JPS6288121A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS6288121A JPS6288121A JP60228397A JP22839785A JPS6288121A JP S6288121 A JPS6288121 A JP S6288121A JP 60228397 A JP60228397 A JP 60228397A JP 22839785 A JP22839785 A JP 22839785A JP S6288121 A JPS6288121 A JP S6288121A
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- film
- thin film
- nitrogen
- magnetic film
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の１１１用分野〕
本発明は、Ｐ ＣＭ （Ｐｕｌｓｅ Ｃｏｄｅ Ｍｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎ）記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドに関し、詳細には磁気回路を構成する磁性膜の改
良に関する。
ｕｌａｔｉｏｎ）記録再生装置等に用いられる薄膜磁気
ヘッドに関し、詳細には磁気回路を構成する磁性膜の改
良に関する。
本発明は、基板上に絶縁膜を介してコイル導体及び磁性
膜を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁性膜を、Ｆｅ、ＡＣＳｉを主成分とし、Ａｆ及び
Ｓｌの組成範囲がそれぞれ２〜ＩＯ重量％八１２４〜１
５重量％Ｓｉであって、さらに０゜００５〜４重量％の
窒素を含有するＦｅ−Ａ７！−Ｓｉ系合金膜とし、 磁性膜の磁気特性の向上により記録再生効率の向上を図
り、かつ高耐摩耗性を有する薄膜磁気ヘッドを提供しよ
うとするものである。
膜を積層してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁性膜を、Ｆｅ、ＡＣＳｉを主成分とし、Ａｆ及び
Ｓｌの組成範囲がそれぞれ２〜ＩＯ重量％八１２４〜１
５重量％Ｓｉであって、さらに０゜００５〜４重量％の
窒素を含有するＦｅ−Ａ７！−Ｓｉ系合金膜とし、 磁性膜の磁気特性の向上により記録再生効率の向上を図
り、かつ高耐摩耗性を有する薄膜磁気ヘッドを提供しよ
うとするものである。
磁気記録の分野においては、高密度記録化に伴い磁気記
録媒体は高抗磁力化の方向にあり、記録再生波長も短波
長化の一途をたどっている。したがって、磁気へノドに
おいても、高飽和磁束密度を存するコア材を用い、また
狭ギャップ化を進める等、上記の高密度記録化への対応
を図っている。
録媒体は高抗磁力化の方向にあり、記録再生波長も短波
長化の一途をたどっている。したがって、磁気へノドに
おいても、高飽和磁束密度を存するコア材を用い、また
狭ギャップ化を進める等、上記の高密度記録化への対応
を図っている。
；簿膜磁気・＼ノドもその例にもれず、狭、Ｙニヤ、プ
化及び高抗磁力対応の７；す膜磁気へ、ドが望まれる。
化及び高抗磁力対応の７；す膜磁気へ、ドが望まれる。
一般に、薄膜磁気へ２ノドは、ｉｆｔ気回路を構成する
（ｆ生性薄膜やコイルＩ！１体等がスパッタリングに代
表される真空薄膜形成技術により形成されるために、狭
トラック化や狭ギャップ化等の微小寸法化が容易で、高
分解能記録が可能であるという特徴を有するが、特に狭
ギヤ、ブ化した場合、再生効率の低下が予想される。
（ｆ生性薄膜やコイルＩ！１体等がスパッタリングに代
表される真空薄膜形成技術により形成されるために、狭
トラック化や狭ギャップ化等の微小寸法化が容易で、高
分解能記録が可能であるという特徴を有するが、特に狭
ギヤ、ブ化した場合、再生効率の低下が予想される。
これを改善するためには、磁性膜の高透磁率化や磁束伝
達路である磁性膜の断面積の拡大、磁気回路の短磁路化
等が考えられる。
達路である磁性膜の断面積の拡大、磁気回路の短磁路化
等が考えられる。
例えば、第６図に模式的に示すように、磁性基（反（２
１）上に下部磁性膜（２２Ｌ コイル４体（２３） 、
上部６井性１１２（２４）を順次積層形成した薄ｌＩ！
、！磁気ヘッドにおいて、同一構造、同一寸法でコアで
ある磁性７ｉＪ膜（２１） 、 （２２）の透磁率と再
生効率の関係を調べると、第７図に示すように、磁気ギ
ヤ・７ブのギャップ長ｇが小さくなると効率が低下する
