JPS6287969A - 光受容部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。

さらに詳しくは、レーザー光などの可干渉性光を用いる
のに適した光受容部材に関する。

〔従来技術の説明〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いで該潜像を現像するが、更に必要に応じて転写、定着
などの処理を行なう、画像を記録する方法が知られてお
り、中でも電子写真法による画像形成法では、レーザー
として、小型で安価なＨｅ　−Ｎｅレーザーあるいは半
導体レーザー（通常は６５０〜８２０ｎｍの発光波長を
有する）を使用して像記録を行なうのが一般的である。

ところで、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写
真用の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が
他の種類の光受容部材と比べて優れているのに加えて、
ビッカース硬度が高く、公害の問題が少ない等の点から
評価され、例えば特開昭５４−８６３４１号公報や特開
昭５６−８３７４６号公報にみられるようなシリコン原
子を含む非晶質材料（以後［ａ−８ｉＪと略記する）か
ら成る光受容部材が注目されている。

しかしながら、前記光受容部材については、光受容層を
単層構成のａ−８ｉ層とすると、その高光感度を保持し
つつ、電子写真用として要求される１（１１２Ωα以上
の暗抵抗を確保するには、水素原子やハロゲン原子、或
いはこれ等に加えてボロン原子とを特定の量範囲で層中
に制御された形で構造的に含有させる必要性があり、た
めに層形成に当って各種条件を厳密にコントロールする
ことが要求される等、光受容部材の設計についての許容
度に可成りの制限がある。そしてそうした設計上の許容
度の問題をある程度低暗抵抗であっても、その高光感度
を有効に利用出来る様にする等して改善する提案がなさ
れている。即ち、例えば、特開昭５４−１２１７４３号
公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４１
７２号公報にみられるように光受容層を伝導特性の異な
る層を積層した二層以上の層構成として、光受容層内部
に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２１７８
号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１５９号
、同５８１６０号、同５８１６１号の各公報にみられる
ように支持体と光受容層の間、又は／及び光受容層の上
部表面に障壁層を設けた多層構造としたりして、見掛は
上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案されている。

ところがそうした光受容層が多層構造を有する光受容部
材は、各層の層厚にばらつきがあり、これを用いてレー
ザー記録を行う場合、レーザー光が可干渉性の単色光で
あるので、光受容層のレーザー光照射側自由表面、光受
容層を構成する各層及び支持体と光受容層との層界面（
以後、この自由表面及び層界面の両者を併せた意味で「
界面」と称する。）より反射して来る反射光の夫々か干
渉を起してしまうことがしばしばある。

この干渉現象は、形成されろ可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ、画１！不良の原因となる。

殊に階調性の高い中間調の画ｆ象を形成する場合にあっ
ては、識別性の著しく劣った阻画像を与えるところとな
る。

また重要な点として、使用する半導体レーザー光の波長
領域が長波長になるにつれ光受容層に於ける該レーザー
光の吸収が減少してくるので、前記の干渉現象が顕著に
なるという問題がある。

即ち、例えば２若しくはそれ以上の層（多層）構成のも
のであるものにおいては、それらの各層について干渉効
果が起り、それぞれの干渉が相乗的に作用し合って干渉
縞模様を呈するところとなり、それがそのま〜転写部材
に影響し、該部材上に前記干渉縞模様に対応した干渉縞
が転写、定着され可視画１象に現出して不良歯隙をもた
らしてしまうといった問題がある。

こうした問題を解消する策として、（ａ）支持体表面を
ダイヤモンド切削して、±５０（１１１．〜±１００Ｏ
ＯＡの凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特
開昭５８−１６２９７５号公報参照）、（ｂ）アルミニ
ウム支持体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、
樹脂中にカーボン、着色顔料、染料を分散したりして光
吸収層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５８４５
号公報参照）、（Ｃ）アルミニウム支持体表面を梨地状
のアルマイト処理したり、サンドブラストにより砂目状
の微細凹凸を設けたりして、支持本表面に光散乱反射防
止層を設ける方法（例えば特開昭５７−１６５５４号公
報参照）等が提案されている。

これ等の提案方法は、一応の結果はもたらすものの、画
像上に現出する干渉縞模様を完全に解消するに十分なも
のではない。

即ち、（ａ）の方法については、支持体表面に特定ｔの
凹凸を多数設けていて、それにより光散乱効果による干
渉縞模様の現出が一応それなりに防止はされるものの、
光散乱としては依然として正反射光成分が残存するため
、該正反射光による干渉縞模様が残存してしまうことに
加えて、支持体表面での光散乱効果により照射スポット
に拡がりが生じ、実質的な解像度低下をきたしてしまう
。

（ｂ）の方法については、黒色アルマイト処理では、完
全吸収は不可能であり、支持体表面での反射光は残存し
てしまう。また、着色顔料分散樹脂層を設ける場合は、
ａ−８ｉ層を形成する際、樹脂層より脱気現象が生じ、
形成される光受容層の層品質が著しく低下すること、樹
脂層がａ−８ｉ層形成の際のプラズマによってダメージ
を受けて、本来の吸収機能を低減させると共に、表面状
態の悪化によるその後のａ−３ｉ層の形成に悪影響を与
えること等の問題点を有する。

（ｃ）の方法については、例えば入射光についてみれば
光受容層の表面でその一部が反射されて反射光となり、
残りは、光受容層の内部に進入して透過光となる。透過
光は、支持体の表面に於いて、その一部は、光散乱され
て拡散光となり、残りが正反射されて反射光となり、そ
の一部が出射光となって外部に出ては行くが、出射光は
、反射光と干渉する成分であって、いずれにしろ残留す
るため依然として干渉縞模様が完全に消失はしない。

ところで、この場合の干渉を防止するについて、光受容
層内部での多重反射が起らないように、支持体の表面の
拡散性を増加させる試みもあるが、そうしたところでか
えって光受容層内で光が拡散してハレーションを生じて
しまい結局は解像度が低下してしまう。

特に、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則的に荒しても、第１層表面での反射光、第２層で
の反射光、支持体面での正反射光の夫々が干渉して、光
受容部材の各層厚にしたがった干渉縞模様が生じる。従
って、多層構成の光受容部材においては、支持体表面を
不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止することは
不可能である。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロツ層間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上問題がある。加えて、比較的大きな
突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大きな
突起が光受容層の局所的ブレークダウンをもたらしてし
まう。

又、支持体表面を単に規則的に荒したところで、通常、
支持体の表面の凹凸形状に沿って、光受容層が堆積する
ため、支持体の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面
とが平行になり、その部分では入射光は、明部、暗部を
もたらすところとなり、また、光受容層全体では光受容
層の層厚の不均一性があるため明暗の縞模様が現われろ
。従って、支持体表面を規則的に荒しただけでは、干渉
縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、支持体表面での正反射光と、
光受容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面
での反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容
部材の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明は、主としてａ−３ｉで構成された光受容層を有
する光受容部材について、上述の諸問題を排除し、各種
要求を満たすものにすることを目的とするものである。

すなわち、本発明の主たる目的は、電気的、光学的、光
導電的特性が使用環境に殆んど依存することなく実質的
に常時安定しており、耐光疲労に優れ、繰返し使用に際
しても劣化現象を起こさず耐久性、耐湿性に優れ、残留
電位が全く又は殆んど観測されなく、製造管理が容易で
ある、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する光受容部
材を提供することにある。

本発明の別の目的は、全可視光域において光感度が高く
、とくに半導体レーザーとのマツチング性に優れ、且つ
光応答の速い、ａ−８ｉで構成された光受容層を有する
光受容部材を提供することにある。

本発明の更に別の目的は、高光感度性、高ＳＮ比特性及
び高電気的耐圧性を有する、ａ−３ｉで構成された光受
容層を有する光受容部材を提供することにある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に厳密で安定的であり１層品質の高い、ａ−
３ｉで構成された光受容層を有する光受容部材を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は、可干渉性単色光を用いる画ｆ
象形成に適し、長期の繰り返し使用にあっても、干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出がなく、且つ画像欠陥や
画ｒ象のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解ｒ象度の高い、高品質画数を得ること
のできる、ａ−３ｉで構成された光受容層を有する光受
容部材を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは、従来の光受容部材についての前述の諸問
題を克服して、上述の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、下達する知見を得、該知見に基づいて本発明を
完成するに至った。

即ち、本発明は、支持体上に、シリコン原子と、ゲルマ
ニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子
、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくともい
ずれか一種とを含有する非晶質材料で構成された第一の
層と、シリコン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子の中から選ばれるものであって前記第一の層に含有さ
れている原子とは異なるものとを含有する非晶質材料で
構成された第二の層とを崩する光受容層を備えた光受容
部材であって、前記第一の層が、ゲルマニウム原子また
はスズ原子の少なくともいずれか一方を含有する層と、
ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含有しない層
とを支持体側から順に有する多層構成であり、かつ、前
記支持体表面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を
有してなることを骨子とする光受容部材に関する。

ところで、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果得た知見
は、概要、支持体上に複数の層を有する光受容部材にお
いて、前記支持体表面に、複数の球状痕跡窪みによる凹
凸を設けることにより、画像形成時に現われる干渉縞模
様の問題が解消されるというものである。

この知見は、本発明者らが試みた各種の実験により得た
事実関係に基づくものである。

このところを、理解を容易にするため、図面を用いて以
下に説明する。

第１図は、本発明に係る光受容部材１０００層構成を示
す模式図であり、微小な複数の球状痕跡窪みによる凹凸
形状を有する支持体１（１１上に、第一の層１（１２）
と第二の層１０３を備えた光受容部材１００を示してい
る。

第２及び３図は、本発明の光受容部材において干渉縞模
様の問題が解消されるところを説明するための図である
。

第３図は、表面を規則的に荒した支持体上に、多層構成
の光受容層を堆積させた従来の光受容部材の一部を拡大
して示した図である。読図において、３（１１は第一の
層、３（１２）は第二の層、３０３は自由表面、３０４
は第一の層と第二の層の界面をそれぞれ示している。第
３図に示すごとく、支持体表面を切削加工等の手段によ
り単に規則的に荒しただけの場合、通常は、支持体の表
面の凹凸形状に沿って光受容層が形成されるため、支持
体表面の凹凸の傾斜面と光受容層の凹凸の傾斜面とが平
行関係をなすところとなる。

このことが原因で、例えば、光受容層かｍ　−の層３（
１１と、第二の層３（１２）との２つの層からなる多層
構成のものである光受容部材においては、例えば次のよ
うな間４聰が定常的に惹起される。

即ち、第一の層と第二の層との界面３０４及び自由表面
３０３とが平行関係にあるため、界面３０４での反射光
Ｒ１と自由表面での反射光几、とは方向が一致し、第二
の層の層厚に応じた干渉縞が生じる。

