JPH0455156B2 - - Google Patents
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- JPH0455156B2 JPH0455156B2 JP22820385A JP22820385A JPH0455156B2 JP H0455156 B2 JPH0455156 B2 JP H0455156B2 JP 22820385 A JP22820385 A JP 22820385A JP 22820385 A JP22820385 A JP 22820385A JP H0455156 B2 JPH0455156 B2 JP H0455156B2
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、単結晶CdTeを開管法により熱処理
するようにした単結晶CdTeの熱処理方法に関す
る。
するようにした単結晶CdTeの熱処理方法に関す
る。
本発明は、単結晶CdTeを開管法により熱処理
するようにした単結晶CdTeの熱処理方法におい
て、上記単結晶CdTeとCd、Te及びCdTeのうち
の少なくとも一種の物質とを互いに連通された第
１及び第２の容器内にそれぞれ収容し、還元性又
は不活性ガス気中において上記第１及び第２の容
器内に収容された上記単結晶CdTe及び上記少な
くとも一種の物質をそれぞれ所定温度に加熱する
ことにより、上記単結晶CdTeを熱処理すると同
時に所望の伝導型及び／又は抵抗率に容易に制御
することを可能にしたものである。
するようにした単結晶CdTeの熱処理方法におい
て、上記単結晶CdTeとCd、Te及びCdTeのうち
の少なくとも一種の物質とを互いに連通された第
１及び第２の容器内にそれぞれ収容し、還元性又
は不活性ガス気中において上記第１及び第２の容
器内に収容された上記単結晶CdTe及び上記少な
くとも一種の物質をそれぞれ所定温度に加熱する
ことにより、上記単結晶CdTeを熱処理すると同
時に所望の伝導型及び／又は抵抗率に容易に制御
することを可能にしたものである。
従来、単結晶CdTeの伝導型及び抵抗率の制御
は次のようないわゆる封管法により行われてい
る。
は次のようないわゆる封管法により行われてい
る。
第１の方法は、特開昭59−35086号公報に記載
されているように、石英アンプル内に化学量論比
に対応した量のCd及びTeを入れ、これに所定量
のCdを過剰に添加した後、アンプル内の空間の
容積が所定値になるように石英プラグをアンプル
内に挿入して真空封止し、次いでこの石英アンプ
ルをブリツジマン炉で加熱する方法であり、添加
した過剰なCd量を制御することにより、単結晶
CdTeの成長と同時にその伝導型及び抵抗率を制
御するものである。
されているように、石英アンプル内に化学量論比
に対応した量のCd及びTeを入れ、これに所定量
のCdを過剰に添加した後、アンプル内の空間の
容積が所定値になるように石英プラグをアンプル
内に挿入して真空封止し、次いでこの石英アンプ
ルをブリツジマン炉で加熱する方法であり、添加
した過剰なCd量を制御することにより、単結晶
CdTeの成長と同時にその伝導型及び抵抗率を制
御するものである。
また第２の方法は、第５図に示すように、単結
晶CdTe基板１を載せたサセプター２と例えば粒
状のCd３が入れられたリザーバー４とを石英ア
ンプル５内に真空封入し、これを電気炉６内に挿
入した後、単結晶CdTe基板１及びCd３をそれぞ
れ所定温度に加熱することによりCd蒸気雰囲気
中において単結晶CdTe基板１を熱処理する方法
であり、石英アンプル５内のCd蒸気圧をリザー
バー４の温度を変えたり、さらにリザーバー４内
のCd３の変わりにTeやCdTeを用いることによ
り、すなわちリザーバー４内に入れる物質の種類
を変えることにより、単結晶CdTe基板１の伝導
型及び抵抗率を制御するものである。
晶CdTe基板１を載せたサセプター２と例えば粒
