JPS6287899A - 放射線光学素子 - Google Patents
放射線光学素子Info
- Publication number
- JPS6287899A JPS6287899A JP60227889A JP22788985A JPS6287899A JP S6287899 A JPS6287899 A JP S6287899A JP 60227889 A JP60227889 A JP 60227889A JP 22788985 A JP22788985 A JP 22788985A JP S6287899 A JPS6287899 A JP S6287899A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- graphite
- oxane
- polyphenylene
- optical element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/067—Construction details
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
- G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
- G21K2201/068—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements specially adapted for particle beams
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の目的
（産業上の利用分野）
この発明はエックス（Ｘ）線分光、中性子分光等におい
て放射線光学素子とじてに用いられる黒鉛結晶素子に関
する。
て放射線光学素子とじてに用いられる黒鉛結晶素子に関
する。
（従来技術）
Ｘ線分光器、Ｘ線顕微鏡等のＸ線光学機器に用いられる
光学素子は、特殊の場合に用いられる表面にすれすれに
入射するＸ線の全反射を利用するものの他は、一般には
結晶のブラッグ反射を用いるものであることはよく知ら
れている。このような目的に用いられる結晶は、結晶構
造が完全であること、必要なだけの大きさの結晶が得ら
れること、の他に、Ｘ線に対する吸収係数が小さいこと
、曲撓結品分光器等に使用するには結晶が可撓性を有す
ることが求められる。
光学素子は、特殊の場合に用いられる表面にすれすれに
入射するＸ線の全反射を利用するものの他は、一般には
結晶のブラッグ反射を用いるものであることはよく知ら
れている。このような目的に用いられる結晶は、結晶構
造が完全であること、必要なだけの大きさの結晶が得ら
れること、の他に、Ｘ線に対する吸収係数が小さいこと
、曲撓結品分光器等に使用するには結晶が可撓性を有す
ることが求められる。
黒鉛は、Ｘ線に対する吸収係数が小さく、Ｘ線光学素子
として望ましいものの一つであり、ユニオンカーバイド
社でＣＡ Ｐ Ｇ （Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ−ａｎｎ
ｅａｌｅｄ ｐｙｒｏｇｒａｐｈｉｔｅ）として商品化
されている。これは黒鉛結晶を加圧しなから３６００’
Ｃで長時間焼鈍したものである。
として望ましいものの一つであり、ユニオンカーバイド
社でＣＡ Ｐ Ｇ （Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ−ａｎｎ
ｅａｌｅｄ ｐｙｒｏｇｒａｐｈｉｔｅ）として商品化
されている。これは黒鉛結晶を加圧しなから３６００’
Ｃで長時間焼鈍したものである。
ブラッグ反射はよく知られているようにｄを結晶格子の
面間隔、λを反射Ｘ線の波長、θを反射角を示すものと
すれば ２ｄｓｉｎθ＝λ で表される。上記ユニオンカーバイド社の黒鉛の場合、
単色のＸ線、例えばＣｕのにαライン（λ＝ １．５４
１８人）を（００２）面で反射する場合、格子面間隔ｄ
は黒鉛単結晶の間隔であるｄ＝３．３５４人に近く、反
射ラインの幅Δδ。。２は約０．７６と言われている。
面間隔、λを反射Ｘ線の波長、θを反射角を示すものと
すれば ２ｄｓｉｎθ＝λ で表される。上記ユニオンカーバイド社の黒鉛の場合、
単色のＸ線、例えばＣｕのにαライン（λ＝ １．５４
１８人）を（００２）面で反射する場合、格子面間隔ｄ
は黒鉛単結晶の間隔であるｄ＝３．３５４人に近く、反
射ラインの幅Δδ。。２は約０．７６と言われている。
しかし、このような黒鉛を得ようとする場合、天然黒鉛
の単結晶では大面積のものを得ることは不可能であり、
炭化水素の高温分解沈積物の熱間加工によって得ようと
すれば、上記のように加圧下の長時間の高温焼鈍を必要
とし。
の単結晶では大面積のものを得ることは不可能であり、
炭化水素の高温分解沈積物の熱間加工によって得ようと
すれば、上記のように加圧下の長時間の高温焼鈍を必要
とし。
製造方法が複雑で製品も非常に高価になるという問題が
