JPS6284568A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
- Publication number
- JPS6284568A JPS6284568A JP60222659A JP22265985A JPS6284568A JP S6284568 A JPS6284568 A JP S6284568A JP 60222659 A JP60222659 A JP 60222659A JP 22265985 A JP22265985 A JP 22265985A JP S6284568 A JPS6284568 A JP S6284568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solar cell
- thin
- film solar
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜太陽電池に関し、更に詳細には特定の可撓
性の熱可塑性重合体フィルムを基板とすることを特徴と
する非晶質シリコン型薄膜太陽電池に関する。
性の熱可塑性重合体フィルムを基板とすることを特徴と
する非晶質シリコン型薄膜太陽電池に関する。
太陽電池の光起電力発生層を構成する非晶質シリコン膜
は、特開昭５２−１６９９０号、同５６−１０４４３３
号及び同５６−１０４４３３号各公報にも開示され１−
ろ如くプラズマグロー放電法、スパッタ蒸着法又はイオ
ンブレーティング法によって形成され、膜内に少な（と
もｌＯ〜３０原子チの水素原子を含有し、その他に第三
成分原子と（−１フッ素原子、炭素原子若しくは窒素原
子等を含有するものが代表的なものと１−て挙げられる
。ここで上記非晶質シリコン膜なる語は粒径が約１００
Ａ以下の微結晶からなるシリコン膜をも包含する意味で
用いられている。
は、特開昭５２−１６９９０号、同５６−１０４４３３
号及び同５６−１０４４３３号各公報にも開示され１−
ろ如くプラズマグロー放電法、スパッタ蒸着法又はイオ
ンブレーティング法によって形成され、膜内に少な（と
もｌＯ〜３０原子チの水素原子を含有し、その他に第三
成分原子と（−１フッ素原子、炭素原子若しくは窒素原
子等を含有するものが代表的なものと１−て挙げられる
。ここで上記非晶質シリコン膜なる語は粒径が約１００
Ａ以下の微結晶からなるシリコン膜をも包含する意味で
用いられている。
上記非晶質シリコン膜は、可視光に対する吸収係数が単
結晶シリコンｙＫ比べて１桁以上大きく、従って太陽光
を有効に吸収利用するに必要な膜厚は３μｍ以下とする
ことも可能である。このことは上記非晶質シリコン膜か
らなる光起電力発生層を可撓性基板上に設けることによ
つ℃任意に曲げ得る適用範囲の広い薄膜太陽電池を製造
【−得ることを示唆１゜ている。
結晶シリコンｙＫ比べて１桁以上大きく、従って太陽光
を有効に吸収利用するに必要な膜厚は３μｍ以下とする
ことも可能である。このことは上記非晶質シリコン膜か
らなる光起電力発生層を可撓性基板上に設けることによ
つ℃任意に曲げ得る適用範囲の広い薄膜太陽電池を製造
【−得ることを示唆１゜ている。
事実、可撓性に富んだプラスチックフィルムをベースと
した非晶質シリコン屋薄膜太陽電池が、既に特開昭５４
−１４９４８９号、同５５−４９９４号及び同５５−１
５４７２６号公報に記載されている。
した非晶質シリコン屋薄膜太陽電池が、既に特開昭５４
−１４９４８９号、同５５−４９９４号及び同５５−１
５４７２６号公報に記載されている。
しかるに太陽電池として良質な非晶質シリコン膜を形成
するためには可撓性プラスチックフィルムとしては２０
０〜３００℃の耐熱性を必要とするとされ、かかる見地
から耐熱性のあるポリイミドフィルムをベースとして用
いられることが提案されて（・るがこれらのフィルムは
溶媒や吸着水を含有Ｉ−ているため非晶質シリコン膜を
積層する温度領域に加熱するとそれら溶媒や吸着水の放
出がおこり、形成される非晶質シリコン膜を汚染し℃良
質の非晶質シリコン膜の形成を妨害する。更にこれらの
フィルムは一般に着色１−でいるため、フィルム側から
光を入射せ（、めで使用する態様は採用し戴く、その応
用形態を制限する等の問題がある。
するためには可撓性プラスチックフィルムとしては２０
０〜３００℃の耐熱性を必要とするとされ、かかる見地
から耐熱性のあるポリイミドフィルムをベースとして用
いられることが提案されて（・るがこれらのフィルムは
溶媒や吸着水を含有Ｉ−ているため非晶質シリコン膜を
積層する温度領域に加熱するとそれら溶媒や吸着水の放
出がおこり、形成される非晶質シリコン膜を汚染し℃良