状のCd３が入れられたリザーバー４とを石英ア
ンプル５内に真空封入し、これを電気炉６内に挿
入した後、単結晶CdTe基板１及びCd３をそれぞ
れ所定温度に加熱することによりCd蒸気雰囲気
中において単結晶CdTe基板１を熱処理する方法
であり、石英アンプル５内のCd蒸気圧をリザー
バー４の温度を変えたり、さらにリザーバー４内
のCd３の変わりにTeやCdTeを用いることによ
り、すなわちリザーバー４内に入れる物質の種類
を変えることにより、単結晶CdTe基板１の伝導
型及び抵抗率を制御するものである。
しかしながら、上述の第１の方法は、単結晶
CdTeの製造時に伝導型及び抵抗率を決定するこ
とができるものの、結晶中に存在する空孔や転位
等の結晶欠陥を除去したり、組成の勾配をなくし
たりするための熱処理は別に行わなければならな
いので能率的でない。のみならず、この熱処理時
の条件によつて、単結晶CdTeの成長時と特性が
変わつてしまうおそれがある。また上述の第２の
方法は、開管法に比べてCd３の消費量を小さく
することが可能であるものの、熱処理時に単結晶
CdTe基板１からその構成元素、特にCdの蒸発が
起きやすいため熱処理雰囲気の制御が難しく、従
つて伝導型及び抵抗率の制御が難しい。のみなら
ず、上述の第１及び第２の方法はいずれも石英ア
ンプルを真空封入するための手間やコストがかか
るため、工業的生産には不向きである。
CdTeの製造時に伝導型及び抵抗率を決定するこ
とができるものの、結晶中に存在する空孔や転位
等の結晶欠陥を除去したり、組成の勾配をなくし
たりするための熱処理は別に行わなければならな
いので能率的でない。のみならず、この熱処理時
の条件によつて、単結晶CdTeの成長時と特性が
変わつてしまうおそれがある。また上述の第２の
方法は、開管法に比べてCd３の消費量を小さく
することが可能であるものの、熱処理時に単結晶
CdTe基板１からその構成元素、特にCdの蒸発が
起きやすいため熱処理雰囲気の制御が難しく、従
つて伝導型及び抵抗率の制御が難しい。のみなら
ず、上述の第１及び第２の方法はいずれも石英ア
ンプルを真空封入するための手間やコストがかか
るため、工業的生産には不向きである。
本発明は、従来技術が有するこれらの欠点を一
挙に是正した新規な化合物半導体の熱処理方法を
提供することを目的とする。
挙に是正した新規な化合物半導体の熱処理方法を
提供することを目的とする。
本発明に係る単結晶CdTeの熱処理方法は、単
結晶CdTeを開管法により熱処理するようにした
単結晶CdTeの熱処理方法において、上記単結晶
CdTeとCd、Te及びCdTeのうちの少なくとも一
種の物質とを互いに連通された第１及び第２の容
器（例えば蒸気供給管１１により連通された熱処
理室９及び蒸気発生室１０）内にそれぞれ収容
し、還元性又は不活性ガス気流中において上記第
１及び第２の容器内に収容された上記単結晶
CdTe及び上記少なくとも一種の物質それぞれ所
定温度に加熱することにより、上記単結晶CdTe
を熱処理すると同時にその伝導型及び／又は抵抗
率を制御するようにしている。
結晶CdTeを開管法により熱処理するようにした
単結晶CdTeの熱処理方法において、上記単結晶
CdTeとCd、Te及びCdTeのうちの少なくとも一
種の物質とを互いに連通された第１及び第２の容
器（例えば蒸気供給管１１により連通された熱処
理室９及び蒸気発生室１０）内にそれぞれ収容
し、還元性又は不活性ガス気流中において上記第
１及び第２の容器内に収容された上記単結晶
CdTe及び上記少なくとも一種の物質それぞれ所
定温度に加熱することにより、上記単結晶CdTe
を熱処理すると同時にその伝導型及び／又は抵抗
率を制御するようにしている。
以下本発明の一実施例につき図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
まず本実施例において用いる開管法による熱処
理装置の構成につき説明する。
理装置の構成につき説明する。
