JPS6285443A - 半導体装置の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、半導体基板上に配線膜を有する半導体装置の
製造法に係り、特に配線膜の形成法に関する。

〔発明の背景〕

半導体装置の配線膜の材料には、従来、純アルミニウム
（ＡＱ）又はシリコンを含むアルミニウム（ＡＱ−８ｉ
）合金が用いられてきた。しかし、特開昭５８−４４７
３０号公報にも記載されているように、純ＡＩ２又はＡ
Ｑ−８ｉ合金よりなる配線膜は、エレクトロマイグレー
ションを生じ易い欠点があった。

エレクトロマイグレーションを生じにくくする〜ために
、配線膜全体を銅を含むアルミニウム１．゛、 ’、’、ＳＡ　Ｑ　−Ｃｕ　）合金により形成すること
戒は配線“１　。

膜の一部をＡ　Ｑ　−Ｃ１１合金により形成することが
行われており、たとえば米国特許第３７４３８９４　号
明細書および特開昭５８−４４７３０号公報に記載され
ている。Ａ　Ｑ　−Ｃｕ合金配線膜は、−例として合金
ターゲットを用い、半導体基板上にスパッタリングによ
って直接Ａ　Ｑ　−Ｃ１１合金として形成される。

前記米国特許明細書によれば、ＡＱ合金中のＣｕがＡＱ
と結合して金属間化合物Ｃｕ　Ａ　Ｑ　２を生成し、こ
のＣｕＡ１２ｚ粒子がＡＱの結晶粒界に介在してＡＱの
原子移動を阻止し、耐エレクトロマイクレージョン性を
改善する。

しかし、本発明者らの研究の結果、ＡＱ−Ｃｕ合金配線
膜は、Ｃ１１Ａ　Ｑ　２粒子が偏析しやすく。

ＣｕＡＱ２が析出していない部分でエレクトロマイグレ
ーションを生じやすいことがわかった。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、半導体基板上ＥにＡＱ−８ｊ合金配線
膜又はＡ　Ｑ　−Ｃｓ１合金配線膜を直接形成する方法
よりも耐エレクトロマイグレーション性を高めることが
できる半導体装置の製造方法を提供するにある。

〔発明の概要〕

本発明は、半導体装置の配線膜を下記（１）と（２）の
工程によって形成することにある。

（１）半導体基板ｌ〕に純ＡＱ層又はＡＱ−８ｉ０．５
〜５重量％合金層よりなる下部層、リチウム（Ｌｉ）と
ベリリウム（Ｂ　ｅ）とマグネシウム（Ｍｇ）とマンガ
ン（Ｍｎ）と鉄（Ｆθ）とコバルト（Ｃｏ）とニッケル
（Ｎｉ）とＣｕとパラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐ　Ｌ　
）とランタン（Ｌａ）およびセリウム（Ｃｅ）の少なく
とも１つよりなる中間層および、純ＡＱ層又はＡＱ−８
ｉ　０．５〜５　重音％合金層よりなる一１１部層を形
成する工程。

（２）その後、前記中間層の材料をＡＱ中に拡散する熱
処理を施す１−程。

本発明は、下部層と中間層と−Ｉ一部層よりなる三層構
造の積層膜を作り、その後熱処理することに−”４．す
、中間層の元素をＡＱの結晶粒界に沿って拡−蔽させ均
一に分散できることを究明したことに基づいている。

中間層の材料は、ＡＱ中に固溶戒はＡＱと結合して金属
間化合物を生成し、八Ωの原子移動を阻止して耐エレク
トロマイクレージョン性を高める。

中間層材料としての■、ｉ、Ｂθ、Ｍｇ、Ｍｎ。

Ｆａｔ　Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌａ及びＣｅ
は、実験によって効果を確認して選んだ。

配線膜全重量に占める中間層材料の量が多くなると、配
線膜の電気抵抗が高くなるとともにＡＱと中間層材料が
反応してできる金属間化合物は特に電気抵抗が高いため
、金属間化合物の周囲で電流密度が高くなり、配線膜の
寿命が短くなる。このことから中間層の材料は積層膜全
重量の０．０５〜５重量％を有することが望ましい。こ
のようにすることによって、最終的に得られた配線膜は
、中間層成分を０．０５〜５重量％含むことになる。

