JPS6287499A - 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 - Google Patents
単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法Info
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- JPS6287499A JPS6287499A JP22820385A JP22820385A JPS6287499A JP S6287499 A JPS6287499 A JP S6287499A JP 22820385 A JP22820385 A JP 22820385A JP 22820385 A JP22820385 A JP 22820385A JP S6287499 A JPS6287499 A JP S6287499A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単結晶ＣｄＴｅを開管法により熱処理するよ
うにした単結晶ＣｄＴｅ０熱処理方法に関する。
うにした単結晶ＣｄＴｅ０熱処理方法に関する。
本発明は、単結晶ＣｄＴｅを開管法により熱処理するよ
うにした単結晶ＣｄＴｅ０熱処理方法において、上記単
結晶ＣｄＴｅとＣｄ、 Ｔｅ及びＣｄＴｅのうちの少な
くとも一種の物質とを互いに連通された第１及び第２の
容器内にそれぞれ収容し、還元性又は不活性ガス気流中
において上記第１及び第２の容器内に収容された上記単
結晶ＣｄＴｅ及び上記少なくとも一種の物質をそれぞれ
所定温度に加熱することにより、上記単結晶ＣｄＴｅを
熱処理すると同時に所望の伝導型及び／又は抵抗率に容
易に制御することを可能にしたものである。
うにした単結晶ＣｄＴｅ０熱処理方法において、上記単
結晶ＣｄＴｅとＣｄ、 Ｔｅ及びＣｄＴｅのうちの少な
くとも一種の物質とを互いに連通された第１及び第２の
容器内にそれぞれ収容し、還元性又は不活性ガス気流中
において上記第１及び第２の容器内に収容された上記単
結晶ＣｄＴｅ及び上記少なくとも一種の物質をそれぞれ
所定温度に加熱することにより、上記単結晶ＣｄＴｅを
熱処理すると同時に所望の伝導型及び／又は抵抗率に容
易に制御することを可能にしたものである。
従来、単結晶ＣｄＴｅの伝導型及び抵抗率の制御は次の
ようないわゆる封管法により行われている。
ようないわゆる封管法により行われている。
第１の方法は、特開昭５１−３５０８６号公報に記載さ
れているように、石英アンプル内に化学量論比に対応し
た量のＣｄ及びＴｅを入れ、これに所定量のＣｄを過剰
に添加した後、アンプル内の空間の容積が所定値になる
ように石英プラグをアンプル内に挿入して真空封止し、
次いでこの石英アンプルをブリッジマン炉で加熱する方
法であり、添加した過剰なＣｄ量を制御することにより
、単結晶ＣｄＴｅの成長と同時にその伝導型及び抵抗率
を制御するものである。
れているように、石英アンプル内に化学量論比に対応し
た量のＣｄ及びＴｅを入れ、これに所定量のＣｄを過剰
に添加した後、アンプル内の空間の容積が所定値になる
ように石英プラグをアンプル内に挿入して真空封止し、
次いでこの石英アンプルをブリッジマン炉で加熱する方
法であり、添加した過剰なＣｄ量を制御することにより
、単結晶ＣｄＴｅの成長と同時にその伝導型及び抵抗率
を制御するものである。
また第２の方法は、第５図に示すように、単結晶ＣｄＴ
ｅ基板１を載せたサセプター２と例えば粒状のＣｄ３が
入れられたりザーバ−４とを石英アンプル５内に真空封
入し、これを電気炉６内に挿入した後、単結晶ＣｄＴｅ
基板１及びＣｄ３をそれぞれ所定温度に加熱することに
よりＣｄ蒸気雰囲気中において単結晶ＣｄＴｅ基板１を
熱処理する方法であり、石英アンプル５内のＣｄ蒸気圧
をリザーバー４の温度を変えたり、さらにはりサーバー
４内のＣｄ３の変わりにＴｅやＣｄＴｅを用いることに
より、すなわちリザーバー４内に入れる物質の種類を変
えることにより、単結晶ＣｄＴｅ基板ｌの伝導型及び抵
抗率を制御するものである。
ｅ基板１を載せたサセプター２と例えば粒状のＣｄ３が