第１図に示すように、本実施例で用いる熱処理
装置においては、互いに独立して加熱温度を制御
することができる２つの部分６ａ，６ｂから成る
電気炉６内に石英管７が設けられ、この石英管７
内に熱処理用器具８が設けられている。
装置においては、互いに独立して加熱温度を制御
することができる２つの部分６ａ，６ｂから成る
電気炉６内に石英管７が設けられ、この石英管７
内に熱処理用器具８が設けられている。
この熱処理用器具８は、第２Ａ図及び第２Ｂ図
に示すように、熱処理すべき単結晶CdTe基板１
を収容して熱処理を行なうための熱処理室９と、
Cdの蒸気を発生するための蒸気発生室１０とを
例えば円筒状の蒸気供給管１１によつて連通させ
た構造となつている。この蒸気供給管１１の両端
の外周面は、上記熱処理室９及び蒸気発生室１０
の互いに対向する一側壁９ａ，１０ａに設けられ
た円形の開口９ｂ，１０ｂの内周面とそれぞれ接
合され、これによつて熱処理室９と蒸気発生室１
０とが一体的に結合されている。なおこれらの熱
処理室９、蒸気発生室１０、蒸気供給管１１及び
後述の蓋１２，１３は、カーボン、石英、窒化ホ
ウ素（BN）等の気密性を有する耐熱性素材によ
り構成されている。
に示すように、熱処理すべき単結晶CdTe基板１
を収容して熱処理を行なうための熱処理室９と、
Cdの蒸気を発生するための蒸気発生室１０とを
例えば円筒状の蒸気供給管１１によつて連通させ
た構造となつている。この蒸気供給管１１の両端
の外周面は、上記熱処理室９及び蒸気発生室１０
の互いに対向する一側壁９ａ，１０ａに設けられ
た円形の開口９ｂ，１０ｂの内周面とそれぞれ接
合され、これによつて熱処理室９と蒸気発生室１
０とが一体的に結合されている。なおこれらの熱
処理室９、蒸気発生室１０、蒸気供給管１１及び
後述の蓋１２，１３は、カーボン、石英、窒化ホ
ウ素（BN）等の気密性を有する耐熱性素材によ
り構成されている。
上記熱処理室９は直方体の形状を有し、開放さ
れたその一面に蓋１２が設けられている。この蓋
１２の一方の面には、熱処理室９の内部の平面的
な大きさよりも少し大きさの小さい突出部１２ａ
が設けられている。そしてこの突出部１２ａが熱
処理室９の内側に突出した状態で蓋１２の上記面
の周辺部１２ｂを熱処理室９の側壁９ａの上端面
と接触させることにより、熱処理室９をほぼ完全
に密閉し得るようになつている。なおこの密閉の
程度は、熱処理室９に蓋１２がかぶせられた状態
でCd蒸気が熱処理室９から外部に出て行くこと
が可能であるように選定される。さらにこの熱処
理室９内には、熱処理すべき単結晶CdTe基板１
を保持するためのサセプター２が設けられてい
る。なおこのサセプター２は、複数枚の単結晶
CdTe基板１を整列収容し得るようになつてい
る。
れたその一面に蓋１２が設けられている。この蓋
１２の一方の面には、熱処理室９の内部の平面的
な大きさよりも少し大きさの小さい突出部１２ａ
が設けられている。そしてこの突出部１２ａが熱
処理室９の内側に突出した状態で蓋１２の上記面
の周辺部１２ｂを熱処理室９の側壁９ａの上端面
と接触させることにより、熱処理室９をほぼ完全
に密閉し得るようになつている。なおこの密閉の
程度は、熱処理室９に蓋１２がかぶせられた状態
でCd蒸気が熱処理室９から外部に出て行くこと
が可能であるように選定される。さらにこの熱処
理室９内には、熱処理すべき単結晶CdTe基板１
を保持するためのサセプター２が設けられてい
る。なおこのサセプター２は、複数枚の単結晶
CdTe基板１を整列収容し得るようになつてい
る。
一方、蒸気発生室１０は、熱処理室９よりも容
積が小さく、正方形に近い平面状を有する直方体
の形状を有している。この蒸気発生室１０の開放
された一面には蓋１３が設けられている。この蓋
１３の一方の面には上記蓋１２と同様な突出部１
３ａが設けられていて、この突出部１３ａが蒸気
発生室１０の内側に突出した状態で蓋１３の上記
面の周辺部１３ｂを蒸気発生室１０の側壁１０ａ
の上端面に接触させることにより、蒸気発生室１