中間層の材料として、周期律表ｎｂ族の亜鉛、カドミウ
ム、ＩＶ　ａ族のチタン、ジルコニウム、ハフニウム、
Ｖａ族のバナジウム、ニオブ、ＶＩａ族のクロム、モリ
ブデン、タングステンを用いて実験を行ったが、エレク
トロマイグレーションを防止する効果が殆どなかった。

エレクトロマイグレーションが生ずると、配線膜の一部
に盛り上がり部分が生じ且つ盛り上がり部分の近傍にく
ぼみが生じる。この結果、配線膜の抵抗が増大し、高電
流密度の電流を流すと配線膜が溶融しやすくなる。エレ
クトロマイグレーションの甚だしい場合には、配線膜が
断線する。

本発明によればＡＱ配線の耐エレクトロマイグレーショ
ン特性を高める元素をΔ悲配線膜中、特に結晶粒界に均
一に分散させることができ、現用のＡＱ又はＡＱ−８ｊ
合金配線番Ｊ比べ電流密度を大きくとる事ができる。

本発明の製造法において、積層膜に施す熱処理は、配線
膜製エツチングによって所定の形状にパターニング加工
してから施すことが望ましい。このように配線膜、パタ
ーニング加工後、熱処理することによって、結晶組織が
均一となり、配線膜の幅を１μｍ以下に小さくする事が
でき、半導体基板の集積度を高める事ができる。その結
果、半導体基板の実装密度をにける事ができるとともに
エレクトロマイグレーションにより装置の早期破壊を防
１１−できる。

配線膜か構城を最初積層膜で形成し、配線膜パターンに
加工後熱処理を施して拡散させ均一な合金膜とする利点
を次に述べる。

従来のスパッタ法により合金ターゲットを用いてＡＱ合
金膜を形成する際、ＡＱと添加元素とでスパッタレート
が異なる。そのため、できる膜の組成が安定しにくく、
また半導体ウェハー表面でも添加元素の分布が均一にな
りにくく、添加元素の偏析の問題が残されている。その
−ヒ添加元素が均一に分布していないと、微細パターン
にＡＱ膜をドライエツチングする際に局部電池がいたる
所に形成され、うまく微細パターンを形成することがで
きない。

一方、本発明によればエツチングの際に膜は積層膜とな
っており、ドライエッチによるパターニングの不均一性
は起こりにくい。また熱処理による拡散後は膜中に元素
が均一分布するため、良好な耐マイグレーション性を示
す。

本発明の製造法において、中間層の元素の拡散経路とな
るのはＡＱ膜の結晶粒界であり、粒界拡散によって添加
元素の拡散が起きる。そのため主に結晶粒界が強化され
ＡＱ結晶粒の基地には最小限の影響しか与えない。これ
はＡｆｉ基地中に異種原子が固溶する事によって電気抵
抗が１−昇するのを最小限におさえる事を意味している
。そのため配線部分の発熱が従来のものと余り変わらず
、素子温度も従来以トにに昇する事がない。一方配線自
身は工１ノクト［ｌマイグレーションによる損傷を受け
やすい粒界部分が強化されているため、大幅に信頼性が
向１−シている。また添加元素の分布が均一なため部分
的に弱い所ができず、素子全体の信頼性が向１−する。

さて本発明では１−下にＡＱまたはＳｉ入りＡＱ層を配
し、その間にｒ、ｉ　、１３ａ、Ｍｇ、Ｍｎ。

Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ　、　Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、　Ｌａ及び
Ｇｏのうち１種あるいは２種以Ｈの金属層をはさみ込む
形で膜を形成する。膜の形成方法は半導体基板トとオー
ミックコンタクトをとるＡＱまたはＳｉ入りＡＱ層すな
オ）も下部層を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法
または化学気相蒸着（以下、ＣＶＤという）のいずれか
の手段により形成する。下部膜の厚さは０．１〜１　μ
ｍとすることが望ましい。