入れられたりザーバ−４とを石英アンプル５内に真空封
入し、これを電気炉６内に挿入した後、単結晶ＣｄＴｅ
基板１及びＣｄ３をそれぞれ所定温度に加熱することに
よりＣｄ蒸気雰囲気中において単結晶ＣｄＴｅ基板１を
熱処理する方法であり、石英アンプル５内のＣｄ蒸気圧
をリザーバー４の温度を変えたり、さらにはりサーバー
４内のＣｄ３の変わりにＴｅやＣｄＴｅを用いることに
より、すなわちリザーバー４内に入れる物質の種類を変
えることにより、単結晶ＣｄＴｅ基板ｌの伝導型及び抵
抗率を制御するものである。
しかしながら、上述の第１の方法は、単結晶□ＣｄＴｅ
の製造時に伝導型及び抵抗率を決定することができるも
のの、結晶中に存在する空孔や転位等の結晶欠陥を除去
したり、組成の勾配をなくしたりするための熱処理は別
に行わなければならないので能率的でない。のみならず
、この熱処理時の条件によって、単結晶ＣｄＴｅの成長
時と特性が変わってしまうおそれがある。また上述の第
２の方法は、開管法に比べてＣｄ３の消費量を小さくす
ることが可能であるものの、熱処理時に単結晶ＣｄＴｅ
基板１からその構成元素、特にＣｄの蒸発が起きやすい
ため熱処理雰囲気の制御が難しく、従って伝導型及び抵
抗率の制御が難しい。のみならず、上述の第１及び第２
の方法はいずれも石英アンプルを真空封入するための手
間やコストがかかるため、工業的生産には不向きである
。
の製造時に伝導型及び抵抗率を決定することができるも
のの、結晶中に存在する空孔や転位等の結晶欠陥を除去
したり、組成の勾配をなくしたりするための熱処理は別
に行わなければならないので能率的でない。のみならず
、この熱処理時の条件によって、単結晶ＣｄＴｅの成長
時と特性が変わってしまうおそれがある。また上述の第
２の方法は、開管法に比べてＣｄ３の消費量を小さくす
ることが可能であるものの、熱処理時に単結晶ＣｄＴｅ
基板１からその構成元素、特にＣｄの蒸発が起きやすい
ため熱処理雰囲気の制御が難しく、従って伝導型及び抵
抗率の制御が難しい。のみならず、上述の第１及び第２
の方法はいずれも石英アンプルを真空封入するための手
間やコストがかかるため、工業的生産には不向きである
。
本発明は、従来技術が有するこれらの欠点を一挙に是正
した新規な化合物半導体の熱処理方法を提供することを
目的とする。
した新規な化合物半導体の熱処理方法を提供することを
目的とする。
本発明に係る単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法は、単結晶Ｃ
ｄＴｅを開管法により熱処理するようにした単結晶Ｃｄ
Ｔｅの熱処理方法において、上記単結晶ＣｄＴｅとＣｄ
、 Ｔｅ及びＣｄＴｅのうちの少な（とも−糧の物質と
を互いに連通された第１及び第２の容器（例えば蒸気供
給管１１により連通され起熱処理室９及び蒸気発生室１
０）内にそれぞれ収容し、還元性又は不活性ガス気流中
において上記第１及び第２の容器内に収容された上記単
結晶ＣｄＴｅ及び上記少なくとも一種の物質をそれぞれ
所定温度に加熱することにより、上記単結晶ＣｄＴｅを
熱処理すると同時にその伝導型及び／又は抵抗率を制御
するようにしている。
ｄＴｅを開管法により熱処理するようにした単結晶Ｃｄ
Ｔｅの熱処理方法において、上記単結晶ＣｄＴｅとＣｄ
、 Ｔｅ及びＣｄＴｅのうちの少な（とも−糧の物質と
を互いに連通された第１及び第２の容器（例えば蒸気供
給管１１により連通され起熱処理室９及び蒸気発生室１
０）内にそれぞれ収容し、還元性又は不活性ガス気流中
において上記第１及び第２の容器内に収容された上記単
結晶ＣｄＴｅ及び上記少なくとも一種の物質をそれぞれ
所定温度に加熱することにより、上記単結晶ＣｄＴｅを
熱処理すると同時にその伝導型及び／又は抵抗率を制御
するようにしている。
以下本発明の一実施例につき図面を参照しながら説明す
る。
る。
まず本実施例において用いる開管法による熱処理装置の
構成につき説明する。
構成につき説明する。
第１図に示すように、本実施例で用いる熱処理装置にお
いては、互いに独立して加熱温度を制御することができ
る２つの部分５ａ、５ｂから成る電気炉６内に石英管７