ことがわかった。すなわち、ギャップ長ｇを０．３ Ｉ
Ｉ ｍとしたときの再生効率（第７図中、曲線、１で示
す。）は、ギヤ５・ブ琶ｇを０８ ＩＩ ｍ 、５した
ときの再生効率（第７図中、曲８．′ｉ！ｂで示す。）
を大きくド回った。
１）上に下部磁性膜（２２Ｌ コイル４体（２３） 、
上部６井性１１２（２４）を順次積層形成した薄ｌＩ！
、！磁気ヘッドにおいて、同一構造、同一寸法でコアで
ある磁性７ｉＪ膜（２１） 、 （２２）の透磁率と再
生効率の関係を調べると、第７図に示すように、磁気ギ
ヤ・７ブのギャップ長ｇが小さくなると効率が低下する
ことがわかった。すなわち、ギャップ長ｇを０．３ Ｉ
Ｉ ｍとしたときの再生効率（第７図中、曲線、１で示
す。）は、ギヤ５・ブ琶ｇを０８ ＩＩ ｍ 、５した
ときの再生効率（第７図中、曲８．′ｉ！ｂで示す。）
を大きくド回った。
したがって１．同一寸法で同じ再生効率を得るためには
、磁気回路を構成する磁性膜の透磁率を向上する必要が
ある。
、磁気回路を構成する磁性膜の透磁率を向上する必要が
ある。
一方、磁路断面積、すなわち磁性膜の断面積の拡大は、
この磁性膜の膜厚の増大が必要で、これに伴う■々付は
時間の長時間化、エノヂングのＪＭＩＩ；’ｉ′間化、
さらには精度の低下等が予想さね１、好ましくない。ま
た、磁気回路の短は酪化は、高効−１１化にとって優れ
た＝Ｌ段ではあるが、巻線散の減少による記録電波の増
大、再生出力低下を住い、やはり好ましくない。
この磁性膜の膜厚の増大が必要で、これに伴う■々付は
時間の長時間化、エノヂングのＪＭＩＩ；’ｉ′間化、
さらには精度の低下等が予想さね１、好ましくない。ま
た、磁気回路の短は酪化は、高効−１１化にとって優れ
た＝Ｌ段ではあるが、巻線散の減少による記録電波の増
大、再生出力低下を住い、やはり好ましくない。
このように、薄膜磁気へ、ドを狭ギヤ、プ化し、同時に
再生効率を確保しようとする場合には、最も良い方法は
プロセスの大きな変更もなく高効率（にを達成できるる
〃性膜の高１率化である。
再生効率を確保しようとする場合には、最も良い方法は
プロセスの大きな変更もなく高効率（にを達成できるる
〃性膜の高１率化である。
そこで本発明は、このような要望に応えて提案されたも
のであって、製造プロセスの大幅な変更を伴わず磁性膜
の高透磁率化を図り、記録再生効率Ｆに（Ｉれ、さらに
耐摩耗性に（ｆｉれた薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。
のであって、製造プロセスの大幅な変更を伴わず磁性膜
の高透磁率化を図り、記録再生効率Ｆに（Ｉれ、さらに
耐摩耗性に（ｆｉれた薄膜磁気ヘッドを提供することを
目的とする。
ト発明汗等は、］二述の薄膜磁気・＼ノドの高効率化を
図るために、特に作動ギヤノブを購成し記録・再生に関
与する磁性膜について検討を重ねた結果、窒素を含有す
るＦｅ−ＡＮ−３ｉ系（磁性膜が高い透磁率を示し、磁
気特性や機械的特性に優れ、薄膜磁気ヘットの磁性膜と
して有用であるとの知見を得るに至った。
図るために、特に作動ギヤノブを購成し記録・再生に関
与する磁性膜について検討を重ねた結果、窒素を含有す
るＦｅ−ＡＮ−３ｉ系（磁性膜が高い透磁率を示し、磁
気特性や機械的特性に優れ、薄膜磁気ヘットの磁性膜と
して有用であるとの知見を得るに至った。
本発明の薄膜磁気ヘッドは、ごのよらな知見に基づいて
完成されたものであって、基板上に鞄縁膜を介してコイ
ル導体及び磁性膜を積層し、てなる薄膜磁気ヘッドにお
いて、上記磁性膜が、Ｆｅ。
完成されたものであって、基板上に鞄縁膜を介してコイ
ル導体及び磁性膜を積層し、てなる薄膜磁気ヘッドにお
いて、上記磁性膜が、Ｆｅ。
ＡＩｆ、Ｓｉを主成分とし、Ａ７！及びｓｌの組成範囲
がそれぞれ２へ一１０重ｔ％Ａ（ｐ４〜１５重星％Ｓｉ
であって、さらにｏ、ｏｏｓ〜４重量９４の窒素を含有
することを特徴とするものである。
がそれぞれ２へ一１０重ｔ％Ａ（ｐ４〜１５重星％Ｓｉ
であって、さらにｏ、ｏｏｓ〜４重量９４の窒素を含有
することを特徴とするものである。
〔作用］
窒素を含有するＦｅ−Ａ／−３ｉ系磁性膜は、杏磁率や
硬度に優れた特性を有し、ごれを磁気回路を構成し記録
・再生に関与する磁性膜とすることにより、記録再生効
率の向上が図られ、耐ｊ？耗性も改善される。
硬度に優れた特性を有し、ごれを磁気回路を構成し記録
・再生に関与する磁性膜とすることにより、記録再生効
率の向上が図られ、耐ｊ？耗性も改善される。
以下、本発明を適用した薄１ｔ！２磁気ヘッドの実施例
について図面を参照しながら説明する。
について図面を参照しながら説明する。
本発明の薄１１り磁気へノドにおいては、第１図及び第