０をほぼ完全に密閉し得るようになつている。な
おこの蓋１３による蒸気発生室１０の密閉の程度
は、蓋１２による熱処理室９の密閉の程度よりも
高くすることが好ましい。さらにこの蒸気発生室
１０内には、Cdを収容するためのリザーバー４
が設けられている。このリザーバー４の開放され
た一面には、その中央部に例えば１mmφ程度の径
の小さい円形状の蒸気供給口１４ａを有する蓋１
４が設けられていて、この蓋１４によつてリザー
バー４をほぼ完全に密閉し得るようになつてい
る。
積が小さく、正方形に近い平面状を有する直方体
の形状を有している。この蒸気発生室１０の開放
された一面には蓋１３が設けられている。この蓋
１３の一方の面には上記蓋１２と同様な突出部１
３ａが設けられていて、この突出部１３ａが蒸気
発生室１０の内側に突出した状態で蓋１３の上記
面の周辺部１３ｂを蒸気発生室１０の側壁１０ａ
の上端面に接触させることにより、蒸気発生室１
０をほぼ完全に密閉し得るようになつている。な
おこの蓋１３による蒸気発生室１０の密閉の程度
は、蓋１２による熱処理室９の密閉の程度よりも
高くすることが好ましい。さらにこの蒸気発生室
１０内には、Cdを収容するためのリザーバー４
が設けられている。このリザーバー４の開放され
た一面には、その中央部に例えば１mmφ程度の径
の小さい円形状の蒸気供給口１４ａを有する蓋１
４が設けられていて、この蓋１４によつてリザー
バー４をほぼ完全に密閉し得るようになつてい
る。
次に上述のように構成された熱処理装置及び熱
処理用器具を用いて単結晶CdTe基板１の熱処理
を行う方法につき説明する。
処理用器具を用いて単結晶CdTe基板１の熱処理
を行う方法につき説明する。
第２Ａ図及び第２Ｂ図に示すように、まず熱処
理用器具８内のサセプター２に所要枚数の単結晶
CdTe基板１を立てた後、蓋１２を熱処理室９に
かぶせて密閉する。同様に、十分な量のCd３を
リザーバー４内に入れた後、蒸気発生室１０に蓋
１３をかぶせて密閉する。
理用器具８内のサセプター２に所要枚数の単結晶
CdTe基板１を立てた後、蓋１２を熱処理室９に
かぶせて密閉する。同様に、十分な量のCd３を
リザーバー４内に入れた後、蒸気発生室１０に蓋
１３をかぶせて密閉する。
次に第１図に示すように、熱処理用器具８全体
を石英管７内に挿入する。次に石英管７内を真空
ポンプにより所定圧力に減圧した後、石英管７内
に矢印Ａで示す方向に水素、アルゴン、窒素等の
還元性または不活性ガスを流しながら、熱処理室
９及び蒸気発生室１０をそれぞれ単結晶CdTe基
板１の熱処理温度及びCd３の蒸発温度に加熱す
る。なお上述の石英管７内に流すガスは、ガス中
の酸素濃度が10-15〜10-20気圧と低い水素が望ま
しい。
を石英管７内に挿入する。次に石英管７内を真空
ポンプにより所定圧力に減圧した後、石英管７内
に矢印Ａで示す方向に水素、アルゴン、窒素等の
還元性または不活性ガスを流しながら、熱処理室
９及び蒸気発生室１０をそれぞれ単結晶CdTe基
板１の熱処理温度及びCd３の蒸発温度に加熱す
る。なお上述の石英管７内に流すガスは、ガス中
の酸素濃度が10-15〜10-20気圧と低い水素が望ま
しい。
この加熱により、リザーバー４内のCd３から
加熱温度に応じた速度でCdの蒸発が起き、この
結果、リザーバー４の蓋１４の蒸気供給口１４ａ
から蒸気発生室１０内にCd蒸気が噴射してこの
蒸気発生室１０内がCd蒸気で満される。このCd
蒸気は蒸気発生室１０から蒸気供給管１１を通つ
て熱処理室９内に供給され、この熱処理室９も
Cd蒸気で満たされる。従つて、単結晶CdTe基板
１は、Cdの蒸気雰囲気中で熱処理が行われる。
なおこの熱処理室９内の蒸気圧力が外部の圧力を
超える程度に上昇すると、外部の圧力を超えた分
のCd蒸気は蓋１２と熱処理室９との間の隙間か
ら外部に放出されるので、熱処理室９内の最大蒸
気圧は石英管７内の圧力とほぼ等しい。
加熱温度に応じた速度でCdの蒸発が起き、この
結果、リザーバー４の蓋１４の蒸気供給口１４ａ
から蒸気発生室１０内にCd蒸気が噴射してこの
蒸気発生室１０内がCd蒸気で満される。このCd
蒸気は蒸気発生室１０から蒸気供給管１１を通つ
て熱処理室９内に供給され、この熱処理室９も
Cd蒸気で満たされる。従つて、単結晶CdTe基板
１は、Cdの蒸気雰囲気中で熱処理が行われる。
なおこの熱処理室９内の蒸気圧力が外部の圧力を
超える程度に上昇すると、外部の圧力を超えた分
のCd蒸気は蓋１２と熱処理室９との間の隙間か
ら外部に放出されるので、熱処理室９内の最大蒸
気圧は石英管７内の圧力とほぼ等しい。
このようにして所定時間熱処理を行つた後、熱
処理用器具８全体を炉外に取り出して、目的とす
る熱処理を終了する。
処理用器具８全体を炉外に取り出して、目的とす
る熱処理を終了する。
上述のような単結晶CdTe基板１の熱処理を熱
処理温度とリザーバー４の温度とを種々に変えて
行い、熱処理後の単結晶CdTe基板１の伝導型及
び抵抗率を測定した所、第３図及び第４図に示す
ような結果が得られた。なお熱処理は石英管７内
に水素ガスを流量１／分で流しながら行つた。
処理温度とリザーバー４の温度とを種々に変えて
行い、熱処理後の単結晶CdTe基板１の伝導型及
び抵抗率を測定した所、第３図及び第４図に示す
ような結果が得られた。なお熱処理は石英管７内
に水素ガスを流量１／分で流しながら行つた。
第３図に示すように、熱処理温度が800℃であ
る場合には、リザーバー４の温度が400〜530℃の
範囲内では伝導型はｐ型であり、温度が高くなる
につれて抵抗率が10Ωcmから３×105Ωcm程度まで
増大するのに対して、570〜720℃の範囲内では伝
導型はｎ型であり、温度が高くなるにつれて抵抗
率が３×105Ωcmから10Ωcm程度まで減少すること
がわかる。また第４図に示すように、熱処理温度
が700℃である場合には、リザーバー４の温度が
400〜430℃の範囲内では伝導型がｐ型であり、温
度が高くなるにつれて抵抗率が10Ωcmから３×
102Ωcmまで増大するのに対して、480〜730℃の
範囲内では伝導型はｎ型であり、温度が高くなる
につれて抵抗率が105Ωcmから5Ωcm程度まで減少
することがわかる。なお第３図及び第４図におい
て、伝導型がｐ型にもｎ型にもならないリザーバ
ー４の温度範囲においては、真性、すなわちｉ型
単結晶CdTe基板１が得られた。単結晶CdTe基
板１の伝導型及び抵抗率が熱処理温度とリザーバ
ー４の温度とによつて第３図及び第４図に示すよ
うに変化するとから、熱処理温度とリザーバー４
の温度とを制御することにより単結晶CdTe基板
１の伝導型及び抵抗率を制御することが可能であ
ることがわかる。従つて、熱処理温度とリザーバ
ー４の温度とを適当に組み合わせることにより、
所望の伝導型及び抵抗率を有する単結晶CdTe基
板１を得ることが可能である。
る場合には、リザーバー４の温度が400〜530℃の
範囲内では伝導型はｐ型であり、温度が高くなる
につれて抵抗率が10Ωcmから３×105Ωcm程度まで
増大するのに対して、570〜720℃の範囲内では伝
導型はｎ型であり、温度が高くなるにつれて抵抗
率が３×105Ωcmから10Ωcm程度まで減少すること
がわかる。また第４図に示すように、熱処理温度
が700℃である場合には、リザーバー４の温度が
400〜430℃の範囲内では伝導型がｐ型であり、温
度が高くなるにつれて抵抗率が10Ωcmから３×
102Ωcmまで増大するのに対して、480〜730℃の
範囲内では伝導型はｎ型であり、温度が高くなる
につれて抵抗率が105Ωcmから5Ωcm程度まで減少
することがわかる。なお第３図及び第４図におい
て、伝導型がｐ型にもｎ型にもならないリザーバ
ー４の温度範囲においては、真性、すなわちｉ型
単結晶CdTe基板１が得られた。単結晶CdTe基
板１の伝導型及び抵抗率が熱処理温度とリザーバ
ー４の温度とによつて第３図及び第４図に示すよ
うに変化するとから、熱処理温度とリザーバー４
