JPH0212829A - ボンデイング・パツド用合金層及びボンデイング・パツド構造体 - Google Patents
ボンデイング・パツド用合金層及びボンデイング・パツド構造体Info
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- JPH0212829A JPH0212829A JP1043408A JP4340889A JPH0212829A JP H0212829 A JPH0212829 A JP H0212829A JP 1043408 A JP1043408 A JP 1043408A JP 4340889 A JP4340889 A JP 4340889A JP H0212829 A JPH0212829 A JP H0212829A
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- Wire Bonding (AREA)
- Contacts (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、重合体（ポリマー）への金属の接着の分野に
関するものであり、特に、重合体に金属を接着する方法
に関するものである。
関するものであり、特に、重合体に金属を接着する方法
に関するものである。
Ｂ、従来技術
現在の半導体加工技術では、半導体チップの金属相互接
続層を、たとえばチップ・キャリア・パッケージのリー
ドに接続するのに、鉛／スズはんだを使用している。こ
の技術では、複数の金属層（主としてクロム、銅及び金
の層）からなるパッド制限メタラジ（ＰＬＭ）を用いて
、リフロー中のはんだによる表面のぬれを良くするとと
もに、下層の金属層へのオーム接触を確実にする。ＰＬ
Ｍは機械的に強固で、接触抵抗が小さいことが特に重要
である。ＰＬＭ中に純チタンのバリア層を使用すること
により、いわゆる「湿式クリーニング」法（たとえばリ
ン酸、三酸化クロムの水溶液）を使用して、ＰＬＭと金
属との接触抵抗を小さくすることが実現されている。し
かし、チタンＰＬＭの下層の有機物層に対する接着力（
インストロン引張り試験機で測定）が、後続の熱サイク
ル中（たとえば、付着したはんだバンブをチップ・キャ
リアに接合する時）に、容認できないレベルにまで低下
する。この接着力の低下は、チップの接合を何回か繰り
返した後は、−色顕著になる。一般に、接着力の低下は
チタンとポリイミドの化学反応によるものと考えられて
いる。ファーマン（Ｆｕｒｍａｎ）等、゛１チタンとポ
リイミドの接着の機械的及び表面分析研究（Ｍｅｅｈａ
ｎｉｅａｌ ａｎｄ ５ｕｒｆａｃｅ八ｎａｌｙｔｉｃ
ａｌ ５ｔｕｄｉｅｓ ｏｆ Ｔｉｔａｎｉｕｍ
／ＰｏｌｙｉｍｉｄｅＡｄｈｅｓｉｏｎ） 、多層メ
タライゼーシヨン、相互接続及び接触技術シンポジウム
論文集（Ｐｒｏｃｅｅｄ ｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ Ｓｙ
ｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＭｕｌｔｉｌｅｙｅＩ １４ｅ
ｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ。
続層を、たとえばチップ・キャリア・パッケージのリー
ドに接続するのに、鉛／スズはんだを使用している。こ
の技術では、複数の金属層（主としてクロム、銅及び金
の層）からなるパッド制限メタラジ（ＰＬＭ）を用いて
、リフロー中のはんだによる表面のぬれを良くするとと
もに、下層の金属層へのオーム接触を確実にする。ＰＬ
Ｍは機械的に強固で、接触抵抗が小さいことが特に重要
である。ＰＬＭ中に純チタンのバリア層を使用すること
により、いわゆる「湿式クリーニング」法（たとえばリ
ン酸、三酸化クロムの水溶液）を使用して、ＰＬＭと金
属との接触抵抗を小さくすることが実現されている。し
かし、チタンＰＬＭの下層の有機物層に対する接着力（
インストロン引張り試験機で測定）が、後続の熱サイク
ル中（たとえば、付着したはんだバンブをチップ・キャ
リアに接合する時）に、容認できないレベルにまで低下
する。この接着力の低下は、チップの接合を何回か繰り
