JPS6289320A - リングcr素子 - Google Patents
リングcr素子Info
- Publication number
- JPS6289320A JPS6289320A JP60230735A JP23073585A JPS6289320A JP S6289320 A JPS6289320 A JP S6289320A JP 60230735 A JP60230735 A JP 60230735A JP 23073585 A JP23073585 A JP 23073585A JP S6289320 A JPS6289320 A JP S6289320A
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- Japan
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- ring
- dielectric layer
- electrode
- shaped substrate
- divided
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
E粟上辺肩朋分」
本発明は、マイクロモータ等より発生するスパークの防
止、ノイズの消去に頗る有用なリングCR素子に関する
。
止、ノイズの消去に頗る有用なリングCR素子に関する
。
従−米1Y技薯−
マイクロモータの整流子より発生するスパークを防IL
シ、ノイズを消去するため、リングコンデンサが整流子
に取着されている。このリングコンデンサは、表面に誘
電体層が形成された半導体磁器よりなるリング状基板の
一方の主表面に分割電極を形成してなるものであり、同
様の目的で使用される他の素工、例えば、リングバリス
タ等と比較して静電容量か大きく、ノイズ除去効果が大
きいという利点がある。
シ、ノイズを消去するため、リングコンデンサが整流子
に取着されている。このリングコンデンサは、表面に誘
電体層が形成された半導体磁器よりなるリング状基板の
一方の主表面に分割電極を形成してなるものであり、同
様の目的で使用される他の素工、例えば、リングバリス
タ等と比較して静電容量か大きく、ノイズ除去効果が大
きいという利点がある。
さらに、スパークの防11−効果をもたらすものとして
、リングコンデンサの各電極間に抵抗を接続したものが
実開昭49−54009号公報において開小されている
。
、リングコンデンサの各電極間に抵抗を接続したものが
実開昭49−54009号公報において開小されている
。
!u!1寿−邂工決ルl−ケシJi皿通点しかしながら
、上記の実開昭49−54009号公報において開示さ
れたリングコンデンサは、各分割電極間を別体の抵抗素
−rにより橋絡した構成であり、リング状基板に抵抗素
子を取り付ける必要かあるため、製造工程が多くなり、
製造に手間がかかる−1−に、コスト高となるといった
問題点があった。
、上記の実開昭49−54009号公報において開示さ
れたリングコンデンサは、各分割電極間を別体の抵抗素
−rにより橋絡した構成であり、リング状基板に抵抗素
子を取り付ける必要かあるため、製造工程が多くなり、
製造に手間がかかる−1−に、コスト高となるといった
問題点があった。
随1点奎邂扱す(Lf匹1彫
そこで、本発明は、スパーク防止効果のある抵抗をリン
グ状基板自体に構成して」二足問題点の解決を図るもの
であり、要旨とするところは、半導体磁器よりなるリン
グ状基板の一方の主表面に分割電極が形成されており、
その直■に誘電体層が形成されていると共に、該誘電体
層が衝撃電圧の印加により破壊されている点に存する。
グ状基板自体に構成して」二足問題点の解決を図るもの
であり、要旨とするところは、半導体磁器よりなるリン
グ状基板の一方の主表面に分割電極が形成されており、
その直■に誘電体層が形成されていると共に、該誘電体
層が衝撃電圧の印加により破壊されている点に存する。
作」
半導体磁器のリング状基板に形成された誘電体層は絶縁
層であるが、衝撃電圧を印加することによって、その部
分の絶縁抵抗値が低下し、あるf1限の抵抗値をもつよ
うになる。従って、各分割電極面ドの誘電体層を衝撃電
圧を印加して破壊すれば、等価的に各分割電極間に抵抗
を設けたこととなる。この結果、従来における問題点を
解消することが可能となる。
層であるが、衝撃電圧を印加することによって、その部
分の絶縁抵抗値が低下し、あるf1限の抵抗値をもつよ
うになる。従って、各分割電極面ドの誘電体層を衝撃電