２図に示すように、基板（１）上に、先ずフロンＩ・ギ
ャップ部やバックギヤ、プ部を除いて５ｉ０２笠よりな
る第１の絶縁層（２）が形成される。
２図に示すように、基板（１）上に、先ずフロンＩ・ギ
ャップ部やバックギヤ、プ部を除いて５ｉ０２笠よりな
る第１の絶縁層（２）が形成される。
上記基板（１）としては、本実施例ではＭｎ−Ｚｎ系フ
ェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強侑性酸化物基
板である。なお、上記基板（１）としては、これに限ら
れず、セラミンク等の非磁性基板上に強磁性金属材料か
らなる下部磁性膜を被着した複合基板や、あるいは強磁
性酸化物基板上に同様に下部磁性膜を被着した複合基板
であってもよい。
ェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の強侑性酸化物基
板である。なお、上記基板（１）としては、これに限ら
れず、セラミンク等の非磁性基板上に強磁性金属材料か
らなる下部磁性膜を被着した複合基板や、あるいは強磁
性酸化物基板上に同様に下部磁性膜を被着した複合基板
であってもよい。
上記第１の絶縁層（２）上には、ＣｕあるいはＡ１等の
導電金属材料よりなる第１のコイル導体（３）が、所定
の間隔をもって複数ターン（本実施例では３ターン）を
有する渦巻状に形成されている。
導電金属材料よりなる第１のコイル導体（３）が、所定
の間隔をもって複数ターン（本実施例では３ターン）を
有する渦巻状に形成されている。
このコイル導体（３）は、通常、上記導電金属材料を基
板（１）全面に被着した後、パターンエツチングを施す
ことにより形成される。
板（１）全面に被着した後、パターンエツチングを施す
ことにより形成される。
さらに、上記第１のコイル導体（３）を被覆するように
第２の絶縁層（４）が被着形成され、上記第１のコイル
導体（３）と同一の巻回方向を有し、上記第２の絶縁Ｎ
（４）に形成されたコンタクト窓部（５）を介して上記
第一のコイル導体（３）と電気的に接続された第２のコ
イル導体（６）が形成されている。この第２のコイル導
体（６）も渦巻状で、この例では３ターンを存している
。したがって・ごれら第１のコイル導体（３）と第２の
コイル導体（６）とは、合わせて６ターンのスパイラル
２層重ね巻線構造となっている。なお、これらコイル導
体としては、前述のスパイラル多層巻線構造に限られず
、ヘリカル型、ジグザグ型等、如何なる巻線構造であっ
てもよい。
第２の絶縁層（４）が被着形成され、上記第１のコイル
導体（３）と同一の巻回方向を有し、上記第２の絶縁Ｎ
（４）に形成されたコンタクト窓部（５）を介して上記
第一のコイル導体（３）と電気的に接続された第２のコ
イル導体（６）が形成されている。この第２のコイル導
体（６）も渦巻状で、この例では３ターンを存している
。したがって・ごれら第１のコイル導体（３）と第２の
コイル導体（６）とは、合わせて６ターンのスパイラル
２層重ね巻線構造となっている。なお、これらコイル導
体としては、前述のスパイラル多層巻線構造に限られず
、ヘリカル型、ジグザグ型等、如何なる巻線構造であっ
てもよい。
上記第２のコイル４体（６）上には、上記第１のコイル
導体（３）と同様、後述の上部磁性膜との絶縁を図るた
めに、第３の絶縁層（７）が形成されている。
導体（３）と同様、後述の上部磁性膜との絶縁を図るた
めに、第３の絶縁層（７）が形成されている。
そして、上記第３の絶縁層（７〕上には、上記強磁性酸
化物よりなる基板（１） との共働でじｌ気回路を構成
する上部磁性膜（８）が被着形成されている。
化物よりなる基板（１） との共働でじｌ気回路を構成
する上部磁性膜（８）が被着形成されている。
この上部磁性膜（８）は、上記各コイル導体（３）、（
６）の渦巻の中央部から、基板（１）の磁気記録媒体対
接面近傍に跨がって被着形成され、上記渦巻の中央部で
は、各絶縁Ｐｇ （２） 、 （４） 、 （７）に設
けられた窓部（９）を介して基板（１）と接続され、ハ
ックギャップを構成するとともに、（？１気記録媒体対
接面近傍では、ＳｉＯ□やＴ ａ ２０６等のギャップ
スペーサ（１０）を挟んで基板（１）と対向し、作動ギ
ヤツブＧを構成するようになっている。
６）の渦巻の中央部から、基板（１）の磁気記録媒体対
接面近傍に跨がって被着形成され、上記渦巻の中央部で
は、各絶縁Ｐｇ （２） 、 （４） 、 （７）に設
けられた窓部（９）を介して基板（１）と接続され、ハ
ックギャップを構成するとともに、（？１気記録媒体対
接面近傍では、ＳｉＯ□やＴ ａ ２０６等のギャップ
