JPS6286734A - チツプマウント方法 - Google Patents
チツプマウント方法Info
- Publication number
- JPS6286734A JPS6286734A JP60226259A JP22625985A JPS6286734A JP S6286734 A JPS6286734 A JP S6286734A JP 60226259 A JP60226259 A JP 60226259A JP 22625985 A JP22625985 A JP 22625985A JP S6286734 A JPS6286734 A JP S6286734A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pedestal
- bonded
- silicon
- diaphragm
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0042—Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコンダイアフラム型圧力センサのチップマ
ウント方法に関し、特に絶対圧を測定対象とするシリコ
ンダイアフラム型圧力センサのチップマウント方法に関
する。
ウント方法に関し、特に絶対圧を測定対象とするシリコ
ンダイアフラム型圧力センサのチップマウント方法に関
する。
近年半導体技術を背景にしてシリコンダイアフラム型圧
力センナが脚光を浴びるようになってきた。このセンサ
はシリコンを単に電気要素の母材としてのみならず、剛
性の高い機械要素としても用いている点に特徴がある。
力センナが脚光を浴びるようになってきた。このセンサ
はシリコンを単に電気要素の母材としてのみならず、剛
性の高い機械要素としても用いている点に特徴がある。
シリコンダイアフラム型圧力センサはシリコンウェーハ
内に多数配列された単位セルの第一の主面の一部に異方
性エツチング、機械加工等によシ凹みをつけて第二の主
面には感圧素子となるｒ−ジ抵抗１等の電子回路を集積
化し、しかる後に単位セル毎に分割して、この単位セル
をグイとすることによって製造される。このダイは前記
圧力センサのパッケージとなる構造体に接着され、所望
の電気配線を施こすことにより前記圧力センサが実現さ
れる。ダイの接着に際しては、前記構造体とダイの材料
であるシリコンとの熱膨張係数の差に起因する熱歪効果
を防ぐために、前記構造体とグイとの中間に台座を介在
させることが知られている。台座としては例えばシリコ
ンウェーノ・と熱膨張係数が近似したパイレックスガラ
スが利用される。
内に多数配列された単位セルの第一の主面の一部に異方
性エツチング、機械加工等によシ凹みをつけて第二の主
面には感圧素子となるｒ−ジ抵抗１等の電子回路を集積
化し、しかる後に単位セル毎に分割して、この単位セル
をグイとすることによって製造される。このダイは前記
圧力センサのパッケージとなる構造体に接着され、所望
の電気配線を施こすことにより前記圧力センサが実現さ
れる。ダイの接着に際しては、前記構造体とダイの材料
であるシリコンとの熱膨張係数の差に起因する熱歪効果
を防ぐために、前記構造体とグイとの中間に台座を介在
させることが知られている。台座としては例えばシリコ
ンウェーノ・と熱膨張係数が近似したパイレックスガラ
スが利用される。
絶対圧用のシリコンダイアフラム型圧力センサの場合、
このガラスとグイとの接着は真空中において静電接着す
ることによってなされ、シリコンダイアスラム部に真窒
圧が封入される。
このガラスとグイとの接着は真空中において静電接着す
ることによってなされ、シリコンダイアスラム部に真窒
圧が封入される。
静電接着は、ガラスとシリコンと全密着させ高温高電界
の雰囲気で結合させる技術で、メイ分離以前の工程中で
、ウェーハ単位で接着できるためコスト低減に特に有効
である。
の雰囲気で結合させる技術で、メイ分離以前の工程中で
、ウェーハ単位で接着できるためコスト低減に特に有効
である。
前記構造体と前記ガラスとの接着は前記ガラスの全面に
スクリーン印刷法等によジェポキシ系接着剤を塗布する
ことによシなされていた。
スクリーン印刷法等によジェポキシ系接着剤を塗布する
ことによシなされていた。
以下図面を用いて従来技術全説明する。
第２図は、従来法によシチップマウントされたシリコン
ダイアフラム型圧力センサの構造を示す断面図でおる。
ダイアフラム型圧力センサの構造を示す断面図でおる。
第２図においてシリコンチップ１１は第一の主面（台座
と対峙する面）の一部を凹ませダイアフラム１２ヲ形成
し第２の主面に電子回路が集積化されている。台座１３
はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しい・母イレックスガ
ラスからなシ、台座１３とシリコンチップ１１は静電接
着によって接着されている。この台座１３の全面にスク
リーン印刷法によジェポキシ系銀ペースト１５全印刷し
構造体１７に接着し、さらに、シリコンチップ１１とス
テム１８との間にワイアボ／７′イング２０ｔ−施し、
構造一 体１７キヤツプ１９にて封止することによシ完成される
。
と対峙する面）の一部を凹ませダイアフラム１２ヲ形成
し第２の主面に電子回路が集積化されている。台座１３
はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しい・母イレックスガ
ラスからなシ、台座１３とシリコンチップ１１は静電接
着によって接着されている。この台座１３の全面にスク
リーン印刷法によジェポキシ系銀ペースト１５全印刷し
構造体１７に接着し、さらに、シリコンチップ１１とス
テム１８との間にワイアボ／７′イング２０ｔ−施し、
構造一 体１７キヤツプ１９にて封止することによシ完成される
。
しかしながらこのようにして得られたシリコンダイアフ
ラム型圧力センサにおいては、台座１３の全面が構造体
１７と、接着しているため、構造体１７の熱膨張が直接
的に台座１３に伝わシ、シリコンチップ１１に対する構
造体１７の熱膨張の影響を完全に遮断できず温度の変化
によってシリコンチップ１１のダイアフラム１２に歪を
生じ、オフセットが温度によって変化する原因となって
いた。
ラム型圧力センサにおいては、台座１３の全面が構造体
１７と、接着しているため、構造体１７の熱膨張が直接
的に台座１３に伝わシ、シリコンチップ１１に対する構
造体１７の熱膨張の影響を完全に遮断できず温度の変化
によってシリコンチップ１１のダイアフラム１２に歪を
生じ、オフセットが温度によって変化する原因となって
いた。
本発明の目的はオフセットの温度依存性の少ないシリコ
ンダイアフラム型圧力センサを提供することにある。
ンダイアフラム型圧力センサを提供することにある。
本発明は半導体素子を構造体にマウントする方法におい
て、構造体を半導体素子に点接触的に接着することを特
徴とするチップマウント方法である。
て、構造体を半導体素子に点接触的に接着することを特
徴とするチップマウント方法である。
本発明によれば、半導体素子は台座に接着して構造体内
にセットされるが台座と構造体との接着部分の面積が小
さくなシ、構造体の熱膨張の影響が台座に伝わシにくく
なシ、従って、温度の変化によるオフセットの変化が低
減する。
にセットされるが台座と構造体との接着部分の面積が小
さくなシ、構造体の熱膨張の影響が台座に伝わシにくく
なシ、従って、温度の変化によるオフセットの変化が低
減する。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の方法によシチップマウントされたシ
リコンダイアフラムを圧力センサの構造を示す断面図で
ある。第１図において、シリコンチップ１は第１の主面
（台座と対峙する面）の一部を凹ませてダイアフラム２
を形成し、第２の主面に電子回路が集積化されている。
リコンダイアフラムを圧力センサの構造を示す断面図で
ある。第１図において、シリコンチップ１は第１の主面
（台座と対峙する面）の一部を凹ませてダイアフラム２
を形成し、第２の主面に電子回路が集積化されている。
台座３はシリコンと熱膨張係数がほぼ等しいパイレック
スガラスからなシ、台座３とシリコンチップ１とは真空
中において静電接着法によって接着されている。
スガラスからなシ、台座３とシリコンチップ１とは真空
中において静電接着法によって接着されている。
以上は従来法によるものと全く同じである。本発明は、
台座３と構造体７との接着は、スフ１フーン印刷法等に
より、微小面積のエポキシ系鋼ペース）１台座３に塗布
し−、構造体７に点接触的に接着することによシ装着し
たものである。
台座３と構造体７との接着は、スフ１フーン印刷法等に
より、微小面積のエポキシ系鋼ペース）１台座３に塗布
し−、構造体７に点接触的に接着することによシ装着し
たものである。
さらに従来同様にシリコンテップ１とステム８との間に
ワイアざ／ディング１０ヲ施し、構造体７をキャップ９
にて封止することによシ完成する。
ワイアざ／ディング１０ヲ施し、構造体７をキャップ９
にて封止することによシ完成する。
本発明の方法によれば台座３と構造体７との接着部分が
点接触的のため、接触面積が小さくなシ、構造体７の熱
膨張の影響が台座３に伝りにくくなシ従ってシリコンチ
ップ１に形成されたダイアフラム２に及ぼす、構造体７
の熱膨張の影響が低減する。
点接触的のため、接触面積が小さくなシ、構造体７の熱
膨張の影響が台座３に伝りにくくなシ従ってシリコンチ
ップ１に形成されたダイアフラム２に及ぼす、構造体７
の熱膨張の影響が低減する。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の方法によればオフセットの
温度依存性の少ないシリコンダイアフラム型圧力センサ
を提供できる効果を有するものである。
温度依存性の少ないシリコンダイアフラム型圧力センサ
を提供できる効果を有するものである。
第１図は、本発明の実施例を示すシリコンダイアフラム
型圧力センサの断面図、第２図は従来の方法によシチッ
プマウントされたシリコンダイアフラム型圧力センサの
断面図である。 １・・・シリコンチップ、２・・・ダイアフラム、３・
・・台座、５・・・エポキシ系銀ペースト、７・・・構
造体。 ８・・・ステム、９・・・キャン７’、 １０・・・
ボンディングワイア。
型圧力センサの断面図、第２図は従来の方法によシチッ
プマウントされたシリコンダイアフラム型圧力センサの
断面図である。 １・・・シリコンチップ、２・・・ダイアフラム、３・
・・台座、５・・・エポキシ系銀ペースト、７・・・構
造体。 ８・・・ステム、９・・・キャン７’、 １０・・・
ボンディングワイア。
Claims (1)
- （１）半導体素子を構造体にマウントする方法において
、構造体に半導体素子を点接触的に接着することを特徴
とするチップマウント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226259A JPS6286734A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | チツプマウント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226259A JPS6286734A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | チツプマウント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286734A true JPS6286734A (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=16842394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226259A Pending JPS6286734A (ja) | 1985-10-11 | 1985-10-11 | チツプマウント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5137762A (en) * | 1989-09-18 | 1992-08-11 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Laminated metal plate for drawn can, and drawn can prepared therefrom |
-
1985
- 1985-10-11 JP JP60226259A patent/JPS6286734A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5137762A (en) * | 1989-09-18 | 1992-08-11 | Toyo Seikan Kaisha, Ltd. | Laminated metal plate for drawn can, and drawn can prepared therefrom |
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