圧を印加して破壊すれば、等価的に各分割電極間に抵抗
を設けたこととなる。この結果、従来における問題点を
解消することが可能となる。
災−輪一例一
以下、実施例を挙げて本発明を詳述する。
第1図は本発明に係るリングCR素子の一実施例を示す
斜視図であり、第2図はリング状基板の内部構造を模式
的に示す図であって、ここに1はBaTi0 系或い
は5rTiO系等の半導体磁器よりなるリング状基板で
あり、このリング状基板1の一方の−1:、表面には三
分割された銀等の分割電極2か形成されている。そして
、この分割電極2の直下には為電体層3が形成されてい
る。この誘電体層3は、分割゛電極2を形成する際に、
リング状基板1の表層部が電極成分の存在の故にp+酸
化されて形成されたものである。
斜視図であり、第2図はリング状基板の内部構造を模式
的に示す図であって、ここに1はBaTi0 系或い
は5rTiO系等の半導体磁器よりなるリング状基板で
あり、このリング状基板1の一方の−1:、表面には三
分割された銀等の分割電極2か形成されている。そして
、この分割電極2の直下には為電体層3が形成されてい
る。この誘電体層3は、分割゛電極2を形成する際に、
リング状基板1の表層部が電極成分の存在の故にp+酸
化されて形成されたものである。
各分割電極2・・・の的ドの誘電体層3・・・は分割電
極2.2間に衝撃電圧を印加することによって破壊され
、これによって自限の抵抗値をもった抵抗部4か形成さ
れている。尚、誘電体層3の破壊は一部分のみ行われて
いるので、銭金の誘電体層3によって分割電極2とit
、導体磁器間におけるコンデンサを構成している。
極2.2間に衝撃電圧を印加することによって破壊され
、これによって自限の抵抗値をもった抵抗部4か形成さ
れている。尚、誘電体層3の破壊は一部分のみ行われて
いるので、銭金の誘電体層3によって分割電極2とit
、導体磁器間におけるコンデンサを構成している。
上記のように誘電体層3に抵抗部4が形成された結果、
分割電極2.2間には前記抵抗部4と、1へ導体磁器の
もつtltfA分(図中、5で模式的に示す。)との直
列回路が接続されることになる。従って、1−記構成の
リングCR素rの等価回路は第3図に示す如くなる。図
中、Rがfit tAI FA< 4と半導体磁器の抵
抗部の合成+1L抗である。
分割電極2.2間には前記抵抗部4と、1へ導体磁器の
もつtltfA分(図中、5で模式的に示す。)との直
列回路が接続されることになる。従って、1−記構成の
リングCR素rの等価回路は第3図に示す如くなる。図
中、Rがfit tAI FA< 4と半導体磁器の抵
抗部の合成+1L抗である。
次に、−1ユ記リングCR素子の具体的な製造例を以下
に説明する。
に説明する。
(製造例)
BaTiO94,8モル%、Zr04モル%、Ce00
.4モル%、Nd00.3モル%、Mn00.5モル%
、からなる組成物を用いて、リング状成形体を成形し、
これを空気中にて1350〜1450’Cで約4時間焼
成することにより、リング状磁器板(外径f1.Omm
、内径7.0mm5肉厚1.0mm)を得た。次いで、
このリング状磁器板を還元雰囲気(H10容量%、N
90容量%)中にて800〜1100℃で約2時間熱
処理することにより、半導体化し、リング状基板を得た
。
.4モル%、Nd00.3モル%、Mn00.5モル%
、からなる組成物を用いて、リング状成形体を成形し、
これを空気中にて1350〜1450’Cで約4時間焼
成することにより、リング状磁器板(外径f1.Omm
、内径7.0mm5肉厚1.0mm)を得た。次いで、
このリング状磁器板を還元雰囲気(H10容量%、N
90容量%)中にて800〜1100℃で約2時間熱
処理することにより、半導体化し、リング状基板を得た
。
更に、このリング状基板の一方の主表面に、銀ペース)
(Ag82重量%、有機ビヒクル15重h1%、ガラ
スフリット3重量%)を三分割した形状に塗布し、空気
中にて800°Cで約30分焼付を行うことにより、三
分割電極を一方の主表面に形成した。形成された各分割
電極間の距離は1゜5mmであった。
(Ag82重量%、有機ビヒクル15重h1%、ガラ
スフリット3重量%)を三分割した形状に塗布し、空気
中にて800°Cで約30分焼付を行うことにより、三
分割電極を一方の主表面に形成した。形成された各分割
電極間の距離は1゜5mmであった。
その後、各分割電極間に、波高値300V、8×20μ