が設けられ、この石英管７内に熱処理用器具８が設けら
れている。
いては、互いに独立して加熱温度を制御することができ
る２つの部分５ａ、５ｂから成る電気炉６内に石英管７
が設けられ、この石英管７内に熱処理用器具８が設けら
れている。
この熱処理用器具８は、第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すよ
うに、熱処理すべき単結晶ＣｄＴｅ基板１を収容して熱
処理を行うための熱処理室９と、Ｃｄの蒸気を発生する
ための蒸気発生室１０とを例えば円筒状の蒸気供給管１
工によって連通させた構造となっている。この蒸気供給
管１１の両端の外周面は、上記熱処理室９及び蒸気発生
室１０の互いに対向する一側壁９ａ、１０ａに設けられ
た円形の開口９ｂ、１０ｂの内周面とそれぞれ接合され
、これによって熱処理室９と蒸気発生室１０とが一体的
に結合されている。なおこれらの熱処理室９、蒸気発生
室１０、蒸気供給管１１及び後述の蓋１２．１３は、カ
ーボン、石英、窒化ホウ素（ＢＮ）等の気密性を有する
耐熱性素材により構成されている。
うに、熱処理すべき単結晶ＣｄＴｅ基板１を収容して熱
処理を行うための熱処理室９と、Ｃｄの蒸気を発生する
ための蒸気発生室１０とを例えば円筒状の蒸気供給管１
工によって連通させた構造となっている。この蒸気供給
管１１の両端の外周面は、上記熱処理室９及び蒸気発生
室１０の互いに対向する一側壁９ａ、１０ａに設けられ
た円形の開口９ｂ、１０ｂの内周面とそれぞれ接合され
、これによって熱処理室９と蒸気発生室１０とが一体的
に結合されている。なおこれらの熱処理室９、蒸気発生
室１０、蒸気供給管１１及び後述の蓋１２．１３は、カ
ーボン、石英、窒化ホウ素（ＢＮ）等の気密性を有する
耐熱性素材により構成されている。
上記熱処理室９は直方体の形状を有し、開放されたその
一面に蓋１２が設けられている。この蓋１２の一方の面
には、熱処理室９の内部の平面的な大きさよりも少し大
きさの小さい突出部１２ａが設けられている。そしてこ
の突出部１２ａが熱処理室９の内側に突出した状態で蓋
１２の上記面の周辺部１２ｂを熱処理室９の側壁９ａの
上端面と接触させることにより、熱処理室９をほぼ完全
に密閉し得るようになっている。なおこの密閉の程度は
、熱処理室９に蓋１２がかぶせられた状態でＣｄ蒸気が
熱処理室９から外部に出て行くことが可能であるように
選定される。さらにこの熱処理室９内には、熱処理すべ
き単結晶ＣｄＴｅ基板１を保持するためのサセプター２
が設けられている。なおこのサセプター２は、複数枚の
単結晶ＣｄＴｅ基板１を整列収容し得るようになってい
る。
一面に蓋１２が設けられている。この蓋１２の一方の面
には、熱処理室９の内部の平面的な大きさよりも少し大
きさの小さい突出部１２ａが設けられている。そしてこ
の突出部１２ａが熱処理室９の内側に突出した状態で蓋
１２の上記面の周辺部１２ｂを熱処理室９の側壁９ａの
上端面と接触させることにより、熱処理室９をほぼ完全
に密閉し得るようになっている。なおこの密閉の程度は
、熱処理室９に蓋１２がかぶせられた状態でＣｄ蒸気が
熱処理室９から外部に出て行くことが可能であるように
選定される。さらにこの熱処理室９内には、熱処理すべ
き単結晶ＣｄＴｅ基板１を保持するためのサセプター２
が設けられている。なおこのサセプター２は、複数枚の
単結晶ＣｄＴｅ基板１を整列収容し得るようになってい
る。
一方、蒸気発生室１０は、熱処理室９よりも容積が小さ
く、正方形に近い平面形状を有する直方体の形状を有し
ている。この蒸気発生室１０の開放された一面には蓋１
３が設けられている。この蓋１３の一方の面には上記蓋
１２と同仲な突出部１３ａが設けられていて、この突出
部１３ａが蒸気発生室１０の内側に突出した状態でＭＩ
３の上記面の周辺部１３ｂを蒸気発生室１０の側壁１０
ａの上端面に接触させることにより、蒸気発生室１０を
ほぼ完全に密閉し得るようになっている。
く、正方形に近い平面形状を有する直方体の形状を有し
ている。この蒸気発生室１０の開放された一面には蓋１
３が設けられている。この蓋１３の一方の面には上記蓋
１２と同仲な突出部１３ａが設けられていて、この突出
部１３ａが蒸気発生室１０の内側に突出した状態でＭＩ
３の上記面の周辺部１３ｂを蒸気発生室１０の側壁１０
ａの上端面に接触させることにより、蒸気発生室１０を
ほぼ完全に密閉し得るようになっている。
なおこのｌｉｌ、３による蒸気発生室ｌＯの密閉の程度
は、蓋１２による熱処理室９の密閉の程度よりも高くす
ることが好ましい。さらにこの蒸気発生室１０内には、
Ｃｄを収容するためのりザーバ−４が設けられている。
は、蓋１２による熱処理室９の密閉の程度よりも高くす
ることが好ましい。さらにこの蒸気発生室１０内には、
Ｃｄを収容するためのりザーバ−４が設けられている。
このリザーバー４の開放された一面には、その中央部に
例えば１龍φ程度の径の小さい円形状の蒸気供給口１４
ａを有する蓋１４が設けられていて、この蓋１４によっ
てリザーバー４をほぼ完全に密閉し得るようになってい
る。
例えば１龍φ程度の径の小さい円形状の蒸気供給口１４
ａを有する蓋１４が設けられていて、この蓋１４によっ
てリザーバー４をほぼ完全に密閉し得るようになってい
る。
次に上述のように構成された熱処理装置及び熱処理用器
具を用いて単結晶ＣｄＴｅ基板１の熱処理を行う方法に
つき説明する。
具を用いて単結晶ＣｄＴｅ基板１の熱処理を行う方法に
つき説明する。
第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すように、まず熱処理用器具
８内のサセプター２に所、要枚数の単結晶ＣｄＴｅ基板
１を立てた後、蓋１２を熱処理室９にかぶせて密閉する
。同様に、十分な量のＣｄ３をリザーバー４内に入れた
後、蒸気発生室１０に蓋１３をかぶせて密閉する。
８内のサセプター２に所、要枚数の単結晶ＣｄＴｅ基板
１を立てた後、蓋１２を熱処理室９にかぶせて密閉する
。同様に、十分な量のＣｄ３をリザーバー４内に入れた
後、蒸気発生室１０に蓋１３をかぶせて密閉する。
次に第１図に示すように、熱処理用器具８全体を石英管
７内に挿入する。次に石英管７内を真空ポンプにより所
定圧力に減圧した後、石英管７内に矢印Ａで示す方向に
水素、アルゴン、窒素等の還元性または不活性ガスを流
しながら、熱処理室９及び蒸気発生室１０をそれぞれ単
結晶ＣｄＴｅ基板ｌの熱処理温度及びＣｄ３の藩発温度
に加熱する。
７内に挿入する。次に石英管７内を真空ポンプにより所
定圧力に減圧した後、石英管７内に矢印Ａで示す方向に
水素、アルゴン、窒素等の還元性または不活性ガスを流
しながら、熱処理室９及び蒸気発生室１０をそれぞれ単
結晶ＣｄＴｅ基板ｌの熱処理温度及びＣｄ３の藩発温度
に加熱する。
なお上述の石英管７内に流すガスは、ガス中の酸素濃度
がＩＱ−Ｉｓ〜１０−”気圧と低い水素が望ましい。
がＩＱ−Ｉｓ〜１０−”気圧と低い水素が望ましい。
この加熱により、リザーバー４内のＣｄ３から加熱温度
に応じた速度でＣｄの蒸発が起き、この結果、リザーバ
ー４の蓋１４の蒸気供給口１４ａから蒸気発生室１０内
にＣｄ蒸気が噴射してこの蒸気発生室１０内がＣｄ蒸気
で満たされる。このＣｄ蒸気は蒸気発生室１０から蒸気
供給管１１を通って熱処理室９内に供給され、この熱処
理室９もＣｄ蒸気で満たされる。従って、単結晶ＣｄＴ
ｅ基板ｌは、Ｃｄの蒸気雰囲気中で熱処理が行われる。
に応じた速度でＣｄの蒸発が起き、この結果、リザーバ
ー４の蓋１４の蒸気供給口１４ａから蒸気発生室１０内
にＣｄ蒸気が噴射してこの蒸気発生室１０内がＣｄ蒸気
で満たされる。このＣｄ蒸気は蒸気発生室１０から蒸気
供給管１１を通って熱処理室９内に供給され、この熱処
理室９もＣｄ蒸気で満たされる。従って、単結晶ＣｄＴ
ｅ基板ｌは、Ｃｄの蒸気雰囲気中で熱処理が行われる。
なおこの熱処理室９内の蒸気圧力が外部の圧力を超える
程度に上昇すると、外部の圧力を超えた分のＣｄ蒸気は
蓋１２と熱処理室９との間の隙間から外部に放出される
ので、熱処理室９内の最大蒸気圧は石英管７内の圧力と
ほぼ等しい。
程度に上昇すると、外部の圧力を超えた分のＣｄ蒸気は
蓋１２と熱処理室９との間の隙間から外部に放出される
ので、熱処理室９内の最大蒸気圧は石英管７内の圧力と
ほぼ等しい。
このようにして所定時間熱処理を行った後、熱処理用器