の温度とを制御することにより単結晶CdTe基板
１の伝導型及び抵抗率を制御することが可能であ
ることがわかる。従つて、熱処理温度とリザーバ
ー４の温度とを適当に組み合わせることにより、
所望の伝導型及び抵抗率を有する単結晶CdTe基
板１を得ることが可能である。
このように、上述の実施例によれば、熱処理温
度とリザーバー４の温度とを適当に選定して熱処
理を行うことにより、単結晶CdTe基板１中の結
晶欠陥を除去したり組成勾配を解消すると同時
に、所望の伝導型及び抵抗率に容易に制御するこ
とが可能である。また上述の実施例においては、
開管法を用いしかも熱処理用器具８を用いている
ため熱処理を簡便に行うことが可能であると共
に、反応管７及び熱処理用器具８を繰り返し使用
することができるので経済的な工業的生産が可能
である。さらに、リザーバー４から発生される
Cd蒸気は、蒸気供給管１１を通つて熱処理室９
内に効率的かつ確実に供給されるので、熱処理に
より単結晶CdTe基板１の組成が化学量論比から
ずれるのを効果的に防止することが可能である。
さらにまた、蒸気供給管１１の長さだけ熱処理室
９と蒸気発生室１０とを離すことができるので、
熱処理室９の温度と蒸気発生室１０の温度とを独
立して制御するのが容易である。のみならず、熱
処理により、単結晶CdTe基板１中に含まれてい
る塩素（CI）、砒素（As）等の揮発性不純物を揮
発除去することも可能である。
度とリザーバー４の温度とを適当に選定して熱処
理を行うことにより、単結晶CdTe基板１中の結
晶欠陥を除去したり組成勾配を解消すると同時
に、所望の伝導型及び抵抗率に容易に制御するこ
とが可能である。また上述の実施例においては、
開管法を用いしかも熱処理用器具８を用いている
ため熱処理を簡便に行うことが可能であると共
に、反応管７及び熱処理用器具８を繰り返し使用
することができるので経済的な工業的生産が可能
である。さらに、リザーバー４から発生される
Cd蒸気は、蒸気供給管１１を通つて熱処理室９
内に効率的かつ確実に供給されるので、熱処理に
より単結晶CdTe基板１の組成が化学量論比から
ずれるのを効果的に防止することが可能である。
さらにまた、蒸気供給管１１の長さだけ熱処理室
９と蒸気発生室１０とを離すことができるので、
熱処理室９の温度と蒸気発生室１０の温度とを独
立して制御するのが容易である。のみならず、熱
処理により、単結晶CdTe基板１中に含まれてい
る塩素（CI）、砒素（As）等の揮発性不純物を揮
発除去することも可能である。
以上本発明の一実施例につき説明したが、本発
明は上述の実施例に限定されるものではなく、本
発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能であ
る。例えば、熱処理温度やリザーバー４の加熱温
度は必要に応じて適宜選定し得るものである。こ
の熱処理温度としては500〜900℃の範囲の温度を
用いることが可能であるが、温度が低すぎると
Cdの拡散速度が十分に大きくないため熱処理に
時間がかかり（例えば800℃では２時間でよいの
に対して700℃では３日間を要する）、温度が高す
ぎるとCdの蒸気圧が１気圧を超えて開管法で実
施することが難しくなるので、Cdの蒸気圧が約
１気圧となる約800℃を中心とした750〜850℃の
範囲内の温度を用いることが好ましい。また熱処
理温度が500〜900℃の範囲であるときのリザーバ
ー４の加熱温度は400〜800℃の範囲とすることが
可能である。
明は上述の実施例に限定されるものではなく、本
発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能であ
る。例えば、熱処理温度やリザーバー４の加熱温
度は必要に応じて適宜選定し得るものである。こ
の熱処理温度としては500〜900℃の範囲の温度を
用いることが可能であるが、温度が低すぎると
Cdの拡散速度が十分に大きくないため熱処理に
時間がかかり（例えば800℃では２時間でよいの
に対して700℃では３日間を要する）、温度が高す
ぎるとCdの蒸気圧が１気圧を超えて開管法で実
施することが難しくなるので、Cdの蒸気圧が約
１気圧となる約800℃を中心とした750〜850℃の
範囲内の温度を用いることが好ましい。また熱処
理温度が500〜900℃の範囲であるときのリザーバ
ー４の加熱温度は400〜800℃の範囲とすることが
可能である。
さらに、熱処理用器具８の材質、寸法、形状、
構造等は必要に応じて選定し得るものである。さ
らにまた、必要に応じてリザーバー４内にはCd
３に代えてTeまたはCdTeを入れることも可能で
ある。特にTeを用いる場合は、Te蒸気の雰囲気
下で単結晶CdTe基板を熱処理するので、ｐ型
CdTeを作る際にリザーバー温度の範囲を広くと
ることができるという利点がある。またCdTeを
用いる場合は、Cd蒸気とTe蒸気とが共存する雰
囲気下で単結晶CdTeを熱処理することになり、
同一リザーバー温度ではCdを用いる場合よりCd
蒸気圧が低くなるので、同じ伝導型、抵抗率に制
御するにはCdの場合よりリザーバー温度を高く
すれば良い。
構造等は必要に応じて選定し得るものである。さ
らにまた、必要に応じてリザーバー４内にはCd
３に代えてTeまたはCdTeを入れることも可能で
ある。特にTeを用いる場合は、Te蒸気の雰囲気
下で単結晶CdTe基板を熱処理するので、ｐ型
CdTeを作る際にリザーバー温度の範囲を広くと
ることができるという利点がある。またCdTeを
用いる場合は、Cd蒸気とTe蒸気とが共存する雰
囲気下で単結晶CdTeを熱処理することになり、
同一リザーバー温度ではCdを用いる場合よりCd
蒸気圧が低くなるので、同じ伝導型、抵抗率に制
御するにはCdの場合よりリザーバー温度を高く
すれば良い。
本発明によれば、第１及び第２の容器内にそれ
ぞれ収容された単結晶CdTe及び所定物質の加熱
温度の選定により、単結晶CdTeの熱処理を行う
と同時に所望の伝導型及び／又は抵抗率を容易に
制御することが可能である。また開管法を用いて
いるため、経済的な工業的生産が可能である。ま
た第１及び第２の容器を互いに連通させているの
で、第１の容器内で発生された物質の蒸気を第２
の容器内に効率的かつ確実に供給することがで
き、従つてこの蒸気雰囲気中で単結晶CdTeを熱
処理することが可能である。
ぞれ収容された単結晶CdTe及び所定物質の加熱
温度の選定により、単結晶CdTeの熱処理を行う
と同時に所望の伝導型及び／又は抵抗率を容易に
制御することが可能である。また開管法を用いて
いるため、経済的な工業的生産が可能である。ま
た第１及び第２の容器を互いに連通させているの
で、第１の容器内で発生された物質の蒸気を第２
の容器内に効率的かつ確実に供給することがで
き、従つてこの蒸気雰囲気中で単結晶CdTeを熱
処理することが可能である。
第１図は本発明の一実施例による単結晶CdTe
の熱処理方法を説明するための断面図、第２Ａ図
及び第２Ｂ図は本発明の実施例において用いる熱
処理用器具の平面図及びそのＢ−Ｂ線の断面図、
第３図及び第４図は熱処理温度をそれぞれ800℃
及び700℃としたときの単結晶CdTeの伝導型及
び抵抗率のリザーバー温度依存性を示すグラフ、
第５図は従来の封管法による単結晶CdTeの熱処
理方法を説明するための断面図である。 なお図面に用いた符号において、１…単結晶
CdTe基板、２…サセプター、３…Cd、４…リザ
ーバー、６…電気炉、７…石英管、８…熱処理用
器具、９…熱処理室、１０…蒸気発生室、１１…
蒸気供給管、１２，１３，１４…蓋である。
の熱処理方法を説明するための断面図、第２Ａ図
及び第２Ｂ図は本発明の実施例において用いる熱
処理用器具の平面図及びそのＢ−Ｂ線の断面図、
第３図及び第４図は熱処理温度をそれぞれ800℃
及び700℃としたときの単結晶CdTeの伝導型及
び抵抗率のリザーバー温度依存性を示すグラフ、
第５図は従来の封管法による単結晶CdTeの熱処
理方法を説明するための断面図である。 なお図面に用いた符号において、１…単結晶
CdTe基板、２…サセプター、３…Cd、４…リザ
ーバー、６…電気炉、７…石英管、８…熱処理用
器具、９…熱処理室、１０…蒸気発生室、１１…
蒸気供給管、１２，１３，１４…蓋である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 単結晶CdTeを開管法により熱処理するよう
にした単結晶CdTeの熱処理方法において、 上記単結晶CdTeとCd、Te及びCdTeのうちの
少なくとも一種の物質とを互いに連通された第１
及び第２の容器内にそれぞれ収容し、 還元性又は不活性ガス気流中において上記第１
及び第２の容器内に収容された上記単結晶CdTe
及び上記少なくとも一種の物質をそれぞれ所定温
度に加熱することにより、上記単結晶CdTeを熱
処理すると同時にその伝導型及び／又は抵抗率を
制御するようにした単結晶CdTeの熱処理方法。 ２ 上記単結晶CdTeの加熱温度が500〜900℃で
あり、上記少なくとも一種の物質の加熱温度が
400〜800℃である特許請求の範囲第１項に記載の
単結晶CdTeの熱処理方法。 ３ 上記還元性又は不活性ガスが水素、アルゴン
又は窒素である特許請求の範囲第１項又は第２項
に記載の単結晶CdTeの熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22820385A JPS6287499A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22820385A JPS6287499A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287499A JPS6287499A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0455156B2 true JPH0455156B2 (ja) | 1992-09-02 |
Family
ID=16872811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22820385A Granted JPS6287499A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 単結晶ＣｄＴｅの熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6287499A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100379902C (zh) * | 2006-08-16 | 2008-04-09 | 中国科学技术大学 | 碲化镉单晶的低温溶剂热生长方法 |
| FR2905706B1 (fr) * | 2006-09-07 | 2009-04-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elimination par recuit des precipites dans un materiau semi conducteur ii vi |
| JP6456782B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-01-23 | Ｊｘ金属株式会社 | ＣｄＴｅ系化合物半導体単結晶及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP22820385A patent/JPS6287499A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6287499A (ja) | 1987-04-21 |
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