次いで、下部層の１−に中間層の材料を真空蒸着。

電子ビーム蒸着、スパッタ法またはＣｖｒ′）法のいず
れかにより形成する。中間層はエレクトロマイグレージ
ョンを防止するために添加するので、その厚さは薄くて
よく、０．００１〜０．１μｍで十分である。

その後、中間層の−ＬにＡＱまたはＳｉ入りＡＱ層を真
空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタ法またはＣＶＤ法の
いずれかにより下部層と同様０．１〜１μｍ堆積する。

尚−！二部層のＡｆｌまたはＳｉ入りＡｆｌ層は耐湿信
頼性を向、ｈさせるため、Ｐｄとｐｔのうち１種または
２種以上を０．００１〜２重量％含有させることが望ま
しい。ｏ、ｏｏｉ重量％以下では耐湿性改善の効果が少
なく、２重量％よりも多くすると、粗大析出物が析出し
、その周囲より局部電池作用によってピッチングによる
腐食が生じやすくなる。上部層又含有するＰｄ又はｐｔ
の鋤きは２つある。その１つは触媒作用によってＡＱ護
膜中入った水素原子を還元し、ＡＱの結晶粒界で水素が
析出する事に起因する粒界腐食を防止する働きである。

もう１つの働きは、Ｐｄ。

ｐｔはＡｆｌ中に均一に固溶させる事ができるのでＡＱ
の基地が均一にアノード分極され、ＡＱ表面の酸化保護
皮膜が強化されるためＦ地のΔＱ基地の溶は出しを防止
できることである。

なお、本発明において、積層膜を構成する下部層および
−Ｌ部層又はＳｊを含有させてもよいが、その場合、Ｓ
ｉ緻は０．５〜５　重酸％とする。

０．５重量％よりも少ないと、ＡＱ中のＳｉの固溶限は
５００℃で約０．５重量％であるため、Ｓｉウェハを熱
処理する際にＡＱ配線とＳｉ基板の導通部でＳｉがＡＱ
配線に固溶して行き、甚だしい場合は拡散層の突き抜け
を生じる。５重量％よりも多いと抵抗が１：がりすぎて
実用的でない。

次に本発明による配線膜の配線パターンへのエツチング
性について述べる。配線幅２μｍ以下の微細配線では通
常、塩素系ガスによるドライエツチングが行われる。そ
の際、ＡＱ基地中に異種元素が不均一に分布していると
分布の濃淡によって局部電池が形成され、部分的に極端
に腐食が進み配線パターン精度が悪くなり、場合によっ
ては配′　線が形成できない事もある。−六本発明では
エツチング時に積層膜となっており、添加元素の平面方
向の分布は均一である。また深さ方向の分布は層状にな
っているが、エツチングが深さ方向に均一に進むととも
に、添加元素の層が薄いため特に問題なくエツチングで
きる。耐湿信頼性向上のためＡＱ層中に直接混入するＰ
ｄ、Ｐｔは、ＡＱ中に原子状になって均一に分散するた
めドライエツチングの際問題は起こらない。

下部層と中間層および一■〕部層よりなる積層膜を所定
の配線膜形状にパターニング加工したならば、次いで熱
処理を施し、中間層の成分をＡＱ中に拡散させる。熱処
理の温度は、３００〜５００℃の範囲が望ましい。熱処
理温度が３００℃よりも低いと拡散が十分に起こらず、
後工程のプロセスを通したときに膜の状態が変化してし
まう。５００℃よりも高温になると結晶粒が粗大化しや
すい。

熱処理時間は、１５分〜５時間が好ましい。

積層膜の熱処理を終了し、配線膜が完成したならば、配
線膜−Ｉ−にプラズマＳｉｎ、スパッタ５ｊＯｚ、ポリ
イミド樹脂（ＰＩＱ）、リンガラスなどの保護膜を形成
し、Ｓｉチップを金属り−ドフレーム乃至せラミックス
モールド１−に実装する。その後、Ａ　ｕ線ＩＣＩＩ線
、ＡＱ線のいずれかでボンディングを行った後モールド
して製品とする。

