JPS628647U - - Google Patents

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JPS628647U
JPS628647U JP10061885U JP10061885U JPS628647U JP S628647 U JPS628647 U JP S628647U JP 10061885 U JP10061885 U JP 10061885U JP 10061885 U JP10061885 U JP 10061885U JP S628647 U JPS628647 U JP S628647U
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JP
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semiconductor device
resistance layer
insulating film
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polycrystalline
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JP10061885U
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【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の半導体装置の第1実施例を
示す断面図、第2図はこの考案の半導体装置の第
2実施例を示す平面図、第3図はこの考案の半導
体装置の第2実施例の等価回路を示す回路図、第
4図は第2図の―線断面図、第5図は第2図
の―線断面図である。 2…半導体基板としてのシリコン基板、8,3
6…能動素子としてのトランジスタ、18,38
,40…容量素子としてのコンデンサ、20,4
2,44…抵抗、22,24…多結晶抵抗層とし
てのポリシリコン層。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 任意の能動素子または受動素子を形成した
    半導体基板の上面に、絶縁皮膜を介して設置した
    多結晶抵抗層を誘電体に用いた容量素子を設置し
    たことを特徴とする半導体装置。 (2) 前記容量素子は、前記多結晶抵抗層の上面
    に一方の電極を設置するとともに、絶縁皮膜を設
    置し、この絶縁皮膜の上面に他方の電極を設置し
    たことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項に記載の半導体装置。 (3) 前記多結晶抵抗層を用いて抵抗素子を構成
    したことを特徴とする実用新案登録請求の範囲第
    1項に記載の半導体装置。 (4) 前記多結晶抵抗層は、ポリシリコン層であ
    ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第1
    項または第3項に記載の半導体装置。
JP10061885U 1985-07-02 1985-07-02 Pending JPS628647U (ja)

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JP10061885U JPS628647U (ja) 1985-07-02 1985-07-02

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JPS628647U true JPS628647U (ja) 1987-01-19

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