JPS6286826A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体装置を製造する方法に関するもので
ある。

〔従来の技術〕

第８図、第４図は、従来の半導体装置の製造過程を示す
Ｆ！ｆｒ面図であり、図において（１）は、クエ／為を
チップに分割する為のダイシング（スクライプ）ライン
、（２）は、１つのチップ（破線は、詳細省略を示す）
、（３）は、シリコン酸化膜、（４）は、シリコン基板
である。第４図は、第２図以前で不要になつた酸化膜を
除去したあるいは、次作業との関連でシリコン基板を露
出する必要がある為に酸化膜を除去した図を示す。第６
図は、ウエノ１を示す図であり、図において（１）は、
ダイシングライン、（２）は、１つのチップ、（５）は
、ウェハを示す。第６図は、第８図と第４図の間の過程
でシリコン酸化膜を湿式処理で除去した後、水洗を行い
、ウェハを引き上げた状態を示す。（６）は、純水が疎
水性のシリコンをはじき、親水性のシリコン酸化膜に表
面張力で残っている様子を示す。

第７図は、ウェハ上の水を遠心力で振り切って乾燥させ
る為の装置である。（５）は、ウェハ、（７）は、ウェ
ハを入れる為のバスケラ）、（８）は遠心乾燥機本体、
（９）は１排気・排水口、αｑはモーター、Ｑηはふた
を示す。

次に従来技術の作用について説明する。半導体集積回路
（ＩＣ）は、量産性の為、第５図ウニ／％　（５）のま
まで個々の半導体素子を形成する。その後、ウェハ上に
形成されたダイシングライン（スクライブライン）（１
）に沿ってチップ（２）に分割されアセンフリ（組立）
工程で、パッケージソゲされ、ＩＣが完成する。

第８図、第４図はＩＣ内の半導体素子を形成する過程の
一部分を示すウェハの断面図である。（２〕は、１つの
チップ（１）はダイシングラインである。

第８図以前で半導体素子の一部が形成され、第４図以後
で次工程に移る。第８図で不要となったシリコン酸化膜
は、次工程で必要な作業の為１取り除く必要性がある。

この時、チップの周囲のダイシングライン上のシリコン
酸化膜は、通常完全に取り除かれ、シリコン基板が露出
する。このシリコン酸化膜を除去する時に、湿式処理を
して、純水で洗浄する場合がある。この時、チップ内に
は、親水性のシリコン酸化膜が多く存在し、チップ周囲
が疎水性のシリコンである為、水洗後ウェハ（５ンを引
き上げた時に第６図の断面図に示すように、水がチップ
ごとに表面張力で残る。このチップ上の水は１第７図の
ように、ウェハを回転させることくより遠心力を利用し
て水を振り切ることにより乾燥させる方法が現在多くと
られる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の半導体装置の製造方法は、以上の様に構成されて
いるので、チップの上に純水が残り、この水を振り切る
為、第７図の遠心乾燥機の回転加速度１回転速度を大き
くするまた時間を長くする必要があるなどの問題があっ
た。また、ウェハが大口径化されると共に、チップ上に
残る純水の量が増えることにより問題が大きくなる。ま
た、ウェハが大口径化されることにより、ウニ八重量が
大きくなる為、回転速度を大きくすると、ウェハがバス
ケットにくいこむ等の問題点が出てくる。

この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、遠心乾燥機を使用する前に１クエハ表面上
の純水をできるだけとってしまう為の半導体装置の製造
方法を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この発明に係る半導体装置の製造方法は、製造過程に於
いて、ダイシングライン上にシリコン酸化膜の様な親水
性の膜を残しておくようにしたものである。

〔作用〕

この発明において、ダイシングライン上に残ったシリコ
ン酸化膜のような親水性の膜は、ウェハの水洗処理後ウ
ェハを引き上げる時に、チップ上の純水は、重力により
ダイシングライン上の親水膜を伝って順次下のチップへ
流れ落ち、チップ上の純水は、少なくなる。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はウェハの断面斜視図である。第２図は、断面図であ
る。第１図、第２図において（１）は、ダイシングライ
ン、（２）は、チップで、チップ内に形成された半導体
素子は、省略している。（３）は、チップ内に多く存在
するシリコン酸化膜、（４）は１クエハを形成するシリ
コン基板である。第２図は不要なシリコン酸化膜を除去
する前、第１図は、除去した後を示す、（第２図は、第
１図で不要な酸化膜を除去する前に第１図の矢印の方向
から見た断面図である。） ウェハプロセス工程（ウェハ上に半導体集積回路（ＩＣ
）を形成する工程）で通常の写真製版工程では１ダイシ
ングライン上は１全てレジストが有るか、又は全てレジ
ストが無いかのどちらかであることが多い、このとき、
写真製版工程のマスク（レテイクｌｖ）のダイシングラ
インにあたる部分を部分的に抜くかあるいは、遮光する
ようにすると、ウェハプロセス全工程で第１図のように
、ダイシングライン上に親水性の膜（例えばシリコン酸
化膜）を残しておくことができる。

例えば第６図に示すように、チップの周囲が疎水性の物
質（シリコン）であれば、ウェハを水洗後引き上げたと
きに、チップ上の水がウェハを伝って重力で下へ流れず
に、チップの上にたまり、遠心乾燥機で乾燥しにくくな
るが、第１図のように、ダイシングライン上に親水性の
物質（シリコン酸化膜）が部分的にあれば（全部あって
もよい）ウェハを水洗槽から引き上げたときにチップ上
の水は、このシリコン酸化膜を伝わって重力で下へ流れ
落ち、乾燥し易くなる。

なお、上記実施例では、チップ間の橋渡しに、シリコン
酸化膜を使用したが、親水性の他の物質、シリコン窒化
膜を使ってもよい。

また、これは、不要酸化膜のエツチングに関するもので
あるが、酸化酸に自然酸化膜をライトエッチするときに
も適用できる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、水洗後のウェハ上に
残っている純水をできるだけ重力で落とせるので、遠心
乾燥機で乾燥するときに、回転加速度又は、回転速度を
特に大きくする必要もなく、時間も短くできる効果があ
る。これは、ウェハの大口径化と共により効果が出る。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、この発明の一実施例による半導体装
置の製造方法を示す断面図（第１図は斜視、第２図は側
面）；第８図、第４図は、従来の半導体装置の製造方法
を示す側面断面図；第５図は、ウェハの平面図；第６図
は、従来の半導体装置の製造方法でウェハを水洗後、水
洗槽から引き上げたときの側面断面図；第７図は、遠心
乾燥機の断面図である。 （１）はダイシングライン、（２）はチップ、（３）は
シリコン酸化膜、（４）はシリコン基板、（５）はウニ
ノー、（６）は純水、（７）はウニノ・用バスケット、
（８）は遠心乾燥機、（９）は排気・排水口、αＯはモ
ーター、（ロ）はふた。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体装置の製造過程において、ウェハをチップに分割
   する時に利用されるダイシング（スクライブ）ラインに
   、親水性の膜（例えば酸化膜等）を残しておくことを特
   徴とする半導体装置の製造方法。