本発明によって得られた半導体装置は、ＡＱ合金配線膜
が合成樹脂に接触して使用されるものに好適である。合
成樹脂は大気中の水分と反応して塩素イオン、アミン等
の腐食性物質を遊離し、ＡＭを腐食する。本発明のＡＱ
金合金合成樹脂にこの種の半導体装置の【アミンには、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹
脂。

ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウ
レタン樹脂、付加型ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、
ポリパラビニルフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、フ
ッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエチレン、
ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエステ
ル、ポリアミドエーテル、ポリアミドエステルなどの熱
可塑性樹脂が用いられる。本発明の半導体装置に用いる
封＋上材料としてはエポキシ樹脂が特に好ましい。

〔発明の実施例〕

以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。

第１図は本発明の実施例の構造を示した断面図である。

第１図において、■は半導体基板（Ｓｉ基板、Ｇａ−Ａ
ｓ基板など）、２は不純物（例えばＰ、Ａｓ、Ｂ、ＡＱ
等）を拡散した拡散層、３は窓明けされた絶縁物（例え
ば厚さ０．１〜０．５μｍのＳｉ０ｇ膜乃至Ｐ　Ｓ　Ｇ
　［）　、　４は純ＡＱ又はＳｉ入りＡＱ層で形成（例
えば蒸着、スパッタ。

ＣＶＤ法等により厚さ０．１〜１μｍ堆積させる。）さ
れた電極よりなる下部層であり、拡散層２とコンタクト
５で接触している。６はＬｉ、Ｂｅ。

Ｍｇ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ。

Ｐｔ、Ｔ、ａ、Ｇｏのうち１種あるいは２種以上よりな
る中間層（例えば蒸着、スパッタ、ＣＶＤ法等により厚
さ０．００１．−０　、１μｍ堆積させる。）、７は純
ＡＱ又はＳｉ入りＡＱ、あるいはそれにＰｄ又はＰ　ｔ
を０．００１〜２重量％含有したＡＱ層で形成（例えば
蒸着、スパッタ、（：■１）法等により厚さ０．１〜１
μｍ堆積さ伊る。）した上部層である。８は素ｆ表面を
保護する保護膜（例えば厚さ０．５〜２．０μｍのＳ　
ｉ（”）ｘあるいはリンガラス、ＰＩＱ膜）で、ポンデ
ィングパッド部分９が開口されている。１０はボンディ
ングワイヤである。

第２図は本発明の詳細な説明するためのグラフであり、
配線材料として、従来のＳｉ入りＡＱ（Ｓｉ量２重に％
）ｔ＆用いた場合と、本発明の合金配線を用いた場合の
高温通電試験における配線の寿命を示す。寿命は、半導
体基板ヒの配線膜の半数が断線するまでに要した時間で
もつで表した。

第２図中でＳｉ入りＡＱ以外は、すべて本発明によるも
のである。本発明の配線膜は、純へＱよりなる下部層を
スパッタにより形成し、そのＩ−に所定の単一材料より
なる中間層をスパッタにより形成し、更にその上に純Ａ
Ｑよりなる［一部層をスパッタにより形成し、その後、
３００〜５００℃の範囲で１５〜１８０分間加熱するこ
とによって製造した。このようにして製造した配線膜を
、第２図では簡略形式で表すために、Ａｆｌ−０，３％
Ｔ−ｉ或はＡｆｌ−］％Ｍｎ等として記載した。第２図
における％はいずれも重量％を意味している。

第２図から明らかなようにＳｉ入りＡＱに比べ本発明に
よるＡｆ１合金配線の方が長時間安定である。

この理由を次に述べる。ＡＱのエレクトロマイグレーシ
ョンでの活性化エネルギーは粒内で約１．２〜１．　、
３　ｅ　Ｖなのに対し、粒界では約０．５ｅＶと著しく
低い。これはエレクトロマイグレーションによる配線の
破断が結晶粒界拡散によってひき起こされる事と対応し
ている。そこで、粒界を重点的に強化した配線膜を用い
れば、ＡＱ基地の粒界拡散が抑制されるため配線寿命を
伸ばす事ができる。

