JPS6285401A - 有機質正特性サ−ミスタ - Google Patents
有機質正特性サ−ミスタInfo
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- JPS6285401A JPS6285401A JP22562585A JP22562585A JPS6285401A JP S6285401 A JPS6285401 A JP S6285401A JP 22562585 A JP22562585 A JP 22562585A JP 22562585 A JP22562585 A JP 22562585A JP S6285401 A JPS6285401 A JP S6285401A
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- electrode
- thermister
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- Pending
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、有機質正特性サーミスタ、特に該有機質正
特性サーミスタを構成している素子と電極との接合強度
を向上させたものに関する。
特性サーミスタを構成している素子と電極との接合強度
を向上させたものに関する。
（従来技術）
有機質正特性サーミスタは、たとえばポリエチレン、ポ
リプロピレンなどの重合体にカーボンなどの導電性粉末
を分散さセたものであり、ある特定の温度に達すると抵
抗が増大する正の抵抗温度特性を有するものとして知ら
れている。この種の技術に関しては、たとえば、米国特
許第３５９１５２６号、米国特許第３６７３１２１号な
どがある。
リプロピレンなどの重合体にカーボンなどの導電性粉末
を分散さセたものであり、ある特定の温度に達すると抵
抗が増大する正の抵抗温度特性を有するものとして知ら
れている。この種の技術に関しては、たとえば、米国特
許第３５９１５２６号、米国特許第３６７３１２１号な
どがある。
このような有機質正特性サーミスタには、その素子本体
に綱状金属を埋め込み、これを電極としたものや、ある
いは金属箔を素子本体の表面に直接接合し、これを電極
としたものなどがある。
に綱状金属を埋め込み、これを電極としたものや、ある
いは金属箔を素子本体の表面に直接接合し、これを電極
としたものなどがある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、前者の場合には、良好なオーミック接触
が得られるが、素子本体の比抵抗の割りには全体の抵抗
が高くなってしまうという問題がみられる。
が得られるが、素子本体の比抵抗の割りには全体の抵抗
が高くなってしまうという問題がみられる。
また、後者の場合には、素子本体との密着性が悪く、オ
ーミック性がとりにくいと共に僅かな外力によっても接
合した金属箔が素子本体から剥がれるという欠点がある
。しかも、寿命特性が悪く、時間経過とともに抵抗値が
徐々に高くなっていくという問題もある。
ーミック性がとりにくいと共に僅かな外力によっても接
合した金属箔が素子本体から剥がれるという欠点がある
。しかも、寿命特性が悪く、時間経過とともに抵抗値が
徐々に高くなっていくという問題もある。
それゆえにこの発明の主たる目的は、スパッタリング法
によって、素子の内部にまで金属粒子を打ち込み、この
金属を電極として利用することにより、寿命特性に優れ
、時間経過とともに抵抗値が徐々に高くなることもなく
、素子と電極の密着強度およびリード強度が強く、また
オーミック＋４１が良い有機質正特性サーミスタを得る
ことである。
によって、素子の内部にまで金属粒子を打ち込み、この
金属を電極として利用することにより、寿命特性に優れ
、時間経過とともに抵抗値が徐々に高くなることもなく
、素子と電極の密着強度およびリード強度が強く、また
オーミック＋４１が良い有機質正特性サーミスタを得る
ことである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、重合体と該重合体に分散される導電性粉末
とからなる正の抵抗温度特性を有する素子の表面に、ス
パッタ電極を形成したことを特徴とする、有機質正特性
サーミスタである。
とからなる正の抵抗温度特性を有する素子の表面に、ス
パッタ電極を形成したことを特徴とする、有機質正特性
サーミスタである。
（作用効果）
この発明によれば、素子と電極との密着強度が強く、ま
た良好なオーミック性接触を示し、さらには寿命試験で
抵抗値の上昇がなく良好な寿命特性を示すものとなる。
た良好なオーミック性接触を示し、さらには寿命試験で
抵抗値の上昇がなく良好な寿命特性を示すものとなる。
また、電極との半田付は性が良好で、リード線を取りイ
χｊけた後のリード強度が強いものが得られる。
χｊけた後のリード強度が強いものが得られる。
そして、たとえば、この発明にかかる有機質正特性サー
ミスタをヒータとして使用する場合には、燃料発熱体と
してその大きさに制限のないものが供給できる。また、
電流制限用として使用する場合、耐電圧が高く、より低
抵抗のものが得られ、その特性を十分に活用できる。た
とえば、いままでセラミックの正特性サーミスタの特性
では、０．２Ωが限界であったのが、０．０５Ωという
低い抵抗値のものが得られ、電流制限用として多用途の
活用ができる。
ミスタをヒータとして使用する場合には、燃料発熱体と
してその大きさに制限のないものが供給できる。また、
電流制限用として使用する場合、耐電圧が高く、より低
抵抗のものが得られ、その特性を十分に活用できる。た
とえば、いままでセラミックの正特性サーミスタの特性
では、０．２Ωが限界であったのが、０．０５Ωという
低い抵抗値のものが得られ、電流制限用として多用途の
活用ができる。
この発明の一■二述の目的、その他の目的、特徴および
利点は図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
利点は図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例）
結晶性ポリエチレン８８部に、ケッチェンブラック （
カーボンブランク）１２部をよく混合し、１２０〜１５
０℃で混練した後、これを架橋するため１００℃付近で
オゾン（０３）を吹き込んだ。
カーボンブランク）１２部をよく混合し、１２０〜１５
０℃で混練した後、これを架橋するため１００℃付近で
オゾン（０３）を吹き込んだ。
得られた架橋済みの有機化合物を厚みｌ ｃｍの板状に
成型する。そして、その素子の両面に、モネル（Ｎｉ７
０％、Ｃｕ３０％）金属をスパッタリング法、すなわち
真空中で該金属を陰極として放電させ、該金属からなる
スパッタ粒子を発生させ、加速された該金属を、素子表
面に打ち込む方法によって、スパッタ電極を形成した。
成型する。そして、その素子の両面に、モネル（Ｎｉ７
０％、Ｃｕ３０％）金属をスパッタリング法、すなわち
真空中で該金属を陰極として放電させ、該金属からなる
スパッタ粒子を発生させ、加速された該金属を、素子表
面に打ち込む方法によって、スパッタ電極を形成した。
その後、約１ ｃｍ角の大きさに切断し、モネル金属の
表面にＣｕからなるリード線を半田浸漬で接続した。さ
らに、その周囲をエポキシ樹脂で被覆して試料を作成し
た。
表面にＣｕからなるリード線を半田浸漬で接続した。さ
らに、その周囲をエポキシ樹脂で被覆して試料を作成し
た。
なお、比較試料として、Ｃｕ箔を、熱間プレスにより、
１９０℃、 １５０ ｋｇ／ｃｍ”の条件下で、１回
を３０分として６回押圧し、接合して電極としたものに
ついても、同様にして接合強度を測定した。
１９０℃、 １５０ ｋｇ／ｃｍ”の条件下で、１回
を３０分として６回押圧し、接合して電極としたものに
ついても、同様にして接合強度を測定した。
第１表は、接合強度の測定結果を示したものである。
第 １ 表
第１表から明らかなように、この発明によるものは、Ｃ
ｕｆｆ１を接合して電極とした比較試料に比べて、接合
強度の大きなものが得られている。
ｕｆｆ１を接合して電極とした比較試料に比べて、接合
強度の大きなものが得られている。
また、オーミック性について、前記した例で得られた各
試料について測定した。第２表は、その測定結果を示し
たものである。
試料について測定した。第２表は、その測定結果を示し
たものである。
この測定方法は、試料の電極すなわちスパッタ電極また
は比較試料のＣｕ箔に端子を４点接触させ、４端子法で
測定した。端子間の距離は１１麿とした。なお、参考の
ために素子本体の比抵抗も合わせて示した。
は比較試料のＣｕ箔に端子を４点接触させ、４端子法で
測定した。端子間の距離は１１麿とした。なお、参考の
ために素子本体の比抵抗も合わせて示した。
（以下余白）
第 ２ 表
第２表から明らかなように、この発明のものは、素子本
体の比抵抗とほとんど同程度であり、良好なオーミック
性接触が得られていることを示している。
体の比抵抗とほとんど同程度であり、良好なオーミック
性接触が得られていることを示している。
さらに、得られた各試料について寿命試験を実施し、そ
の結果を第３表に示した。
の結果を第３表に示した。
試験１は、２４Ｖの電圧を１００時間印加したときの抵
抗値の変化を測定したものである。
抗値の変化を測定したものである。
試験２は２４Ｖの電圧を１分間ＯＮ、５分間ＯＦＦのサ
イクルで１００時間印加したときの抵抗値の変化を測定
したものである。
イクルで１００時間印加したときの抵抗値の変化を測定
したものである。
試験３は、１００℃の温度に１００時間放置した後の抵
抗値の変化を測定したものである。
抗値の変化を測定したものである。
試験４は、１２０℃の温度に１００時間放置した後の抵
抗値の変化を測定したものである。
抗値の変化を測定したものである。
なお、比較のために各試験の試料について初期値を合わ
せて示した。
せて示した。
（以下余白）
第 ３ 表
第３表から明らかなように、この発明にかかるものは、
各寿命試験においても変化率が小さく、安定した特性を
示している。
各寿命試験においても変化率が小さく、安定した特性を
示している。
なお、上述した実施例では、電極としてモネル金属を用
いた例について説明したが、この他、ＡＩ、Ｓｎ、Ｆｅ
、Ｎ＋、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｕ。
いた例について説明したが、この他、ＡＩ、Ｓｎ、Ｆｅ
、Ｎ＋、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｕ。
Ｐｂ、 Ｐｂ−３ｎ、 Ａｇ、 Ｚｎ、 Ｉｎ、 Ｇａ
、またはこれらの合金をスパッタリング法によって素子
の表面に打ち込み、スパッタ電極を形成しても、大きな
密着強度と良好な寿命特性を示すことが確認された。
、またはこれらの合金をスパッタリング法によって素子
の表面に打ち込み、スパッタ電極を形成しても、大きな
密着強度と良好な寿命特性を示すことが確認された。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
（ほか１名）
Claims (1)
- 重合体と該重合体に分散される導電性粉末とからなる
正の抵抗温度特性を有する素子の表面に、スパッタ電極
を形成したことを特徴とする、有機質正特性サーミスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22562585A JPS6285401A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 有機質正特性サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22562585A JPS6285401A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 有機質正特性サ−ミスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285401A true JPS6285401A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16832239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22562585A Pending JPS6285401A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 有機質正特性サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285401A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258201A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電池用ｐｔｃ装置の製造法 |
| US5793276A (en) * | 1995-07-25 | 1998-08-11 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22562585A patent/JPS6285401A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258201A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電池用ｐｔｃ装置の製造法 |
| US5793276A (en) * | 1995-07-25 | 1998-08-11 | Tdk Corporation | Organic PTC thermistor |
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