質の非晶質シリコン膜の形成を妨害する。更にこれらの
フィルムは一般に着色１−でいるため、フィルム側から
光を入射せ（、めで使用する態様は採用し戴く、その応
用形態を制限する等の問題がある。
そこで、本発明者らは非晶質シリコン膜を積層する温度
領域においても溶媒や吸着水の放出などというトラブル
がな（、且つ透明なプラスチックフィルムとしてポリエ
チレンテレフタレートフィルムを選択し非晶質シリコン
型薄膜太陽電池の作製を試みたが、非晶質シリコン膜を
積層する温度（例えば２００℃前後）においてフィルム
は耐熱性が不充分なため熱収縮し、形成された非晶質シ
リコン膜にクラックが入り、実質的に太陽電池とＬ℃使
用【、難いものであった。
領域においても溶媒や吸着水の放出などというトラブル
がな（、且つ透明なプラスチックフィルムとしてポリエ
チレンテレフタレートフィルムを選択し非晶質シリコン
型薄膜太陽電池の作製を試みたが、非晶質シリコン膜を
積層する温度（例えば２００℃前後）においてフィルム
は耐熱性が不充分なため熱収縮し、形成された非晶質シ
リコン膜にクラックが入り、実質的に太陽電池とＬ℃使
用【、難いものであった。
本発明の目的は、上記欠点を解消せしめ、可撓性に富み
、光変換効率の優れた薄膜太陽電池を提供１．ようとす
るものである。殊に１薄膜型太陽電池の基板となる透明
性、耐熱性、加工性（シリコン膜形成等）に問題のない
新ｌ−い可撓性材料を見い出Ｃ２て、実用性のある可撓
性の薄膜型太陽電池を提供するものである。
、光変換効率の優れた薄膜太陽電池を提供１．ようとす
るものである。殊に１薄膜型太陽電池の基板となる透明
性、耐熱性、加工性（シリコン膜形成等）に問題のない
新ｌ−い可撓性材料を見い出Ｃ２て、実用性のある可撓
性の薄膜型太陽電池を提供するものである。
本発明は、可撓性の基板の上に非晶質シリコンからなる
光起電力発生層を形成ゼ【−めた薄膜太陽電池において
、当該基板としＣ２００℃の熱収縮率が全方向２．０％
以下である、要すれば密度１．３５５〜１．３９０ ｆ
／ｃｄ（ｒ）２軸配向ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレートフィルムを用いたことを特徴とす
る薄膜太陽電池である。
光起電力発生層を形成ゼ【−めた薄膜太陽電池において
、当該基板としＣ２００℃の熱収縮率が全方向２．０％
以下である、要すれば密度１．３５５〜１．３９０ ｆ
／ｃｄ（ｒ）２軸配向ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレートフィルムを用いたことを特徴とす
る薄膜太陽電池である。
本発明におけるポリエチレンナフタレートとは、ポリエ
チレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート（以下
ＰＥＮと略す）ホモポリマー、池の異性本ポリマー Ｐ
ＥＮを７０重量％以上含む共重合体、混合体をいい、本
質的にポリエチレン２．６−ナフタレンジカルボキシレ
ートの性質な失わｔｃいポリエステル組成物等も包含す
る。
チレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート（以下
ＰＥＮと略す）ホモポリマー、池の異性本ポリマー Ｐ
ＥＮを７０重量％以上含む共重合体、混合体をいい、本
質的にポリエチレン２．６−ナフタレンジカルボキシレ
ートの性質な失わｔｃいポリエステル組成物等も包含す
る。
本発明において基板とはＰＥＮ フィルムにベースと１
１、その上に太陽電池に必要な１！極層等を積層したも
のを含めることがある。かかる電極層としては通常υ金
属層を挙げろことができる。
１、その上に太陽電池に必要な１！極層等を積層したも
のを含めることがある。かかる電極層としては通常υ金
属層を挙げろことができる。
本発明における２軸配向ＰＥＮフイルムは、公知の逐次
２軸延伸法によつ１ｆＡ造されたものであってよ（、同
時２軸延伸法によって製造されたものや、簡易な試験装
置で製造されたものであってよい。
２軸延伸法によつ１ｆＡ造されたものであってよ（、同
時２軸延伸法によって製造されたものや、簡易な試験装
置で製造されたものであってよい。
かかる特性を有するＰ 器フィルムは通常の製造方法で
得られたフィルムを熱処理することＫよつ℃得ることが
できる。熱処理の温度としては（時間との関係や方法に
もよるが、ステンターや粋に固定して定長下で行う場合
には）、２１０℃〜２５０℃、好ましくは２３０℃〜２
４５℃であり、処理時間は数秒間〜数分間である。
得られたフィルムを熱処理することＫよつ℃得ることが
