JPS6286735A - チツプマウント方法 - Google Patents
チツプマウント方法Info
- Publication number
- JPS6286735A JPS6286735A JP60226260A JP22626085A JPS6286735A JP S6286735 A JPS6286735 A JP S6286735A JP 60226260 A JP60226260 A JP 60226260A JP 22626085 A JP22626085 A JP 22626085A JP S6286735 A JPS6286735 A JP S6286735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pedestal
- silicon
- bonded
- penetrating hole
- diaphragm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンダイアフラム型圧力センサのチップマ
ウント方法に関し、特に差圧あるいはダージ圧を測定対
象とするシリコンダイアフラム型圧力センサのチップマ
ウント方法に関する。
ウント方法に関し、特に差圧あるいはダージ圧を測定対
象とするシリコンダイアフラム型圧力センサのチップマ
ウント方法に関する。
近年半導体技術を背景にしてシリコンダイアフラム型圧
力センサが脚光を浴びるようになってきた。このセンサ
はシリコンを単に電気要素の母材としてのみならず剛性
の高い機械要素としても用いている点に特徴がある。
力センサが脚光を浴びるようになってきた。このセンサ
はシリコンを単に電気要素の母材としてのみならず剛性
の高い機械要素としても用いている点に特徴がある。
シリコンダイアプラム型圧力センサはシリコンウェーハ
内に多数配列された単位セルの第一の主面の一部に異方
性エツチング、機械加工等により凹みをつけて、第二の
主面には感圧素子となるゲージ抵抗等の電子回路を集積
化し、しかる後に単位セル毎に分割して、この単位セル
をダイとすることによって製造される。このダイは前記
圧力センサのパッケージとなる構造体に接着され、所望
の電気配線を施こすことＫよシ圧カセンサが実現かれる
。ダイの接着に際しては、前記構造体とダイの材料であ
るシリコンとの熱膨張係数の差に起因する熱歪効果を防
ぐために、前記構造体とダイとの中間に台座を介在させ
ることが知られている。台座としては例えばシリコンウ
ェーノ・と熱膨張係数が近似したＩ？イレックスガラス
が利用される。差圧用あるいはゲージ圧用のシリコンダ
イアフラム型圧力センサの場合、このガラスにはシリコ
ンダイアフラム部に相対する位置に貫通孔が形成されて
おシこのガラスとダイとの接着は静電接着によりなされ
る。静電接着は、ガラスとシリコンとを密着させ、高温
高電界の雰囲気で結合させる技術で、ダイ分離以前の工
程中でウェーハ単位で接着できるためコスト低減に特に
有効である。
内に多数配列された単位セルの第一の主面の一部に異方
性エツチング、機械加工等により凹みをつけて、第二の
主面には感圧素子となるゲージ抵抗等の電子回路を集積
化し、しかる後に単位セル毎に分割して、この単位セル
をダイとすることによって製造される。このダイは前記
圧力センサのパッケージとなる構造体に接着され、所望
の電気配線を施こすことＫよシ圧カセンサが実現かれる
。ダイの接着に際しては、前記構造体とダイの材料であ
るシリコンとの熱膨張係数の差に起因する熱歪効果を防
ぐために、前記構造体とダイとの中間に台座を介在させ
ることが知られている。台座としては例えばシリコンウ
ェーノ・と熱膨張係数が近似したＩ？イレックスガラス
が利用される。差圧用あるいはゲージ圧用のシリコンダ
イアフラム型圧力センサの場合、このガラスにはシリコ
ンダイアフラム部に相対する位置に貫通孔が形成されて
おシこのガラスとダイとの接着は静電接着によりなされ
る。静電接着は、ガラスとシリコンとを密着させ、高温
高電界の雰囲気で結合させる技術で、ダイ分離以前の工
程中でウェーハ単位で接着できるためコスト低減に特に
有効である。
前記構造体には、前記ガラスの貫通孔に相対峙する位置
に貫通孔を有しておシ、前記構造体と前記ガラスとの接
着はエポキシ系接着剤を前記ガラスの全面にスクリーン
印刷法等によシ塗布することによりなされていた。
に貫通孔を有しておシ、前記構造体と前記ガラスとの接
着はエポキシ系接着剤を前記ガラスの全面にスクリーン
印刷法等によシ塗布することによりなされていた。
以下図面を用いて従来技術を説明する。
第２図は、従来技術の方法によりチッグマウントされた
シリコンダイアフラム型圧力センサの構造を示す断面図
である。第２図においてシリコンチップ１１は第一の主
面（台座と対峙する面）の一部を凹ませてダイアフラム
１２を形成し第２の主面に電子回路が集積化されている
。台座１３はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいパイレ
ックスガラスからなり、ダイアフラム１２に対峙する位
置に貫通孔１４が形成されておシ、台座１３とシリコン
チップ１１とはＷｌｉｉＹ接着によって接着されている
。この台座１３の全面にスクリーン印刷法によりエポキ
シ系銀ペースト１５を印刷し、構造体１７に形成された
貫通孔１６に、台座１３に形成された貫通孔１４を相対
峙するように位置合せをして構造体１７に台座１３が接
着されている。
シリコンダイアフラム型圧力センサの構造を示す断面図
である。第２図においてシリコンチップ１１は第一の主
面（台座と対峙する面）の一部を凹ませてダイアフラム
１２を形成し第２の主面に電子回路が集積化されている
。台座１３はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいパイレ
ックスガラスからなり、ダイアフラム１２に対峙する位
置に貫通孔１４が形成されておシ、台座１３とシリコン
チップ１１とはＷｌｉｉＹ接着によって接着されている
。この台座１３の全面にスクリーン印刷法によりエポキ
シ系銀ペースト１５を印刷し、構造体１７に形成された
貫通孔１６に、台座１３に形成された貫通孔１４を相対
峙するように位置合せをして構造体１７に台座１３が接
着されている。
てら忙、シリコンチップ１工とステム１８との間にワイ
アビンディング２０を施し、構造体１７をキャップ１９
にて封止することによシ完成される。
アビンディング２０を施し、構造体１７をキャップ１９
にて封止することによシ完成される。
このようにして得られたシリコンダイアフラム型圧力セ
ンサにおいては、台座１３の全面が構造体１７と、接着
しているため構造体１７の熱膨張が直接的に台座１３に
伝わシ、シリコンチップ１１に対する構造体１７の熱膨
張の影響を完全に遮断できず、温度の変化によってシリ
コンチップ１１のダイアフラム１２に歪を生じ、オフセ
ットが温度によって変化する原因となっている。
ンサにおいては、台座１３の全面が構造体１７と、接着
しているため構造体１７の熱膨張が直接的に台座１３に
伝わシ、シリコンチップ１１に対する構造体１７の熱膨
張の影響を完全に遮断できず、温度の変化によってシリ
コンチップ１１のダイアフラム１２に歪を生じ、オフセ
ットが温度によって変化する原因となっている。
本発明の目的は上記問題点を解消してオフセットの温度
依存性の少ないシリコンダイアフラム型圧力センサを提
供することにある。
依存性の少ないシリコンダイアフラム型圧力センサを提
供することにある。
本発明は貫通孔を有する台座を下面に接着したシリコン
チップを、貫通孔を有する構造体にマウントする方法に
おいて、台座に形成された貫通孔の周辺部のみに接着剤
を塗布して両者を接着することを特徴とするチッグマウ
ント方法である。
チップを、貫通孔を有する構造体にマウントする方法に
おいて、台座に形成された貫通孔の周辺部のみに接着剤
を塗布して両者を接着することを特徴とするチッグマウ
ント方法である。
本発明によれば、台座と構造体との接着部分は台座に形
成された貫通孔の周辺部分のみとなっているため接触面
積が小さく、構造体の熱膨張の影響が台座に伝わシにく
くなり、従って、温度の変化によるオフセットの変化が
低減する。
成された貫通孔の周辺部分のみとなっているため接触面
積が小さく、構造体の熱膨張の影響が台座に伝わシにく
くなり、従って、温度の変化によるオフセットの変化が
低減する。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の方法によシチッグマウントされたシ
リコンダイアフラム型圧カーセンサの構造を示す断面図
である。第１図において、シリコンチップ１の第１の主
面（台座と対峙する面）には一部を凹ませてダイアフラ
ム２が形成され、第２の主面に電子回路が集積化されて
いる。台座３はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいパイ
レックスガラスからなシ、ダイアフラム２に対峙する位
置に貫通孔４が形成されており、台座３とシリコンチッ
プ１とは静電接着によって接着されている。台座３と構
造体７との接着はまずスクリーン印刷法等により台座３
に形成された貫通孔４の周辺部のみ一定の幅で円形にエ
ポキシ系銀ペースト５を塗布し、構造体７に形成された
貫通孔６に貫通孔４が対峙するよう位置合せをして構造
体７上に台座３を接着する。さらにシリコンチップ１と
ステム８との間にワイアビンディング１０を施し構造体
７をキャップ９にて封止して圧力センサを完成する。
リコンダイアフラム型圧カーセンサの構造を示す断面図
である。第１図において、シリコンチップ１の第１の主
面（台座と対峙する面）には一部を凹ませてダイアフラ
ム２が形成され、第２の主面に電子回路が集積化されて
いる。台座３はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいパイ
レックスガラスからなシ、ダイアフラム２に対峙する位
置に貫通孔４が形成されており、台座３とシリコンチッ
プ１とは静電接着によって接着されている。台座３と構
造体７との接着はまずスクリーン印刷法等により台座３
に形成された貫通孔４の周辺部のみ一定の幅で円形にエ
ポキシ系銀ペースト５を塗布し、構造体７に形成された
貫通孔６に貫通孔４が対峙するよう位置合せをして構造
体７上に台座３を接着する。さらにシリコンチップ１と
ステム８との間にワイアビンディング１０を施し構造体
７をキャップ９にて封止して圧力センサを完成する。
本発明の方法によれば、台座３と構造体７との接着部分
が台座３に形成された貫通孔４の周辺部分のみとなるた
め、接触面積が小さくなり、構造体７の熱膨張の影響が
台座３に伝勺にくくなシ従りてシリコンチップ１に形成
されたダイアフラム２に及ぼす。構造体７の熱膨張の影
響を低減できる。
が台座３に形成された貫通孔４の周辺部分のみとなるた
め、接触面積が小さくなり、構造体７の熱膨張の影響が
台座３に伝勺にくくなシ従りてシリコンチップ１に形成
されたダイアフラム２に及ぼす。構造体７の熱膨張の影
響を低減できる。
以上説明したように本発明の方法によればオフセットの
温度依存性の少ないシリコンダイアフラム型圧力センサ
を得ることができる効果を有するものである。
温度依存性の少ないシリコンダイアフラム型圧力センサ
を得ることができる効果を有するものである。
第１図は本発明の実施例を示すシリコンダイアフラム型
圧力センサの断面図、第２図は従来の方法によシチップ
マウントされたシリコンダイアフラム型圧力センサの断
面図である。 １・・・シリコンチップ、２・・・ダイアフラム、３・
・・台座、４，６・・・貫通孔、５・・・エポキシ系銀
ペースト、７・・・構造体、８・・・ステム、９・・・
キャップ、１０・・・ゼンディングワイヤ。 第１図 第２図
圧力センサの断面図、第２図は従来の方法によシチップ
マウントされたシリコンダイアフラム型圧力センサの断
面図である。 １・・・シリコンチップ、２・・・ダイアフラム、３・
・・台座、４，６・・・貫通孔、５・・・エポキシ系銀
ペースト、７・・・構造体、８・・・ステム、９・・・
キャップ、１０・・・ゼンディングワイヤ。 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）貫通孔を有する台座を下面に接着したシリコンチ
ップを、貫通孔を有する構造体にマウントする方法にお
いて、台座に形成された貫通孔の周辺部のみに接着剤を
塗布して両者を接着することを特徴とするチップマウン
ト方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226260A JPS6286735A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | チツプマウント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226260A JPS6286735A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | チツプマウント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286735A true JPS6286735A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16842410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226260A Pending JPS6286735A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | チツプマウント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286735A (ja) |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60226260A patent/JPS6286735A/ja active Pending
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