sの衝撃型11を5回ずつ印加して、各電極間の基板を
破壊して抵抗部を形成した。
sの衝撃型11を5回ずつ印加して、各電極間の基板を
破壊して抵抗部を形成した。
斯くして得られたリングCR素子の静電容置を測定した
ところ、各三分割電極間に於いて105nF (1kH
z11Vrms)の値が得られた。
ところ、各三分割電極間に於いて105nF (1kH
z11Vrms)の値が得られた。
また、各二分割電極間の抵抗値は5.2にΩ(0、IV
印加)であった。
印加)であった。
このリングCR素子をマイクロモータの整流子に取り付
けて、駆動電圧6■で該モータを運転したが、スパーク
の発生はほとんど無かった。また、同時に、リード伝播
ノイズ周波数特性もホリ定した。なお、比較のために、
このリングCR素子と外径が同じ5にΩの抵抗を取り付
けた場合、同し外径の100nFのコンデンサを取り付
けた場合の特性もそれぞれ測定した。測定結果を第4図
に示す。図中、Aは上記で得られたリングCR素rの場
合、Bは抵抗の場合、Cはコンデンサの場合の特性曲線
をそれぞれ示している。
けて、駆動電圧6■で該モータを運転したが、スパーク
の発生はほとんど無かった。また、同時に、リード伝播
ノイズ周波数特性もホリ定した。なお、比較のために、
このリングCR素子と外径が同じ5にΩの抵抗を取り付
けた場合、同し外径の100nFのコンデンサを取り付
けた場合の特性もそれぞれ測定した。測定結果を第4図
に示す。図中、Aは上記で得られたリングCR素rの場
合、Bは抵抗の場合、Cはコンデンサの場合の特性曲線
をそれぞれ示している。
発明迎櫃1程
叙−にの如(、本発明のリングCR素子は、ノイズ消去
効果に優れ、■−1つスパーク防1F効果も有するもの
であり、しかも、抵抗体を取り付ける7妥が無いので製
造は容易であり、別体の抵抗体が不髪であるので安価と
なる。
効果に優れ、■−1つスパーク防1F効果も有するもの
であり、しかも、抵抗体を取り付ける7妥が無いので製
造は容易であり、別体の抵抗体が不髪であるので安価と
なる。
第1図は本発明のリングCR素子の一実施例の斜視図、
第2図はその内部構造を模式的に示す説明図、第3図は
その等価回路を示す図、第4図はノイズ周波散性P1・
の測定結果を示す図である。 ■・・・リング状基板、 2・・・分割電極、 3・・・誘電体層。 持訂出願人 株式会社 村【丁1製作所第1図 第2図
第2図はその内部構造を模式的に示す説明図、第3図は
その等価回路を示す図、第4図はノイズ周波散性P1・
の測定結果を示す図である。 ■・・・リング状基板、 2・・・分割電極、 3・・・誘電体層。 持訂出願人 株式会社 村【丁1製作所第1図 第2図
Claims (1)
- 半導体磁器よりなるリング状基板の一方の主表面に分割
電極が形成され、その直下に誘電体層が形成されている
と共に、該誘電体層が衝撃電圧の印加により破壊されて
いることを特徴とするリングCR素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230735A JPS6289320A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | リングcr素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60230735A JPS6289320A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | リングcr素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6289320A true JPS6289320A (ja) | 1987-04-23 |
Family
ID=16912477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60230735A Pending JPS6289320A (ja) | 1985-10-15 | 1985-10-15 | リングcr素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6289320A (ja) |
-
1985
- 1985-10-15 JP JP60230735A patent/JPS6289320A/ja active Pending
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