第３図はＳｉチップを樹脂モールドした場合、本発明に
よるＡＱ−１％Ｐｄ合金配線と従来のＡＱ−２％Ｓｉ合
金配線との腐食寿命を調べるため加速寿命試験（２気圧
飽和水蒸気中放置試験）を行った結果を示す。断線率は
１０μｍ幅の配線の電気的導通の有無から求めた。第３
図から明らかなように従来のＳｉ入りＡＱ配線に比べ本
発明によるＡＱ合金配線の方が耐湿信頼性に優れ、寿命
が５倍以トになる。

この理由は、従来のＳｉ人ｉ１　Ａ　Ｑ配線に比べＰｄ
又はｐｔが均一・に固溶し八ＡＱで１一部を覆った配線
では、■）（１父はＰ　ｔの触媒作用によって水素によ
る粒界腐食が防止されるのと、Ｐ（１または、Ｐｔは電
気化学的に責な金属でありそれが均一に固溶する事によ
りＡＱの基地が均一にアノード分極され、ＡＱ表面の酸
化保護皮膜が強化されるため下地のＡＱ基地の溶解が防
１１−できるためである。

以上をまとめると本発明によれば、エレクトロマイグレ
ーションに対する信頼性と耐湿信頼性の２つを満足でき
ると考えられる。

また、ポンディングパッド部分を耐食性を有するＡｆｆ
層で形成する事により、Ａｕ、Ａｆｆ、Ｃｕいずれのワ
イヤも容易にボンディングでき、配線形成後に熱サイク
ルが加わる場合でもボンデイングの安定性は維持され、
セラミックスモールド又は樹脂モールドを行った際に高
信頼性の半導体素子を作製できる。

次に、ＡＭ配線膜の構造について本発明の詳細な説明す
る。第４図は高温通電試験によるＡＱ配線膜の寿命を示
している。従来例によるＡＱ膜の結晶粒径は３〜１０μ
ｍであるが、本発明のＡＱ膜では結晶粒径が０．３μｍ
程度と小さく寿命も長くなる。結晶粒径が小さくなる理
由は、中間層結晶が再結晶するのを防止できるためであ
る。配線寿命が延びるのは、配線幅よりも粒径が小さく
なることによって１μｍの配線でもたとえ１個の粒界が
切れても配線全体の断線には至らないためである。

次に、エツチングの際、膜の構造が積層膜の状態のもの
と、熱処理を施した後の状態のものを比較するため、塩
素系ガスでドライエッチした後の１μｍ配線の断面を調
べた。本発明による積層膜のパターン精度の方が優れて
おり、熱処理後のものでは粒界に沿って腐食されてしま
い、パターン精度がでないことを確認した。

本発明による中間材料の中では、Ｌｉ、Ｒθ。

Ｍｇ、Ｌａ及びＣｅが１μ！ｎ以下の微細パターンへの
加工性及び均一な分散性の点で特にすぐれており、耐エ
レクトロマイグレーション性の他にこれらの点を考慮す
ると、配線の中間材料として最適である。