返した後は、−色顕著になる。一般に、接着力の低下は
チタンとポリイミドの化学反応によるものと考えられて
いる。ファーマン（Ｆｕｒｍａｎ）等、゛１チタンとポ
リイミドの接着の機械的及び表面分析研究（Ｍｅｅｈａ
ｎｉｅａｌ ａｎｄ ５ｕｒｆａｃｅ八ｎａｌｙｔｉｃ
ａｌ ５ｔｕｄｉｅｓ ｏｆ Ｔｉｔａｎｉｕｍ
／ＰｏｌｙｉｍｉｄｅＡｄｈｅｓｉｏｎ） 、多層メ
タライゼーシヨン、相互接続及び接触技術シンポジウム
論文集（Ｐｒｏｃｅｅｄ ｉｎｇｓｏｆ ｔｈｅ Ｓｙ
ｍｐｏｓｉｕｍ ｏｎ ＭｕｌｔｉｌｅｙｅＩ １４ｅ
ｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ。
’ｆｎｔｅｒｅｏｎｎｅｃｔ、ｉｎｎ、 ａｎｄ Ｃｏ
ｎｔａｃｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）、ＶＯ１，８
７４、ｐｐ。１４４〜ｉ ４９に、チタンとポリイミド
の接着の問題が詳細に述べられ′ごいる。
ｎｔａｃｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）、ＶＯ１，８
７４、ｐｐ。１４４〜ｉ ４９に、チタンとポリイミド
の接着の問題が詳細に述べられ′ごいる。
この接着力の欠如は、ＰＬＭ中に純粋なりロム・バリア
を形成させると解消する。しかし、クロムＰＬＭと金属
の接触抵抗を小さくするために必要なスパッタ・クリー
ニング（たとえばガス・プラズマ）により、下層の金属
層に電荷が蓄積し、そのため、この金属層によって相互
接続される能動デバイスまたは受動デバイスあるいはそ
の両方の性能が低下プ′る。さらに、スパッタ・クリー
ニングのサイクル（まきわめて遅く、大量生産には適さ
ない。
を形成させると解消する。しかし、クロムＰＬＭと金属
の接触抵抗を小さくするために必要なスパッタ・クリー
ニング（たとえばガス・プラズマ）により、下層の金属
層に電荷が蓄積し、そのため、この金属層によって相互
接続される能動デバイスまたは受動デバイスあるいはそ
の両方の性能が低下プ′る。さらに、スパッタ・クリー
ニングのサイクル（まきわめて遅く、大量生産には適さ
ない。
下記の参照文献は、クロムを主体とする合金により、Ｐ
ＬＭ中１、−バリア層を形成するＰＬＭ製作技術の現状
を示す例である。
ＬＭ中１、−バリア層を形成するＰＬＭ製作技術の現状
を示す例である。
米国特許第３５６７５０８号明細書には、チタン、バナ
ジウム、クロム、ニオブ、ジルコニウム、パラジウム、
タンタル、及びそれらの金属間化合物を含む多数の活性
金属からなるバリア月を用いて、半導体上に金属性電気
接点を形成させる方法が開示されている。
ジウム、クロム、ニオブ、ジルコニウム、パラジウム、
タンタル、及びそれらの金属間化合物を含む多数の活性
金属からなるバリア月を用いて、半導体上に金属性電気
接点を形成させる方法が開示されている。
米国特許第４２３１０５８号明細書には、メタライゼー
ション層がＷ５６％、Ｔｉ２４ｘ、Ｃｒ２Ｏ％で構成入
れるトラパラ［・（ＴＲＡＰＡＴＴ）ダイオードが開示
されている。
ション層がＷ５６％、Ｔｉ２４ｘ、Ｃｒ２Ｏ％で構成入
れるトラパラ［・（ＴＲＡＰＡＴＴ）ダイオードが開示
されている。
米国特許第４．２ Ｆ３８８４９号明細書には、バリｙ
Ｊｌがニッケル・／’７（ｌム合金層からなる隆起した
ボンディング・パッド構造が開示されている。この合金
層は、最大８０重量％までのニッケ′ルを含む。
Ｊｌがニッケル・／’７（ｌム合金層からなる隆起した
ボンディング・パッド構造が開示されている。この合金
層は、最大８０重量％までのニッケ′ルを含む。
米国特許第４４６３０５９号明細書には、ＬＳＩチップ
・キャリア用の多層金属皮膜構造が開示されている。こ
の構造は、ｃｒｓＴｉまたは他の第１ＶＢ族、第ＶＢ族
または第ＶＩＢ族の金属からなる薄い接着層を含む。こ
の構造の上面メタラジは、ＣｕｔＣｒ及びＡｕの層を含
む。
・キャリア用の多層金属皮膜構造が開示されている。こ
の構造は、ｃｒｓＴｉまたは他の第１ＶＢ族、第ＶＢ族
または第ＶＩＢ族の金属からなる薄い接着層を含む。こ
の構造の上面メタラジは、ＣｕｔＣｒ及びＡｕの層を含
む。
米国特許第４１６４６０７号明細書には、ニッケル、ク
ロム及び金からなる合金層を含む薄膜抵抗器が開示され
でいる。
ロム及び金からなる合金層を含む薄膜抵抗器が開示され
でいる。
米国特許第３９５９０４７号明細書には、半導体集積回
路の製法が開示されている。この方法には、クロム、銅
及び金からなる複合金属皮膜を付着させる工程が含まれ
ている。
路の製法が開示されている。この方法には、クロム、銅
及び金からなる複合金属皮膜を付着させる工程が含まれ
ている。
ボド（Ｂｏｄｏ）等 “°蒸着チタンのポリエチレンに
対する接着力、イオン衝突前処理の影響（Δｄｈｅｓｉ
ｏｎ ｏｆ Ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ
ｔ。
対する接着力、イオン衝突前処理の影響（Δｄｈｅｓｉ
ｏｎ ｏｆ Ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ Ｔｉｔａｎｉｕｍ
ｔ。
Ｐｏ１ｙｅｔｈｙ、Ｉｅｎｅ： Ｅｆｆｅｃｔｓ ｏｆ
Ｉｏｎ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎ’にＰｒｅｔｒｅａｔ
ｍｅｎ’ｃ） Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃ ｉ、Ｔｅ
ｃｈｎｏ １．Ａ、Ｖｏ １．２、Ｎｏ、４．１９８４
年１０月〜１２月、１）Ｉ）、１４９８〜１５０２には
、皮膜形成前にＡｔ’をポリエチレンの表面に衝突させ
たときの、蒸着Ｔｉのポリエチレンへの接着力に対する
影響が開示されている。
Ｉｏｎ Ｂｏｍｂａｒｄｍｅｎ’にＰｒｅｔｒｅａｔ
ｍｅｎ’ｃ） Ｊ、 Ｖａｃ、 Ｓｃ ｉ、Ｔｅ
ｃｈｎｏ １．Ａ、Ｖｏ １．２、Ｎｏ、４．１９８４
年１０月〜１２月、１）Ｉ）、１４９８〜１５０２には
、皮膜形成前にＡｔ’をポリエチレンの表面に衝突させ
たときの、蒸着Ｔｉのポリエチレンへの接着力に対する
影響が開示されている。
接触抵抗を小さくシ、下層の有機層に対する接着力を強
くする従来のまたは既存のＰＬＭ構造はいずれも、湿式
予備クリーニング技術により実施することはできない。
くする従来のまたは既存のＰＬＭ構造はいずれも、湿式
予備クリーニング技術により実施することはできない。
その結果、湿式予備クリーニング技術によって実施でき
、小さな接触抵抗と最適の接着特性を示すＰＬＭ構造用
の技術が、依然として求められている。
、小さな接触抵抗と最適の接着特性を示すＰＬＭ構造用
の技術が、依然として求められている。
Ｃ０発明が解決し。ようとする問題点
本発明の目的は、ＰＬＭの金属に対する接触抵抗が小さ
く、ＰＬＭと基板との間の引張り強さが容認できる大き
さのＰＬＭ構造、及び湿式予備クリーニング技術を使用
してそのようなＰＬＭ構造を製造する方法を提供するこ
とにある。
く、ＰＬＭと基板との間の引張り強さが容認できる大き
さのＰＬＭ構造、及び湿式予備クリーニング技術を使用
してそのようなＰＬＭ構造を製造する方法を提供するこ
とにある。
Ｄ０問題点を解決するための手段
上記の目的は、本発明により、接触開口部を有する有機
絶縁層の上にクロム・チタン合金を形成させ、合金と有
機絶縁層との境界面におけるチタン含有量が合金総量の
少なくとも５０原子パーセントを占める、導電性構造を
設けることによって達成される。本発明の方法は、湿式
エツチング剤で露出した金属をクリーニングした後、有
機絶縁層の上にチタン・クロム合金のバリア層を、合金
と有機絶縁層の境界面におけるチタン含有量が合金総量
の少なくとも５０原子パーセントになるように付着させ
る工程を含む。
絶縁層の上にクロム・チタン合金を形成させ、合金と有
機絶縁層との境界面におけるチタン含有量が合金総量の
少なくとも５０原子パーセントを占める、導電性構造を
設けることによって達成される。本発明の方法は、湿式
エツチング剤で露出した金属をクリーニングした後、有
機絶縁層の上にチタン・クロム合金のバリア層を、合金
と有機絶縁層の境界面におけるチタン含有量が合金総量
の少なくとも５０原子パーセントになるように付着させ
る工程を含む。
Ｅ、実施例
第１図は、本発明による半導体チップのボンディング・