具８全体を炉外に取り出して、目的とする熱処理を終了
する。
具８全体を炉外に取り出して、目的とする熱処理を終了
する。
上述のような単結晶ＣｄＴｅ基板１の熱処理を熱処理温
度とリザーバー４の温度とを種々に変えて行い、熱処理
後の単結晶ＣｄＴｅ基板１の伝導型及び抵抗率を測定し
た所、第３図及び第４図に示すような結果が得られた。
度とリザーバー４の温度とを種々に変えて行い、熱処理
後の単結晶ＣｄＴｅ基板１の伝導型及び抵抗率を測定し
た所、第３図及び第４図に示すような結果が得られた。
なお熱処理は石英管７内に水素ガスを流量１７！／分で
流しながら行った。
流しながら行った。
第３図に示すように、熱処理温度が８００℃である場合
には、リザーバー４の温度が４００〜５３０℃の範囲内
では伝導型はｐ型であり、温度が高くなるにつれて抵抗
率が１００ｃｍから３×１０５Ωｃｍ程度まで増大する
のに対して、５７０〜７２０℃の範囲内では伝導型はｎ
型であり、温度が高くなるにつれて抵抗率が３×１０５
Ωｃｍから１０Ωｃｍ程度まで減少することがわかる。
には、リザーバー４の温度が４００〜５３０℃の範囲内
では伝導型はｐ型であり、温度が高くなるにつれて抵抗
率が１００ｃｍから３×１０５Ωｃｍ程度まで増大する
のに対して、５７０〜７２０℃の範囲内では伝導型はｎ
型であり、温度が高くなるにつれて抵抗率が３×１０５
Ωｃｍから１０Ωｃｍ程度まで減少することがわかる。
また第４図に示すように、熱処理温度が７００℃である
場合には、リザーバー４の温度が４００〜４３０℃の範
囲内では伝導型がｐ型であり、温度が高くなるにつれて
抵抗率が１００ｃｍから３Ｘ１０”０ｃｍまで増大する
のに対して、４８０〜７３０℃の範囲内では伝導型はｎ
型であり、温度が高くなるにつれて抵抗率が１０’ΩＧ
から５Ωｃｍ程度まで減少することがわかる。なお第３
図及び第４図において、伝導型がｐ型にもｎ型にもなら
ないリザーバー４の温度範囲においては、真性、すなわ
ちｉ型車結晶ＣｄＴｅ基板１が得られた。単結晶ＣｄＴ
ｅ基板１の伝導型及び抵抗率が熱処理温度とりザーバー
４の温度とによって第３図及び第４図に示すように変化
することから、熱処理温度とりザーバ−４の温度とを制
御することにより単結晶ＣｄＴｅ基板１の伝導型及び抵
抗率を制御することが可能であることがわかる。従って
、熱処理温度とりザーバ−４の温度とを適当に組み合わ
せることにより、所望の伝導型及び抵抗率を有する単結
晶ＣｄＴｅ基板１を得ることが可能である。
場合には、リザーバー４の温度が４００〜４３０℃の範
囲内では伝導型がｐ型であり、温度が高くなるにつれて
抵抗率が１００ｃｍから３Ｘ１０”０ｃｍまで増大する
のに対して、４８０〜７３０℃の範囲内では伝導型はｎ
型であり、温度が高くなるにつれて抵抗率が１０’ΩＧ
から５Ωｃｍ程度まで減少することがわかる。なお第３
図及び第４図において、伝導型がｐ型にもｎ型にもなら
ないリザーバー４の温度範囲においては、真性、すなわ
ちｉ型車結晶ＣｄＴｅ基板１が得られた。単結晶ＣｄＴ
ｅ基板１の伝導型及び抵抗率が熱処理温度とりザーバー
４の温度とによって第３図及び第４図に示すように変化
することから、熱処理温度とりザーバ−４の温度とを制
御することにより単結晶ＣｄＴｅ基板１の伝導型及び抵
抗率を制御することが可能であることがわかる。従って
、熱処理温度とりザーバ−４の温度とを適当に組み合わ
せることにより、所望の伝導型及び抵抗率を有する単結
晶ＣｄＴｅ基板１を得ることが可能である。
このように、上述の実施例によれば、熱処理温度とりザ
ーバ−４の温度とを適当に選定して熱処理を行うことに
より、単結晶ＣｄＴｅ基板ｌ中の結晶欠陥を除去したり
組成勾配を解消すると同時に、所望の伝導型及び抵抗率
に容易に制御することが可能である。また上述の実施例
においては、開管法を用いしかも熱処理用器具８を用い
ているため熱処理を簡便に行うことが可能であると共に
、反応管７及び熱処理用器具８を繰り返し使用すること
ができるので経済的な工業的生産が可能である。
ーバ−４の温度とを適当に選定して熱処理を行うことに
より、単結晶ＣｄＴｅ基板ｌ中の結晶欠陥を除去したり
組成勾配を解消すると同時に、所望の伝導型及び抵抗率
に容易に制御することが可能である。また上述の実施例
においては、開管法を用いしかも熱処理用器具８を用い
ているため熱処理を簡便に行うことが可能であると共に
、反応管７及び熱処理用器具８を繰り返し使用すること
ができるので経済的な工業的生産が可能である。
さらに、リザーバー４から発生されるＣｄ蒸気は、蒸気
供給管１１を通って熱処理室９内に効率的かつ確実に供
給されるので、熱処理により単結晶ＣｄＴｅ基板１の組
成が化学量論比からずれるのを効果的に防止することが
可能である。さらにまた、蒸気供給管１１の長さだけ熱
処理室９と蒸気発生室１０とを離すことができるので、
熱処理室９の温度と蒸気発生室１０の温度とを独立して
制御するのが容易である。のみならず、熱処理により、
単結晶ＣｄＴｅ基板１中に含まれている塩素（ＣＩ）、
砒素（Ａｓ）等の揮発性不純物を揮発除去することも可
能である。
供給管１１を通って熱処理室９内に効率的かつ確実に供
給されるので、熱処理により単結晶ＣｄＴｅ基板１の組
成が化学量論比からずれるのを効果的に防止することが
可能である。さらにまた、蒸気供給管１１の長さだけ熱
処理室９と蒸気発生室１０とを離すことができるので、
熱処理室９の温度と蒸気発生室１０の温度とを独立して
制御するのが容易である。のみならず、熱処理により、
単結晶ＣｄＴｅ基板１中に含まれている塩素（ＣＩ）、
砒素（Ａｓ）等の揮発性不純物を揮発除去することも可
能である。
以上本発明の一実施例につき説明したが、零発明は上述
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、熱処理温
度やりザーバ−４の加熱温度は必要に応じて適宜選定し
得るものである。この熱処理温度としては５００〜９０
０℃の範囲の温度を用いることが可能であるが、温度が
低すぎるとＣｄの拡散速度が十分に大きくないため熱処
理に時間がかかり（例えば８００℃では２時間でよいの
に対して７００℃では３日間を要する）、温度が高すぎ
るとＣｄの蒸気圧が１気圧を超えて開管法で実施するこ
とが難しくなるので、Ｃｄの蒸気圧が約１気圧となる約
８００℃を中心とした７５０〜８５０℃の範囲内の温度
を用いることが好ましい。また熱処理温度が５００〜９
００℃の範囲であるときのりザーバ−４の加熱温度は４
００〜・ ８００℃の範囲とすることが可能である。
の実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思
想に基づく各種の変形が可能である。例えば、熱処理温
度やりザーバ−４の加熱温度は必要に応じて適宜選定し
得るものである。この熱処理温度としては５００〜９０
０℃の範囲の温度を用いることが可能であるが、温度が
低すぎるとＣｄの拡散速度が十分に大きくないため熱処
理に時間がかかり（例えば８００℃では２時間でよいの
に対して７００℃では３日間を要する）、温度が高すぎ
るとＣｄの蒸気圧が１気圧を超えて開管法で実施するこ
とが難しくなるので、Ｃｄの蒸気圧が約１気圧となる約
８００℃を中心とした７５０〜８５０℃の範囲内の温度
を用いることが好ましい。また熱処理温度が５００〜９
００℃の範囲であるときのりザーバ−４の加熱温度は４
００〜・ ８００℃の範囲とすることが可能である。
さらに、熱処理用器具８の材質、寸法、形状、構造等は
必要に応じて選定し得るものである。さらにまた、必要
に応じてリザーバー４内にはＣｄ３に代えてＴｅまたは
ＣｄＴｅを入れることも可能である。
必要に応じて選定し得るものである。さらにまた、必要
に応じてリザーバー４内にはＣｄ３に代えてＴｅまたは
ＣｄＴｅを入れることも可能である。
特にＴｅを用いる場合は、Ｔｅ蒸気の雰囲気下で単結晶
ＣｄＴｅ基板を熱処理するので、ｐ型ＣｄＴｅを作る際
にリザーバ一温度の範囲を広くとることができるという
利点がある。またＣｄＴｅを用いる場合は、Ｃｄ蒸気と
Ｔｅ蒸気とが共存する雰囲気下で単結晶（ＪＴｅを熱処
理することとなり、同一リザーバ一温度ではＣｄを用い
る場合よりＣｄ蒸気圧が低くなるので、同じ伝導型、抵
抗率に制御するにはＣｄの場合よりリザーバ一温度を高
くすれば良い。
ＣｄＴｅ基板を熱処理するので、ｐ型ＣｄＴｅを作る際
にリザーバ一温度の範囲を広くとることができるという
利点がある。またＣｄＴｅを用いる場合は、Ｃｄ蒸気と
Ｔｅ蒸気とが共存する雰囲気下で単結晶（ＪＴｅを熱処
理することとなり、同一リザーバ一温度ではＣｄを用い
る場合よりＣｄ蒸気圧が低くなるので、同じ伝導型、抵
抗率に制御するにはＣｄの場合よりリザーバ一温度を高
くすれば良い。
本発明によれば、第１及び第２の容器内にそれぞれ収容
された単結晶ＣｄＴｅ及び所定物質の加熱温度の選定に
より、単結晶ＣｄＴｅ０熱処理を行うと同時に所望の伝
導型及び／又は抵抗率を容易に制御することが可能であ
る。また開管法を用いているため、経済的な工業的生産
が可能である。また第１及び第２の容器を互いに連通さ
せているので、第１の容器内で発生された物質の蒸気を
第２の容器内に効率的かつ確実に供給することができ、
従ってこの蒸気雰囲気中で単結晶ＣｄＴｅを熱処理する
ことが可能である。
された単結晶ＣｄＴｅ及び所定物質の加熱温度の選定に
より、単結晶ＣｄＴｅ０熱処理を行うと同時に所望の伝
導型及び／又は抵抗率を容易に制御することが可能であ
る。また開管法を用いているため、経済的な工業的生産
が可能である。また第１及び第２の容器を互いに連通さ
せているので、第１の容器内で発生された物質の蒸気を
第２の容器内に効率的かつ確実に供給することができ、
従ってこの蒸気雰囲気中で単結晶ＣｄＴｅを熱処理する
ことが可能である。
第１図は本発明の一実施例による単結晶ＣｄＴｅの熱処
理方法を説明するための断面図、第２Ａ図及び第２Ｂ図
は本発明の実施例において用いる熱処理用器具の平面図
及びそのＢ−Ｂ線の断面図、第３図及び第４図は熱処理
温度をそれぞれ８００℃及び７００℃としたときの単結
晶ＣｄＴｅの伝導型及び抵抗率のりザーバ一温度依存性
を示すグラフ、第５図は従来の封管法による単結晶Ｃｄ
Ｔｅの熱処理方法を説明するための断面図である。 なお図面に用いた符号において、 １−−−−−−−−−一・・・・−−−−一単結晶Ｃｄ
Ｔｅ基板２−−−−−−−−−−−−−−−サセプター
３−−−−−・−−−−−−−−−−Ｃｄ４−・−・・
−−−−−−一一−−−−−リザーバー６〜・−・−−
−−−−一・−・・−電気炉７−・−−−−−−−−一
−−・・−石英管 Ｃ ８−−−−−−−−・−−−−一一−−熱処理用器具９
−−−−−−−−−−−−−−−−−・熱処理室１０−
−−−−−−−−−−−−−−−・−蒸気発生室１１−
・−・−−−−−−−一−・−蒸気供給管１２ 、１３
．１４−−−−−−一蓋 である。
理方法を説明するための断面図、第２Ａ図及び第２Ｂ図
は本発明の実施例において用いる熱処理用器具の平面図
及びそのＢ−Ｂ線の断面図、第３図及び第４図は熱処理
温度をそれぞれ８００℃及び７００℃としたときの単結
晶ＣｄＴｅの伝導型及び抵抗率のりザーバ一温度依存性
を示すグラフ、第５図は従来の封管法による単結晶Ｃｄ
Ｔｅの熱処理方法を説明するための断面図である。 なお図面に用いた符号において、 １−−−−−−−−−一・・・・−−−−一単結晶Ｃｄ
Ｔｅ基板２−−−−−−−−−−−−−−−サセプター
３−−−−−・−−−−−−−−−−Ｃｄ４−・−・・
−−−−−−一一−−−−−リザーバー６〜・−・−−
−−−−一・−・・−電気炉７−・−−−−−−−−一
−−・・−石英管 Ｃ ８−−−−−−−−・−−−−一一−−熱処理用器具９
−−−−−−−−−−−−−−−−−・熱処理室１０−
−−−−−−−−−−−−−−−・−蒸気発生室１１−
・−・−−−−−−−一−・−蒸気供給管１２ 、１３
．１４−−−−−−一蓋 である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単結晶ＣｄＴｅを開管法により熱処理するようにし
た単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法において、上記単結晶Ｃ
ｄＴｅとＣｄ、Ｔｅ及びＣｄＴｅのうちの少なくとも一
種の物質とを互いに連通された第１及び第２の容器内に
それぞれ収容し、 還元性又は不活性ガス気流中において上記第１及び第２
の容器内に収容された上記単結晶ＣｄＴｅ及び上記少な
くとも一種の物質をそれぞれ所定温度に加熱することに
より、上記単結晶ＣｄＴｅを熱処理すると同時にその伝
導型及び／又は抵抗率を制御するようにした単結晶Ｃｄ
Ｔｅの熱処理方法。 ２、上記単結晶ＣｄＴｅの加熱温度が５００〜９００℃
であり、上記少なくとも一種の物質の加熱温度が４００
〜８００℃である特許請求の範囲第１項に記載の単結晶
ＣｄＴｅの熱処理方法。 ３、上記還元性又は不活性ガスが水素、アルゴン又は窒
素である特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の単結
晶ＣｄＴｅの熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22820385A JPS6287499A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22820385A JPS6287499A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287499A true JPS6287499A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0455156B2 JPH0455156B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=16872811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22820385A Granted JPS6287499A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6287499A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100379902C (zh) * | 2006-08-16 | 2008-04-09 | 中国科学技术大学 | 碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法 |
| JP2008100900A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-05-01 | Commiss Energ Atom | アニールによるｉｉ−ｉｖ族の半導体材料中の沈殿物を除去するための方法 |
| JP2017007900A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP22820385A patent/JPS6287499A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100379902C (zh) * | 2006-08-16 | 2008-04-09 | 中国科学技术大学 | 碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法 |
| JP2008100900A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-05-01 | Commiss Energ Atom | アニールによるｉｉ−ｉｖ族の半導体材料中の沈殿物を除去するための方法 |
| US8021482B2 (en) * | 2006-09-07 | 2011-09-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for eliminating the precipitates in a II-IV semiconductor material by annealing |
| JP2017007900A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0455156B2 (ja) | 1992-09-02 |
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