パターンに容易に加工できる半導体用配線膜が得られる
。その結果、樹脂モールドあるいはセラミックスモール
ドの半導体素子の高密度、微細パターンに適用でき、半
導体装置の信頼性の向りを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例の構造を示した断面図、第２図
は各種配線膜材料の耐エレクトロマイブレ−ション性を
示す特性図、第３図は配線膜の耐湿信頼性の試験結果を
示す特性図、第４図は高温通電試験による試験結果を示
す特性図である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散層、３・・・絶縁物
、４・・・下部層、６・・・中間層、７・・・Ｌ部層、
８・・・保護膜、１０・・・ボンディングワイヤ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に配線膜を有する半導体装置の製造法
   において、下記（１）と（２）の配線膜形成工程を含む
   ことを特徴とする半導体装置の製造法。 （１）半導体基板上に純アルミニウム層又はシリコンを
   ０．５〜５重量％含むアルミニウム合金層よりなる下部
   層、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、
   鉄、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、白金、ラン
   タンおよびセリウムの少なくとも１つよりなる中間層お
   よび、純アルミニウム層又はシリコンを０．５〜５重量
   ％含むアルミニウム合金層よりなる上部層を順次形成し
   て積層膜を作る工程および、 （２）前記積層膜を形成後、前記中間層の材料をアルミ
   ニウム中に拡散する熱処理を施す工程。 ２、特許請求の範囲第１項において、前記積層膜を真空
   蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリングおよび化学気相
   蒸着のいずれかの手段により形成することを特徴とする
   半導体装置の製造法。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記中間層の材料
   が積層膜全重量の０．０５〜５重量％を有することを特
   徴とする半導体装置の製造法。 ４、特許請求の範囲第１項において、前記下部層の厚さ
   を０．１〜１μｍとすることを特徴とする半導体装置の
   製造法。 ５、特許請求の範囲第１項において、前記中間層の厚さ
   を０．００１〜０．１μｍとすることを特徴とする半導
   体装置の製造法。 ６、特許請求の範囲第１項において、前記上部層の厚さ
   を０．１〜１μｍとすることを特徴とする半導体装置の
   製造法。 ７、特許請求の範囲第１項において、前記熱処理の加熱
   温度を３００〜５００℃とすることを特徴とする半導体
   装置の製造法。 ８、半導体基板上に配線膜を有する半導体装置の製造に
   おいて、下記（１）〜（３）の配線膜形成工程を含むこ
   とを特徴とする半導体装置の製造法。 （１）半導体基板上に純アルミニウム層又はシリコンを
   ０．５〜５重量％含むアルミニウム合金層よりなる下部
   層、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、
   鉄、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、白金、ラン
   タンおよびセリウムの少なくとも１つよりなる中間層お
   よび、純アルミニウム層又はシリコンを０．５〜５重量
   ％含むアルミニウム合金層よりなる上部層を順次形成し
   て積層膜を作る工程および、 （２）前記積層膜を所定の配線膜形状にエッチングする
   工程および、 （３）前記エッチング後、前記中間層の材料をアルミニ
   ウム中に拡散する熱処理を施す工程。 ９、特許請求の範囲第８項において、前記エッチングを
   ドライエッチングによつて施すことを特徴とする半導体
   装置の製造法。 １０、特許請求の範囲第８項において、前記中間層の材
   料が積層膜全重量の０．０５〜５重量％を有することを
   特徴とする半導体装置の製造法。 １１、特許請求の範囲第８項において、前記熱処理の加
   熱温度を３００〜５００℃とすることを特徴とする半導
   体装置の製造法。 １２、半導体基板上に配線膜を有する半導体装置の製造
   において、下記（１）〜（３）の配線膜形成工程を含む
   ことを特徴とする半導体装置の製造法。 （１）半導体基板上に純アルミニウム層又はシリコンを
   ０．５〜５重量％含むアルミニウム合金層よりなる下部
   層、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、マンガン、
   鉄、コバルト、ニッケル、銅、パラジウム、白金、ラン
   タンおよびセリウムの少なくとも１つよりなる中間層お
   よび、パラジウムと白金の少なくとも１つを０．００１
   〜２重量含むアルミニウム層又はパラジウムと白金の少
   なくとも１つを０．００１〜２重量％、シリコンを０．
   ５〜５重量％含むアルミニウム合金層よりなる上部層を
   順次積層して積層膜を作る工程、（２）前記積層膜を所
   定の配線膜形状にエッチングする工程および、 （３）前記エッチング後、前記中間層の材料をアルミニ
   ウム中に拡散する熱処理を施す工程。 １３、特許請求の範囲第１２項において、前記下部層の
   厚さが０．１〜１μｍ、前記中間層の厚さが０．００１
   〜０．１μｍおよび前記上部層の厚さが０．１〜１μｍ
   よりなることを特徴とする半導体装置の製造法。 １４、特許請求の範囲第１２項において、前記中間層の
   材料が積層膜全重量の０．０５〜５重量％を有すること
   を特徴とする半導体装置の製造法。 １５、特許請求の範囲第１２項において、前記積層膜を
   真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリングおよび化学
   気相蒸着のいずれかの手段により形成することを特徴と
   する半導体装置の製造法。 １６、特許請求の範囲第１２項において、前記熱処理の
   加熱温度を３００〜５００℃とすることを特徴とする半
   導体装置の製造法。