あった。
あった。
また、Ｘ線を集光する場合、従来は薄いシリコン単結晶
を撓ませて用いるか、黒鉛を機械加工によって球面状の
レンズを形成しており、何れも製作が面倒でコストも嵩
むものとなっていた。
を撓ませて用いるか、黒鉛を機械加工によって球面状の
レンズを形成しており、何れも製作が面倒でコストも嵩
むものとなっていた。
（この発明が解決しようとする問題点）この発明は加圧
焼鈍等の複雑なプロセスを用いないで簡単に製造され、
従って低コストで得られるにもかかわらず、完全な結晶
性を有し、その上、可撓性を有する大面積の人工黒鉛を
得ようとするものである。
焼鈍等の複雑なプロセスを用いないで簡単に製造され、
従って低コストで得られるにもかかわらず、完全な結晶
性を有し、その上、可撓性を有する大面積の人工黒鉛を
得ようとするものである。
発明の構成
（問題を解決するための手段）
高分子を熱分解すると、元の形状を保ったままで炭化す
るものがあることは知られており、この方法は可撓性の
ある大面積の炭素質材料を作る良い方法ではあるが、こ
のような方法によって得られる炭素質物は黒鉛とは異な
る構造を持つ難黒鉛化性であることが多い。
るものがあることは知られており、この方法は可撓性の
ある大面積の炭素質材料を作る良い方法ではあるが、こ
のような方法によって得られる炭素質物は黒鉛とは異な
る構造を持つ難黒鉛化性であることが多い。
本発明者は各種の高分子の熱分解の研究を行った結果、
ポリ（パラフェニレン−１，３，４−オキサジアゾール
）（以下ＰＯＤと略す）を２８００℃以上で処理したも
の（以下ＧＰＯＤと略す）が目的とする黒鉛化に適し、
そのフィルムを黒鉛化したものは可撓性を有し、Ｘ線等
の放射線光学素子として好適であることを見出した。
ポリ（パラフェニレン−１，３，４−オキサジアゾール
）（以下ＰＯＤと略す）を２８００℃以上で処理したも
の（以下ＧＰＯＤと略す）が目的とする黒鉛化に適し、
そのフィルムを黒鉛化したものは可撓性を有し、Ｘ線等
の放射線光学素子として好適であることを見出した。
（作用）
黒鉛化の出発材料であるＰＯＤは古くから知られている
耐熱性高分子で、一般にはテレフタル酸とヒドラジンの
重縮合反応によって得られるポリヒドラジドを脱水環化
されてえられるが、ジメチルテレフタレートと硫酸ヒド
ラジドの反応、あるいは塩化テレフタル酸とヒドラジン
の反応等によっても得ることが可能である。ＰＯＤは濃
硫酸に可溶で、濃硫酸溶液からキャストして得られた皮
膜は高い結晶性を有している。これは極性の高い１．３
．４−オキサジアゾール環が双極子相互作用により互い
に秩序正しく配向することによると考えられる。ＰＯＤ
が５２０〜１４００°Ｃでの熱処理によって含窒素縮合
多環構造が容易に生成するのは明らかにこのようなＰＯ
Ｄの配向性によっており、その様な制御された含窒素縮
合多環構造の存在がグラファイト化を容易にしていると
推定出来る。従って、ＰＯＤの各種の異性体も高い結晶
性を有するものであれば同様な易グラファイト性を有す
るものである。
耐熱性高分子で、一般にはテレフタル酸とヒドラジンの
重縮合反応によって得られるポリヒドラジドを脱水環化
されてえられるが、ジメチルテレフタレートと硫酸ヒド
ラジドの反応、あるいは塩化テレフタル酸とヒドラジン
の反応等によっても得ることが可能である。ＰＯＤは濃
硫酸に可溶で、濃硫酸溶液からキャストして得られた皮
膜は高い結晶性を有している。これは極性の高い１．３
．４−オキサジアゾール環が双極子相互作用により互い
に秩序正しく配向することによると考えられる。ＰＯＤ
が５２０〜１４００°Ｃでの熱処理によって含窒素縮合
多環構造が容易に生成するのは明らかにこのようなＰＯ
Ｄの配向性によっており、その様な制御された含窒素縮
合多環構造の存在がグラファイト化を容易にしていると
推定出来る。従って、ＰＯＤの各種の異性体も高い結晶
性を有するものであれば同様な易グラファイト性を有す
るものである。
ＰＯＤの異性体としては次のものが上げられる。
ポリ（ｍ−フェニレン−１，３，４−オキサジアゾール
）、ポリ（ｐ−フェニレン−１，２，４−オキサジアゾ
ール）ポリ（ｍ−フェニレン−１゜２．４−オキサジア
ゾール）ポリ（０−フェニレン−１，３，４−オキサジ
アゾール）、ポリ（〇−フェニレンー１．２．４−オキ
サジアゾール）およびこれらの共重合体等である。
）、ポリ（ｐ−フェニレン−１，２，４−オキサジアゾ
ール）ポリ（ｍ−フェニレン−１゜２．４−オキサジア
ゾール）ポリ（０−フェニレン−１，３，４−オキサジ
アゾール）、ポリ（〇−フェニレンー１．２．４−オキ
サジアゾール）およびこれらの共重合体等である。
そしてこのグラファイト化の反応は圧力や触媒の存在下
では促進され１例えば５にｂの加圧下では２２００℃の
加熱でほぼ常圧下２８００℃で加熱したのと同じ効果が
ある。また、熱処理を周期律表ｒＶａ〜■Ｂ族および■
族元素の存在下で行う事もグラファイト化反応を促進す
る。
では促進され１例えば５にｂの加圧下では２２００℃の
加熱でほぼ常圧下２８００℃で加熱したのと同じ効果が
ある。また、熱処理を周期律表ｒＶａ〜■Ｂ族および■
族元素の存在下で行う事もグラファイト化反応を促進す
る。
上記の出発材料を常圧下２８００℃以上で処理して得ら
れたＧＰＯＤの物性値は以下のようであった・ ■ ＣｕＫα（１，５４１８人）に対する反射ラインは
第１図に示すよう４．−００２．００４．００６面に対
応するもののみである。
れたＧＰＯＤの物性値は以下のようであった・ ■ ＣｕＫα（１，５４１８人）に対する反射ラインは
第１図に示すよう４．−００２．００４．００６面に対
応するもののみである。
■ ００２面の反射角度（２θ）は２６．５７６’で、
面環距離ｄは３，３５４人となり、黒鉛単結晶のそれと
一致した。
面環距離ｄは３，３５４人となり、黒鉛単結晶のそれと
一致した。
■ ００２面の反射ライン（２θ＝２６．５７６°に中
心を持つもの）の半値幅は熱処理温度２８００℃、３０
００℃に対してそれぞれ２．０’ 、 ０．１４°であ
った。
心を持つもの）の半値幅は熱処理温度２８００℃、３０
００℃に対してそれぞれ２．０’ 、 ０．１４°であ
った。
■ ＧＰＯＤは可撓性を有し、その面積は出発原料ＰＯ
Ｄの面積および熱処理炉の大きさによりいくらでも大き
くすることができた。
Ｄの面積および熱処理炉の大きさによりいくらでも大き
くすることができた。
（実施例）
Ｘ線レンズ
第２図はＧＰＯＤをシリンドリカル面の内側に張り付け
て収斂レンズとした例を示す。５ａ！Ｉ×１０■の大き
さで厚さが３０μのＧＰＯＤをレンズ１にはＭｏ板２の
１ｍφの孔を通してＣｕ Ｋａ線を入射する。焦点位置
に置かれた写真乾板３上の像は一本の線となり、その長
さは１ｍ、幅は約１５μｍとなり、良い集光性が得られ
た。このようなレンズを２回通過させることによって１
μ鳳以下の微細なパターンが得られた。
て収斂レンズとした例を示す。５ａ！Ｉ×１０■の大き
さで厚さが３０μのＧＰＯＤをレンズ１にはＭｏ板２の
１ｍφの孔を通してＣｕ Ｋａ線を入射する。焦点位置
に置かれた写真乾板３上の像は一本の線となり、その長
さは１ｍ、幅は約１５μｍとなり、良い集光性が得られ
た。このようなレンズを２回通過させることによって１
μ鳳以下の微細なパターンが得られた。
Ｘ、ＩＢモノクロメータ
第３図はＧＰＯＤを平面の基板上に張り付けることによ
り、モノクロメータとした例を示す、モノクロメータ４
は５〔ｘ５の大きさで１５μ重の厚さのＧＰＯＤを平滑
なガラス基板に張り付けたものであり、角度θを変える
ことによってＭｏ板２のピンホールを通過するＸ線の波
長を変えることが出来る。該ピンホールを通過したＸ線
は実施例１と同様のレンズ１により第２のＭＯ板２′の
ピンホールを通りカウンタ５に集光される。Ｃｕをター
ゲットとするＸ線を入射させたところ、ＣｕＫαの特性
Ｘ線がθ−１３，２８８°の方向で強く観測された。ラ
イン幅は０．２°であった。これを天然グラファイト単
結晶を用いた場合と比較すると、ライン幅が０．３″か
ら０．２’へ減少し、ＧＰＯＤの高性能が確認出来た。
り、モノクロメータとした例を示す、モノクロメータ４
は５〔ｘ５の大きさで１５μ重の厚さのＧＰＯＤを平滑
なガラス基板に張り付けたものであり、角度θを変える
ことによってＭｏ板２のピンホールを通過するＸ線の波
長を変えることが出来る。該ピンホールを通過したＸ線
は実施例１と同様のレンズ１により第２のＭＯ板２′の
ピンホールを通りカウンタ５に集光される。Ｃｕをター
ゲットとするＸ線を入射させたところ、ＣｕＫαの特性
Ｘ線がθ−１３，２８８°の方向で強く観測された。ラ
イン幅は０．２°であった。これを天然グラファイト単
結晶を用いた場合と比較すると、ライン幅が０．３″か
ら０．２’へ減少し、ＧＰＯＤの高性能が確認出来た。
また、実施例はＸ線光学素子として説明したが、材質が
グラファイトであって中性子の吸収が小さいので、Ｘ線
用だけでなく、同じ原理によって中性子分光におけるモ
ノクロメータ、アナライザ、フィルタとして利用出来る
ことは言うまでもない。
グラファイトであって中性子の吸収が小さいので、Ｘ線
用だけでなく、同じ原理によって中性子分光におけるモ
ノクロメータ、アナライザ、フィルタとして利用出来る
ことは言うまでもない。
発明の効果
この発明は上記のようにＰＯＤを２８００℃以上という
従来のＣＡＰＧより遥かに低い温度で、しかも簡単なプ
ロセスによって完全にグラファイト化されたＧＰＯＤを
作ることが出来、非常に低コストのＸ線光学素子を得る
ことが出来た。しかも自由に大きなサイズのものを得ら
れ、可撓性に富むので、Ｘ線レンズ等とするのに極めて
都合が良いものである。
従来のＣＡＰＧより遥かに低い温度で、しかも簡単なプ
ロセスによって完全にグラファイト化されたＧＰＯＤを
作ることが出来、非常に低コストのＸ線光学素子を得る
ことが出来た。しかも自由に大きなサイズのものを得ら
れ、可撓性に富むので、Ｘ線レンズ等とするのに極めて
都合が良いものである。
第１図はＧＰＯＤのＣｕＫａ線の反射スペクトル、第２
図はこの発明の１実施例を示しＸ線レンズとして応用し
た場合の光学配置図、第３図は他の実施例でありＸ線モ
ノクロメータとして応用した場合の光学配置図を示す。 １：Ｘ線レンズ ２：Ｍｏ板 ３：写真乾板 ４：Ｘ線モノクロメータ５：カウン
タ 特許出願人 新技術開発事業団 （ほか２名）
図はこの発明の１実施例を示しＸ線レンズとして応用し
た場合の光学配置図、第３図は他の実施例でありＸ線モ
ノクロメータとして応用した場合の光学配置図を示す。 １：Ｘ線レンズ ２：Ｍｏ板 ３：写真乾板 ４：Ｘ線モノクロメータ５：カウン
タ 特許出願人 新技術開発事業団 （ほか２名）
Claims (4)
- （１）ポリフェニレンオキサンアゾールのフィルムが熱
処理され、実質的に黒鉛構造に転化させられた可撓性平
板材料からなる放射線光学素子 - （２）上記熱処理され、実質的に黒鉛構造に転化させら
れたポリフェニレンオキサンアゾールの可撓性平板材料
が基板上に張り付けられていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項のＸ線モノクロメータ - （３）上記熱処理され、実質的に黒鉛構造に転化させら
れたポリフェニレンオキサンアゾールの可撓性平板材料
が円筒形基板の内面上に張り付けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第１項のＸ線レンズ - （４）上記熱処理され、実質的に黒鉛構造に転化させら
れたポリフェニレンオキサンアゾールの可撓性平板材料
が基板上に張り付けられていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項の中性子分光用光学素子
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227889A JPS6287899A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 放射線光学素子 |
| DE3650051T DE3650051T2 (de) | 1985-10-15 | 1986-10-14 | Verfahren zur Herstellung einer Roentgenlinse. |
| EP86307938A EP0219345B1 (en) | 1985-10-15 | 1986-10-14 | Process of producing an X-ray lens |
| US06/919,117 US4788703A (en) | 1985-10-15 | 1986-10-15 | Radiation optical element |
| CA000520503A CA1271068A (en) | 1985-10-15 | 1986-10-15 | Radiation optical element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60227889A JPS6287899A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 放射線光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6287899A true JPS6287899A (ja) | 1987-04-22 |
| JPH0521438B2 JPH0521438B2 (ja) | 1993-03-24 |
Family
ID=16867916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60227889A Granted JPS6287899A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | 放射線光学素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4788703A (ja) |
| EP (1) | EP0219345B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6287899A (ja) |
| CA (1) | CA1271068A (ja) |
| DE (1) | DE3650051T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01280300A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Res Dev Corp Of Japan | 放射線光学素子 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0772760B2 (ja) * | 1986-09-09 | 1995-08-02 | 住友化学工業株式会社 | Ｘ線及び中性子線用グラファイトモノクロメ−タ及びその製造法 |
| DE3702804C2 (de) * | 1987-01-28 | 1994-03-10 | Bradaczek Hans Prof Dr | Vorrichtung zur Divergenzänderung von Röntgen- oder Neutronenstrahlenbündeln |
| DE68923890T2 (de) * | 1988-02-25 | 1996-02-22 | Japan Res Dev Corp | Strahlenoptische Elemente mit Graphit-Schichten. |
| US5164975A (en) * | 1991-06-13 | 1992-11-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Multiple wavelength X-ray monochromators |
| DE9317031U1 (de) * | 1993-11-08 | 1994-03-31 | Installation Européenne de Rayonnement Synchrotron (European Synchrotron Radiation Facility) E.S.R.F., Grenoble | Doppelkristall-Monochromator |
| JPH10502741A (ja) * | 1995-04-26 | 1998-03-10 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | Ｘ線分析装置用のｘ線光学素子の製造方法 |
| US5761256A (en) * | 1997-02-07 | 1998-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Curved pyrolytic graphite monochromator and its manufacturing method |
| US20030012336A1 (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-16 | Cash Webster C. | X-ray concentrator for therapy |
| JP6683687B2 (ja) * | 2015-04-15 | 2020-04-22 | 株式会社カネカ | イオンビームの荷電変換方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2853617A (en) * | 1955-01-27 | 1958-09-23 | California Inst Res Found | Focusing crystal for x-rays and method of manufacture |
| US3410834A (en) * | 1964-12-03 | 1968-11-12 | Du Pont | Crosslinked 1, 3, 4-polyoxadiazoles |
| CH545829A (ja) * | 1970-10-29 | 1974-02-15 | ||
| US4229499A (en) * | 1978-06-23 | 1980-10-21 | North American Philips Corporation | Acid phthalate crystal |
| US4322618A (en) * | 1979-01-05 | 1982-03-30 | North American Philips Corporation | Diffracted beam monochromator |
| EP0203581B1 (en) * | 1985-05-30 | 1991-08-14 | Research Development Corporation of Japan | Process for producing graphite |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60227889A patent/JPS6287899A/ja active Granted
-
1986
- 1986-10-14 EP EP86307938A patent/EP0219345B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-14 DE DE3650051T patent/DE3650051T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-15 CA CA000520503A patent/CA1271068A/en not_active Expired
- 1986-10-15 US US06/919,117 patent/US4788703A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01280300A (ja) * | 1988-05-02 | 1989-11-10 | Res Dev Corp Of Japan | 放射線光学素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA1271068A (en) | 1990-07-03 |
| JPH0521438B2 (ja) | 1993-03-24 |
| EP0219345A3 (en) | 1988-11-02 |
| EP0219345A2 (en) | 1987-04-22 |
| US4788703A (en) | 1988-11-29 |
| DE3650051D1 (de) | 1994-10-06 |
| EP0219345B1 (en) | 1994-08-31 |
| DE3650051T2 (de) | 1995-04-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5614447A (en) | Method for heat-treating a semiconductor body | |
| US4645713A (en) | Method for forming conductive graphite film and film formed thereby | |
| JPS6287899A (ja) | 放射線光学素子 | |
| EP0331375B1 (en) | Optical elements for radiation comprising graphite films | |
| US4954193A (en) | Method for making a graphite film or sheet | |
| EP0528288B1 (en) | Process for producing curved graphite articles | |
| Berreman | Dynamical theory of x-ray diffraction in flat, focusing, and distorted crystals by Abelés's matrix method | |
| US5761256A (en) | Curved pyrolytic graphite monochromator and its manufacturing method | |
| Jin et al. | A Novel Multiple Shape Memory Effect in PVDF‐Based Ferroelectric Copolymers and Terpolymers | |
| Li et al. | Two-dimensional supramolecular assemblies of a polydiacetylene. 2. Morphology, structure, and chromic transitions | |
| Liao et al. | Growth of beta barium borate (β-BaB2O4) thin films for nonlinear optical applications | |
| JPH0788207B2 (ja) | グラフアイトフイルムの製造方法 | |
| JPH03279207A (ja) | グラファイトの製造方法 | |
| JP4078630B2 (ja) | 炭素フィルムの製造方法及びそれによって得られる炭素フィルム | |
| Murty et al. | Structural studies of chemically vapour-deposited tin oxide films | |
| Matsuishi et al. | Photo-induced transformation of C60 films and single crystals by laser irradiation | |
| JPH0283206A (ja) | 放射線光学素子の製造方法 | |
| JPH01280300A (ja) | 放射線光学素子 | |
| JPS60217674A (ja) | 耐熱性に優れた高分子圧電体の製造方法 | |
| JPS61275115A (ja) | グラフアイトの製造方法 | |
| JPH0283207A (ja) | グラファイトの製造方法 | |
| JPH10149874A (ja) | 抵抗発熱ヒータ | |
| JPH04202054A (ja) | グラファイトの製造方法 | |
| JPS63176393A (ja) | 窒化アルミニウム薄膜の製造方法 | |
| JPH01226792A (ja) | 分子線源セル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |