングした場合には第４図に示すように平面（θ−０°
）の所定膜厚を完全にエツチングすると、例えば、チー
Ａ−角５０°の部分マは、その約３のエツチング時間で
すでに上部磁性層（９）が除去さｎてしまっているため
残シーのエツチング時間マテーパ七部分をオーバーエツ
チングしてしまい（第５図Ａ部）、特に１０μｍ程度の
厚い上部磁性／ｉｉ （９）の場合、チー／七部と、平
面でのエツチング時間が大巾にずれ、コイル導体＋４＋
、 （６）をエツチングしてしまいヘッドが断線する
−という欠点があった。
しｆＣ場合、絶縁層ｆ３１ 、 ＋５１ 、 ＋７１の
テーパ部が３０°〜６０°−Ｔ！影形成れた場合には、
チー／９部での上部磁性層（９）の膜厚は平面フの膜厚
よりも実際には薄くなっている。したがってこの様にし
て形成された上部磁性層（９）を例えば、イオンビーム
入射角ψ（イオンビーム入射角とは、イオンビームと試
料の法線方向がなす角度をいう。）をψ＝σ〒イオンミ
リングした場合には第４図に示すように平面（θ−０°
）の所定膜厚を完全にエツチングすると、例えば、チー
Ａ−角５０°の部分マは、その約３のエツチング時間で
すでに上部磁性層（９）が除去さｎてしまっているため
残シーのエツチング時間マテーパ七部分をオーバーエツ
チングしてしまい（第５図Ａ部）、特に１０μｍ程度の
厚い上部磁性／ｉｉ （９）の場合、チー／七部と、平
面でのエツチング時間が大巾にずれ、コイル導体＋４＋
、 （６）をエツチングしてしまいヘッドが断線する
−という欠点があった。
また逆に例えばイオンビーム入射角をψ＝４０゜で上部
磁性層（９）をイオンミリングした場合には、チーｉ’
ｅ部分よりも平面部分でのエツチング時間が早いため平
面部分での磁性層のエツチングが終了しても、チー・に
部分の磁性膜が残ってしまい、多トラツクヘッドなどの
場合、磁気的に゛隣シ同志が短絡し、クロストークが悪
化するという欠点があった。
磁性層（９）をイオンミリングした場合には、チーｉ’
ｅ部分よりも平面部分でのエツチング時間が早いため平
面部分での磁性層のエツチングが終了しても、チー・に
部分の磁性膜が残ってしまい、多トラツクヘッドなどの
場合、磁気的に゛隣シ同志が短絡し、クロストークが悪
化するという欠点があった。
さらに、フォトレジストを用いて上部磁性層（９）をイ
オンミリングする場合には、第６図及び第７図に示すよ
うな問題がある。すなわち、フォトレジストをマスクと
して用いる場合に７オトレジスト自体に流動性があるた
め、フォトレジスト膜厚は絶縁層の肩部に対応する部分
（第３図、矢印Ｂで示す部分）で最も薄くなってしまう
。従って、この部分において厚い上部磁性層（９）とす
るためにフォトレジスト膜厚を十分に確保しようとする
と、第３図Ｃの部分ではフオトレ・クスタが平坦な上部
磁性層をエツチングする時に比べて厚くなってしまう。
オンミリングする場合には、第６図及び第７図に示すよ
うな問題がある。すなわち、フォトレジストをマスクと
して用いる場合に７オトレジスト自体に流動性があるた
め、フォトレジスト膜厚は絶縁層の肩部に対応する部分
（第３図、矢印Ｂで示す部分）で最も薄くなってしまう
。従って、この部分において厚い上部磁性層（９）とす
るためにフォトレジスト膜厚を十分に確保しようとする
と、第３図Ｃの部分ではフオトレ・クスタが平坦な上部
磁性層をエツチングする時に比べて厚くなってしまう。
この時の状態を第３図り方向から見たものを第６図（ａ
）に示す。この様な形状のものを用いて例えばＡｒイオ
ンを用いてフォトレジストによるシャドウィング（Ｓｈ
ａｄｏｗｉｎｇ）を受けない様なイオンビーム入射角（
ここｖ Ｓｈａｄｏｗｉｎｇとは加工物においてイオン
ビームがあたらない部分を言う。
）に示す。この様な形状のものを用いて例えばＡｒイオ
ンを用いてフォトレジストによるシャドウィング（Ｓｈ
ａｄｏｗｉｎｇ）を受けない様なイオンビーム入射角（
ここｖ Ｓｈａｄｏｗｉｎｇとは加工物においてイオン
ビームがあたらない部分を言う。
たとえば・ぞターニングしたフォトレジストの側壁角度
を約７５°とすると、シャドウィングを受けるイオンビ
ーム入射角とは、２５°よシも大きいイオンビーム入射