第２図は、第１図の一部を拡大した図であって、第２図
に示すごとく、本発明の光受容部材は支持体表面に複数
の微小な球状痕跡窪みによる凹凸形状が形成されており
、その上の光受容層は、該凹凸形状に沿って堆積するた
め、例えば光受容層が第一の層２（１１と第二の層２（
１２）との二層からなる多層構成の光受容部材にあって
は、第一の層２（１１と第二の層２（１２）との界面２
０４、及び自由表面２０３は、各々、前記支持体表面の
凹凸形状に沿って、球状痕跡窪みによる凹凸形状に形成
される。界面２０４に形成される球状痕跡窪みの曲率を
ｉｔ、、自由表面２０３に形成される球状痕跡窪みの曲
率をＲ２とすると、Ｒ１とＲ２とはＲ＋　’ｉ’　Ｒ２
どなるため、界面２０４での反射光と、自由表面２０３
での反射光とは、各々異なる反射角度を有し、即ち、第
２図におけるθ１．θ２がθ、笑θ２であって、方向が
異なるうえ、第２図に示す１１，１２，１３を用いてｌ
＋＋１２ｉｔ３で表わされろところの波長のずれも一定
とはならずに変化するため、いわゆるニュートンリング
現象に相当するシェアリング干渉が生起し、干渉縞は窪
み内で分散されるところとなる。これにより、こうした
光受容部材を介して現出される画像は、ミクロ的には干
渉縞が仮に現出されていたとしても、それらは視覚には
とられられない程度のものとなる。

即ち、かくなる表面形状を有する支持体の使用は、その
上に多層構成の光受容層を形成してなる光受容部材にあ
って、該光受容層を通過し光が、層界面及び支持体表面
で反射し、それらが干渉することにより、形成される画
像が縞模様となることを効率的に防止し、優れた画ｒ象
を形成しうる光受容部材を得ることにつながる。

ところで、本発明の光受容部材の支持体表面の球状痕跡
窪みによる凹凸形状の曲率Ｒ及び幅りは、こうした本発
明の光受容部材における干渉縞の発生を防止する作用効
果を効率的に達成するためには重要な要因である。本発
明者らは、各種実験を重ねた結果以下のところを究明し
た。

即ち、曲率Ｉ（、及び幅りが次式： ％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが０．５本以上存在するこ
ととなる。さらに次式：％式％ を満足する場合には、各々の痕跡窪み内にシェアリング
干渉によるニュートンリングが１本以上存在することと
なる。

こうしたことから、光受容部材の全体に発生する干渉縞
を、各々の痕跡窪み内に分散せしめ、光受容部材におけ
る干渉縞の発生を防止するためには、前記Ｔを０．０３
５　、好ましくは０．０５５以上とすることが望ましい
。

また、痕跡窪みによる凹凸の幅りは、大きくとも５００
μｍ程度、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは
１００μｍ以下とするのが望ましい。

上述の特定の表面形状を有する支持体上に設けられる本
発明の光受容部材の光受容層は、第一の層と第二の層と
からなり、該第−の層は、シリコン原子と、ゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一種と
、さらに好ましくは、水素原子又はハロゲン原子の少な
くとも一方とを含有するアモルファス材料〔以下、［ａ
−３ｉ　（Ｇｅ、　Ｓｎ　）（０，Ｃ，Ｎ）（Ｈ，Ｘ）
Ｊと表記する。〕で構成されている。そして該第−の層
は、ゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方を
含有する層（即ち、ａ−３ｉ（Ｇｅ。

Ｓｎ　）　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される層
）と、ゲルマニウム原子及びスズ原子のいずれも含有し
ない層（即ち、ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）
層構成される層）とを支持体側から順に有する多層構成
であって、該第−の層にはさらに、伝導性を制御する物
質を含有せしめることができ、特に好ましくは、前記伝
導性を制御する物質を含有する電荷注入阻止層又は／及
び電気絶縁材料からなるいわゆる障壁層を構成層の１つ
として有するものである。

また、前記第二の層は、シリコン原子と、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少なくとも一！一
種であって前記第一の層に含有されている原子とは異な
るものとを含有するアモルファス材料〔以下、ａ　−３
ｉ　（０，Ｃ−Ｎ　）　（Ｈ。

Ｘ）と表記する。〕で構成される。

本発明の光受容部材の第一の層及び第二の層構成につい
ては、本発明の前述の目的を効率的に達成するために、
七〇層厚を光学的レベルで正確に制御する必要があるこ
とから、グロー放電法、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法等の真空堆積法が通常使用されるが、これ
らの他、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等を採用することもで
きる。

以下、図示の実施例にしたがって本発明の光受容部材の
具体的内容を説明するが、本発明の光受容部材はそれら
の例により限定されるものではない。

第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明するため
に模式的に示した図であり、図中、１００は光受容部材
、１（１１は支持体、１（１２）は第一の層、１（１２
）′はゲルマニウム原子又はスズ原子の少なくとも一方
を含有する層、１（１２）”はゲルマニウム原子及びス
ズ原子のいずれも含有しない層、１０３は第二の層、１
０４は自由表面をそれぞれ示している。

支持体 本発明の光受容部材における支持体１（１１は、その表
面が光受容部材に要求される解像力よりも微小な凹凸を
有し、しかも該凹凸は複数の球状痕跡窪みによるもので
ある。

以下、該支持体表面の形状およびその好ましい製造方法
の例を、第４及び５図により詳しく説明するが、本発明
の光受容部材における支持体の形状及びその製造方法は
、これらによって限定されるものではない。

第４図は、本発明の光受容部材における支持体表面の形
状の典型的１例を、その凹凸形状の１部を部分的に拡大
して模式的に示すものである。第４図において、４（１
１は支持体、４（１２）は支持体表面、４０３は剛体真
球、４０４は球状痕跡窪みを示している。

さらに第４図は、該支持体表面形状を得るのに好ましい
製造方法の１例をも示すものでもある。即ち、剛体真球
４０３を、支持体表面４（１２）より所定高さの位置よ
り自然落下させて支持体表面４（１２）に衝突させるこ
とにより、球状痕跡窪み４０４を形成し得ることを示し
ている。そして、ほぼ同一径Ｒ′の剛体真球４０３を複
数個用い、それらを同一の高さｈより、同時あるいは逐
時、落下させることにより、支持体表面４（１２）に、
ほぼ同一曲率Ｒ及び同一幅りを有する複数の球状痕跡窪
み４０４を形成することができる。

第５図は、前述のごとくして、表面に複数の球状痕跡窪
みによる凹凸形状の形成された支持体の、いくつかの典
型例を示すものである。

Ｍ５（Ａ）図に示す例では、支持体５（１１の表面５（
１２）の異なる部位に、ほぼ同一の径の複数の球体５０
３．　５０３．・・・をほぼ同一の高さより規則的に落
下させてほぼ同一の曲率及びほぼ同一の幅の複数の痕跡
窪み６０４．　６０４．・・・を互いに１複し合うよう
に密に生じせしめて規則的に凹凸形状を形成したもので
ある。なおこの場合、互いに重複する窪み５０４．　５
０４．・・・を形成すｊには、球体５０３の支持体表面
５（１２）への衝突時期が、互いにずれるように球体５
０３．　５０３．・・・を自然落下せしめる必要のある
ことはいうまでもない。

また、第５（Ｂ）図に示す例では、異なる径を有する二
種類の球体５０３．　５０３’・・・をほぼ同一の高さ
又は異なる高さから落下させて、支持体５（１１の表面
５（１２）に、二種の曲率及び二種の幅の複数の窪み５
０４．　５０４’・・・を互いに重複し合うように密に
生じせしめて、表面の凹凸の高さが不規則な凹凸を形成
したものである。

更に、第５（Ｃ）図（支持体表面の正面図および断面図
）に示す例では、支持体５（１１の表面５（１２）に、
ほぼ同一の径の複数の球体５０３．　５０３゜・・・を
ほぼ同一の高さより不規則に落下させ、ほぼ同一の曲率
及び複数種の幅を有する複数の窪み５０４．　５０４．
・・・を互いに重複し合うように生じせしめて、不規則
な凹凸を形成したものである。

以上のように、剛体真球を支持体表面に落下させること
により、球状痕跡窪みによる凹凸形状を形成することが
できるが、この場合、剛体真球の径、落下させる高さ、
剛体真球と支持体表面の硬度、あるいは、落下させる球
体の量等の諸条件を適宜選択することにより、支持体表
面に所望の曲率及び幅を有する複数の球状痕跡窪みを、
所定の密度で形成することができる。

即ち、上記諸条件を選択することにより、支持体表面に
形成される凹凸形状の凹凸の高さや凹凸のピッチを、目
的に応じて自在に調整でき、表面に所望の凹凸形状を有
する支持体を得ることができる。

そして、光受容部材の支持体を凹凸形状表面のものにす
るについて、旋盤、フライス盤等を用いたダイヤモンド
バイトにより切削加工して作成する方法の提案がなされ
ていてそれなりに有効な方法ではあるが、該方法にあっ
ては切削油の使用、切削により不可避的に生ずる切粉の
除去、切削面に残存してしまう切削油の除去が不可欠で
あり、結局は加工処理が煩雑であって効率のよくない等
の問題を伴うところ、本発明にあっては、支持体の凹凸
表面形状を前述したように球状痕跡窪みにより形成する
ことから上述の問題は全くなくして所望の凹凸形状表面
の支持体を効率的且つ簡便に作成できる。

本発明に用いる支持体１（１１は、導電性のものであっ
ても、また電気絶縁性のものであってもよい。導電性支
持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、
　Ｃｒ　、　Ｍｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、Ｔｉ
、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が挙げられる。これ等の
電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理し、該導電処理された表面側に光受容層を
設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｉＣｒ、Ａｌ
−Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ。

Ｐｔ　、Ｐｄ　、　　Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（
Ｉｎ２Ｏ３＋５ｎ（１２））等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性を付与し、或いはポリエステルフィル
ム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｉＣｒ　、　ｋｌ
　、　Ａｇ　、　Ｐｂ、Ｚｎ　　、　　Ｎｉ　　　、　
　　Ａｕ−Ｃｒ、　　　Ｍｏ　　、　　　Ｉｒ、　　　
Ｎｂ　　、　　　Ｔａ、　　　　Ｖ。

Ｔｌ、ＰＬ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着
、スパッタリング等でその表面に設け、又は前記金属で
その表面をラミネート処理して、その表面に導電性を付
与する。支持体の形状は、円筒状、ベルト状、板状等任
意の形状であることができるが、用途、所望によって、
その形状は適宜に決めることのできるものである。例え
ば、第１図の光受容部材１００を′成子写真用１象形成
部材として使用するのであれば、連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望辿りの光受容部材を形成しうる様に適
宜決定するが、光受容部材として可撓性が要求される場
合には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内で
可能な限り薄くすることができる。しかしながら、支持
体の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、１０μ以上とされる。

次に、本発明の光受容部材を電子写真用の光受容部材と
して用いる場合について、その支持体表面の製造装置の
１例を第６（Ａ）図及び第６（Ｂ）図を用いて説明する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。

電子写真用光受容部材の支持体としては、アルミニウム
合金等に通常の押出加工を施して、ボートホール管ある
いはマンドレル管とし、更に引抜加工して得られる引抜
管に、必要に応じて熱処理や調質等の処理を施した円筒
状（シリンダー状）基体を用い、該円筒状基体に第６　
（Ａ）　。

（Ｂ）図に示した製造装置を用いて、支持体表面に凹凸
形状を形成せしめる。

支持体表面に前述のような凹凸形状を形成するについて
用いる球体としては、例えばステンレス、アルミニウム
、鋼鉄、ニッケル、真鍮等の金属、セラミック、プラス
チック等の各種剛体球を挙げることができ、とりわけ耐
久性及び低コスト化等の理由により、ステンレス及び鋼
鉄の剛体球が好ましい。そしてそうした球体の硬度は、
支持体の硬度よりも高くても、あるいは低くてもよいが
、球体を繰返し使用する場合には、支持体の硬度よりも
高いものであることか望ましい。

第６Ａ、第６Ｂ図は製造装置全体の断面略図であり、６
（１１は支持体作成用のアルミニウムシリンダーであり
、該シリンダー６（１１は、予め表面を適宜の平滑度に
仕上げられていてもよい。

シリンダー６（１１は、回転軸６（１２）によって軸支
されており、モーター等の適宜の駆動手段６０３で駆動
され、ほぼ軸芯のまわりで回転可能にされている。回転
速度は、形成する球状痕跡窪みの密度及び剛体真球の供
給量等を考慝して、適宜に決定され、制御される。

６０４は、剛体真球６０５を自然落下させるための落下
装置であり、剛体真球６０５を貯留し、落下させるため
のポールフィーダー６０６．フィーダー６０６から剛体
真球６０５が落下しやすいように揺動させる振動機６０
７．シリンダーに衝突して落下する剛体真球６０５を回
収するための回収槽６０８、回収槽６０８で回収された
剛体真球６０５をフィーダー６０６まで管輸送するため
のボール送り装置６０９．送り装置６０９の途中で剛体
真状を液洗浄するための洗浄装置６１０．洗浄装置６１
０にノズル等を介して洗浄液（溶剤等）を供給する液だ
め６１１．洗浄に用いた液を回収する回収槽６１２など
で構成されている。

フィーダー６０６から自然落下する剛体真球の量は、落
下°口６１３の開閉度、振動機６０７による揺動の程度
等により適宜調節される。

第一の層 本発明の光受容部材においては、第一の層１（１２）は
前述の支持体１（１１上に設けられ、該第−の層は、支
持体１（１１側より、ａ−８ｉ　（Ｇｅ、　Ｓｎ　）（
０，Ｃ，Ｎ　）（Ｉ（、Ｘ）　　層構成される層１（１
２）′と、ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構
成される層１（１２）”とが順に積層された多層構造を
有する。そして、該第−の層には、さらに必要に応じて
伝導性を制御する物質を含有せしめることができる。

第一の層中に含有せしめるハロゲン原子（Ｘ）としては
、具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、
特にフッ素、塩素を好適なものとして挙げることができ
る。そして第一の層１（１２）中に含有せしめる水素原
子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量、あるいは水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは５〜３Ｑ　ａｔｏｍｉ
ｃ％とするのが望ましい。

また１本発明の光受容部材において、第一の層の層厚は
、本発明の目的を効率的に達成するには重要な要因の１
つであって、光受容部材に所望の特性が与えられるよう
に、光受容部材の設計の際には充分な注意を払う必要が
あり、通常は１〜１００μとするが、好ましくは１〜８
０μ、より好ましくは２〜５０μとする。

ところで、本発明の光受容部材の第一の層にゲルマニウ
ム原子及び／又はスズ原子を含有せしめる目的は、主と
して該光受容部材の長波長側における吸収スペクトル特
性を向上せしめることにある。

即ち、前記第一の層中にゲルマニウム原子又は／及びス
ズ原子を含有せしめることにより、本発明の光受容部材
は、各種の優れた特性を示すところのものとなるが、中
でも特に可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短
波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ光応答
性の速いものとなる。そしてこのことは、半導体レーザ
ーを光線とした場合に特に顕著である。

本発明の光受容部材における第一の層においては、ゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子は、支持体１（１１に
接する層１（１２）′中に均一な分布状態で含有せしめ
るが、あるいは不均一な分布状態で含有せしめるもので
ある。（ここで均一な分布状態とは、ゲルマニウム原子
又は／及びスズ原子の分布濃度が、層１（１２）′の支
持体表面と平行な面方向において均一であり、層１（１
２）′の層厚方向にも均一であることをいい、又、不均
一な分布状態とは、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原
子の分布濃度が、層１（１２）′の支持体表面と平行な
面方向には均一であるが、層１（１２）′の層厚方向に
は不均 一であることをいう。）そして本発明の層１（１２）′
においては、特に、ゲルマニウム原子及び／又はスズ原
子は、層１（１２）“側よりも支持体側の方に多く分布
した状態となるように含有せしめることが望ましく、こ
うした場合、支持体側の端部においてゲルマニウム原子
及び／又はスズ原子の分布濃度を極端に大きくすること
により、半導体レーザー等の長波長の光源を用いた場合
に、層１（１２）〃においては殆んど吸収しきれない長
波長の光を、層１（１２）′において実質的に完全に吸
収することができ、支持体表面からの反射光による干渉
が防止されるようになる。

また、本発明の光受容部材においては、層１（１２）′
と層１（１２）“とを構成する非晶質材料が各々、シリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので積層界
面において化学的な安定性が充分確保されている。

以下、層１（１２）′に含有されるゲルマニウム原子及
び／又はスズ原子の層１（１２）′の層厚方向の分布状
態の典型的な例のいくつかを、ゲルマニウム原子を例と
して第７乃至１５図により説明する。

第７図乃至第１５図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、層１（１２）′の層厚を示し
、ｔ、は支持体側の層１（１２）′の端部の位置を、ｔ
？は支持体側とは反対側の層１（１２）〃側の端面の位
置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される層１（
１２）′はｔ、側よりもＩＴ側に向って層形成がなされ
る。

尚、各図に於いて、層厚及び濃度の表示はそのままの値
で示すと各々の図の違いが明確でなくなる為、極端な形
で図示しており、これらの図はあくまでも理解を容易に
するための説明のための模式的なものである。

第７図には、層１（１２）′中に含有されるゲルマニウ
ム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される
。

第７図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有され
る層１（１２）′が形成される支持体表面と層１（１２
）′とが接する界面位置ｔ、よりｔｌの位置までは、ゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃが濃度Ｃ１なろ一定の値を
取り乍らゲルマニウム原子が層１（１２）′に含有され
、位置ｔ、よりは濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで
徐々に連続的に減少されている。界面位置ｔアにおいて
はゲルマニウムｉ子の分布濃度Ｃは実質的にゼロとされ
る。

（ここで実質的にゼロとは検出限界量未満の場合である
。） 第８図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置［アに至るまで
酸度Ｃ３から徐々に連続的に減少して位置【７において
濃度Ｃ４となる様な分布状態を形成している。

第９図の場合には、位置ｔ、より位置ｔ？までは、ゲル
マニウム原子の分布濃度ｃｕｅ度Ｃ６と一定位置とされ
、位置ｔ２と位置ｔ？との間において、徐々に連続的に
減少され、位置１Ｔにおいて、分布濃度Ｃは実質的にゼ
ロとされている。

第１０図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔ、より位置１Ｔに至るまで、濃度Ｃ６より初め連
続的に徐々に減少され、位置ｔ、よりは急速に連続的に
減少されて位置ｔ、において実質的にゼロとされている
。

第１１図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔ、と位置１２間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位置ｔ？に於ては分布濃度Ｃは零とされ
る。位置ｔ４と位置１Ｔとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置ｔ４より位置１．に至るまで減少されてい
る。

第１２図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔ
、より位置ｔ、までは濃度Ｃ８の一定値を取り、位置ｔ
、より位置ｔアまでは濃度Ｃ８より濃度ＣＩＯまで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第１３図に示す例においては、位置ｔＩｌより位置ｔＴ
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１
，より一次関数的に減少されて、ゼロに至っている。

第１４図においては、位置ｔＩｌより位置ｔ６に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１□より
濃度ＣＩ３まで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置
ｔアとの間においては、濃度ＣＩ３の一定値とされた例
が示されている。

第１５図に示される例において、ゲルマニウム原子の分
布濃度Ｃは、位置ｔ、において濃度ＣＩ４であり、位置
ｔ７に至るまではこの濃度Ｃ１４より初めはゆっくりと
減少され、【７の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ、では濃度ＣＩ５とされる。

位置ｔ７と位置ｔ８との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置【８
で濃度ＣＩ６となり、位置ｔ、と位置ｔ、との間では、
徐々に減少されて位置ｔＩ、において、ｉｉｃ、７に至
る。位置ｔ、と位置１Ｔとの間においては濃度ＣＩ□よ
り実質的にゼロになる様に図に示す如き形状の曲線に従
って減少されている。

以上、第７図乃至第１５図により、層１（１２）′中に
含有されるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発
明の光受容部材においては、支持体側において、ゲルマ
ニウム原子又は／及びスズ原子の分布濃度Ｃの高い部分
を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは支持
体側に比べてかなり低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子の分布状態が構成層１（１２
）′に設けられているのが望ましい。

即ち、本発明における光受容部材を構成する層１（１２
）′は、好ましくは、上述した様に支持体側の方にゲル
マニウム原子又は／及びスズ原子が比較的高濃度で含有
されている局在領域を有するのが望ましい。

本発明の光受容部材に於ては、局在領域は、第７図乃至
第１５図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔ、
より５μ以内に設けられるのが望ましい。

そして、上記局在領域は、界面位置ｔ、より５μ厚まで
の全層領域とされる場合もあるし、又、該層領域の一部
とされる場合もある。

局在領域を層１（１２）′の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される光受容層に要求される特性に従って
適宜決められる。

局在領域はその中に含有されるゲルマニウム原子又は／
及びスズ原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム
原子又は／及びスズ原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ　ｘ
がシリコン原子に対して、好ましくは１０００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、最適ニハ１×１０４１０４ａｔｏ　
ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。

即ち、本発明の光受容部材においては、ゲルマニウム原
子又は／及びスズ原子の含有される層１（１２）′は、
支持体側からの層厚で５μ以内（ｔｍから５μ層の層領
域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する様に形成さ
れるのが好ましいものである。

本発明の光受容部材において、層１（１２）’中に含有
せしめるゲルマニウム原子又は／及びスズ原子の含有量
は、本発明の目的を効率的に達成しうる様に所望に従っ
て適宜決める必要があり、通常は１〜６　Ｘ　１０５１
０５ａｔｏ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜３　Ｘ
　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好ましくはＩ　
Ｘ　１（１２）〜２　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとする。

また、本発明の光受容部材の第一の層に、酸素原子、炭
素原子及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含
有せしめる目的は、主として該光受容部材の高光感度化
と高暗抵抗化、そして支持体と第一の層との間の密着性
の向上にある。

本発明の第一の層においては、酸素原子、炭素原子及び
窒素原子の中から選ばれる少くとも一種を含有せしめる
場合、層厚方向に均一な分布状態で含有せしめるが、あ
るいは層厚方向に不均一な分布状態で含有せしめるかは
、前述の目的とするところ乃至期待する作用効果によっ
て異なり、したがって、含有せしめる量も異なるところ
となる。

すなわち、光受容部材の高光感度化と高暗抵抗化を目的
とする場合には、第一の層の全層領域に均一な分布状態
で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめる炭素
原子、酸素原子、窒素原子の中から選ばれる少くとも一
種の量は比較的少量でよい。

また、支持体と第一の層との密着性の向上を目的とする
場合には、第一の層の支持体側端部の一部の層領域に均
一に含有せしめるが、あるいは、第一の層の支持体側端
部において、炭素原子、酸素原子、及び窒素原子の中か
ら選ばれる少くとも一種の分布濃度が高くなるような分
布状態で含有せしめ、この場合、第一の層に含有せしめ
る酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる
少くとも一種の量は、支持体との密着性の向上を確実に
図るために、比較的多量にされる。

本発明の光受容部材において、第一の層に含有せしめる
酸素原子、炭素原子、及び窒素原子の中から選ばれる少
くとも一種の量は、しかし、上述のごとき第一の層に要
求される特性に対する考慮の他、支持体との接触界面に
おける特性等、有機的関連性にも考慮をはらって決定さ
れるものであり、通常は０．０（１１〜５０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、好ましくは０．０（１２）〜４０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とす
る。

ところで、第一の層の全層領域に含有せしめるが、ある
いは、含有せしめる一部の層領域の層厚の第一の層の層
厚中に占める割合が大きい場合には、前述の含有せしめ
る量の上限を少なめにされる。すなわち、その場合、例
えば、含有せしめる層領域の層厚が、第一の層の層厚の
常３Ｑａｔｏｍｉｃ％以下、好ましくは２０ａｔｏｍｉ
ｃ％以下、最適には１０　ａｔｏｍｉｃ％以下にされる
。

次に、本発明の第一の層に含有せしめる酸素原子、炭素
原子、及び窒素原子の中から選ばれる少くとも一種の量
が、支持体側においては比較的多量であり、支持体側の
端部から第二の層側の端部に向かって減少し、第一の層
の第二の層側の端部付近においては、比較的少量となる
が、あるいは実質的にゼロに近くなるように分布せしめ
る場合の典型的な例のいくつかを、第１６図乃至第２４
図によって説明する。しかし、本発明はこれらの例によ
って限定されるものではない。以下、炭素原子、酸素原
子の中から選ばれる少くとも一種を「原子（０，Ｃ，Ｎ
）Ｊと表記する。

第１６乃至２４図において、横軸は原子（０，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃを、縦軸は第一の層の層厚を示し、ｔ
、は支持体と第一の層との界面位置を、１Ｔは第一の層
の第二の層との界面の位置を示す。

第１６図は、第一の層中に含有せしめる原子（０，Ｃ，
Ｎ）の層厚方向の分布状態の第一の典型例を示している
。該例では、原子（０，Ｃ。

Ｎ）を含有する第一の層と支持体との界面位置ｔ、より
位置ｔ、までは、原子（０，Ｃ，Ｎ　）の分布濃度Ｃが
（１１なる一定値をとり、位置１．より第二の層との界
面位置ｔ、までは原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃが濃
度Ｃ２かも連続的に減少し、位置ＩＴにおいては原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度が０３となる。

第１７図に示す他の典型例の１つでは、第一の層に含有
せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔ、
から位置ｔ？にいたるまで、濃度Ｃ４かも連続的に減少
し、位置１．において濃度Ｃ６となる。

第１８図に示す例では、位置ｔ１１から位置ｔ２までは
原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度ＣＩＪ″−謎度Ｃ６なる
一定値を保ち、位置ｔ２から位置ＩＴにいたるまでは、
原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度Ｃ７から徐々に
連続的に減少して位置ｔ１においては原子（０，Ｃ，Ｎ
）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

第１９図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度
Ｃは位置ｔ、より位置ｔ？にいたるまで、濃度Ｃ８から
連続的に徐々に減少し、位置【Ｔにおいては原子（−０
，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃは実質的にゼロとなる。

ｄ４２０図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分市漿
度Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ３の間においては濃度Ｃ０
の一定値にあり、位置【３がら位置ＩＴの間においては
、濃度Ｃ０から濃度Ｃ１ｏとなるまで、−次間数的に減
少する。

第２１図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布一度
Ｃは、位置ｔ、より位置ｔ４にいたるまでは濃度Ｃｏの
一定値にあり、位置ｔ４より位ｆｉｆｔｙにいたるまで
は濃度ＣＩ□から濃度Ｃｐｓとなるまで一次関数的に減
少する。

第２２図に示す例においては、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分
布濃度Ｃは、位置ｔｌｌから位置ＩＴにいたるまで、籏
度Ｃ１４から実質的にゼロとなるまで一次関数的に減少
する。

第ｎ図に示す例では、原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃ
は、位置１Ｂから位置ｔ、にいたるまで濃度Ｃ１，から
濃度ＣＩ６となるまで一次関数的に減少し、位置ｔ、か
ら位置ＩＴまでは濃度ＣＩ６の一定値を保つ。

最後に、第２４図に示す例では、原子（０，Ｃ。

Ｎ）の分布濃度Ｃは、位置ｔ、において濃度Ｃ１□であ
り、位置１．から位置ｔ、までは、濃度Ｃ８７からはじ
めはゆっくり減少して、位置ｔ、付近では急激に減少し
、位置ｔ、では濃度ＣＩ８となる。次に、位置ｔ６から
位置ｔ、までははじめのうちは急激に減少し、その後は
緩かに徐々に減少し、位置ｔ７においては濃度Ｃ８゜と
なる。更に位置ｔ７と位置ｔ８の間では極めてゆっくり
と徐々に減少し、位置ｔ８において濃度Ｃ２０となる。

また更に、位置ｔ、から位置ｔアにいたるまでは濃度Ｃ
２０から実質的にゼロとなるまで徐々に減少する。

第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一の層の支
持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの富い
部分を有し、第一の層の第二の層側の端部においては、
該分布濃度Ｃがかなり低い部分を有するが、あるいは実
質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合にあってはＪ
第一の層の支持体側の端部に原子（０，Ｃ，Ｎ）の分布
濃度が比較的高濃度である局在領域を設けること、好ま
しくは該局在領域を支持体表面と第一の鳩との界面位置
１Ｂから５μ以内に設けることにより、支持体と第一の
層との密着性の向上をより一層効率的に達成することが
できる。

前記局在領域は、原子（０，Ｃ，Ｎ）を含有せしめる第
一の層の支持体側の端部の一部層領域の全部であっても
、あるいは一部であってもよく、いずれにするかは、形
成される第一の層に要求される特性に従って適宜決める
。

局在領域に含有せしめる原子（０，Ｃ，Ｎ）の量は、原
子（０，Ｃ，Ｎ）の分布濃度Ｃの最大値が５ＱＱ　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好ましくは３ＱＱａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上、最適には１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以上となるような分布状態とするのが望ましい。

更に、本発明の光受容部材においては必要に応じて第一
の層に伝導性を制御する物質を、全層領域又は一部の層
領域に均−又は不均一な分布状態で含有せしめることが
できる。

前記伝導性を制御する物質としては、半導体分野におい
ていういわゆる不純物を挙げることができ、Ｐ型伝導性
を与える周期律表第■族に属する原子（以下単に「第■
族原子」と称す。）、又は、ｎ型伝導性を与える周期律
表第■族に属する原子（以下単に「第■族原子」と称す
。）が使用される。具体的には、第■族原子としては、
Ｂ（硼素）　、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム
）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｌ（タリウム）等を挙げる
ことができるが、特に好ましいものは、Ｂ、Ｇａである
。また第■族原子としては、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、
Ｓｂ（アンチモン）、ＢＩ（ビスマン）等を挙げること
ができるが、特に好ましいものは、ｒ’、ｓｂである。

本発明の第一の層に伝導性を制御する物質である第■族
原子又は第■族原子を含有せしめる場合、全層領域に含
有せしめるが、あるいは一部の層領域に含有せしめるか
は、後述するように目的とするところ乃至期待する作用
効果によって異なり、含有せしめる量も異なるところと
なる。

すなわち、第一の層の伝導型又は／及び伝導率を制御す
ることを主たる目的にする場合には、光受容層の全層領
域中に含有せしめ、この場合、第１ｎ族原子又は第■族
原子の含有量は比較的わずかでよく、通常はＩ　Ｘ　１
０　”　〜Ｉ　Ｘ　１０３ａｔｏ１０３ａｔｏであり、
好ましくは５　Ｘ　１０−２〜５　Ｘ　１（１２）１（
１２）ａｔｏ　ｐｐｍ、最適には、ｌ　Ｘｌ０−１〜２
Ｘ　１（１２）１（１２）ａｔｏ　ｐｐｍである。

また、支持体と接する一部の層領域に第■族原子又は第
■族原子を均一な分布状態で含有せしめるが、あるいは
層厚方向における第■族原子又は第Ｖ族原子の分布湿度
が、支持体と接する側において高濃度となるように含有
せしめる場合には、こうした第■族原子又は第■族原子
を含有する構成層あるいは第１ｎ族原子を高濃度に含有
する層領域は、電荷注入阻止層として機能するところと
なる。

即ち、第１■族原子を含有せしめた場合には、光受容層
の自由表面が■極性の帯電処理を受けた際に、支持体側
から光受容層中へ注入される電子の移動をより効率的に
阻止することができ、又、第■族原子を含有せしめた場
合には、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受け
た際に、支持体側から光受容層中へ注入される正孔の移
動をより効率的に阻止することができる。

そして、こうした場合の含有量は比較的多量であって、
具体的には、３０〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、好ましくは５０〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最適にばＩ　Ｘ　１０”　〜５　Ｘ　１０３１
０３ａｔｏ　ｐｐｍとする。さらに、該電荷注入阻止層
としての効果を効率的に奏するためには、第■族原子を
含有する支持体側の端部に設けられる層又は層領域の層
厚をｔとし、光受容層の層厚をＴとした場合、ｔ　／　
Ｔ≦０．４の関係が成立することが望ましく、より好ま
しくは該関係式の値が０．３５以下、最適には０．３以
下となるようにするのが望ましい。また、該層又は層゛
嶺域の層厚ｔは、一般的には３Ｘ１０−３〜１０μとす
るが、好ましくは４Ｘ１０−３〜８μ、最適には５Ｘ１
０−３〜５μとするのが望ましい。

第−の層に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量
が、支持体側においては、比較的多量であって、支持体
側から第二の層側に向って減少し、第二の層側の端面付
近においては、比較的少量となるかあるいは実質的にゼ
ロに近くなるように第■族原子又は第Ｖ族原子を分布さ
せる場合の典型的な例は、前述の第一の層に酸素原子、
炭素原子、又は窒素原子のうちの少なくともいずれか１
つを含有せしめる場合に例示した第１６乃至２４図のと
同様な例によって説明することができるが、本発明はこ
れらの例によって限定されるものではない。

そして、第１６図〜第２４図に示した例のごとく、第一
の層の支持体側に近い側に第■族原子又は第■族原子の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、第二の層の第二の層に近
い側においては、該分布濃度Ｃがかなり低い濃度の部分
あるいは実質的にゼロに近い濃度の部分を有する場合に
あっては、支持体側に近い部分に第■族原子又は第■族
原子の分布濃度が比較的高濃度である局在領域を設ける
こと、好ましくは該局在領域を支持体表面と接触する界
面位置から５μ以内に設けることにより、第■族原子又
は第■族原子の分布濃度が高濃度である層領域が電荷注
入阻止層を形成するという前述の作用効果がより一層効
果的に奏される。

以上、第■族原子又は第■族原子の分布状態について、
個々に各々の作用効果を記述したが、所望の目的を達成
しうる特性を有する光受容部材を得るについては、これ
らの第１ＩＩ族原子又は第■族原子の分布状態および第
一の層に含有せしめる第■族原子又は第■族原子の量を
、必要に応じて適宜組み合わせて用いるものであること
は、いうまでもない。例えば、第一の層の支持体側の端
部に電荷注入阻止層を設けた場合、電荷注入阻止層以外
の第一の層中に、電荷注入阻止層に含有せしめた伝導性
を制御する物質の極性とは別の極性の伝導性を制御する
物質を含有せしめてもよく、あるいは、同極性の伝導性
を制御する物質を、電荷注入阻止層に含有される量より
も一段と少ない量にして含有せしめてもよい。

さらに、本発明の光受容部材においては、支持体側の端
部に設ける構成層として、電荷注入阻止層の代わりに、
電気絶縁性材料から成るいわゆる障壁層を設けることも
でき、あるいは、該障壁層と電荷注入阻止層との両方を
構成層とすることもできる。こうした障壁層を構成する
材料としては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ□、Ｓｉ３Ｎ４等の
無機電気絶縁材料やポリカーボネート等の有機電気絶縁
材料を挙げることができる。

第二の層 本発明の光受容部材の第二の層１０３は、上述の第一の
層１（１２）上に設けられ、自由表面１０４を有する層
、すなわち表面層であり、酸素原子、炭素原子又は窒素
原子のうちの少なくともいずれか１つを均一な分布状態
で含肩するアモルファスシリコン〔以下、「ａ−３ｉ　
（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ。

Ｘ）Ｊ　と表記する。〕で構成されている。

本発明の光受容部材に第二の層１０３を設ける目的は、
耐湿性、連続繰返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境
特性、および耐久性等を向上させることにあり、これら
の目的は、第二の層を構成するアモルファス材料に、酸
素原子、炭素原子又は窒素原子のうちの少なくともいず
れか１つを含有せしめることにより達成される。

又１本発明の光受容部材においては、第一の層１（１２
）と第二の層１０３を構成するアモルファス材料の各々
が、シリコン原子という共通した構成原子を有している
ので、第一の層１（１２）と第二の層１０３との界面に
おいて化学的安定性が確保できる。

第二の層１０３中には、酸素原子、炭素原子及び窒素原
子を均一な分布状態で含有せしめるものであるが、これ
らの原子含有せしめる量の増加に伴って、前述の諸物件
は向上する。しかし、多すぎると層品質が低下し、電気
的および機械的特性も低下する。こうしたことから、こ
れらの原子の含有量は、通常０．０（１１〜９０ａｔｏ
ｍｉｃ％、好ましくはｌ　−９Ｑａｔｏｍｉｃ％、最適
には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする。

第二の層にも、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも
いずれか一方を含有せしめることが望ましく、第二の層
中に含有せしめる水素原子（Ｈ）の量、又はハロゲン原
子（Ｘ）の量あるいは水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、通常１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、好まし
くは５〜３Ｑａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５ａｔｏ
ｍｉｃ％とする。

第二の層１０３は、所望通りの特性が得られるように注
意深く形成する必要がある。即ち、シリコン原子、およ
び酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から選ばれる少
なくとも一種、あるいはさらに、水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を構成原子とする物質は、各構成原子の含有
量やその他の作成条件によって、形態は結晶状態から非
晶質状態までをとり、電気的物性は導電性から、半導電
性、絶縁性までを、さらに光電的性質は光導電的性質か
ら非光導電的性質までを、各々示すため、目的に応じた
所望の特性を有する第二の層１０３を形成しうるように
、各構成原子の含有量や作成条件等を選ぶことが重要で
ある。

例えば、第二の層１０３を電気的耐圧性の向上を主たる
目的として設ける場合には、第二の層１０３を構成する
非晶質材料は、使用条件下において電気絶縁的挙動の顕
著なものとして形成する。又、第二の層１０３を連続繰
返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる目的として
設ける場合には、第二の層１０３を構成する非晶質材料
は、前述の電気的絶縁性の度合はある程度緩和するが、
照射する光に対しである程度の感度を有するものとして
形成する。

また、本発明において、第二の層の層厚も本発明の目的
を効率的に達成するためのＮ要な要因の１つであり、所
期の目的に応じて適宜決定されるものであるが、該層に
含有せしめる酸素原子、炭素原子、窒素原子、ハロゲン
原子、水素原子の量、あるいは第二の層に要求される特
性に応じて相互的かつ有機的関連性の下に決定する必要
がある。更に、生産性や量産性をも加味した経済性の点
においても考慮する必要もある。こうしたことから、第
二の層の層厚は通常は３Ｘ１０”〜３０μとするが、よ
り好ましくは４×１０−３〜２０μ、特に好ましくは５
×１０−３〜１０μとする。

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答か速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
４電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画１象形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

次に本発明の光受容層の形成方法について説明する。

本発明の光受容層を構成する非晶質材料はいずれもグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって行わ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光受容部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望の特性を有する光受容部材を製造するに当っての条件
の制−が比較的容易であり、シリコン原子と共に炭素原
子及び水素原子の導入を容易に行い得る等のことからし
て、グロー放′亀法或いはスパッタリング法が好適であ
る。

そして、グロー放電法とスパッタリング法とを同一装置
系内で併用して形成してもよい。

グロー放電法によってａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）で
構成される光受容層を形成するには、シリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給しうるＳｉ供給用の原料ガスと、ゲルマニウ
ム原子（Ｇｅ）を供給しうるＧｅ供給用の原料ガスと、
水素原子（Ｉ１）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を供給
しうる水素原子（■］）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
供給用の原料ガスを、内部を減圧にしうる堆積室内に所
望のガス圧状態で導入し、該堆積室内にグロー放電を生
起せしめて、予め所定位置に設置しである所定の支持体
表面上に、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層
を形成する。

前記Ｓｉ供給用の原料ガスとなりうる物質としては、Ｓ
ｉＨ，，５ｉ２Ｈ，、５ｉ３Ｈ６，５Ｉ４Ｉ−Ｉｌｏ等
のガス状態の又はガス化しうる水素化硅素（シラン類）
か挙げられ、特に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供
給効率の良さ等の点からＳｉＨ，および５ｉ２Ｈ，が好
ましい。

また、前記Ｇｅ供給用の原料ガスとなりうる物質として
は、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３Ｈ８、Ｇｅ４Ｈ，ｏ
、Ｑｅ、Ｈ１□、Ｇｅ６Ｈ，、、Ｇｅ７Ｈ，６、Ｇｅ、
Ｈ，８、Ｇｅ、Ｈ２ｏ等のガス状態の又はガス化しりる
水素化ゲルマニウムを用いることができる。特に、層作
成作業時の取扱い易さ、　Ｇｅ供給効率の良さ等の点か
ら、ＧｅＨ４，Ｇｅ２Ｈ，、およびＧｅ３Ｈ，が好まし
い。

更に、前記ハロゲン原子供給用の原料ガスとなりうる物
質としては、多くのノーロゲン化合物があり、例えばノ
・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲン間化合物、ハ
ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の又はガ
ス化しうるノ・ロゲン化合物を用いることができる。具
体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス
、ＢｒＦ　、　　ＣＩＦ　、　　ＣｌＦ３、ＢｒＦ３、
ＢｒＦ、　、ＩＦ、、ＩＦ７、Ｉ（Ｊ、　ＩＢｒ等の７
・ロゲン間化合物、およびＳ　ｉ　Ｆ４．５ｉ２Ｆ”、
、Ｓ　１Ｃ４４，Ｓ　１Ｂｒ４等の）・ロゲン化硅素等
が好ましいものとして挙げられる。

上述のごときハロゲン原子を含む硅素化合物のガス状態
のもの又はガス化しうるものを原料ガスとしてグロー放
電法により形成する場合には、Ｓｉ原子供給用原料ガス
としての水素化硅素ガスを庚用することなく、所定の支
持体上にノ・ロゲン原子を含有するａ−３ｉで構成され
る層を形成することができるので、特に有効である。

グロー放電法を用いて光受容層を形成する場合には、基
本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とＧｅ供給用の原料となる水素化ゲルマニウムとＡｒ　
、　１−Ｉ２、ｌ−１ｅ等のガスとを所定の混合比とガ
ス流量になるようにして堆積室に導入し、グロー放電を
生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成すること
により、支持体上に光受容層を形成するものであるが、
電気的あるいは光電的特性の制御という点で極めて有効
であるところの水素原子（１−１）の含有量の制御を一
層容易にするためには、これ等のガスに史に水素原子供
給用の原料ガスを混合することもできる。該水素原子供
給用のガスとしては、水素ガスあるいは、８ｉＩ−Ｉ４
．　Ｓｉ□ｌ−１６、Ｓ　ｉ　、Ｈ，，５ｉ４ｆ−ｔ、
ｏ等の水素化硅素のガスが用いられる。また、水素原子
供給用ガスとして、ＨＦ、ｆ（Ｃｄ、ＨＢｒ　、　ＨＩ
等のハロゲン化物、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ，Ｉ２、Ｓ　
１Ｈ２ｃ１２．５ｉＨＣｄ３．５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨ
Ｂｒ、等のハロゲン置換水素化硅素等のガス状態のある
いはガス化しうるものを用いた場合には、ハロゲン原子
（Ｘ）の導入と同時に水素原子（Ｈ）も導入されるので
、有効である。

スパッタリング法によってａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）
で構成される光受容層を形成するには、シリコンから成
るターゲットと、ゲルマニウムから成るターゲットとの
二枚を、あるいは、シリコンとゲルマニウムからなるタ
ーゲットを用い、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッ
タリングすることによって行なう。

イオンブレーティング法を用いて光受容層を形成する場
合には、例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと
多結晶ゲルマニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸
発源として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法あるいはエレクトロンビーム法（Ｅ、１３．法）等に
よって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ
雰囲気中を通過せしめろことで行ない得る。

スパッタリング法およびイオンブレーティング法のいず
れの場合にも、形成する層中にハロゲン原子を含有せし
めるには、前述のハロゲン化物又はハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入し、該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成すればよい。又、水素原子を導入する場
合には、水素原子供給用の原料ガス、例えばＨｚあるい
は前記した水素化シラン類又は／及び水素化ゲルマニウ
ム等のガス類をスパッタリング用の堆積室内に導入して
これ等のガス類のプラズマ雰囲気を形成すればよい。さ
らにハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、前記のハ
ロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化合物が有効なも
のとして挙げられるが、その他に、ＨＦ、ＨＣｄ、ＨＢ
ｒ、ＨＩ等のハ（Ｉゲン化水素、Ｓ　ｔ　Ｎ２　Ｆ２、
Ｓ山２Ｉ２．５ｉＨ２Ｃ１２、ＳｉＨＣｇ５．５ｉＨ２
Ｂｒ２．５ｉＨＥｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、お
よびＧｅＨＦ３、ＧｅＨ２Ｆ２、Ｇｅ１（３Ｆ、　Ｇｅ
Ｈ（Ｊ３、ＧｅＨ２Ｃ１２、ＱｅＩ−１，Ｃ７１！、Ｇ
ｅＩ−ＩＢ　ｒ　、、ＧｅＮ２Ｂｒ２、ＧｅＨ３Ｂｒ、
ＧｅＨＩ、、ＧｅＮ２Ｉ２、ＧｅＨ，Ｉ　等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム等、ＧｅＦ４．ＧｅＣｌ４．Ｇｅ
Ｂｒ４％ＧｅＩ４．ＧｅＦ２、ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ２
、ＧｅＩ２等ノハロゲン化ケルマニウム等々のガス状態
の又はガス化しうる物質も有効な出発物質として使用で
きる。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第一の層中に含有される水素原子（Ｈ）の量又は
ハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の
量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．（１１〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ　ｔｏ
ｍ　ｉｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましい。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、スズ原子を含有するアモルファス
シリコン（以下、ｒａ−８ｉＳｎ（Ｈ，Ｘ）Ｊと表記す
る。）で構成される光受容層を形成するには、上述のａ
−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層の形成の際に
、ゲルマニウム原子供給用の出発物質を、スズ原子（Ｓ
ｎ）供給用の出発物質にかえて使用し、形成する層中へ
のその量を制御しながら含有せしめることによって行な
う。

前記スズ原子（Ｓｎ）供給用の原料ガスとなりうる物質
としては、水素化スズ（５ｎＨ４）やＳｎＦ２．５ｎＦ
４，５ｎＣ１２，５ｎＣ１４、ＳｎＢｒ２、　ＳｎＢｒ
４、　ＳｎＩ２．８ｎＩ、　　等のハロゲン化スズ等の
ガス状態の又はガス化しうるものを用いることができ、
ハロゲン化スズを用いる場合には、所定の支持体上にハ
ロゲン原子を含有するａ−３ｉで構成される層を形成す
ることができるので、特に有効である。

なかでも層構成作業時の取扱い易さ、Ｓｎ供給効率の良
さ等の点から、５ｎＣ１１４が好ましい。

そして、５ｎＣ１４をスズ原子（Ｓｎ）供給用の出発物
質として用いる場合、これをガス化するには、固体状の
５ｎＣ１４を加熱するとともに、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性
ガスを吹き込み、該不活性ガスを用いてバブリングする
のが望ましく、こうして生成したガスを、内部を減圧に
した堆積室内に所望のガス圧状態で導入する。

グロー放電法を用いて、酸素原子、炭素原子、又は窒素
原子を含有するａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）、ａ−８ｉｇ
ｎ　（Ｈ，Ｘ）又はａ　−Ｓ　１ＧｅＳｎ　（Ｈ，Ｘ　
）で構成される層又は一部の層領域を形成するには、上
述ノａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）又は／及びａ−８ｉＳｎ
（Ｈ。

Ｘ）で構成される層の形成の際に、原子（０，Ｃ。

Ｎ）導入用の出発物質を、ａ−８ｉＧｅ　（Ｉ（、Ｘ）
又は／及びａ−８ｉＳｎ　（Ｈ，Ｘ　）形成用の出発物
質とともに使用して、形成する層中へのそれらの量を制
御しながら含有せしめることによって行なう。

そのような原子（０，Ｃ，Ｎ）導入用の出発物質として
は、少なくとも原子（０，Ｃ，Ｎ）を構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質であれば、殆んどのも
のが使用できる。

具体的には酸素原子（０）導入用の出発物質として、例
えば、酸素（（１２））、オゾンＣ０５）、−酸化窒素
（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ，）、−二酸化窒素（Ｎ２
０）、三二酸化窒素＜　Ｎ、０．　）、四二酸化窒素（
Ｎ２０．）　、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、　　三酸化
窒素（Ｎｏ３）、シリコン原子（Ｓｌ）と酸素原子（０
）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例えば、ジシ
ロキサン（Ｈ３Ｓｉ０８ｉＨ３）、トリシロキサン（１
−１３Ｓ　ｉｔｓ　１Ｈ２０Ｓ　１Ｈ８）等の低級シロ
キサン等が挙げられ、炭素原子（Ｃ）導入用の出発物質
としては、例えば、メタン（ＣＨ，）、エタン（Ｃ２Ｈ
６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブタ７　（ｎ−Ｃ４
Ｈ，ｏ八＜メタン（Ｃ，Ｈ１□）等の炭素数１〜５の飽
和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ８
Ｈ，）、ブテン−１（Ｃ，Ｈ，）、ブテン−２（Ｃ，Ｈ
８）、イソｊチｖン（Ｃ４Ｈａ）　、　ヘンｆン（Ｃａ
Ｈｌｏ）等ノ炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセ
チレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ，）、
ブチン（Ｃ４Ｈ，）等の炭素数２〜４のアセチレン系炭
化水素等が挙げられ、窒素原子（Ｎ）導入用の出発物質
としては、例えば、窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎｌ−
Ｈ３）、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（Ｈ
Ｎｓ　）　　、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ、）、三
弗化窒素（Ｆ、Ｎ）、四弗化窒素１４Ｎ）等が挙げられ
る。

また、スパッタリング法を用いて原子（０，Ｃ。

Ｎ）を含有するａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ　）、ａ−３ｉＳ
ｎ　（Ｈ。

Ｘ）またはａ　−Ｓ　１ＧｅＳｎ　（Ｈ，Ｘ　）で構成
サレル層を形成する場合には、原子（０，Ｃ，Ｎ）導入
用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前
記のガス化可能な出発物質の外に、固体化出発物質とし
て、Ｓｉｎ、、Ｓｉ３Ｎいカーボンブラック等を挙げる
ことが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットとしての
形で使用することができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、第■族原子又は第■族原子を含有
するａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ　）又は／及びａ　　５
ｉｓｎ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される層又は一部の層領域
を形成するには、上述のａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）又は／
及びａ−８ｉｇｎ　（Ｈ，Ｘ　）　層構成される層の形
成の際に、第■族原子又は第Ｖ族原子導入用の出発物質
を、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）又ル′及びａ−８ｉｇｎ
　（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質とともに使用して、形成
する層中へのそれらの量を制菌しながら含有せしめるこ
とによって行なう。

第■族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
導入用としては、Ｂ２Ｈ，、Ｂ、Ｈ，ｏ、Ｂ、Ｈ，、Ｂ
　、Ｈ、、、Ｂ　、Ｉ−Ｉ　、。、Ｂ　、Ｈ，□、Ｂ６
Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ３、ＢＣＩ、、ＢＢｒ、等
のハロゲン化硼素等が挙げられる。この他、ｋｌｃ１３
、ＧａＣｌ３、Ｇａ　（ＣＢ３）　２、ＩｎＣ１１ｓ、
ＴｌＣ１３３等も挙げることができる。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、具体的には燐原子
導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ，等の水素比隣、ＰＩ−
（、Ｉ、　ＰＩ！”８、ＰＦ３、Ｐｃ１ｓ、ＰＣｌ、　
、ＰＢｒ、、ＰＢｒ、、ＰＩ３等のハロゲン北隣が挙げ
られる。この他、ＡｓＨ３，ＡｓＦ、　、　ＡｓＣｌ３
．　ＡｓＢｒ、　、　ＡｓＦ５．５ｂＨ１，ＳｂＦ３、
ＳｂＦ、　、　５ｂＣ６３，５ｂＣｌ、　、ＢｉＨ３、
Ｂ１Ｃｄ５、Ｂ１１３ｒ、等も第Ｖ族原子導入用の出発
物質の有効なものとして挙げることができる。

グロー放電法、スパッタリング法あるいはイオンブレー
ティング法を用いて、酸素原子、炭素原子又は窒素原子
のうちの少なくともいずれか１つヲ含有するアモルファ
スシリコン、即ち。

ａ−８ｉ　（０，Ｃ，Ｎ）　（Ｈ，Ｘ）で構成される第
二の層１０３を形成するには、ａ−３ｉ　（０，Ｃ，Ｎ
）（Ｈ，Ｘ）形成用の出発物質を使用して、上述の原子
（０，Ｃ，Ｎ）を含むａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）又は／
及びａ−８ｉＳｎ　（Ｈ，Ｘ　）　層構成すレル第一　
＋７）　層を形成する場合と同様にして行なう。

例えば酸素原子を含有する層又は層領域をグロー放電法
により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子
とする原料ガスと、酸素原子（０）を構成原子とする原
料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合
比で混合して使用するが、又は、シリコン原子（Ｓｌ）
を構成原子とする原料ガスと、酸素原子（０）及び水素
原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所
望の混合比で混合するが、或いは、シリコン原子（Ｓｉ
）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓｉ）
、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子
とする原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

そのような酸素原子導入用の出発物質としては酸素原子
を構成原子とするガス状態の又はガス化しうる物質をガ
ス化したものであれば、いずれのものであってもよい。

酸素原子導入用の出発物質としては具体的には、例えば
酸素（０□）、オゾン（０３）、−酸化窒素（ＮＯ）、
二酸化窒素（Ｎｏ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０）、三二
酸化窒素（Ｎ２０３）　、四三酸化窒素＜　Ｎ２０４）
、三二酸化窒素（Ｎ２０．）、三酸化窒素（ＮＯｌ）、
シリコン原子（Ｓｉ）　　と酸素原子（０）と水素原子
（Ｈンとを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ
ｌＳ　ｉ　Ｏ８１Ｉ−Ｉ３）、トリシロキサン（Ｈ３Ｓ
　ｉ　Ｏ８１Ｈ２０Ｓ　１Ｈ８）等の低級シロキサン等
を挙げることができる。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する層を形
成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又はＳｉ
Ｏ２ウエーノ・、又はＳｉと５ｉｎ２が混合されて含有
されているウェーハをターゲットとして、これ等を種々
のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行え
ばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉＯ□とは別々のターゲットとし
て、又はＳｉとＳｉＯ２の混合した一つのターゲットを
使用することによって、スパッタリング用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でスパッタリングすることによって成さ
れる。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

また、例えば炭素原子を含有する第二の層をグロー放軍
法により形成するには、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原
子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする
原料ガスと、必要に応じて水素原子（１−ｉ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所
望の混合比で混合して使用するが、又はシリコン原子（
Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、炭素原子（Ｃ）及
び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料ガスとを、これ
も又所望の混合比で混合するが、或いはシリコン原子（
Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと、シリコン原子（Ｓ
ｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子と
する原料ガスを混合するが、更にまた、シリコン原子（
Ｓｉ）と水素原子（■（）を構成原子とする原料ガスと
炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスを混合して使
用する。

このような原料ガスとして有効に使用されるのは、Ｓｉ
とトＩとを構成原子とするＳｉＨ４、Ｓ１□Ｉ−Ｉ、、
Ｓ　ｉ３Ｈ，、、Ｓｉ、Ｈ，。等のシラ：ｙ　（５ｉｌ
ａｎｅ　）類等の水素化硅素ガス、ＣとＨとを構成原子
とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２
〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン
系炭化水素等が挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ，）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ロープ
タフ　（ｎ　−Ｃｄ（、ｏ）、ペンタ７　（Ｃ，Ｈ，□
）　、　：Ｉ−チレン系炭化水素としては、エチレン（
Ｃ２Ｈ，）、プロピレン＜　Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（
Ｃ，Ｈ，）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ，）、イソブチレン（
Ｃ４Ｉ（、）、ペンテン（Ｃ５Ｈ＋ｏ　）、アセチレン
系炭化水素としては。

アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ
，）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、５
ｉ（ＣＨｓ）＜、Ｓｉ　（Ｃ２Ｈ，）４等のケイ化アル
キルを挙げることができる。これ等の原料ガスの他、Ｈ
４人用の原料ガスとしては勿論Ｈ２も使用できる。

スパッタリング法によってａ−８ｉＣ（Ｈ，Ｘ）で構成
される第二の層を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
ｉウェーハ又はＣ（グラファイト）ウェーハ、又はＳｉ
とＣが混合されて含有されているウェーハをターゲット
として、これ等を所望のガス雰囲気中でスパッタリング
することによって行う。

例えばＳｉウェーハをターゲットとして使用する場合に
は、炭素原子、および水素原子又は／及びハロゲン原子
を導入するための原料ガスを、必要に応じてＡｒ　、　
Ｈｅ等の稀釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積
室内に導入し、これ等のガスのガスプラズマを形成して
Ｓｉウェーハをスパッタリングすればよい。

又、ＳｉとＣとは別々のターゲットとするが、あるいは
ＳｉとＣの混合した１枚のターゲットとして使用する場
合には、スパッタリング用のガスとして水素原子又は／
及びハロゲン原子導入用の原料ガスを、必要に応じて稀
釈ガスで稀釈して、スパッタリング用の堆積室内に導入
し、ガスプラズマを形成してスパッタリングすればよい
。該スパッタリング法に用いる各原子の導入用の原料ガ
スとしては、前述のグロー放電法に用いる原料ガスがそ
のまま使用できる。

更に、例えば窒素原子を含有するアモルファスシリコン
で構成される第二の層をグロー放電法により形成するに
は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと
、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料ガスと、必要に
応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するが、又は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とす
る原料ガスと、窒素原子（Ｎ）及び水素原子（Ｈ）を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するかして使用することができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（Ｈ）と
を構成原子とする原料ガスに窒素原子（Ｎ）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用してもよい。

その様な窒素原子導入用の出発物質としては、少なくと
も窒素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化し
得る物質をガス化したものであれば、いずれのものであ
ってもよい。

窒素原子導入用の出発物質としては、具体的には、窒素
原子を構成原子とするかあるいは窒素原子と水素原子を
構成原子とする、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）
、ヒドラジン（Ｈ２ＮＮＨ２）、アジ化水素（ＨＮ３）
、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎ３）等の窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることができる。こ
の他に、三弗化窒素（Ｆ、Ｎ　）、四弗化窒素＜　Ｆ４
Ｎ２）等のハロゲン化窒素化合物を挙げることができ、
これらのハロゲン化窒素化合物を用いる場合、窒素原子
（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）導入もでき
る。

スパッタリング法によって、窒素原子を含有する層領域
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハ又は
Ｓｉ、Ｎ４ウエーハ、又はＳｉとＳｉ３Ｎ、が混合され
て含有されているウェーハをターゲットとして、これ等
を棟々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによっ
て行えばよい。

例えば、Ｓｉウェーハをターゲットとして使用すれば、
窒素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスで
稀釈して、スパッタリング用の堆積室中に導入し、これ
等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハを
スパッタリングすればよい。

又、別には、ＳｉとＳｉ、Ｎ４とは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＳｉ、Ｎ４の混合した一枚のターゲッ
トを使用することによって、スパッタリング用のガスと
しての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（
Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッタリングすることによって
成される。

窒素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
できる。

以上記述したように、本発明の光受容部材の光受容層は
、グロー放電法、スパッタリング法等を用いて形成する
が、光受容層に含有せしめるゲルマニウム原子又は／及
びスズ原子、第■族原子又は第Ｖ族原子、酸素原子、炭
素原子又は窒素原子、あるいは水素原子又は／及びハロ
ゲン原子の各々の含有量の制御は、堆積室内へ流入する
、各々の原子供給用出発物質のガス流蓋あるいは各々の
原子供給用出発物質間のガス流量比を制御することによ
り行われる。

また、第一の層および第二の層形成時の支持体温度、堆
積室内のガス圧、放電パワー等の条件は、所望の特性を
有する光受容部材を得るためには重要な要因であり、形
成する層の機能に考慮をはらって適宜選択されるもので
ある。さらに、これらの層形成条件は、第一の層および
第二の層に含有せしめる上記の各原子の種類及び量によ
っても異なることもあることから、含有せしめる原子の
種類あるいはその量等にも考慮をはらって決定する必要
もある。

具体的には窒素原子、酸素原子、炭素原子等を含有せし
めたａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる第二の層を形成する場
合には、支持体温度は、通常５０〜３５０Ｃとするが、
特に好ましくは５０〜２５０Ｃとする。堆積室内のガス
圧は、通常０．（１１〜Ｉ　Ｔｏｒｒとするが、特に好
ましくは０．１〜０．５Ｔｏｒｒとする。また、放電パ
ワーは０．００５〜５０Ｗ肩とするのが通常であるが、
より好ましくは０．（１１〜３０　ｗ７．Ｈ，特に好ま
しくは０．（１１〜２０Ｗ／ｄとする。

ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成する
場合、あるいは第■族原子又は第■族原子を含有せしめ
たａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる第一の層を形成す
る場合については、支持体温度は、通常５０〜３５０Ｃ
とするが、より好ましくは印〜３００Ｃ５特に好ましく
は１００〜３００Ｃとする。

そして、堆積室内のガス圧は、通常０．（１１〜５Ｔｏ
ｒｒとするが、好ましくは、０．０（１１〜３　Ｔｏｒ
ｒとし、特に好ましくは０．１〜１Ｔｏｒｒとする。ま
た、放電パワーは０．００５〜５０　Ｗ／７とするのが
通常であるが、好ましくは０．（１１〜３０Ｗ／ｉとし
、特に好ましくは０．（１１〜２０Ｗ／ｃｙとする。

しかし、これらの、層形成を行うについての支持体温度
、放電パワー、堆積室内のガス圧の具体的条件は、通常
には個々に独立しては容易には決め難いものである。し
たがって、所望の特性の非晶質材料層を形成すべく、相
互的且つ有機的関連性に基づいて、層形成の至適条件を
決めるのが望ましい。

ところで、本発明の光受容層に含有せしめるゲルマニウ
ム原子又は／及びスズ原子、原子（０，Ｃ’、　Ｎ）　
、第■族原子又は第■族原子、あるいは水素原子又は／
及びハロゲン原子の分布状態を均一とするためには、光
受容層を形成するに際して、前記の諸条件を一定に保つ
ことが必要である。

また、本発明において、光受容層の形成の際に、該層中
に含有せしめるゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（
０，Ｃ，Ｎ）あるいは第■族原子又は第■族原子の分布
濃度を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態
を有する光受容層を形成するには、グロー放電法を用い
る場合であれば、ゲルマニウム原子又は／及びスズ原子
、原子（０，Ｃ，Ｎ）、あるいは第■族原子又は第Ｖ族
原子導入用の出発物質のガスの堆積室内に導入する際の
ガス流量を、所望の変化率に従って適宜変化させ、その
他の条件を一定に保ちつつ形成する。そして、ガス流量
を変化させるには、具体的には、例えば手動あるいは外
部駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法によ
り、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバル
ブの開口を漸次変化させる操作を行えばよい。このとき
、流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイコ
ン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲線に従っ
て流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる
。

また、光受容層をスパッタリング法を用いて形成する場
合、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ
）、あるいは第ｍ族原子又は第■族原子の層厚方向の分
布濃度な層厚方向で変化させて所望の層厚方向の分布状
態を形成するには、グロー放電法を用いた場合と同様に
、ゲルマニウム原子又はスズ原子、原子（０，Ｃ，Ｎ）
あるいは第■族原子又は第■族原子導入用の出発物質を
ガス状態で使用し、該ガスを堆積室内へ導入する際のガ
ス流量を所望の変化率に従って変化させる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例１乃至１３に従って、より詳細に
説明するが、本発明はこれ等によって限定されるもので
はない。

各実施例においては、光受容層をグロー放電法を用いて
形成した。第５図はグロー放電法による本発明の光受容
部材の製造装置である。

図中の２５（１２）．２５０３．２５０４．２５０５．
２５０６のガスボンベには、本発明の夫々の層を形成す
る念めの原料ガスが密封されており、その１例として、
たとえば、２５（１２）はＳｉＦ４ガス（純度９９．９
９９％）ボンベ、２５０３はＨ２で稀釈されたＢ、Ｈ，
ガス（純度９９，９９９％、以下Ｂ２　Ｈｅ　／　Ｈ２
と略す。）ボンベ、２５０４はＣＨ４ガス（純度９９．
９９９％）ボンベ、２５０５はＧｅ　Ｆ４ガス（純度９
９．９９９　％　）ボンベ、２５０６は不活性ガス（Ｈ
ｅ）ボンベである。

そして、２５０６’は５ｎＣｄ、が入つ几密閉容器であ
る。

これらのガスを反応室２５（１１に流入させるにはガス
ボンベ２５（１２）〜２５０６のバルブ２５２２〜２５
２６、リークバルブ２５３５が閉じられていることを確
認し又、流入バルブ２５１２〜２５１６、流出バルブ２
５１７〜２５２１　、補助バルブ２５３２．２５３３が
開かれていることを確認して、先ずメインバルブ２５３
４を開いて反応室２５（１１、ガス配管内をＩト気する
。次に真空Ａｌシリンダー２５３７上に第一の層及び第
二の層を形成する場合の１例を以下に記載する。

まず、ガスボンベ２５（１２）より５ＩＦ４ガス、ガス
ボンベ２５０３よりＢ２Ｈ０／Ｈｚガス、ガスボンベ２
５０４よりＣＨ４ガス、ガスボンベ２５０５よりＧｅＦ
。

ガスの夫々をバルブ２５２２．２５２３．２５２４．２
５２５を開いて出口圧ゲージ２５２７．２５２８．２５
２９．２５３０の圧をＩ　Ｋｆ／ｃｒｌに調整し、流入
バルブ２５１２．２５１３．２５１４．２５１５を徐々
に開けて、マス７０コントローラ２５０７．２５０８．
２５０９．２５１０内に流入される。引き続いて流出バ
ルブ２５１７．２５１８．２５１９．２５２０　、補助
バルブ２５３２を徐々に開いてガスを反応室２５（１１
内に流入される。

このときのＳｉＦ４ガス流量、Ｇｅ　Ｆ、ガス流量、Ｃ
Ｈ４ガス流量、８２Ｈ６／Ｈ２ガス流量の比が所望の値
になるように流出バルブ２５１７．２５１８．２５１９
．２５２０を調整し、又、反応室２５（１１内の圧力が
所望の値になるように真空計２５３６の読みを見ながら
メインバルブ２５３４の開口を調整する。そして基体シ
リンダー２５３７の温度が加熱ヒーター２５３８により
５０〜４００Ｃの範囲の温度に設定されていることを確
認された後、電源２５４０を所望の電力に設定して反応
室２５（１１内にグロー放電を生起せしめるとともに、
マイクロコンピュータ−（図示せず）を用いて、あらか
じめ設計された流量変化率線に従って、Ｓ　ｉ　Ｆ、ガ
ス、ＧｅＦ。

ガス、ＣＨ，ガス及びＢ２Ｈ，／Ｈ２ガスのガス流量を
制御しながら、基体シリンダー２５３７上に先ず、シリ
コン原子、ゲルマニウム原子、炭素原子及び硼素原子を
含有する層１（１２）′を形成する。

所望の層厚に層１（１２）′が形成された段階において
、流出バルブ２５１８．２５２０を完全に閉じ、必要に
応じて放電条件をかえる以外は同様の手順に従ってグロ
ー放電を続けることにより層１（１２）′の上に、ゲル
マニウム原子を実質的に含有しない層１（１２）”を形
成することができる。

こうして層１（１２）′と層１（１２）”を支持体側か
ら順に有する第一の層１（１２）を形成したのち、第一
の層１（１２）の上に第二の層１０３を形成するには、
上記の同様の操作により、例えば、ＳｉＦ４ガス及びＣ
Ｈ，ガスの夫々を、必要に応じてＨｅ、　Ａｒ、　Ｈ２
等の稀釈ガスで稀釈して、所望のガス流量で反応室２５
（１１内に流入し、所望の条件に従って、グロー放電を
生起せしめることによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出ノ（ルブ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室２５（１１内、流出パルプ２５１７〜２５２１から反
応室２５（１１内に至るガス配管内に残留することを避
けるために、流出パルプ２５１７〜２５２１を閉じ補助
パルプ２５３２．２５３３を開いてメインパルプ２５３
４を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に
応じて行う。

また、第一の層中にスズ原子を含有せしめる場合にあっ
て、原料ガスとして５ｎＣ１４を出発物質としたガスを
用いる場合には、２５０６’に入れられた固体状５ｎＣ
１４を加熱手段（図示せず）を用いて加熱するとともに
、該５ｎＣ１４中にＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスボンベ２
５０６よりＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを吹き込み、バブ
リングする。発生した５ｎＣ１４のガスは、前述のＳｉ
Ｆ４ガス、ＧｅＦ、ガス、ＣＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６，”Ｉ
（２ガス等と同様の手順により反応室内に流入させる。

試験例 径２ｍｍのＳＵＳステンレス製剛体真球を用い、前述の
第６図に示した装置を用い、アルミニウム合金製シリン
ダー（径６０　ｍｍ、長さ２９８　ｍｍ　）の表面を処
理し、凹凸を形成させた。

真球の径Ｒ′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率几、幅りと
の関係を調べたところ、痕跡窪みの曲率Ｒと幅りとは、
真球の径Ｒ′と落下高さｈ等の条件により決められるこ
とが確認された。また、痕跡窪みのピッチ（痕跡窪みの
密度、また凹凸のピッチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望のピッ
チに調整することができることが確認された。

実施例１ 試験例と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面を
処理し、第１Ａ表上欄に示すＤ、及り び−を有するシリンダー状Ａｌ支持体（シリンダ−屋１
（１１〜１０６）を得た。

次に該ＡＩ支持体（シリンダー屋１（１１〜１０６）上
に、以下の第１Ｂ表に示す条件で、第５図に示した製造
装置により光受容層を形成した。

これらの光受容部材について、第が図に示す画像露光装
置を用い、波長７ｇＱｍｍ、スポット径８０μｍのレー
ザー光を照射して画像露光を行ない、現像、転写を行な
って画像を得た。得られた画像の干渉縞の発生状況は第
１Ａ表下欄に示すとおりであった。

なお、第２６　（Ａ）図は露光装置の全体を模式的に示
す平面略図であり、第２６　（Ｂ）図は露光装置の全体
を模式的に示す側面略図である。図中、２６（１１は光
受容部材、２６（１２）は半導体レーザー、２６０３　
ハｆθレンズ、２６０４はポリゴンミラーを示している
。

次に、比較として、従来のダイヤモンドバイトにより表
面処理されたアルミニウム合金製シリンダー（屋１０７
　）　（径６Ｑｍｍ、長さ２９８ｍｍ。

凹凸ピッチ１００μｍ、凹凸の深さ３μｍ）を用いて、
前述と同様にして光受容部材を作製した。

得られた光受容部材を電子顕微鏡で観察したところ、支
持体表面と光受容層の層界面及び光受容層の表面とは平
行をなしていた。この光受容部材を用いて、前述と同様
にして画像形成をおこない、得られた画像について前述
と同様の評価を行なった。その結果は、第１Ａ表下欄に
示すとおりであった。

実施例２ 第２Ｂ表に示す層形成条件に従って光受容層を形成した
以外はすべて実施例１と同様にして。

Ａｌ支持体（シリンダーＡ１（１１〜１０７）上に光受
容層を形成した。なお、第一の層形成時におけるＳｉＦ
４ガス及びＧｅＦ４ガスのガス流量は第２７図に示す流
量変化線に従って、マイクロコンピュータ−制御により
、自動的に調整した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像を形成したところ、得られた画ｆ象における干渉縞の
発生状況は、第２Ａ表下欄に示すとおりであった。

実施例３〜１１ 実施例１のＡｌ支持体（シリンダー＆１０３〜１０６）
上に、第３〜１１表に示す層形成条件に従って光受容層
を形成した以外はすべて実施例１と同様にして光受容部
材を作製した。なお、実施例３〜１１において、第一の
層形成時における使用ガスの流量は、各々、第２８〜３
６図に示す流量変化線に従って、マイクロコンピュータ
−制御により自動的に調整した。又、実施例５〜１１に
おいて、第一の層に含有せしめる硼素原子は、該階音層
中に約２００ｐｐｍとなるべく導入した。

得られた光受容部材について、実施例１と同様にして画
像形成をおこなった。

得られた画像は、いずれも干渉縞の発生が観察されず、
そして極めて良質のものであった。

〔発明の効果の概略〕

本発明の光受容部材は前記のごとき層構成としたことに
より、前記したアモルファスシリコンで構成された光受
容層を有する光受容部材の諸問題の総てを解決でき、特
に、可干渉性の単色光であるレーザー光を光源として用
いた場合にも、干渉現象による形成画像における干渉縞
模様の現出を顕著に防止し、きわめて良質な可視画像を
形成することができる。

また、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザーとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速く、さらに極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフト−ンが鮮明に出て、且つ解像度の高い高品質
の画像を安定して繰返し得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光受容部材の１例を模式的に示した図
であり、第２及び３図は、本発明の光受容部材における
干渉縞の発生の防止の原理を説明するための部分拡大図
であり、第２図は、支持体表面に球状痕跡窪みによる凹
凸が形成された光受容部材において、干渉縞の発生が防
止しうろことを示す図、第３図は、従来の表面を規則的
に荒した支持体上に光受容層を堆積させた光受容部材に
おいて、干渉縞が発生することを示す図である。第４及
び５図は、本発明の光受容部材の支持体表面の凹凸形状
及び該凹凸形状を作製する方法を説明するための模式図
である。第６図は、本発明の光受容部材の支持体に設け
られる凹凸形状を形成するのに好適な装置の一構成例を
模式的に示す図であって、第６（Ａ）図は正面図、第６
（Ｂ）図は縦断面図である。 第７〜１５図は、本発明の第一の層におけるゲルマニウ
ム原子又はスズ原子の層厚方向の分布状態を表わす図で
あり、第１６〜２４図は、本発明の第一の層における酸
素原子、炭素原子又は窒素原子、あるいは第■族原子又
は第■族原子の層厚方向の分布状態を表わす図であり、
各図において、縦軸は第一の層の層厚を示し、横軸は各
原子の分布濃度を表わしている。第５図は、本発明の光
受容部材の光受容層を製造するための装置の１例で、グ
ロー放電法による製造装置の模式的説明図である。第２
６図はレーザー光による画像露光装置を説明する図であ
る。第ｎ乃至謁図は、本発明の第一の層形成におけるガ
ス流量の変化状態を示す図であり、縦軸は第一の層の層
厚、横軸は使用ガスのガス流量を示している。 第１乃至第３図について、 １００・・・光受容部材　　１（１１・・・支持体１（
１２）、２（１１．３（１１・・・第一の層１（１２）
′・・・ゲルマニウム原子またはスズ原子の少なくとも
いずれか一 方を含有する層１（１２）”・・・ゲルマニウム原子お
よびスズ原子のいずれも含有しない層１０３、２（１２
）．３（１２）・・・第二の層１０４、２０３．３０３
・・・自由表面２０４、３０４・・・第一の層と第二の
層との界面第４．５図について、 ４（１１、５（１１・Ｉ・支持体　　４（１２）．５（
１２）・・・支持体表面４０３、５０３．５ｏ３＜・・
剛体真球４０４、５０４・・・球状窪み第６図について
、 ６（１１・・・シリンダー　　６（１２）・・・回転軸
６０３・・・駆動手段　　　６０４・・・落下装置６０
５・・・剛体真球　　　６０６・・・ボールフィーダー
６０７・・・振動機　　　　６０８・・・回収槽６０９
・・・ボール送り装置　６１０・・・洗浄装置６１１・
・・洗浄液だめ　　６１２・・・洗浄液回収槽６１３・
・・落下口 第５図について、 ２５（１１・・・反応室２５（１２）〜２５０６・・・
ガスボンベ２５０６’−５ｎＣ１４用密 閉容器２５０７〜２５１１・・・マスフロコントローラ
２５１２〜２５１６・・・流入 パルプ２５１７〜２５２１・・・流出 パルプ２５２２〜２５２６・・・パルプ　２５２７〜２
５３１・・・圧力調整器２５３２、２５３３・・・補助 パルプ２５３４・・・メインパルプ２５３５・・・リー
クパルプ２５３６・・・真空計　　　　２５３７・・・
基体シリンダー２５３８・・・加熱ヒーター　２５３９
・・・モーター２５４０・・・高周波電源 第あ図について、

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体上に、シリコン原子と、ゲルマニウム原子
   又はスズ原子の少なくとも一方と、酸素原子、炭素原子
   及び窒素原子の中から選ばれる少なくともいずれか一種
   とを含有する非晶質材料で構成された第一の層と、シリ
   コン原子と、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の中から
   選ばれるものであつて前記第一の層に含有されている原
   子とは異なるものとを含有する非晶質材料で構成された
   第二の層とを有する光受容層を備えた光受容部材であつ
   て、前記第一の層が、ゲルマニウム原子またはスズ原子
   の少なくともいずれか一方を含有する層と、ゲルマニウ
   ム原子及びスズ原子のいずれも含有しない層とを支持体
   側から順に有する多層構成であり、かつ、前記支持体表
   面が、複数の球状痕跡窪みによる凹凸形状を有している
   ことを特徴とする光受容部材。
2. （２）第二の層が、酸素原子、炭素原子及び窒素原子の
   中から選ばれる少なくとも一種を均一な分布状態で含有
   する特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
3. （３）第一の層が伝導性を制御する物質を含有している
   特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
4. （４）第一の層が、伝導性を制御する物質を含有する電
   荷注入阻止層を構成層の１つとして有する、特許請求の
   範囲第（１）項に記載の光受容部材。
5. （５）第一の層が、構成層の１つとして障壁層を有する
   、特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
6. （６）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率の球状痕跡窪みによる凹凸形状である特許請求
   の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
7. （７）支持体の表面に設けられた複数の凹凸形状が、同
   一の曲率及び同一の幅の球状痕跡窪みによる凹凸形状で
   ある特許請求の範囲第（１）項に記載の光受容部材。
8. （８）支持体の表面の凹凸形状が、支持体の表面に複数
   の剛体真球を自然落下させて得られた前記剛体真球の痕
   跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項
   に記載の光受容部材。
9. （９）支持体表面の凹凸形状が、ほぼ同一径の剛体真球
   をほぼ同一の高さから落下させて得られた剛体真球の痕
   跡窪みによる凹凸形状である特許請求の範囲第（１）項
   に記載の光受容部材。
10. （１０）球状痕跡窪みの曲率Ｒと幅Ｄとが、次式：０．
    ０３５≦Ｄ／Ｒ を満足する値である特許請求の範囲第（１）項に記載の
    光受容部材。
11. （１１）球状痕跡窪みの幅が５００μｍ以下である特許
    請求の範囲第（１０）項に記載の光受容部材。
12. （１２）支持体が、金属体である特許請求の範囲第（１
    ）項に記載の光受容部材。