JPS6283878U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6283878U JPS6283878U JP17694285U JP17694285U JPS6283878U JP S6283878 U JPS6283878 U JP S6283878U JP 17694285 U JP17694285 U JP 17694285U JP 17694285 U JP17694285 U JP 17694285U JP S6283878 U JPS6283878 U JP S6283878U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- growth rate
- monitoring device
- crystal growth
- rate monitoring
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第1図aは本考案に係る結晶の成長速度監視装
置の好ましい1例を概略的に示す構成図であり、
第1図bは結晶付着器に堆積された結晶と測定用
レーザビームとの関係を示すための模式的な図で
あり、第2図a〜cは従来の薄膜成長の場合の成
長速度の監視方法を説明するための図(aおよび
b)並びに厚膜の合成を説明するための図cであ
り、第3図は本考案の装置を用いて実際にZnS
結晶の成長速度を追跡した結果を示すグラフであ
る。 (主な参照番号)、1……反応管、2……支持
体、3……基板、4……結晶、5……光源、6…
…コリメータ、7……偏光子、8……偏光、9…
…反射光、10……λ/4板、11……検光子、
12……反射光観察手段、20……結晶付着器、
21……移動棒、22……ステツピングモータ、
23……レーザ発振器、24……レーザ受光器、
25a,25b……レーザ誘導管、26a,26
b……フランジ、27……スイツチ機構、28…
…成長速度表示手段、29,29′……レーザ光
。
置の好ましい1例を概略的に示す構成図であり、
第1図bは結晶付着器に堆積された結晶と測定用
レーザビームとの関係を示すための模式的な図で
あり、第2図a〜cは従来の薄膜成長の場合の成
長速度の監視方法を説明するための図(aおよび
b)並びに厚膜の合成を説明するための図cであ
り、第3図は本考案の装置を用いて実際にZnS
結晶の成長速度を追跡した結果を示すグラフであ
る。 (主な参照番号)、1……反応管、2……支持
体、3……基板、4……結晶、5……光源、6…
…コリメータ、7……偏光子、8……偏光、9…
…反射光、10……λ/4板、11……検光子、
12……反射光観察手段、20……結晶付着器、
21……移動棒、22……ステツピングモータ、
23……レーザ発振器、24……レーザ受光器、
25a,25b……レーザ誘導管、26a,26
b……フランジ、27……スイツチ機構、28…
…成長速度表示手段、29,29′……レーザ光
。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 化学気相蒸着装置の反応管内にその排気系
側の端部から基板先端部近傍に移動棒を介して、
往復運動可能なように設置された結晶付着器と、
該付着器先端部近傍のこれに直交する平面内に設
けられ、上記反応器側部に設けられた対向する2
つのレーザ光誘導管と夫々接続された一対のレー
ザ発振器およびレーザ受光器と、上記移動棒の駆
動手段と、該駆動手段に接続され、上記付着器の
移動距離を検知し、表示する成長速度表示手段と
を具備することを特徴とする結晶の成長速度監視
装置。 (2) 上記移動棒駆動手段がステツピングモータ
であることを特徴とする実用新案登録請求の範囲
第(1)項記載の結晶の成長速度監視装置。 (3) 上記駆動手段が、上記受光器とスイツチ機
構を介して接続されており、上記結晶付着器への
結晶の堆積に伴つて、上記受光器から発せられる
電気信号に応じて動作するスイツチ機構により動
作または停止することを特徴とする実用新案登録
請求の範囲第(1)項または第(2)項記載の結晶の成
長速度監視装置。 (4) 上記成長速度表示手段が、コンピユータ、
デイスプレイ手段および記録手段から構成される
ことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1)
〜(3)項のいずれか1項に記載の結晶の成長速度
監視装置。 (5) 上記レーザ発振器がHe―Neレーザ発振
器であり、該レーザのビーム径が1mm以下であ
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第(1
)〜(4)項のいずれか1項に記載の結晶の成長速度
監視装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17694285U JPS6283878U (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17694285U JPS6283878U (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283878U true JPS6283878U (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=31117672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17694285U Pending JPS6283878U (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283878U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03164497A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法 |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP17694285U patent/JPS6283878U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03164497A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Res Dev Corp Of Japan | 化合物結晶のエピタキシャル成長方法 |
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