角を言う。）、例えば２０°位でイオンビームエツチン
グすると、第６図（ａ）に示すようにフォトレジストの
端部αυ（第６図（ａ）斜線部）に実質的にエツチング
時間が少ない部分、すなわちシャドウィングが生ずる。
を約７５°とすると、シャドウィングを受けるイオンビ
ーム入射角とは、２５°よシも大きいイオンビーム入射
角を言う。）、例えば２０°位でイオンビームエツチン
グすると、第６図（ａ）に示すようにフォトレジストの
端部αυ（第６図（ａ）斜線部）に実質的にエツチング
時間が少ない部分、すなわちシャドウィングが生ずる。
このようにフォトレジストの端部にエツチング時間が少
ない部分αのを生じると、Ａｒイオンによってスパッタ
された上部磁性層膜の一部がフォトレジストの端部に堆
積して再付着し膜ａ２を形成する。このためフォトレジ
ストを剥離した後の上部磁性層（９）の形状は第６図（
Ｃ）に示すようになシ、端部に余分な膜α２が残留して
しまう。この様な断面形状を有する上部磁性層（９）上
にＳｉＯ，５ｉ０２６るいはＡＪ２０．などから成る保
護層ｑ３を蒸着やスパッタリングなどで形成した場合に
第６図（ｄ）のＥに示す部分にクランクが入シ、保饅層
＋１３が割ｎてしまい磁気ヘラｒとしての性能を満足出
来ない。
ない部分αのを生じると、Ａｒイオンによってスパッタ
された上部磁性層膜の一部がフォトレジストの端部に堆
積して再付着し膜ａ２を形成する。このためフォトレジ
ストを剥離した後の上部磁性層（９）の形状は第６図（
Ｃ）に示すようになシ、端部に余分な膜α２が残留して
しまう。この様な断面形状を有する上部磁性層（９）上
にＳｉＯ，５ｉ０２６るいはＡＪ２０．などから成る保
護層ｑ３を蒸着やスパッタリングなどで形成した場合に
第６図（ｄ）のＥに示す部分にクランクが入シ、保饅層
＋１３が割ｎてしまい磁気ヘラｒとしての性能を満足出
来ない。
また逆にシャドウィングを受ける様なイオンビーム入射
角例えば３０°でイオンビームエツチングを行なうとす
ると第７図（ｂ）に示す様にシャドウィングにより実質
的なエツチング時間が減少する領域が出来、上部磁極（
９）が裾野ａ４１をひいた様な形となシ、トラック巾精
度が悪化してしまう。
角例えば３０°でイオンビームエツチングを行なうとす
ると第７図（ｂ）に示す様にシャドウィングにより実質
的なエツチング時間が減少する領域が出来、上部磁極（
９）が裾野ａ４１をひいた様な形となシ、トラック巾精
度が悪化してしまう。
本発明は上記欠点を解消せんとするもので６Ｄ、ヘッド
の断線及びクロストークの悪化、また、保護層のクラン
クの発生がなく、トラック巾精度に優ｎた薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供せんとするもの′ｔ％ある。
の断線及びクロストークの悪化、また、保護層のクラン
クの発生がなく、トラック巾精度に優ｎた薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供せんとするもの′ｔ％ある。
すなわち、本発明は、絶縁層のチー・ぞ角度を最適角３
０°〜６０°の範囲に形成した上に上部磁性層を形成し
、該上部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングす
る場合、チーＩＪＩ角度が３０°〜５０゜の範囲にある
場合はイオンビーム入射角度を２５゜以上３０°以下、
チー・に角度が５０°〜６０°の範囲にある場合には、
イオンビーム入射角度を２５°以上３５°以下−’ｌ’
エツチングし、最後にイオンビーム入射角を２５°以下
！再エツチングする事により達せられる。
０°〜６０°の範囲に形成した上に上部磁性層を形成し
、該上部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングす
る場合、チーＩＪＩ角度が３０°〜５０゜の範囲にある
場合はイオンビーム入射角度を２５゜以上３０°以下、
チー・に角度が５０°〜６０°の範囲にある場合には、
イオンビーム入射角度を２５°以上３５°以下−’ｌ’
エツチングし、最後にイオンビーム入射角を２５°以下
！再エツチングする事により達せられる。
すなわち、本発明における薄膜磁気ヘッドは、第１図に
図示するとおり従来の薄膜磁気ヘッドと同様にフェライ
トなどの磁性あるいはＡｌ２Ｏ５゜Ａ７２０３−Ｔｉｃ
などの非磁性基板（１）上にＣＯあるいはＦ、を主成分
とするアモルファス、Ｆｅ−ＡＪ−Ｓｉ合金（センダス
） ） 、Ｆｅ−Ｎｉ 合金（／’！−マｏイ）などか
ら成る下部磁性層（２）、さらに第一絶縁層（３）第１
コイル導体層（４）、更に平坦化処理さｔた第２絶縁層
（５）、第２コイル導体層（６）、平坦化処理された第
６絶縁層（７）、ギャップ層（８）から構成さｎ、絶縁
層（５，５，７）におけるテーパ角度（のはフオトレ・
クストの厚さ及び・ぞターニングされるべきフオトレ・
クストの大きさにより３０°〜６０°の範囲にテーパエ
ツチングによシ任意に形成さｎる。その後、ギャップ層
（８）に下部磁性層（２）及び上部磁性層（９）を結合
するための窓（図示せず）をエツチングにより形成後、
最終的に、上部磁性層（９）としてＣＯ或いはＦｅを主
成分とするアモルファス；Ｆｅ−Ａｊ−Ｓｉ合金（セン
ダスト） 、Ｆｅ−Ｎｉ 合金（・ぞ−マロイ）を蒸着
或いはスパッタリングなどで形成する。
図示するとおり従来の薄膜磁気ヘッドと同様にフェライ
トなどの磁性あるいはＡｌ２Ｏ５゜Ａ７２０３−Ｔｉｃ
などの非磁性基板（１）上にＣＯあるいはＦ、を主成分
とするアモルファス、Ｆｅ−ＡＪ−Ｓｉ合金（センダス
） ） 、Ｆｅ−Ｎｉ 合金（／’！−マｏイ）などか
ら成る下部磁性層（２）、さらに第一絶縁層（３）第１
コイル導体層（４）、更に平坦化処理さｔた第２絶縁層
（５）、第２コイル導体層（６）、平坦化処理された第
６絶縁層（７）、ギャップ層（８）から構成さｎ、絶縁
層（５，５，７）におけるテーパ角度（のはフオトレ・
クストの厚さ及び・ぞターニングされるべきフオトレ・
クストの大きさにより３０°〜６０°の範囲にテーパエ
ツチングによシ任意に形成さｎる。その後、ギャップ層
（８）に下部磁性層（２）及び上部磁性層（９）を結合
するための窓（図示せず）をエツチングにより形成後、
最終的に、上部磁性層（９）としてＣＯ或いはＦｅを主
成分とするアモルファス；Ｆｅ−Ａｊ−Ｓｉ合金（セン
ダスト） 、Ｆｅ−Ｎｉ 合金（・ぞ−マロイ）を蒸着
或いはスパッタリングなどで形成する。
その後、上部磁性層（９）上に塗布さｎるフォトレジス
トを所定形状にパターニングした後、絶縁層（３，５，
７）のテーパぐ角度（θ１．θ２）が３０°〜５０゜の
範囲にある時はイオンビーム入射角を２５°以上３０°
以下でフォトレジスト及び上部磁性層（９）を４ｒイオ
ンによシトライエツチングする。このようなイオンビー
ム入射角（２５°〜３０°）でエツチングすることによ
り、上部磁性層（９）はチー・ぞ部におけるオーツζエ
ツチング或いはエツチング残膜のない理想的エツチング
が行なえるっ この理由は先の第４図及び第５図を用いて述べたとおり
であるが、再度説明すると、まず第４図は種々のイオン
ビーム入射角（ψ）におけるチー・ぞ角（θ）での相対
的なエツチング時間を示してあり、ここでは、上部磁性
層（９）の平面部の膜厚をｔｏとするとチー・ぞ角度θ
における膜厚ｔは必ずｔ＜ｔ。
トを所定形状にパターニングした後、絶縁層（３，５，
７）のテーパぐ角度（θ１．θ２）が３０°〜５０゜の
範囲にある時はイオンビーム入射角を２５°以上３０°
以下でフォトレジスト及び上部磁性層（９）を４ｒイオ
ンによシトライエツチングする。このようなイオンビー
ム入射角（２５°〜３０°）でエツチングすることによ
り、上部磁性層（９）はチー・ぞ部におけるオーツζエ
ツチング或いはエツチング残膜のない理想的エツチング
が行なえるっ この理由は先の第４図及び第５図を用いて述べたとおり
であるが、再度説明すると、まず第４図は種々のイオン
ビーム入射角（ψ）におけるチー・ぞ角（θ）での相対
的なエツチング時間を示してあり、ここでは、上部磁性
層（９）の平面部の膜厚をｔｏとするとチー・ぞ角度θ
における膜厚ｔは必ずｔ＜ｔ。
となっておシ、しかもｔ＝ｔｏｃｏｓθでほぼ示さｎる
事が実験結果かられかっているため、テーパ部での膜厚
減少を考慮しである。またここではイオンビーム入射角
ψ＝４０°で平面（θ＝０９）でのエツチング時間を基
準にとっである。この図かられかるように最も望ましい
イオンビーム入射角はチー・上角０°（すなわち平面）
と、テーパ角を有したときのエツチング時間が同一にな
るようにイオンビーム入射角を設定すｎば、絶縁層をオ
ーツζエツチングする事もなく、またチー・ぞ部に残膜
を残す事なくエツチングが出来るわけである。したがつ
て、エツチングのレートのバラツキも含めてテーパ角θ
が３０°〜５０°の範囲にあるとき、イオンビーム入射
角を２５°以上６０°以下に設定すｎばほぼ理想的なエ
ツチングの出来る事が実験結果により判明した。
事が実験結果かられかっているため、テーパ部での膜厚
減少を考慮しである。またここではイオンビーム入射角
ψ＝４０°で平面（θ＝０９）でのエツチング時間を基
準にとっである。この図かられかるように最も望ましい
イオンビーム入射角はチー・上角０°（すなわち平面）
と、テーパ角を有したときのエツチング時間が同一にな
るようにイオンビーム入射角を設定すｎば、絶縁層をオ
ーツζエツチングする事もなく、またチー・ぞ部に残膜
を残す事なくエツチングが出来るわけである。したがつ
て、エツチングのレートのバラツキも含めてテーパ角θ
が３０°〜５０°の範囲にあるとき、イオンビーム入射
角を２５°以上６０°以下に設定すｎばほぼ理想的なエ
ツチングの出来る事が実験結果により判明した。
またチー・ぞ角度が５０°〜６０°の範囲にある時は第
４図に示すようにイオンビーム入射角が２５°以上６５
°以下の領域において平面と斜面とのエツチング時間が
ほぼ同一となるため上記と同様に絶縁層のオーツ９−エ
ツチングやチー・ぞ部に残膜を残す事なく、理想的なエ
ツチングが出来る。
４図に示すようにイオンビーム入射角が２５°以上６５
°以下の領域において平面と斜面とのエツチング時間が
ほぼ同一となるため上記と同様に絶縁層のオーツ９−エ
ツチングやチー・ぞ部に残膜を残す事なく、理想的なエ
ツチングが出来る。
またこの時のイオンビーム入射角度は、チー／Ｊ！角３
０°〜６０°の範囲において、２５°よりも大きくなっ
ているなめ、単純にこの角度フイオンミリングすると、
フォトレジストによりシャドウィングを受けるためエツ
チング後に上部磁極（９）に裾野■をひいてしまう（第
１図（ｄ） 入したがってこのイオンビーム入射角度で
上部磁性層（９）の大手をエツチングした後、イオンビ
ームがフォトレジストによシャドウィングを受けないよ
うなイオンビーム入射角度２５°以下でイオンミリング
すれば裾野αをは完全にエツチングされ、トランク巾精
度が向上する。この時最終的に裾野α４をエツチングす
る時間は、数十分程度で十分なためチー・ξ部のオーツ
ζ−エツチング量は、第３図に示すよりもはるかに少な
い量ですみ断線する恐ｎはない。
０°〜６０°の範囲において、２５°よりも大きくなっ
ているなめ、単純にこの角度フイオンミリングすると、
フォトレジストによりシャドウィングを受けるためエツ
チング後に上部磁極（９）に裾野■をひいてしまう（第
１図（ｄ） 入したがってこのイオンビーム入射角度で
上部磁性層（９）の大手をエツチングした後、イオンビ
ームがフォトレジストによシャドウィングを受けないよ
うなイオンビーム入射角度２５°以下でイオンミリング
すれば裾野αをは完全にエツチングされ、トランク巾精
度が向上する。この時最終的に裾野α４をエツチングす
る時間は、数十分程度で十分なためチー・ξ部のオーツ
ζ−エツチング量は、第３図に示すよりもはるかに少な
い量ですみ断線する恐ｎはない。
さらに、上部磁性材料であるＣＯあるいはＦｅを主成分
とするアモルファス、Ｆｅ ＝ＡＩ−Ｓｉ合金（センダ
スト）、Ｎｉ−Ｆｅ合金（・に−マロイ）を加速電圧７
００Ｖ、イオン電流密度Ｑ、 ６０ ｒｒｄＶ’ｃｒｌ
、でＡｒイオンによりエツチングした場合はイオンビー
ム入射角度に対してほぼ同一のエツチングレートをとる
事が第８図よりわかる。したがって、上記エツチング方
法がこｎら６つの磁性材料に適用出来る事は勿論である
。
とするアモルファス、Ｆｅ ＝ＡＩ−Ｓｉ合金（センダ
スト）、Ｎｉ−Ｆｅ合金（・に−マロイ）を加速電圧７
００Ｖ、イオン電流密度Ｑ、 ６０ ｒｒｄＶ’ｃｒｌ
、でＡｒイオンによりエツチングした場合はイオンビー
ム入射角度に対してほぼ同一のエツチングレートをとる
事が第８図よりわかる。したがって、上記エツチング方
法がこｎら６つの磁性材料に適用出来る事は勿論である
。
以上のように本発明によれば絶縁層のチー１Ｎ角度を３
０°〜６０パの範囲に形成した上に上部磁性層を形成し
、該上部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングす
る場合、チー・上角度が３０°〜５０゜の範囲にある場
合はイオンビーム入射角度を２５゜以上６０°以下、チ
ーｔＲ角度が５０°〜６０°の範囲にある時はイオンビ
ーム入射角度を２５°以上３５°以下でエツチングし、
最後にイオンビーム入射角度を２５°以下で再エツチン
グすることによシヘッどの断線及びクロストークの悪化
もなく、かつトラック巾精度に優れた薄膜磁気ヘッドを
提供出来るという極めて顕著な効果を奏する。
０°〜６０パの範囲に形成した上に上部磁性層を形成し
、該上部磁性層を不活性ガスを用いてイオンミリングす
る場合、チー・上角度が３０°〜５０゜の範囲にある場
合はイオンビーム入射角度を２５゜以上６０°以下、チ
ーｔＲ角度が５０°〜６０°の範囲にある時はイオンビ
ーム入射角度を２５°以上３５°以下でエツチングし、
最後にイオンビーム入射角度を２５°以下で再エツチン
グすることによシヘッどの断線及びクロストークの悪化
もなく、かつトラック巾精度に優れた薄膜磁気ヘッドを
提供出来るという極めて顕著な効果を奏する。
第１図は本発明による製造方法を説明するための図、第
２図は２層コイル構造の薄膜磁気ヘッドの平面図、第３
図は第２図のＡ−ｘ断面図、第４図は種々のイオンビー
ム入射角（ψ）における角（ののちがいによるチー・ぞ
部の膜厚減少を考慮した相対的なエツチング時間を示す
図、第５図はオーバエツチングの様子を説明する図、第
６図、第７図は従来プロセスの問題点を説明するだめの
断面図、第８図はＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモ
ルファス、Ｆｅ −ＡＪ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｎ
ｉ −Ｆｅ合金（・ソーマロイ）のイオン入射角度に対
する相射的なエツチング速度を示す図である。 図中符号： １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・下部磁性層 ！、５．７・・・絶縁層 ４．６・・・・・・コイル導体層 ８・・・・・・・・・ギャップ層 ９・・・・・・・・・上部磁性層 １０・・・・・・・・・フォトレジスト１６・・・・・
・・・・保護層 １４・・・・・・・・・裾野 ｔｏ・・・・・・・・・平面でエツチングされる膜厚ｔ
・・・・・・・・・斜面フエッチングされる膜厚Ｔ・・
・・・・・・・ トラック巾 第１図 第 ２ 図 す 第３図 第４図 第 ５ 図 第 ６ 図 第
７ 図第 ８ 図 イ１ン入Ｍｕ （ｄｅ９ｒｅｅ） 手続補正書 昭和６０年 ８ 月 ７３日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第 １４！）７０１ 号２、発明の
名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係：特許出願人 名称 （５２０）富士写真フィルム株式会社霞が関ビル
内郵便局 私書箱＠４９号 ６、補正により増加する発明の数 ０ ７、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ８、補正の内容 「発明の詳細な説明」の欄を下記の如く補正する。 １）ＦｊＩ４細書の第７頁第１６行目、ｒ（Ｊ６図（ａ
）斜線部）」を削除する。 ２）明細書のｆＸ７頁第１７行目から、＠２０行目、「
実質的に〜を生じると」を削除する−０３）明細書の第
９頁第１５行目、「第１図」を「第６図」と補正する。 ４）明細書の第１２頁第１７行目、「（第１図（ｄ））
Ｊを「（第１図（ｂ）月と補正する。 ５）明細書の第１ｆｉ項第５行目、「第６図」を「第５
図」と補正する。
２図は２層コイル構造の薄膜磁気ヘッドの平面図、第３
図は第２図のＡ−ｘ断面図、第４図は種々のイオンビー
ム入射角（ψ）における角（ののちがいによるチー・ぞ
部の膜厚減少を考慮した相対的なエツチング時間を示す
図、第５図はオーバエツチングの様子を説明する図、第
６図、第７図は従来プロセスの問題点を説明するだめの
断面図、第８図はＣｏあるいはＦｅを主成分とするアモ
ルファス、Ｆｅ −ＡＪ−Ｓｉ合金（センダスト）、Ｎ
ｉ −Ｆｅ合金（・ソーマロイ）のイオン入射角度に対
する相射的なエツチング速度を示す図である。 図中符号： １・・・・・・・・・基板 ２・・・・・・・・・下部磁性層 ！、５．７・・・絶縁層 ４．６・・・・・・コイル導体層 ８・・・・・・・・・ギャップ層 ９・・・・・・・・・上部磁性層 １０・・・・・・・・・フォトレジスト１６・・・・・
・・・・保護層 １４・・・・・・・・・裾野 ｔｏ・・・・・・・・・平面でエツチングされる膜厚ｔ
・・・・・・・・・斜面フエッチングされる膜厚Ｔ・・
・・・・・・・ トラック巾 第１図 第 ２ 図 す 第３図 第４図 第 ５ 図 第 ６ 図 第
７ 図第 ８ 図 イ１ン入Ｍｕ （ｄｅ９ｒｅｅ） 手続補正書 昭和６０年 ８ 月 ７３日 １、事件の表示 昭和６０年特許願第 １４！）７０１ 号２、発明の
名称 薄膜磁気ヘッドの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係：特許出願人 名称 （５２０）富士写真フィルム株式会社霞が関ビル
内郵便局 私書箱＠４９号 ６、補正により増加する発明の数 ０ ７、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ８、補正の内容 「発明の詳細な説明」の欄を下記の如く補正する。 １）ＦｊＩ４細書の第７頁第１６行目、ｒ（Ｊ６図（ａ
）斜線部）」を削除する。 ２）明細書のｆＸ７頁第１７行目から、＠２０行目、「
実質的に〜を生じると」を削除する−０３）明細書の第
９頁第１５行目、「第１図」を「第６図」と補正する。 ４）明細書の第１２頁第１７行目、「（第１図（ｄ））
Ｊを「（第１図（ｂ）月と補正する。 ５）明細書の第１ｆｉ項第５行目、「第６図」を「第５
図」と補正する。
Claims (2)
- （１）下部磁性層、絶縁層、コイル導体層、ギャップ層
および上部磁性層とを含む積層構造からなり、テーパ角
度３０°〜６０°の範囲に設けられた前記絶縁層上に前
記上部磁性層を被着後、上方よりイオンミリングして形
成される薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記テー
パ角度が略５０°以下の場合にはイオンビーム入射角度
を２５°以上３０°以下、前記テーパ角度が略５０°以
上ではイオンビーム入射角度を２５°以上３５°以下で
エッチングした後、最後にイオンビーム入射角度を２５
°以下で再エッチングする事を特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - （２）上部磁性層がＣｏあるいはＦｅを主成分とするア
モルファス、またはＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ
合金である事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145701A JPH0618056B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60145701A JPH0618056B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628320A true JPS628320A (ja) | 1987-01-16 |
| JPH0618056B2 JPH0618056B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=15391108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60145701A Expired - Fee Related JPH0618056B2 (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618056B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016342A (en) * | 1989-06-30 | 1991-05-21 | Ampex Corporation | Method of manufacturing ultra small track width thin film transducers |
| JPH0388786U (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-10 | ||
| US7554764B2 (en) | 2006-04-07 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lift-off method for forming write pole of a magnetic write head and write pole formed thereby |
| US7576951B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-08-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic write head having a magnetic write pole with a concave trailing edge |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117725A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP60145701A patent/JPH0618056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59117725A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜ヘツドの製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016342A (en) * | 1989-06-30 | 1991-05-21 | Ampex Corporation | Method of manufacturing ultra small track width thin film transducers |
| JPH0388786U (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-10 | ||
| US7554764B2 (en) | 2006-04-07 | 2009-06-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Lift-off method for forming write pole of a magnetic write head and write pole formed thereby |
| US7576951B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-08-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Perpendicular magnetic write head having a magnetic write pole with a concave trailing edge |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0618056B2 (ja) | 1994-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |