JPS6286724A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPS6286724A JPS6286724A JP60227200A JP22720085A JPS6286724A JP S6286724 A JPS6286724 A JP S6286724A JP 60227200 A JP60227200 A JP 60227200A JP 22720085 A JP22720085 A JP 22720085A JP S6286724 A JPS6286724 A JP S6286724A
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- JP
- Japan
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- reticle
- light
- vacuum chamber
- reduction projection
- wafer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
-
- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
この発明は半導体製造装置に関し、特に、縮小投影露光
装置に関する。
装置に関する。
［従来の技術］
第２図は従来の縮小投影露光装置の構成を示す図である
。第２図において、従来の縮小投影露光装置は、光源１
と、レティクル用Ｘ−Ｙステージ３と、縮小投影レンズ
４と、ウェハ用Ｘ−Ｙステージ６と、レティクル用Ｏ−
ダ７と異物検査ｌ１１８とが設けられる。
。第２図において、従来の縮小投影露光装置は、光源１
と、レティクル用Ｘ−Ｙステージ３と、縮小投影レンズ
４と、ウェハ用Ｘ−Ｙステージ６と、レティクル用Ｏ−
ダ７と異物検査ｌ１１８とが設けられる。
光源１は、たとえば紫外線を発生するものであり、−例
として超高圧水銀ランプが用いられる。
として超高圧水銀ランプが用いられる。
レティクル用Ｘ−Ｙステージ３は、レティクル（マスク
）２を支持するとともに、レティクル２の位置合わせを
行なうためのものである。レティクル２には、拡大され
たパターンが予め形成される。縮小投影レンズ４は、レ
ティクル２のバターンを縮小して、ウェハ５上に投影す
るものである。
）２を支持するとともに、レティクル２の位置合わせを
行なうためのものである。レティクル２には、拡大され
たパターンが予め形成される。縮小投影レンズ４は、レ
ティクル２のバターンを縮小して、ウェハ５上に投影す
るものである。
ウェハ用Ｘ−Ｙステージ６は、ウェハ５を支持するとと
もに、露光ごとにウェハを一定距離だけ移動させるもの
である。レティクル用ローダ７は、レディクル２をレテ
ィクル用Ｘ−Ｙステージ３に載置するためのものである
。異物検査！！１８はレティクル２に異物が付着してい
るか否かを検査するものである。
もに、露光ごとにウェハを一定距離だけ移動させるもの
である。レティクル用ローダ７は、レディクル２をレテ
ィクル用Ｘ−Ｙステージ３に載置するためのものである
。異物検査！！１８はレティクル２に異物が付着してい
るか否かを検査するものである。
次に、従来の縮小投影露光装置の動作について説明する
。レディクル２は、図示しないレティクル受口にセット
されると、まず異物検査１１８によって、異物が付着し
ていないかどうかが検査される。異物の付着の有無が検
査された後、レティクル２はレティクル用ローダ７によ
って、レティクル用Ｘ−Ｙステージ３上にセットされる
。次に、レティクル用Ｘ−Ｙステージ３を移動させて、
レティクル２とウェハ５との位置合わせを行なう。
。レディクル２は、図示しないレティクル受口にセット
されると、まず異物検査１１８によって、異物が付着し
ていないかどうかが検査される。異物の付着の有無が検
査された後、レティクル２はレティクル用ローダ７によ
って、レティクル用Ｘ−Ｙステージ３上にセットされる
。次に、レティクル用Ｘ−Ｙステージ３を移動させて、
レティクル２とウェハ５との位置合わせを行なう。
次に、超高圧水眼ランプ１により、レディクル用Ｘ−Ｙ
ステージ３上のレティクル２に光が照射される。レティ
クル２を通過した光は縮小投影レンズ４の一端に導かれ
、縮小投影レンズ４によりパターンが一定の縮小率で縮
小される。縮小投影レンズ４の他端からの光はウェハ用
Ｘ−Ｙステージ６上にセットされたウェハ５に到達する
。
ステージ３上のレティクル２に光が照射される。レティ
クル２を通過した光は縮小投影レンズ４の一端に導かれ
、縮小投影レンズ４によりパターンが一定の縮小率で縮
小される。縮小投影レンズ４の他端からの光はウェハ用
Ｘ−Ｙステージ６上にセットされたウェハ５に到達する
。
このようにして、ウェハ５上には縮小されたパターンが
投影され転写される。同一のレティクル２を用い、ウェ
ハ５を移動させながら露光を繰返すことにより、ウェハ
５上には多数の同一パターンが形成される。
投影され転写される。同一のレティクル２を用い、ウェ
ハ５を移動させながら露光を繰返すことにより、ウェハ
５上には多数の同一パターンが形成される。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の縮小投影露光装置は、以上のように構成されてい
るので、異物検査１ｌＩ８により異物の付着の有無が検
査された後、レティクル用ローダ７によりレティクル用
Ｘ−Ｙステージ３上にセットされる間やレティクル用Ｘ
−Ｙステージ３上に置かれている間に、装置内部で発生
した異物がレティクル２上に新たに付着する可能性があ
る。
るので、異物検査１ｌＩ８により異物の付着の有無が検
査された後、レティクル用ローダ７によりレティクル用
Ｘ−Ｙステージ３上にセットされる間やレティクル用Ｘ
−Ｙステージ３上に置かれている間に、装置内部で発生
した異物がレティクル２上に新たに付着する可能性があ
る。
このような異物により、欠陥のあるパターンがウェハ上
に形成さ机る。
に形成さ机る。
このため、従来は、予備的な露光を行なって、異物の付
着の有無を検査するようにしているので、スループット
（処１１ｆｔりの低下を招いている。
着の有無を検査するようにしているので、スループット
（処１１ｆｔりの低下を招いている。
それゆえに、この発明は上述のような問題点を解消する
ためになされたもので、縮小投影露光装置内部でのレテ
ィクルへの異物の付着を減少させることを目的とする。
ためになされたもので、縮小投影露光装置内部でのレテ
ィクルへの異物の付着を減少させることを目的とする。
Ｅ問題点を解決するための手段］
この発明にかかる半導体製造装置は、少なくとも、レテ
ィクルの位１合わせをするためのレティクル支持台と、
レティクル支持台上にレティクルを載置するための載置
手段と、レティクルに異物が付着しているか否かを検査
する検査手段と、ウェハ上に縮小投影を行なうための縮
小投影光学系とを容器内に設け、該容器内の空気を排気
手段により排気するようにしたものである。
ィクルの位１合わせをするためのレティクル支持台と、
レティクル支持台上にレティクルを載置するための載置
手段と、レティクルに異物が付着しているか否かを検査
する検査手段と、ウェハ上に縮小投影を行なうための縮
小投影光学系とを容器内に設け、該容器内の空気を排気
手段により排気するようにしたものである。
［作用］
この発明における容器は、排気手段により排気されるの
で、容器内の異物が減少するため、容器内に設置される
レティクルへの異物の付着は減少する。
で、容器内の異物が減少するため、容器内に設置される
レティクルへの異物の付着は減少する。
［実施例］
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図はこの発明の一実施例の半導体製造装置の構成を
示す図である。第１図に示す半導体製造！Ａ置は、第２
図に示す従来の装置と下記の点を除いて同一の１成であ
るので、同一部分には同一の参照符号を付して説明を省
略する。
示す図である。第１図に示す半導体製造！Ａ置は、第２
図に示す従来の装置と下記の点を除いて同一の１成であ
るので、同一部分には同一の参照符号を付して説明を省
略する。
９ど真空チャンバ９内の空気を排気するための真空ポン
プ１０どが設けられる。真空チャンバ９には、たとえば
石英ガラスからなる露光窓１１．１２が設けられる。露
光窓１１．１２は、光を通過する窓である。光源１から
の光は露光窓１１を介し１、レディクル２上に与えられ
、縮小投影レンズ４からの光はｎ光窓１２を介して、ウ
ェハ５上に与えられる。
プ１０どが設けられる。真空チャンバ９には、たとえば
石英ガラスからなる露光窓１１．１２が設けられる。露
光窓１１．１２は、光を通過する窓である。光源１から
の光は露光窓１１を介し１、レディクル２上に与えられ
、縮小投影レンズ４からの光はｎ光窓１２を介して、ウ
ェハ５上に与えられる。
上述のようにａ成された半導体製造装置において、真空
チャンバ９内の空気を真空ポンプ１０で排気することに
より、真空チトンバ内の異物は気体どどもに外部に排出
される。
チャンバ９内の空気を真空ポンプ１０で排気することに
より、真空チトンバ内の異物は気体どどもに外部に排出
される。
なお、上述の半導体製造装置において、レティクル２を
水平方向にセットしてもよいが、レティクル用Ｘ−Ｙス
テージ３を縦型にし、レティクル２を垂直に立Ｃたまま
セットできるようにしてもよい。このようにした場合に
は、レティクル２への異物の付着がさらに減少する。
水平方向にセットしてもよいが、レティクル用Ｘ−Ｙス
テージ３を縦型にし、レティクル２を垂直に立Ｃたまま
セットできるようにしてもよい。このようにした場合に
は、レティクル２への異物の付着がさらに減少する。
［発明の効果コ
以上のように、この発明によれば、少なくとも、レティ
クルの位置合わせをするためのレティクル支持台と、レ
ティクル支持台上にレティクルを載置するための載置手
段と、レティクルに異物が付着しているか否かを検査す
る検査手段と、ウェハ上に縮小投影を行なうための縮小
投影光学系とを容器内に設け、該容器の空気を排気手段
により排気するようにしたので、該容器内の異物が減少
するため、半導体製造ａｍ内部でのレティクルへの異物
の付着は減少する。
クルの位置合わせをするためのレティクル支持台と、レ
ティクル支持台上にレティクルを載置するための載置手
段と、レティクルに異物が付着しているか否かを検査す
る検査手段と、ウェハ上に縮小投影を行なうための縮小
投影光学系とを容器内に設け、該容器の空気を排気手段
により排気するようにしたので、該容器内の異物が減少
するため、半導体製造ａｍ内部でのレティクルへの異物
の付着は減少する。
第１図はこの発明の一実施例の半導体製３！！装置の構
成を示す図である。第２図は従来の縮小投影露光装置の
構成を示す図である。 図において、１は光源、２はレティクル、３はレティク
ル用ｘ−Ｙステージ、４は縮小投影レンズ、５はウェハ
、６はウェハ用Ｘ−Ｙスデージ、７はレティクル用ロー
ダ、８は異物検査機、９は真空チｔ／ンバ、１０は真空
ポンプ、１１および１２は露光窓を示す。 なａ３、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
成を示す図である。第２図は従来の縮小投影露光装置の
構成を示す図である。 図において、１は光源、２はレティクル、３はレティク
ル用ｘ−Ｙステージ、４は縮小投影レンズ、５はウェハ
、６はウェハ用Ｘ−Ｙスデージ、７はレティクル用ロー
ダ、８は異物検査機、９は真空チｔ／ンバ、１０は真空
ポンプ、１１および１２は露光窓を示す。 なａ３、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 予め拡大されたパターンを有するレティクルに光源から
の光を照射し、前記レティクルを介して得られるパター
ンを縮小して、ウェハ上に投影するような縮小投影露光
を行なう半導体製造装置において、 容器および前記容器内の空気を排気する排気手段を備え
、 前記容器には、少なくとも、 前記光源からの光が照射される領域に設けられ、かつ移
動自在であって、前記レティクルの位置合わせをするた
めのレティクル支持台と、前記レティクル支持台上に前
記レティクルを載置するための載置手段と、 前記レティクルに異物が付着しているか否かを検査する
検査手段と、 前記ウェハ上に縮小投影を行なうための縮小投影光学系
とが設けられていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227200A JPS6286724A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227200A JPS6286724A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286724A true JPS6286724A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16857061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227200A Pending JPS6286724A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286724A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222609B1 (en) | 1996-11-12 | 2001-04-24 | Nec Corporation | Reduction projection aligner free from reaction product tarnishing photo-mask and method for transferring pattern image through the photo-mask |
| US8610613B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-12-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| CN110658682A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 气浴腔结构、气浴装置及光刻设备 |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60227200A patent/JPS6286724A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6222609B1 (en) | 1996-11-12 | 2001-04-24 | Nec Corporation | Reduction projection aligner free from reaction product tarnishing photo-mask and method for transferring pattern image through the photo-mask |
| US8610613B2 (en) | 2011-02-18 | 2013-12-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| US8994569B2 (en) | 2011-02-18 | 2015-03-31 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| US9300313B2 (en) | 2011-02-18 | 2016-03-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device |
| CN110658682A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 气浴腔结构、气浴装置及光刻设备 |
| CN110658682B (zh) * | 2018-06-28 | 2021-04-02 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 气浴腔结构、气浴装置及光刻设备 |
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