パッド構造体１を示す。この構造体１は、半導体チップ
の下層の回路を相互接続する金属の相互接続層２を含む
。金属相互接続層２の上に、有機絶縁体または誘電体コ
ーティング４がある。
パッド構造体１を示す。この構造体１は、半導体チップ
の下層の回路を相互接続する金属の相互接続層２を含む
。金属相互接続層２の上に、有機絶縁体または誘電体コ
ーティング４がある。
金属相互接続層２は、ＰＬＭ（パッド下地層）１０を介
して鉛／スズはんだボール８に接続されている。ＰＬＭ
ＩＯは、下層への境界面６を形成するバリア／接触層１
２、中間層１４、厚い中間層１６及び外層すなわちコー
ティング１８からなる。
して鉛／スズはんだボール８に接続されている。ＰＬＭ
ＩＯは、下層への境界面６を形成するバリア／接触層１
２、中間層１４、厚い中間層１６及び外層すなわちコー
ティング１８からなる。
バリア／接触層１２は、クロム・チタン合金から構成さ
れる。次に、ボンディング・パッド構造１の製作工程を
詳細に説明する。
れる。次に、ボンディング・パッド構造１の製作工程を
詳細に説明する。
半導体上に、通常の方法で金属の相互接続層２を形成さ
せる。この層は、半導体チップの下層回路用の相互接続
層として機能する。この金属の相互接続層は、たとえば
、アルミニウム、アルミニウムを主体とする合金（たと
えばＡＱ／Ｓ ｉ。
せる。この層は、半導体チップの下層回路用の相互接続
層として機能する。この金属の相互接続層は、たとえば
、アルミニウム、アルミニウムを主体とする合金（たと
えばＡＱ／Ｓ ｉ。
ＡＱ／Ｃｕ１ＡＱ、／Ｓ ｉ／Ｃｕ） 、耐火金属（た
とえば第１ＶＢ族ないし第ＶＩＢ族の金属）、耐火金属
のケイ化物、銀、銅、金及びそれらの金属間化合物等、
融点が約４００℃より高いどのような金属であってもよ
い。これらのうち、アルミニウムを主体とする合金が好
ましい。この金属層２の上に、有機絶縁体または誘電体
層４をコーティングする。有機層４は、市販のポリイミ
ド（たとえば、デュポン（Ｅ、１．ＤｕＰｏｎｔ ｄｅ
Ｎｅ園ｏｕｒｓ、 Ｉｎｃ、）のＰＩ２５５５、日立
化成のＰＩＱ等）、ポリシロキサン類、及びポリエチレ
ンで作成することができるが、ＰＩ２５５５が好ましい
。次に、通常の方法で、金属相互接続層２の表面が露出
するまで、有機層４に穴をあける。次に、金属相互接続
層２の露出部分を、適当な酸エツチング／クリーニング
溶液でクリーニングして、表面の不要な酸化物を除去す
る。詳細に説明すれば、金属相互接続層２を、濃リン酸
、二酸化クロム及び水の１：１：５０（ｍｕ：ｇ：ｍｕ
）混合液に、約７０℃の温度で浸漬することにより、表
面に残る酸化物の最大厚みが２０ないし４ＯＡになり、
金属相互接続層２が被覆する金属とオーム接触を行なう
ようにクリーニングする。次に、ボンディング・パッド
構造体１のＰＬＭＩＯの層を通常の蒸着、スパッタリン
グまたは化学蒸着等の真空付着技術により付着させる。
とえば第１ＶＢ族ないし第ＶＩＢ族の金属）、耐火金属
のケイ化物、銀、銅、金及びそれらの金属間化合物等、
融点が約４００℃より高いどのような金属であってもよ
い。これらのうち、アルミニウムを主体とする合金が好
ましい。この金属層２の上に、有機絶縁体または誘電体
層４をコーティングする。有機層４は、市販のポリイミ
ド（たとえば、デュポン（Ｅ、１．ＤｕＰｏｎｔ ｄｅ
Ｎｅ園ｏｕｒｓ、 Ｉｎｃ、）のＰＩ２５５５、日立
化成のＰＩＱ等）、ポリシロキサン類、及びポリエチレ
ンで作成することができるが、ＰＩ２５５５が好ましい
。次に、通常の方法で、金属相互接続層２の表面が露出
するまで、有機層４に穴をあける。次に、金属相互接続
層２の露出部分を、適当な酸エツチング／クリーニング
溶液でクリーニングして、表面の不要な酸化物を除去す
る。詳細に説明すれば、金属相互接続層２を、濃リン酸
、二酸化クロム及び水の１：１：５０（ｍｕ：ｇ：ｍｕ
）混合液に、約７０℃の温度で浸漬することにより、表
面に残る酸化物の最大厚みが２０ないし４ＯＡになり、
金属相互接続層２が被覆する金属とオーム接触を行なう
ようにクリーニングする。次に、ボンディング・パッド
構造体１のＰＬＭＩＯの層を通常の蒸着、スパッタリン
グまたは化学蒸着等の真空付着技術により付着させる。
これらの方法のうち、蒸着が好ましい。たとえば、バリ
ア層１２は、有機層４にクロムとチタンを共蒸着させて
形成させる。詳細に説明すれば、これはクロムとチタン
の原料をタングステンのボート（すなわち支持材料）に
載せ、ボートを抵抗加熱して蒸発させることにより行な
う。
ア層１２は、有機層４にクロムとチタンを共蒸着させて
形成させる。詳細に説明すれば、これはクロムとチタン
の原料をタングステンのボート（すなわち支持材料）に
載せ、ボートを抵抗加熱して蒸発させることにより行な
う。
このクロム・チタン合金層１２は、厚みが５００ないし
２０００人（１５００人が好ましい）となり、境界面６
における合金総量の少なくとも５０原子パーセントがチ
タンとなるように形成させる。
２０００人（１５００人が好ましい）となり、境界面６
における合金総量の少なくとも５０原子パーセントがチ
タンとなるように形成させる。
クロムの蒸気圧が比較的高いため、合金層の蒸発原料の
少なくとも８７原子パーセントがチタンを含むようにす
る。こうすると、合金層１２と有機絶縁層４との境界面
における合金総量の少なくとも５０原子パーセントがチ
タンとなる。クロム・チタン合金層１２の蒸着の後、ク
ロム・チタン合金層の次に比較的厚い銅の層を形成させ
る。この結果、約５０体積％のＣｒ−Ｔｉと約５０体積
％の銅からなる約１０００人の中間層１４がバリア層１
２の上に形成される。中間層１４の次に、厚みが約１０
，０００人の純粋な銅の層を形成させる。次に、銅の層
１６上に薄い金の層１８を約１５００人の厚みに蒸着さ
せる。別法として、銅の囮の次に金の脂１８を形成させ
、これにより銅の層１６と金の層１８との間に銅と金の
第２の中間層を形成させてもよい。次に、マスクを介し
て鉛とスズの原料を金の月１８上に蒸着させて、基本的
に円錐形の構造を形成させる。この円錐形の鉛／スズ構
造は通常チップを特定の基板に接続するには不適当であ
るため、円錐形構造を有するチップを通常水素雰囲気中
で約３６０℃のピーク温度でリフローさせて、鉛／スズ
円錐形構造をはんだボール・パッド構造８に変形させる
。次に、得られた構造を、水素または窒素あるいはその
両方を含む雰囲気で、約３６０°Ｃのピーク温度で「チ
ップ接合サイクル」 （下記に説明する）を施して、チ
ップを適当な基板に接続し、これにより外部接続を形成
させる。「チップ接合サイクル」とは、チップを炉また
は他の適当な加熱装置に入れ、チップをはんだボールが
溶融する温度に加熱した後、チップを冷却して接続を形
成させることにより、チップを所期の基板にはんだ付け
する熱サイクルである。チップ接合サイクル中に、構造
体１のＰＬＭｌｏは応力を受ける。詳細に述べると、チ
ップが加熱された後冷却されると、ＰＬＭのメタラジは
膨張した後収縮し、そのため、ＰＬＭと有機層の境界面
における応力が増大する。たとえば、製造中の欠陥やは
んだボール接続位置の狂いを矯正するために、チップに
何回もチップ接合サイクルを施すことが多い。
少なくとも８７原子パーセントがチタンを含むようにす
る。こうすると、合金層１２と有機絶縁層４との境界面
における合金総量の少なくとも５０原子パーセントがチ
タンとなる。クロム・チタン合金層１２の蒸着の後、ク
ロム・チタン合金層の次に比較的厚い銅の層を形成させ
る。この結果、約５０体積％のＣｒ−Ｔｉと約５０体積
％の銅からなる約１０００人の中間層１４がバリア層１
２の上に形成される。中間層１４の次に、厚みが約１０
，０００人の純粋な銅の層を形成させる。次に、銅の層
１６上に薄い金の層１８を約１５００人の厚みに蒸着さ
せる。別法として、銅の囮の次に金の脂１８を形成させ
、これにより銅の層１６と金の層１８との間に銅と金の
第２の中間層を形成させてもよい。次に、マスクを介し
て鉛とスズの原料を金の月１８上に蒸着させて、基本的
に円錐形の構造を形成させる。この円錐形の鉛／スズ構
造は通常チップを特定の基板に接続するには不適当であ
るため、円錐形構造を有するチップを通常水素雰囲気中
で約３６０℃のピーク温度でリフローさせて、鉛／スズ
円錐形構造をはんだボール・パッド構造８に変形させる
。次に、得られた構造を、水素または窒素あるいはその
両方を含む雰囲気で、約３６０°Ｃのピーク温度で「チ
ップ接合サイクル」 （下記に説明する）を施して、チ
ップを適当な基板に接続し、これにより外部接続を形成
させる。「チップ接合サイクル」とは、チップを炉また
は他の適当な加熱装置に入れ、チップをはんだボールが
溶融する温度に加熱した後、チップを冷却して接続を形
成させることにより、チップを所期の基板にはんだ付け
する熱サイクルである。チップ接合サイクル中に、構造
体１のＰＬＭｌｏは応力を受ける。詳細に述べると、チ
ップが加熱された後冷却されると、ＰＬＭのメタラジは
膨張した後収縮し、そのため、ＰＬＭと有機層の境界面
における応力が増大する。たとえば、製造中の欠陥やは
んだボール接続位置の狂いを矯正するために、チップに
何回もチップ接合サイクルを施すことが多い。
以上述べたように、本発明は、ボンディング・パッド構
造のＰＬＭ中にクロム・チタン合金のバリア層を使用し
て、合金バリア層１２と存機絶縁層４との境界面におけ
る合金総量の少なくとも５０原子パーセントがチタンと
なるようにすることを含む。得られた本発明の構造体１
は、接触抵抗が小さく、ＰＬＭｌｏ中に純粋なりロムの
バリア層を形成させた時に得られる引張り強さと類似し
た引張り強さを示す。しかし、クロムとは違って、Ｃｒ
−Ｔｉ合金バリ７層１２は、湿式予備クリーニングに対
して適合性がある。
造のＰＬＭ中にクロム・チタン合金のバリア層を使用し
て、合金バリア層１２と存機絶縁層４との境界面におけ
る合金総量の少なくとも５０原子パーセントがチタンと
なるようにすることを含む。得られた本発明の構造体１
は、接触抵抗が小さく、ＰＬＭｌｏ中に純粋なりロムの
バリア層を形成させた時に得られる引張り強さと類似し
た引張り強さを示す。しかし、クロムとは違って、Ｃｒ
−Ｔｉ合金バリ７層１２は、湿式予備クリーニングに対
して適合性がある。
第２図は、各種のバリア層組成を有するパッド構造の静
的引張り強さを示すグラフである。各直線の上限及び下
限は、それぞれバリア層組成が同じ５つのパッド構造の
最高及び最低の引張り強さを示す。各データ直線中の点
は、５つのパッド構造の平均引張り強さを示す。試験結
果は、パッド構造を６回のチップ接合サイクルにかけた
後に得たものである。データ直線Ａは、純粋なりロムの
バリア層を有するパッド構造の引張り強さの範囲を示す
。データ直線ＢないしＤは、種々の原子百分率のＣｒ−
Ｔｉバリア層を有するパッド構造（データ直線ＢはＴｉ
が４４原子％、データ直線ＣはＴｉが５８原子％、デー
タ直線りはＴｉが６８原子％）の引張り強さの範囲を示
す。最後に、データ直線Ｅは純粋なチタンのバリア層を
有するパッド構造の引張り強さの範囲を示す。純粋なり
ロムのバリア層は、付着及び高周波スパッタ・クリーニ
ングにより作成し、ＴＩ及びＣｒ−Ｔｉバリア層は、付
着及び湿式クリーニングにより作成したものである。一
般に、これらのデータは、バリア層のすべてが、信顆性
のあるデバイスを形成するのに必要な約２０００プサイ
より高い引張り強さを有することを示している。約２０
００プサイより低いと、ＰＬＭとチップ基板との間の接
着力が、ハンダ柱自体の凝集力より弱くなる。純粋なＣ
ｒバリア層の引張り強さは、範囲、平均値ともＣｒ−Ｔ
ｉ合金及び純粋なＴｉのいずれよりも、はるかに大きい
ことに注目されたい。さらに、Ｃｒ−Ｔｉ合金の最高引
張り強さは、範囲、平均値とも、チタンが合金の約６０
ないし約７０％の場合に得られることに注目されたい。
的引張り強さを示すグラフである。各直線の上限及び下
限は、それぞれバリア層組成が同じ５つのパッド構造の
最高及び最低の引張り強さを示す。各データ直線中の点
は、５つのパッド構造の平均引張り強さを示す。試験結
果は、パッド構造を６回のチップ接合サイクルにかけた
後に得たものである。データ直線Ａは、純粋なりロムの
バリア層を有するパッド構造の引張り強さの範囲を示す
。データ直線ＢないしＤは、種々の原子百分率のＣｒ−
Ｔｉバリア層を有するパッド構造（データ直線ＢはＴｉ
が４４原子％、データ直線ＣはＴｉが５８原子％、デー
タ直線りはＴｉが６８原子％）の引張り強さの範囲を示
す。最後に、データ直線Ｅは純粋なチタンのバリア層を
有するパッド構造の引張り強さの範囲を示す。純粋なり
ロムのバリア層は、付着及び高周波スパッタ・クリーニ
ングにより作成し、ＴＩ及びＣｒ−Ｔｉバリア層は、付
着及び湿式クリーニングにより作成したものである。一
般に、これらのデータは、バリア層のすべてが、信顆性
のあるデバイスを形成するのに必要な約２０００プサイ
より高い引張り強さを有することを示している。約２０
００プサイより低いと、ＰＬＭとチップ基板との間の接
着力が、ハンダ柱自体の凝集力より弱くなる。純粋なＣ
ｒバリア層の引張り強さは、範囲、平均値ともＣｒ−Ｔ
ｉ合金及び純粋なＴｉのいずれよりも、はるかに大きい
ことに注目されたい。さらに、Ｃｒ−Ｔｉ合金の最高引
張り強さは、範囲、平均値とも、チタンが合金の約６０
ないし約７０％の場合に得られることに注目されたい。
チタン含有量が約７０％を超えると、ｃｒ’ｒｔ合金の
引張り強さは純粋なＴｉの引張り強さまで低下する。
引張り強さは純粋なＴｉの引張り強さまで低下する。
第３図に、接触抵抗（バイア１個当たりｍΩ）の範囲と
、皮膜と基板との境界面におけるＴｉ−Ｃｒ合金中のチ
タンの原子百分率との関係を示すグラフを示す。第３図
に示すように、チタンの含有率が約５０％より低いとき
、リフロー後の接触抵抗はバイア１個当たり３００ｍΩ
を超える。−般に、最新技術の論理素子及び記憶素子に
十分な信号伝播速度を得るには、接触抵抗はバイア１個
当たり２５０ｍΩ以下でなければならない。この基準に
合致するのは、チタンの原子百分率が少なくとも５０％
（すなわち、原料中Ｔｉが約８７ないし約８８原子％、
残部がＣｒ）の場合である。
、皮膜と基板との境界面におけるＴｉ−Ｃｒ合金中のチ
タンの原子百分率との関係を示すグラフを示す。第３図
に示すように、チタンの含有率が約５０％より低いとき
、リフロー後の接触抵抗はバイア１個当たり３００ｍΩ
を超える。−般に、最新技術の論理素子及び記憶素子に
十分な信号伝播速度を得るには、接触抵抗はバイア１個
当たり２５０ｍΩ以下でなければならない。この基準に
合致するのは、チタンの原子百分率が少なくとも５０％
（すなわち、原料中Ｔｉが約８７ないし約８８原子％、
残部がＣｒ）の場合である。
一般に、接触抵抗を最低にし、引張り強さを最高にする
ことが望ましい。接触抵抗は、ビア１個当たり１００ｍ
Ω以下にすることが好ましい。第２図及び第３図を比較
すると明らかなように、接触抵抗と引張り強さのトレー
ドオフが最適となるのは、チタンが合金の約６０ないし
約７０原子％のときである。上述のように、合金バリア
層１２と下層の有機絶縁層４との境界面が少なくとも５
０％のチタンを含有するには、原料中に少なくとも約８
７原子％のチタンが必要である。
ことが望ましい。接触抵抗は、ビア１個当たり１００ｍ
Ω以下にすることが好ましい。第２図及び第３図を比較
すると明らかなように、接触抵抗と引張り強さのトレー
ドオフが最適となるのは、チタンが合金の約６０ないし
約７０原子％のときである。上述のように、合金バリア
層１２と下層の有機絶縁層４との境界面が少なくとも５
０％のチタンを含有するには、原料中に少なくとも約８
７原子％のチタンが必要である。
Ｆ０発明の効果
上述のように本発明によれば、接触抵抗が小さく、接着
能力が大きいパッド下地層を提供できる。
能力が大きいパッド下地層を提供できる。
第１図は、本発明による半導体構造の断面図、第２図は
、各種のバリア層組成を有するＰＬＭの静的引張り強さ
（６回のチップ接続サイクル後）を示すグラフ、第３図
は、接触抵抗とバリア層中のＴｉの原子百分率の関係を
示すグラフである。 １・・・・ボンディング・パッド構造、２・・・・金属
相互接続層、４・・・・有機コーティング、８・・・・
はんだボール、１０・・・・パッド制限メタラジ（ＰＬ
Ｍ）あるいはパッド下地層、１２・・・・バリア／接触
層、１４・・・・中間層、１６・・・・銅層、１８・・
・・金属層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 山 本 仁 朗（外１名）
、各種のバリア層組成を有するＰＬＭの静的引張り強さ
（６回のチップ接続サイクル後）を示すグラフ、第３図
は、接触抵抗とバリア層中のＴｉの原子百分率の関係を
示すグラフである。 １・・・・ボンディング・パッド構造、２・・・・金属
相互接続層、４・・・・有機コーティング、８・・・・
はんだボール、１０・・・・パッド制限メタラジ（ＰＬ
Ｍ）あるいはパッド下地層、１２・・・・バリア／接触
層、１４・・・・中間層、１６・・・・銅層、１８・・
・・金属層。 出願人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ
・コーポレーション 代理人 弁理士 山 本 仁 朗（外１名）
Claims (2)
- （１）基体上に配置された有機物絶縁層から露出する導
電体層の一部に接触するためのボンディング・パッド用
合金層であって、下部表面層が少なくとも５０原子％の
チタンであるようなチタンとクロムの合金であることを
特徴とするボンディング・パッド用合金層。 - （２）基体上に被覆された有機物絶縁層から露出する導
電体層の一部への電気的接触を確立するためのボンディ
ング・パッド構造体であって、バリア層及びこのバリア
層の上の少なくとも１つの金属層を有し、前記バリア層
は下部表面が少なくとも５０原子％のチタンを含むチタ
ン及びクロムの合金でありかつ前記有機物絶縁層及び前
記導電体層に接触していることを特徴とするボンディン
グ・パッド構造体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/181,882 US4840302A (en) | 1988-04-15 | 1988-04-15 | Chromium-titanium alloy |
| US181882 | 1988-04-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0212829A true JPH0212829A (ja) | 1990-01-17 |
| JPH0642485B2 JPH0642485B2 (ja) | 1994-06-01 |
Family
ID=22666205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1043408A Expired - Lifetime JPH0642485B2 (ja) | 1988-04-15 | 1989-02-27 | ボンデイング・パツド用合金層及びボンデイング・パツド構造体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4840302A (ja) |
| EP (1) | EP0337064A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0642485B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191493B1 (en) | 1993-02-18 | 2001-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Resin seal semiconductor package and manufacturing method of the same |
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1988
- 1988-04-15 US US07/181,882 patent/US4840302A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-09 EP EP89102181A patent/EP0337064A3/en not_active Ceased
- 1989-02-27 JP JP1043408A patent/JPH0642485B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US4840302A (en) | 1989-06-20 |
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| EP0337064A3 (en) | 1990-05-30 |
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