スペーサ（１０）を挟んで基板（１）と対向し、作動ギ
ヤツブＧを構成するようになっている。
さらにまた、図示していないが、通常は上述のコイル導
体（３） 、 （６）や上部磁性膜（８）等により構成
される磁気回路部を保護し磁気記録媒体に対する当りを
確保するための保護板が、低融点ガラス等の接着剤とし
て融着接合されている。
体（３） 、 （６）や上部磁性膜（８）等により構成
される磁気回路部を保護し磁気記録媒体に対する当りを
確保するための保護板が、低融点ガラス等の接着剤とし
て融着接合されている。
このように構成される本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上記上部磁性膜（８）（あるいは複合基板の場合に
は下部磁性膜も）の材質は、窒素を含有するＦｅ−Ａｌ
１−Ｓｉ系合金とする。
は、上記上部磁性膜（８）（あるいは複合基板の場合に
は下部磁性膜も）の材質は、窒素を含有するＦｅ−Ａｌ
１−Ｓｉ系合金とする。
本発明者等の実験によれば、磁性膜中の窒素Ｎの含有量
が増加するのに伴なって透磁率が急激に向上し、特に窒
素Ｎの含を量が約２重量％のときに窒素Ｎを全く含まな
い磁性膜に比べて透磁率がおよそ２．４倍にも達してい
ることがわかった。実際に、窒素を含有する場合と窒素
を含有しない場合のｉ３磁率の周波数特性を調べたとこ
ろ、第３図に示すようなものであった。すなわち、窒素
を含有するＦｅ−Ａβ−５ｉ系磁性膜では、第３図中曲
線Ａで示すようにいずれの周波数においても高い透磁率
を示すのに対して、窒素を含有しないＦｅ−Ａ１−３ｉ
系磁性膜では各周波数において透磁率が大幅に劣ること
がわかった。また、この透磁率は、上記磁性膜に含まれ
る窒素Ｎの含有量が多すぎると却って低下してしまい、
Ｉ Ｍ Ｈｚの周波数では上記窒素Ｎの含有量が３重量
％以下であることが好ましい。しかしながら、上記磁性
膜においては、窒素Ｎの含有量の増加とともに比抵抗が
増加することから、より高周波数領域での使用、例えば
デジタル記録用薄■々磁気ヘッド等への使用を考えると
、上記窒素Ｎの含を景が４重量％程度までは実用可能で
あると考えられる。
が増加するのに伴なって透磁率が急激に向上し、特に窒
素Ｎの含を量が約２重量％のときに窒素Ｎを全く含まな
い磁性膜に比べて透磁率がおよそ２．４倍にも達してい
ることがわかった。実際に、窒素を含有する場合と窒素
を含有しない場合のｉ３磁率の周波数特性を調べたとこ
ろ、第３図に示すようなものであった。すなわち、窒素
を含有するＦｅ−Ａβ−５ｉ系磁性膜では、第３図中曲
線Ａで示すようにいずれの周波数においても高い透磁率
を示すのに対して、窒素を含有しないＦｅ−Ａ１−３ｉ
系磁性膜では各周波数において透磁率が大幅に劣ること
がわかった。また、この透磁率は、上記磁性膜に含まれ
る窒素Ｎの含有量が多すぎると却って低下してしまい、
Ｉ Ｍ Ｈｚの周波数では上記窒素Ｎの含有量が３重量
％以下であることが好ましい。しかしながら、上記磁性
膜においては、窒素Ｎの含有量の増加とともに比抵抗が
増加することから、より高周波数領域での使用、例えば
デジタル記録用薄■々磁気ヘッド等への使用を考えると
、上記窒素Ｎの含を景が４重量％程度までは実用可能で
あると考えられる。
また、磁性膜に含まれる窒素Ｎの含有■の増加に伴なっ
て、ビッカース硬度も急激に高くなり、上記窒素Ｎの含
有量が約２重量％を越えるとほぼ一定の硬度を確保する
ことができることが分かった。
て、ビッカース硬度も急激に高くなり、上記窒素Ｎの含
有量が約２重量％を越えるとほぼ一定の硬度を確保する
ことができることが分かった。
したがって、本発明の薄膜磁気ヘットにおいて、磁性膜
に含有される窒素Ｎの含有量としては、０゜００５〜４
重璽％の範囲であることが好ましい。
に含有される窒素Ｎの含有量としては、０゜００５〜４
重璽％の範囲であることが好ましい。
上記な有■が０．００５重里％未満であると充分な効果
が期待できず、また上記含有■が４重量％を越えると却
って透磁率が低下してしまい保磁力■］Ｃも大きく成っ
てしまう虞れがある。さらに、上記窒素Ｎとともに酸素
を含有してもよい。
が期待できず、また上記含有■が４重量％を越えると却
って透磁率が低下してしまい保磁力■］Ｃも大きく成っ
てしまう虞れがある。さらに、上記窒素Ｎとともに酸素
を含有してもよい。
一方、丘記磁性膜の主成分であるＦｅ、ＡＲ。
Ｓｉの組成範囲としては、上記Ａｆｆの含有１が２〜１
０重里％、上記Ｓ１の含有量が・１〜１５ｍ〒９・６、
残部がＦｅであることが好ましい。すなわち、上記磁性
膜を ＦｅＩＩＡｌｂＳ ｉｃｌ’ｔＪ。
０重里％、上記Ｓ１の含有量が・１〜１５ｍ〒９・６、