できる。熱処理の温度としては（時間との関係や方法に
もよるが、ステンターや粋に固定して定長下で行う場合
には）、２１０℃〜２５０℃、好ましくは２３０℃〜２
４５℃であり、処理時間は数秒間〜数分間である。
熱処理はテンションフリー或いはテンション下で実施で
きるが、四方圧テンションをかけて行うのが好ま（７い
。小規模にはフィルムの四方を枠で固定すればよ（、工
業的には巻き出しロール、巻き取りロール等で進行方向
にテンションをかけ、巾方向はテンターで固定すること
により達成できる。またバネなどで固定【−て一定張力
に保つことも可能である。
きるが、四方圧テンションをかけて行うのが好ま（７い
。小規模にはフィルムの四方を枠で固定すればよ（、工
業的には巻き出しロール、巻き取りロール等で進行方向
にテンションをかけ、巾方向はテンターで固定すること
により達成できる。またバネなどで固定【−て一定張力
に保つことも可能である。
上記ＰＥＮフィルムは熱処理に先たち、又は熱処理後、
片面又は両面に必要に応じて種々の下塗り層を設けるこ
とができる。
片面又は両面に必要に応じて種々の下塗り層を設けるこ
とができる。
フィルムの厚さは２５〜５００μｍが製造や取扱のうえ
で好ま］、い。
で好ま］、い。
次に本発明を図面により詳しく説明する。
可撓性のフィルムを基板とした本発明によって得られる
薄膜太陽電池の代人的構造を第１図〜第４図に示す。図
中１はＰＥＮフィルム。
薄膜太陽電池の代人的構造を第１図〜第４図に示す。図
中１はＰＥＮフィルム。
２は非晶質シリコン膜とオーミック接触をなす金属層で
ある。この層は鉄、クロム、チタン、り／タル、ニオブ
、モリブデン、ニッケル、アルミニウム、コバルト等σ
）金Ｍ、 ニクｐム、ステンレス等の合金からなる。
ある。この層は鉄、クロム、チタン、り／タル、ニオブ
、モリブデン、ニッケル、アルミニウム、コバルト等σ
）金Ｍ、 ニクｐム、ステンレス等の合金からなる。
これらは物理的又は化学的方法によつ℃薄層と１−て設
けられる。３，４．５は非晶質シリコン膜（既述した如
（、粒径が１ｏｏＸ以下の微結晶によるものも含む）で
ある。これらはグロー放電法、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法によつ１設けられろ。３はＶ属原子
であるリン（Ｐ）あるいはヒ素（Ａ３）を１００ ｐｐ
ｍ 〜２０，０００ ｐｐｍ含んだｎ型シリコン層であ
り、金属層２とオーミック接触をなす。５は■族原子で
あるホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム
（Ａｔ）などを１００ ｐｐｍ 〜２０，０００ ｐｐ
ｍ含んだＰ型シリコン層である。第１図及び第３図では
ｎ型シリコン層と５のＰ型シリコン層とを入替えた構成
とすることもできる。
けられる。３，４．５は非晶質シリコン膜（既述した如
（、粒径が１ｏｏＸ以下の微結晶によるものも含む）で
ある。これらはグロー放電法、スパッタリング法、イオ
ンブレーティング法によつ１設けられろ。３はＶ属原子
であるリン（Ｐ）あるいはヒ素（Ａ３）を１００ ｐｐ
ｍ 〜２０，０００ ｐｐｍ含んだｎ型シリコン層であ
り、金属層２とオーミック接触をなす。５は■族原子で
あるホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）又はアルミニウム
（Ａｔ）などを１００ ｐｐｍ 〜２０，０００ ｐｐ
ｍ含んだＰ型シリコン層である。第１図及び第３図では
ｎ型シリコン層と５のＰ型シリコン層とを入替えた構成
とすることもできる。
シリコン層３〜５を設けるにはグロー放電法ではシラン
（Ｓｉ＆）ガスやジシラン（Ｓｉ、Ｈ，）を出発物質と
［−て用いグルー放電分解させ成膜させる。３のｎ型シ
リコン層はＳｉルに対し１％程度のＰＩ（Ｉ或いはＡ３
Ｈ４を加えた混合ガスを用いてグロー放電させる。この
場合ル＊ Ａｒｌ＋Ｈ８ｗなどのガスで希釈してもよい
。一方５のＰ型シリコン層の場合には、例えばホウ素を
添加する場合にはＳｉＨ，に対し１チ程度のＢｔＨｓを
加えた混合ガスを用いてグロー放電させればよい。この
場合も上記と同様に希釈して用いることもできる。グロ
ー放電におけるＲＦパワー、放電中の圧力は所要とする
シリコン膜に応じて適宜選択されるが、通常は１ＯＴｏ
ｒｒ以下、好ましくは５ Ｔｏｒｒ以下の公知の条件で
行うことができる。基板温度は１００〜３００℃、好ま
（、（は２００〜２７０℃特に好ましくは２３０〜２６
０℃である。
（Ｓｉ＆）ガスやジシラン（Ｓｉ、Ｈ，）を出発物質と
［−て用いグルー放電分解させ成膜させる。３のｎ型シ
リコン層はＳｉルに対し１％程度のＰＩ（Ｉ或いはＡ３
Ｈ４を加えた混合ガスを用いてグロー放電させる。この
場合ル＊ Ａｒｌ＋Ｈ８ｗなどのガスで希釈してもよい
。一方５のＰ型シリコン層の場合には、例えばホウ素を
添加する場合にはＳｉＨ，に対し１チ程度のＢｔＨｓを
加えた混合ガスを用いてグロー放電させればよい。この
場合も上記と同様に希釈して用いることもできる。グロ
ー放電におけるＲＦパワー、放電中の圧力は所要とする
シリコン膜に応じて適宜選択されるが、通常は１ＯＴｏ
ｒｒ以下、好ましくは５ Ｔｏｒｒ以下の公知の条件で
行うことができる。基板温度は１００〜３００℃、好ま
（、（は２００〜２７０℃特に好ましくは２３０〜２６
０℃である。
スパッタリング法、イオンブレーティング法では、膜内
に１０〜３０原子チの水素を含ませるために雰囲気中に
水素ガスを導入ｊ１、水素原子がシリコン膜中のダング
リングボンドな補償（−１電気特性を向上−￥１−める
よ５にする。
に１０〜３０原子チの水素を含ませるために雰囲気中に
水素ガスを導入ｊ１、水素原子がシリコン膜中のダング
リングボンドな補償（−１電気特性を向上−￥１−める
よ５にする。
フッ素原子を第三成分原子と１．て導入する時は、フッ
素ガス或いは三フッ化シラン（ＳｉＦ、）ガスを：炭素
原子を導入するときはメタン７エチレン、エタン等の炭
素原子数が１〜２の炭化水素分子な：窒素原子乞導入す
るときは、穿索ガス或いはアンモニアガスをシランガス
或いは水素ガス中に混入せしめてデポジットすればよい
。
素ガス或いは三フッ化シラン（ＳｉＦ、）ガスを：炭素
原子を導入するときはメタン７エチレン、エタン等の炭
素原子数が１〜２の炭化水素分子な：窒素原子乞導入す
るときは、穿索ガス或いはアンモニアガスをシランガス
或いは水素ガス中に混入せしめてデポジットすればよい
。
図中の６は電位Ｖ！、壁形成層であり、厚さ１０〜２０
０Ｘの金、−白金、パラジウムなどの金属薄膜或いは厚
さ１００〜５０００Ｘの酸化スズ、酸化インジウム、ス
ズ酸カドミウム等の透明導電膜である。これら電位障壁
形成層は入射太障光を良（透過し、かつ表面抵抗の小さ
い層が好ましく、厚さ５０−１５０ Ｋの金、白金層や
厚さ３００−１５００にのスズトープの酸化インジウム
層が好ま１．い。
０Ｘの金、−白金、パラジウムなどの金属薄膜或いは厚
さ１００〜５０００Ｘの酸化スズ、酸化インジウム、ス
ズ酸カドミウム等の透明導電膜である。これら電位障壁
形成層は入射太障光を良（透過し、かつ表面抵抗の小さ
い層が好ましく、厚さ５０−１５０ Ｋの金、白金層や
厚さ３００−１５００にのスズトープの酸化インジウム
層が好ま１．い。
図中の７は収集用電極で蒸着法、スパンタ法、印刷法、
メッキ法等各種の方法が利用できろ。
メッキ法等各種の方法が利用できろ。
図中８は無反射コート層であり、酸化ケイ素、酸化チタ
ン、酸化クンゲステン等の無機物層或いは適当な有機物
層が用いうる。
ン、酸化クンゲステン等の無機物層或いは適当な有機物
層が用いうる。
本発明における薄膜太陽電池は、２軸配向したＰ団フィ
ルムを用いているのでフィルム中に溶媒や、吸着水が全
くなく更にポリエチレンテレフタレートフィルムと異っ
て残留ガスやオリゴマー等がはるかに少ないため、薄膜
形成後経時的に非晶質シリコン膜が汚染されない。
ルムを用いているのでフィルム中に溶媒や、吸着水が全
くなく更にポリエチレンテレフタレートフィルムと異っ
て残留ガスやオリゴマー等がはるかに少ないため、薄膜
形成後経時的に非晶質シリコン膜が汚染されない。
また、２００℃において１時間放置した条件で測定され
る熱収縮率が２．０％以下と小さく、寸法変化が少なく
非晶質シリコン膜にクランクが生ずることがないので、
可撓性に富み、光変換効率の秀れた薄膜太陽電池の特性
を発揮することが出来る。
る熱収縮率が２．０％以下と小さく、寸法変化が少なく
非晶質シリコン膜にクランクが生ずることがないので、
可撓性に富み、光変換効率の秀れた薄膜太陽電池の特性
を発揮することが出来る。
なお、シリコン製膜時の基板温度を２５０℃程度まで昇
温できるため、曲の熱可塑性重合体フィルムを基材とす
る場合に比較１−て成膜条件の選択範囲が拡がり、高い
変換効率全層り太陽電池が得られる。
温できるため、曲の熱可塑性重合体フィルムを基材とす
る場合に比較１−て成膜条件の選択範囲が拡がり、高い
変換効率全層り太陽電池が得られる。
以下実施例に基づいて、本発明を説明する。
なお、本発明における熱収縮率及び密度は、以下の如く
１−で測定される。
１−で測定される。
（１＋ 熱収縮率
テンションフＩＩ−で２００℃、１時間保持した時の長
さの素化の割合を意味１２、例えばフィルムの長さ方向
（ＭＤ）及び巾方向（ＴＤ）においてそれぞれ短冊状の
試料を用意１−１各試料の片側をクリップなどで挾み、
テンションフリーの状態で２００℃に１時間保持１−、
テスト前後の長さを測定して収縮率を求める。テスト前
の長さをり、、テスト後の長さをＬとしたとき収縮率は ｍ Ｌ 収縮率（％） ＝ −Ｘ １００ Ｌ・ で求められる。
さの素化の割合を意味１２、例えばフィルムの長さ方向
（ＭＤ）及び巾方向（ＴＤ）においてそれぞれ短冊状の
試料を用意１−１各試料の片側をクリップなどで挾み、
テンションフリーの状態で２００℃に１時間保持１−、
テスト前後の長さを測定して収縮率を求める。テスト前
の長さをり、、テスト後の長さをＬとしたとき収縮率は ｍ Ｌ 収縮率（％） ＝ −Ｘ １００ Ｌ・ で求められる。
（２） 密度
ヘプタンと四塩化炭素の混合溶液を用い、密度勾配管法
で２５℃において測定した。
で２５℃において測定した。
単位は〔ｔ／ｄｌ〕である。
実施例１．比較例１
極限粘度０．６５のポリエチレン２．６ナフタレンジカ
ルポキシレート（ホモポリマー）のペレットを１７０℃
で５時間乾燥（、た。こりペレットを常法に従ってＴ型
ダイにより、３００℃で溶融押出を行い、更に公知の逐
次２軸延伸法により、縦方向に１３０℃で３．７倍、横
方向に１３５℃で３．９倍蕉伸１２．更に２４０℃で３
０秒間熱固定を行ない厚み１００μｍ Ｏ） ＰＥＮ
２軸配向フイルムを得た。このフィルムの一部ヲ切りと
り、２００℃の乾燥器中に１時間保持し、その熱収縮率
を測定１−たところフィルム長さ方向（ＭＤ）の収縮率
は１．ｓ％、 フィルム巾方向（ＴＤ）の収縮率は１
．３俤であった。また密度は１．３５９ｆ／ｃｎであっ
た。残りσ）ＰＦ２Ｎフィルムの上に１金属電極として
ステンレス（ＳＵＳ ３０４ ）をスパッタリング法で
厚さ約４０ ｆ） Ｏχ設けた。
ルポキシレート（ホモポリマー）のペレットを１７０℃
で５時間乾燥（、た。こりペレットを常法に従ってＴ型
ダイにより、３００℃で溶融押出を行い、更に公知の逐
次２軸延伸法により、縦方向に１３０℃で３．７倍、横
方向に１３５℃で３．９倍蕉伸１２．更に２４０℃で３
０秒間熱固定を行ない厚み１００μｍ Ｏ） ＰＥＮ
２軸配向フイルムを得た。このフィルムの一部ヲ切りと
り、２００℃の乾燥器中に１時間保持し、その熱収縮率
を測定１−たところフィルム長さ方向（ＭＤ）の収縮率
は１．ｓ％、 フィルム巾方向（ＴＤ）の収縮率は１
．３俤であった。また密度は１．３５９ｆ／ｃｎであっ
た。残りσ）ＰＦ２Ｎフィルムの上に１金属電極として
ステンレス（ＳＵＳ ３０４ ）をスパッタリング法で
厚さ約４０ ｆ） Ｏχ設けた。
このフィルムをＳＵＳ ３０４製の金枠に四面固定して
とりつけた後、グロー放電反応装置内にセットし、塞板
温度２００℃、圧力０．６ Ｔｏｒｒのアルゴンｙｊｌ
１２！！気中で１５分間、 １３．５６ＭＨ２Ｃ１）
高周波放電させて清浄化１−た。次に１０−” Ｔｏｒ
ｒまで排気した後、水素希釈した１０％シランガス（Ｓ
ｉｌＬ）と２％ボス′インガス（Ｐル） （ＳｉＨ４に
対しＣ１％景のＰＩ（、）を；、（Ｌ”（約Ｉ Ｔｏｒ
ｒ、基板温度２００℃で高周波放心を行ない、ステンレ
ス層上にｎ型シリコン層を約３５０にの厚さに設けた。
とりつけた後、グロー放電反応装置内にセットし、塞板
温度２００℃、圧力０．６ Ｔｏｒｒのアルゴンｙｊｌ
１２！！気中で１５分間、 １３．５６ＭＨ２Ｃ１）
高周波放電させて清浄化１−た。次に１０−” Ｔｏｒ
ｒまで排気した後、水素希釈した１０％シランガス（Ｓ
ｉｌＬ）と２％ボス′インガス（Ｐル） （ＳｉＨ４に
対しＣ１％景のＰＩ（、）を；、（Ｌ”（約Ｉ Ｔｏｒ
ｒ、基板温度２００℃で高周波放心を行ない、ステンレ
ス層上にｎ型シリコン層を約３５０にの厚さに設けた。
次に装置内を排気【、てから、水素希釈したシランガス
のみを供給（５、約０．５μｍ（１）シリコン層を形成
【−た。
のみを供給（５、約０．５μｍ（１）シリコン層を形成
【−た。
さらに、ジホラン（Ｂ、Ｈ，）をシラン中に約０．５−
の濃度に混合し、反応装置内に導入（１℃、高周波放電
を用いて約１５０ＸのＰ型シリコン層を設けた。
の濃度に混合し、反応装置内に導入（１℃、高周波放電
を用いて約１５０ＸのＰ型シリコン層を設けた。
次にこのＰ型シリコン層上に、厚さ約７００Ｘの酸化イ
ンジウムを反応性蒸着法によって設けた。さらに酸化イ
ンジウム膜上に銀をくし型に蒸着して収集ＴＬ極とした
。
ンジウムを反応性蒸着法によって設けた。さらに酸化イ
ンジウム膜上に銀をくし型に蒸着して収集ＴＬ極とした
。
比咬のため、極限粘度０．６５のポリエチレンテレフタ
レート（ホモポリマー） （ＰＥＴと略記する）のベン
ットを用い、適宜温度条件を変え厚み１００μｍのポリ
エチレンテレフタレート２軸配向フイルムを得た。但し
熱固定温度は２１０℃とした。
レート（ホモポリマー） （ＰＥＴと略記する）のベン
ットを用い、適宜温度条件を変え厚み１００μｍのポリ
エチレンテレフタレート２軸配向フイルムを得た。但し
熱固定温度は２１０℃とした。
この場合のＰＥＴフィルムの２００℃、１時間の熱収縮
量はフィルム長さ方向（ＭＤ）が６．３ ％。
量はフィルム長さ方向（ＭＤ）が６．３ ％。
巾方向（ＴＤ）が５．９％であった。また密度は１．３
９６Ｐ／ｉで、ｆＩ）つたつまた、非晶質シリコン層を
設けた後沁はフィルム面に多数のクラックが見られた。
９６Ｐ／ｉで、ｆＩ）つたつまた、非晶質シリコン層を
設けた後沁はフィルム面に多数のクラックが見られた。
酸化インジウム層を設ける時、マスクを用いて３ Ｘ
３ ｍ 角型セルを同一フィルム上に３００個設け、そ
の中の最大変換効率の８５チまでのセルを生存セルと（
−て数えた。熱処理有・無の場合の生存数を表−１に示
した。
３ ｍ 角型セルを同一フィルム上に３００個設け、そ
の中の最大変換効率の８５チまでのセルを生存セルと（
−て数えた。熱処理有・無の場合の生存数を表−１に示
した。
表 −１
実施例２．比較例２
実施例１の厚さ１００μｍの２軸配向ＰＥＮフイルムを
正方形に切りとり、四辺を固定して２４５℃で３分間熱
処理を行い、一部を切取って熱収縮率、密度を測定した
。フィルムＱ熱収縮率は、長さ方向、及び幅方向とも１
．０％で。
正方形に切りとり、四辺を固定して２４５℃で３分間熱
処理を行い、一部を切取って熱収縮率、密度を測定した
。フィルムＱ熱収縮率は、長さ方向、及び幅方向とも１
．０％で。
密度は１．３７Ｓｌ／ｍあった。
同様に１．て比較例１０ＰＥＴフイルムを２４０℃で３
分間熱処理して熱収縮率長さ方向１．４ ％。
分間熱処理して熱収縮率長さ方向１．４ ％。
幅方向１．６％、密度１．４０２ ｔ ／−のフィルム
を得た。
を得た。
この２種のフィルムについて、シリコン層形成時の基板
の温度を２００℃、２４０℃と各々変え、１ｔ！！の条
件は実施例１と同様と１て太陽電池を製作し、そのセル
特性を測定〔、た。３Ｐｍ角のセル板１００個Ｑ）生存
率と生存セル５個の平均変換率を表−２に示また。
の温度を２００℃、２４０℃と各々変え、１ｔ！！の条
件は実施例１と同様と１て太陽電池を製作し、そのセル
特性を測定〔、た。３Ｐｍ角のセル板１００個Ｑ）生存
率と生存セル５個の平均変換率を表−２に示また。
表 −２
基板にＰＥＮフィルムを用いることにより、成膜条件の
選択幅が拡（なり、変換効率を痛くすることができる。
選択幅が拡（なり、変換効率を痛くすることができる。
実施例４及び比較例４
実施例１に於て熱固定温度を変更して熱固定を行い、実
施例１と同様の方法でサンプルを作製１−１同種の評価
を行なった。結果を表−３に示す。
施例１と同様の方法でサンプルを作製１−１同種の評価
を行なった。結果を表−３に示す。
表 −３
第１図〜第４図は本発明で得られる薄膜太陽電池の構成
例である。 図中０）はポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボ
キシレートフィルム、（２）は金属層、＋３１゜＋４１
．（５１は非晶質シリ−コン層、（６）は電位障壁形成
層、（７）は収集電極、（８）は無反射コート層である
。 第３因 第２昭 ポ４釦
例である。 図中０）はポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボ
キシレートフィルム、（２）は金属層、＋３１゜＋４１
．（５１は非晶質シリ−コン層、（６）は電位障壁形成
層、（７）は収集電極、（８）は無反射コート層である
。 第３因 第２昭 ポ４釦
Claims (2)
- （１）可撓性の熱可塑性重合体フィルムからなる基板に
非晶質シリコンからなる光起電力発生層を形成せしめた
薄膜太陽電池において、可撓性基板として２００℃、１
時間で測定した熱収縮率があらゆる方向で２．０％以下
である２軸配向ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートフィルムを用いたことを特徴とする薄膜
太陽電池。 - （２）２軸配向ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートフイルムの密度が１．３５５〜１．３９
０ｇ／ｃｍ＾３の範囲である特許請求の範囲第１項記載
の薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222659A JPH0671091B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222659A JPH0671091B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 薄膜太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284568A true JPS6284568A (ja) | 1987-04-18 |
| JPH0671091B2 JPH0671091B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=16785913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222659A Expired - Lifetime JPH0671091B2 (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671091B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007250A1 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-10 | Agfa-Gevaert Naamloze Vennootschap | Method of producing solar cells |
| WO2000046861A1 (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-10 | Agfa-Gevaert N.V. | A method for the production of solar cells |
| EP1339076A4 (en) * | 2000-11-29 | 2005-01-12 | Teijin Ltd | POLYESTER FILM FOR CAPACITORS |
| JP2009059772A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| US9006561B2 (en) | 2010-01-06 | 2015-04-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Collector sheet for solar cell |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152276A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Teijin Ltd | Solar cell made of amorphous silicon thin film |
| JPS58194377A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造法 |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP60222659A patent/JPH0671091B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152276A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-25 | Teijin Ltd | Solar cell made of amorphous silicon thin film |
| JPS58194377A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-12 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜太陽電池の製造法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007250A1 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-10 | Agfa-Gevaert Naamloze Vennootschap | Method of producing solar cells |
| WO2000046861A1 (en) * | 1999-02-02 | 2000-08-10 | Agfa-Gevaert N.V. | A method for the production of solar cells |
| EP1339076A4 (en) * | 2000-11-29 | 2005-01-12 | Teijin Ltd | POLYESTER FILM FOR CAPACITORS |
| JP2009059772A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 太陽電池の製造方法 |
| US9006561B2 (en) | 2010-01-06 | 2015-04-14 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Collector sheet for solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0671091B2 (ja) | 1994-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Myong et al. | Highly stable and textured hydrogenated ZnO thin films | |
| CN102741164B (zh) | 石墨烯在基底上大面积的沉积及包含其之制品 | |
| US20160160379A1 (en) | Single crystalline graphene sheet and process of preparing the same | |
| CN104115289B (zh) | 使半导体窗口层退火的方法 | |
| JP2015124117A (ja) | 金属酸化物薄膜の製造方法 | |
| US5776819A (en) | Deposition of device quality, low hydrogen content, amorphous silicon films by hot filament technique using "safe" silicon source gas | |
| JPS6284568A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| CN115132855B (zh) | 纳米全钝化接触晶硅异质结双面太阳能电池及其制造方法 | |
| JP6011730B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
| CN102041552A (zh) | 一种制备多晶硅薄膜的方法 | |
| JPH0370388B2 (ja) | ||
| JP5961355B2 (ja) | 光誘起電荷分離素子、光電池及びそれらの製造方法 | |
| CN113845896A (zh) | 曲面有机铵金属卤化物薄膜、制备方法、太阳能电池及应用 | |
| CN117337060B (zh) | 叠层电池及制备方法 | |
| CN104766784A (zh) | 柔性石墨纸衬底沉积制备柔性多晶硅薄膜的方法 | |
| JP4478250B2 (ja) | 太陽電池モジュ−ル用保護シ−トおよびそれを使用した太陽電池モジュ−ル | |
| JPH01119072A (ja) | 可撓性光電変換素子の製造方法 | |
| CN102703860A (zh) | 一种用于太阳能电池缓冲层CdS薄膜的电子束制备法 | |
| JPS6222274B2 (ja) | ||
| CN114864752A (zh) | 一种改善柔性CZTSSe薄膜太阳能电池吸收层残余应力的方法及应用 | |
| CN108823539B (zh) | 低电阻层状结构正交相MoO3-x薄膜的制备方法 | |
| Albin et al. | The effect of source microstructure on the close-space sublimation of CdTe thin films for solar cell applications | |
| JPS5871666A (ja) | 非晶質シリコン型薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| CN121310823A (zh) | 一种全蒸发逐层沉积杂化钙钛矿太阳能电池制备方法和应用 | |
| JPH01119073A (ja) | 可撓性光電変換素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |