JPH036823A - 半導体ウェーハの片面酸化膜除去装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェーハ（以下ウェーハと称する）の片
面の酸化膜除去装置で、特に、フォトレジストを使用し
ない除去装置に関する。

（従来の技術〕 半導体素子の電気的特性や寿命は雰囲気に対して鋭敏で
あり、また、素子の製作途上では、ウェーハの特定の場
所だけに不純物添加を行っている。

このような場合、絶縁保ｍＭが使用され、シリコン酸化
膜（以下酸化膜と称する）がその代表的なものである。

この酸化膜は多くの場合、ウェーハの全面に形成するの
で、次の工程のため、その片面全部を除去することが多
い、従来、この片面全部の酸化膜を除去するには、まず
、酸化膜を残す片面全部に感光性有機物の保護膜を作る
。この感光性有機物はフォトレジストと呼ばれ、これを
有機溶剤に熔解し、ウェーハ上に少量を落とし、ウェー
ハを高速に回転させて全面−様に塗布する。

乾燥後紫外線を当て硬化させ、現像液につけると感光し
て硬化した部分を残して、すなわち、一方の片面を残し
て他方の片面は除去される。これを弗酸水溶液につける
と、酸化膜はフォトレジストの部分以外、すなわち、片
面の酸化膜が除去される。このあと残ったフォトレジス
トは有機溶媒や酸化などにより除去するようにする。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、前述のウェーハの片面の酸化膜の除去方
法では、フォトレジストを用いるため、その塗布、感光
１除去に非常な手間を要し、また、塗布、感光、除去の
ための専用の装！が必要でコスト高となる間ａがあった
。

本発明の課題はフォトレジストを使用しないでウェーハ
の片面の酸化膜を除去する装置を提供することにある。

〔１１１題を解決するための手段３ 円筒形で、その下部は半導体ウェーハ　（以下ウェーハ
と称する）の直径より若干率さい内径を、その上部は前
記ウェーハの直径より若干大きい内径を有し、かつ、そ
の下部に注水口と、その上部で円筒形の上端より若干低
い位置に、その周囲に、ほぼ均一に複数個の排水口を設
けたウェーハ保持容器と、この保持容器の上方の中央部
に配置された薬液用ノズル及び洗浄用ノズルとを備え、
前記ウェーハ保持容器下部の注水口から上部の排水口に
純水を流し、その水流と表面張力によりウェーハをこの
ウェーハ保持容器の中央部で、前記純水の水面上に水平
に保持し、この状態で前記薬液用ノズルから弗酸水溶液
を滴下し、前記ウェーへの水面に接していない上面の酸
化膜を選択的に除去の上、前記洗浄水用ノズルから純水
を注入して弗酸を洗い落とすようにする。

〔作用〕

ウェーハ保持容器の下部の注水口から上部のυト水日へ
純水を流し、その表面張力によりウェーハを水面上に保
持したのでこのウェーハの下面は純水によって常時カバ
ーされる。この下面を酸化膜を残す面とし、上面に弗酸
水溶液を滴下することにより、ウェーハの上面のみの酸
化膜を選択的に除去することができる。この時、極く少
量の弗酸水溶液が、ウェーハの周辺部より下面に回り込
もうとするが、この部分では水流は半径方向で外向きと
なっており、この回り込みは効果的に防止される。

〔実施例〕

第１図は本発明の半導体ウェーハの片面酸化膜除去装置
の一実施例の断面図である。第１図において、２はウェ
ーハ保持容器で、円筒形でその下部はウェーハｌの直径
０！より若干率さい内Ｂ　ｏ　＋であり、その上部は同
ウェーハ１の直径ＯＸより若干大きい内径り、となって
いる、また、その下部には注水口３と、その上部でこの
円筒形の上端より若干低い位置にその周囲にほぼ均一に
配置された複数個の排水口４が設けられる。

図外の吸着式アームなどにより搬送されて来たウェーハ
１はウェーハ保持容器２の上部と下部の段部１１上に宜
かれる。第１図の点線のウェーハｌ（沈下時）はこの状
態を示す、ここで注水口３より純水を注入すると、排水
口４に向かって６に示す水流が出来、ウェーハ１はこの
水流と表面張力により浮上し、ウェーハ保持容器２の中
央部で水面５上に水平に保持される。ウェーハ】　（浮
上時）はこの状態を示す、ここで上方の薬液用ノズル７
によりウェーハ１　（浮上時）の中心部に弗酸水溶液を
少量滴下すると、この面上の酸化膜は中心から周辺に向
かってエツチングされて除去される。

この時、掻く少量の弗酸水溶液が、ウェーハｌ（浮上時
）の周辺部より下面に回り込もうとするが、この部分で
は水流は半径方向で外向きとなっており、この回り込み
は効果、的に防止される。酸化膜除去後、上方の洗浄水
用ノズルより純水を注入すると、その水流とウェーハ自
身の重量によってウェーハｌは（沈下時）の位置まで水
没し、ウェーハ全体が水洗され、弗酸が完全に洗い落と
される。９はドレイン、１０はドレインバルブで必要に
応じて洗浄水を排出する。

〔発明の効果〕

本発明の半導体ウェーへの片面酸化膜除去装置を使用す
ることにより、フォトレジストを全く使用しないで、ウ
ェーハの片面の酸化膜を除去することができ、従来、フ
ォトレジスト使用のため必要とされた塗布、感光、＃、
去の手間が省略され、かつ、塗布、感光、除去のための
専用のり１にかえて、第１図のような簡単な装置で目的
が達せられ、この工程におけるウェーハの処理コストは
約１／３に低減される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体ウェーハの片面酸化膜除去％ａ
置の一実施例の断面図である。 １：ウェーハ　（浮上時）及びウェーハ　（沈下時）２
：ウェーハ保持容器 ３：注水口 ４：排水口 ５１水面 ６：水流 ７：薬液用ノズル ８：洗浄水用ノズル ０１：下部の内径 口、：ウェーハの直径 ０ｓ：上部の内径 代ＪＺ人Ｈ理士

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）円筒形で、その下部は半導体ウェーハ（以下ウェー
   ハと称する）の直径より若干小さい内径を、その上部は
   前記ウェーハの直径より若干大きい内径を有し、かつ、
   その下部に注水口と、その上部で円筒形の上端より若干
   低い位置に、その周囲に、ほぼ均一に複数個の排水口を
   設けたウェーハ保持容器と、この保持容器の上方の中央
   部に配置された薬液、用ノズル及び洗浄用ノズルとを備
   え、前記ウェーハ保持容器下部の注水口から上部の排水
   口に純水を流し、その水流と表面張力によりウェーハを
   このウェーハ保持容器の中央部で、前記純水の水面上に
   水平に保持し、この状態で前記薬液用ノズルから弗酸水
   溶液を滴下し、前記ウェーハの水面に接していない上面
   の酸化膜を選択的に除去の上、前記洗浄水用ノズルから
   純水を注入して弗酸を洗い落とすことを特徴とする半導
   体ウェーハの片面酸化膜除去装置。