残部がＦｅであることが好ましい。すなわち、上記磁性
膜を ＦｅＩＩＡｌｂＳ ｉｃｌ’ｔＪ。
（ａ、ｂ、ｃ、ｄは各成分の重量比を表す。）で表わし
たときに、その組成範囲が、 ７０≦ａく９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦４ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｌｏ。
たときに、その組成範囲が、 ７０≦ａく９５ ２≦ｂ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦４ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝ｌｏ。
であることが望ましい。上記Ａ７！やＳｉが少なすぎて
も、また逆Ｇこ多すぎても磁性膜のモ５１気特性が劣化
してしまう。
も、また逆Ｇこ多すぎても磁性膜のモ５１気特性が劣化
してしまう。
また、上記Ｆｅの一部をＣｏあるいはＮ五のうち少なく
とも１種と置換することも可能である。
とも１種と置換することも可能である。
」−記Ｆｅの一部をＣｏと１４換することにより飽和も
イ１重密度Ｂｓを上げることができる。持゛に、ＦＣの
４０重重景をＣＯで置換したもので最大の飽和磁束密度
Ｂｓが得られる。このＣｏのｆｆｉ 喚１としては、Ｆ
ｅに対してＯ＝６０重量％の範囲内であることが好まし
い。
イ１重密度Ｂｓを上げることができる。持゛に、ＦＣの
４０重重景をＣＯで置換したもので最大の飽和磁束密度
Ｂｓが得られる。このＣｏのｆｆｉ 喚１としては、Ｆ
ｅに対してＯ＝６０重量％の範囲内であることが好まし
い。
同様に、上記Ｆｅの一部をＮｉと置換することにより、
飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態
に保つことができる。このＮｉの置換晋としては、Ｆｅ
に対して０〜４０重里％の範囲内であることが好ましい
。
飽和磁束密度Ｂｓを減少することなく透磁率を高い状態
に保つことができる。このＮｉの置換晋としては、Ｆｅ
に対して０〜４０重里％の範囲内であることが好ましい
。
さらに、上述の磁性膜には、耐蝕性や耐摩耗性を改善す
るために各種元素を添加剤として加えもよい。上記添加
剤として使用される元素としては、Ｓｅ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランクン系列元素を含む１ｌｌａ族
元素、Ｔｉ、Ｚｒ、ｉ（ｆ等のＩＶａＶａ族元素、Ｎｂ
、Ｔａ等のＶａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等のｌ／ｌａ族
元素、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等の■ａ族元素、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ等のＩｂ族元素Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ’４
が挙げられる。これら添加剤の１種または２亜以上を組
み合わせて、上記磁性薄膜に対して０〜１０重面％の１
ｎ囲で添加する。すなわち、上記添加剤を′ｒとし上記
磁性膜を Ｆ ｅ ｓ Ａ １ｂ Ｓ ｉ ｃ Ｎａ Ｔａ（ａ、
ｂ、 ｃ、 ｄ、 ｅ、の各成分の重量比を
表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ａ ＋ １） ＋ ｃ ＋ ｄ ＋ ｅ ＝ １００を
満足することが望ましい。上記添加剤の添加猾カ月０重
■％を越えると磁性膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。
るために各種元素を添加剤として加えもよい。上記添加
剤として使用される元素としては、Ｓｅ、Ｙ、Ｌａ、Ｃ
ｅ、Ｎｄ、Ｇｄ等のランクン系列元素を含む１ｌｌａ族
元素、Ｔｉ、Ｚｒ、ｉ（ｆ等のＩＶａＶａ族元素、Ｎｂ
、Ｔａ等のＶａ族元素、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等のｌ／ｌａ族
元素、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ等の■ａ族元素、Ｃｕ、Ａｇ、
Ａｕ等のＩｂ族元素Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ’４
が挙げられる。これら添加剤の１種または２亜以上を組
み合わせて、上記磁性薄膜に対して０〜１０重面％の１
ｎ囲で添加する。すなわち、上記添加剤を′ｒとし上記
磁性膜を Ｆ ｅ ｓ Ａ １ｂ Ｓ ｉ ｃ Ｎａ Ｔａ（ａ、
ｂ、 ｃ、 ｄ、 ｅ、の各成分の重量比を
表わす。） で表わしたときに、その組成範囲が ６５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０．００５≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ａ ＋ １） ＋ ｃ ＋ ｄ ＋ ｅ ＝ １００を
満足することが望ましい。上記添加剤の添加猾カ月０重
■％を越えると磁性膜の磁気特性を劣化してしまう虞れ
がある。
あるいは、上記添加剤としてＲｕ、Ｒｈ、ｐｄ。
Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ等の白金族元素を１種以上添加しても
よい。この１）合、上記白金族元素の添加量としては４
０重世％以下であることが好：トシい。
よい。この１）合、上記白金族元素の添加量としては４
０重世％以下であることが好：トシい。
上記添加量が４０重量％を越えると磁性膜の磁気特性を
劣化してしまう戊れがある。
劣化してしまう戊れがある。
さらに、上記１１１ａ族元素、Ｉｔ／ａ族元素等の添加
剤と上記白金族元素の両者を話力ｎすることも可能であ
る。この場合の組成範囲としては、Ｆ記ＩＩＩ ａ族元
素、ＩＶａＶａ族元素添加剤をＴ、上記白金族元素をＰ
とし、上記磁性膜を Ｆ ｅｍ Ａｌｂ Ｓ ｉｅ Ｎａ Ｔｏ Ｐｔ（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｒは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、 ５５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０、０ ０ ５ ≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ０≦ｆ≦４０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ’−、ｅ＋ｆ＝１００ を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ。
剤と上記白金族元素の両者を話力ｎすることも可能であ
る。この場合の組成範囲としては、Ｆ記ＩＩＩ ａ族元
素、ＩＶａＶａ族元素添加剤をＴ、上記白金族元素をＰ
とし、上記磁性膜を Ｆ ｅｍ Ａｌｂ Ｓ ｉｅ Ｎａ Ｔｏ Ｐｔ（ａ、
ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｒは各成分の重量比を表わす。） で表わしたときに、 ５５≦ａく９５ ２≦ａ≦１０ ４≦Ｃ≦１５ ０、０ ０ ５ ≦ｄ≦６ ０≦ｅ≦１０ ０≦ｆ≦４０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ’−、ｅ＋ｆ＝１００ を満足することが好ましく、さらに上記白金族元素とし
て第５周期の白金族元素、すなわちＲｕ。
Ｒｈ、Ｐｄを使用したときにはｅ＋ｆ≦２０．上記白金
族元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔを使用したときにはｅ＋ｆ≦４０であることが
望ましい。上述の範囲越える添加剤を添加すると、磁気
特性が劣化する虞れがある。
族元素として第６周期の白金族元素、すなわちＯｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔを使用したときにはｅ＋ｆ≦４０であることが
望ましい。上述の範囲越える添加剤を添加すると、磁気
特性が劣化する虞れがある。
ところで、一般的に、磁性膜のｉ３磁率は、形状の相違
に起因して実際の薄膜磁気ヘッドに応用されたときは若
干透磁率が減少する傾向に有り、最終的には薄膜磁気ヘ
ソｉ゛を試作しその差異を調べる必要がある。
に起因して実際の薄膜磁気ヘッドに応用されたときは若
干透磁率が減少する傾向に有り、最終的には薄膜磁気ヘ
ソｉ゛を試作しその差異を調べる必要がある。
そこで、第４図に示すように、基板（１）として、フェ
ライト基板（１ａ）上に下部磁性膜（１ｂ）を被着した
複合基板を用いた薄膜磁気ヘッドを試作して、窒素含有
１”ｃ−Ａρ−５ｉ系磁性膜の優位性を電磁変換特性か
ら調べた。なお、この第４図において、先の第１図及び
第２図に示す薄膜磁気ヘッドと同一の部材には同一の符
号を付しである。
ライト基板（１ａ）上に下部磁性膜（１ｂ）を被着した
複合基板を用いた薄膜磁気ヘッドを試作して、窒素含有
１”ｃ−Ａρ−５ｉ系磁性膜の優位性を電磁変換特性か
ら調べた。なお、この第４図において、先の第１図及び
第２図に示す薄膜磁気ヘッドと同一の部材には同一の符
号を付しである。
その結果、第５図に示すように、下部磁性膜（１ｂ）の
みを窒素を含むＦｅ−Ａ１−３ｉ系磁性膜とした場合に
も出力向上が見られ、さらに下部磁性膜（１ｂ）及び上
部磁性膜（８）の両者を窒素を含有するＦｅ−Ａｊ！−
５ｉ系磁性膜とすることにより、大幅な出力向上が達成
されることが確認された。
みを窒素を含むＦｅ−Ａ１−３ｉ系磁性膜とした場合に
も出力向上が見られ、さらに下部磁性膜（１ｂ）及び上
部磁性膜（８）の両者を窒素を含有するＦｅ−Ａｊ！−
５ｉ系磁性膜とすることにより、大幅な出力向上が達成
されることが確認された。
以上の説明からも明らかなように、本発明の薄ｎり磁気
ヘッドにおいては、磁気回路を構成する磁性薄膜を窒素
を含有するＦｅ−Ａ１’−３ｉ系磁性膜としているので
、透磁率の大幅な向上が図られ、記録再生効率に優れた
薄膜磁気ヘッドの提供が可能となった。
ヘッドにおいては、磁気回路を構成する磁性薄膜を窒素
を含有するＦｅ−Ａ１’−３ｉ系磁性膜としているので
、透磁率の大幅な向上が図られ、記録再生効率に優れた
薄膜磁気ヘッドの提供が可能となった。
また、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの製造プロセス
の変更は必要なく、生産効率の低下や積度の低下等の心
配はない。また、巻線数を滅らす必要もないので、記！
３電流の増大や再生出力の低下を惹起することもない。
の変更は必要なく、生産効率の低下や積度の低下等の心
配はない。また、巻線数を滅らす必要もないので、記！
３電流の増大や再生出力の低下を惹起することもない。
さらに、窒素を含有するＦｅ−Ａｌ２−３ｉ系磁性膜は
、耐蝕性や耐摩耗性にも優れたものであるので、薄膜磁
気ヘッドの耐久性の点でも有利である。
、耐蝕性や耐摩耗性にも優れたものであるので、薄膜磁
気ヘッドの耐久性の点でも有利である。
これらの利点は、薄膜磁気ヘッドの構成に由来する小型
化の容易性、高生産性、高信十■性、高密度記録化等の
特徴と相俟って薄膜磁気ヘッドの性能の向上に有効に働
き、実用価値の高い薄膜磁気ヘッドの提供が可能となる
。
化の容易性、高生産性、高信十■性、高密度記録化等の
特徴と相俟って薄膜磁気ヘッドの性能の向上に有効に働
き、実用価値の高い薄膜磁気ヘッドの提供が可能となる
。
第り図は本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの一例を示す
要部拡大平面図であり、第２図は第１図Ａ−Ａ線におけ
る要部拡大断面図である。 第３図は窒素含有Ｆｅ−Ａ７！−３ｉ系磁性膜のｉ３磁
率の周波数特性を窒素を含有しないＦｅ−Ａｌ２−３ｉ
系磁性膜のそれと比較して示す特性図であ第４図は下部
磁性■りを設けた薄膜６（ｉ気−，７ドの一例を示す要
部拡大断面図であり、第５図は第４図に示す薄膜磁気ヘ
ッドの磁性７Ｎ膜を窒素含有Ｆｅ−Ａｊ！−３ｉ系磁性
膜にしたときの７ Ｍ ｌｌｚにおける再生出力を窒素
を含有しないＦｅ−Ａｆｆ−３ｉ系磁性膜を用いた場合
と比較して示す特性図である。 第６図は一般的な薄膜磁気へノドの構成を模式的に示す
要部拡大断面図であり、第７図は再生効率の透磁率依存
性をギャップ長０．８μｍの場合とギャップ長０．３μ
ｍの場合を比較して示す特性図である。 １ ・ ・ ・ ；１δ；牟反３．６・・・コ
イル導体 ８ ・・・上部磁性膜 ｌｂ ・・・下部磁性膜 濤膿ロλへ−斗゛リ 零舒喘匁ヤ句に 第１図 ｎ兼叙（Ｈ１２→ 第３図 第４図 一１シ１ 第５図 第６図 第７図
要部拡大平面図であり、第２図は第１図Ａ−Ａ線におけ
る要部拡大断面図である。 第３図は窒素含有Ｆｅ−Ａ７！−３ｉ系磁性膜のｉ３磁
率の周波数特性を窒素を含有しないＦｅ−Ａｌ２−３ｉ
系磁性膜のそれと比較して示す特性図であ第４図は下部
磁性■りを設けた薄膜６（ｉ気−，７ドの一例を示す要
部拡大断面図であり、第５図は第４図に示す薄膜磁気ヘ
ッドの磁性７Ｎ膜を窒素含有Ｆｅ−Ａｊ！−３ｉ系磁性
膜にしたときの７ Ｍ ｌｌｚにおける再生出力を窒素
を含有しないＦｅ−Ａｆｆ−３ｉ系磁性膜を用いた場合
と比較して示す特性図である。 第６図は一般的な薄膜磁気へノドの構成を模式的に示す
要部拡大断面図であり、第７図は再生効率の透磁率依存
性をギャップ長０．８μｍの場合とギャップ長０．３μ
ｍの場合を比較して示す特性図である。 １ ・ ・ ・ ；１δ；牟反３．６・・・コ
イル導体 ８ ・・・上部磁性膜 ｌｂ ・・・下部磁性膜 濤膿ロλへ−斗゛リ 零舒喘匁ヤ句に 第１図 ｎ兼叙（Ｈ１２→ 第３図 第４図 一１シ１ 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に絶縁膜を介してコイル導体及び磁性膜を積層し
てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、 上記磁性膜が、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉを主成分とし、Ａｌ及
びＳｉの組成範囲がそれぞれ２〜１０重量％Ａｌ、４〜
１５重量％Ｓｉであって、さらに０．００５〜４重量％
の窒素を含有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228397A JP2605681B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 薄膜磁気ヘツド |
| KR1019860007601A KR940006356B1 (ko) | 1985-10-14 | 1986-09-10 | 박막자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60228397A JP2605681B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6288121A true JPS6288121A (ja) | 1987-04-22 |
| JP2605681B2 JP2605681B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16875826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60228397A Expired - Fee Related JP2605681B2 (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2605681B2 (ja) |
| KR (1) | KR940006356B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2555186A4 (en) * | 2010-03-31 | 2014-04-16 | Korea Electronics Telecomm | CODING METHOD AND DEVICE AND DECODING METHOD AND DEVICE |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189816A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Tohoku Metal Ind Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS6157016A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-22 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60228397A patent/JP2605681B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-09-10 KR KR1019860007601A patent/KR940006356B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189816A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Tohoku Metal Ind Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS6157016A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-22 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2605681B2 (ja) | 1997-04-30 |
| KR940006356B1 (ko) | 1994-07-18 |
| KR870004400A (ko) | 1987-05-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |